專利名稱：無溫度相關(guān)性的射隨器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用一個雙極晶體管的射隨器電路。
射隨器電路通常用于減小輸出阻抗和使一個信號的電平發(fā)生漂移。射隨器電路一般形成于半導(dǎo)體集成電路中，并通常被連接在半導(dǎo)體集成電路中所形成的信號處理電路之間或信號處理電路的一個輸出端上。


圖1所示的電路是現(xiàn)有的用作射隨器電路的電路。參照圖1，一個NPN型雙極晶體管(以下稱之為一個NPN晶體管)501的基極與一個輸入端(IN)相連，NPN晶體管501的發(fā)射極和用于輸出具有一個特定電流值的電流的電流源503的一個端與一個輸出端(OUT)相連。一個電源端(VCC)與NPN晶體管501的集電極相連并且電源端(VEE)與電流源503的另一端相連。
作為另一個現(xiàn)有技術(shù)示例，在日本專利申請(JP-A-平7-183763)中公開了一種濾波器電路。在這篇參考文獻中，射隨器電路的雙極晶體管14和22分別與晶體管24和26相連。晶體管24和26被提供以一個由一個溫度特性補償電流發(fā)生電路30產(chǎn)生的電流。溫度特性補償電流發(fā)生電路30與晶體管14或22的輸出阻抗具有相同的溫度特性。這樣，可實現(xiàn)溫度補償。
如圖1所示，從輸出端(OUT)輸出一個信號使其信號電平由于NPN晶體管1的基極和發(fā)射極VBE之間的正向電壓而低于輸入端(IN)的信號電平。即，在射隨器電路中從輸出端(OUT)輸出一個信號，該信號具有被正向基極-發(fā)射極電壓VBE從輸入端(IN)的信號電平漂移的信號電平。
圖1所示的NPN晶體管1的正向基極-發(fā)射極電壓VBE具有一個預(yù)定的溫度相關(guān)漂移，并且相對于溫度升高，該溫度相關(guān)漂移值大約為-2Mv/℃是已知的。
現(xiàn)在在圖1中假設(shè)電源端VCC和VEE的電壓分別為3V和0V。還假設(shè)在射隨器電路的結(jié)點溫度為0℃時，信號電平為3V的信號被提供給輸入端(IN)，信號電平為2.1V的信號從輸出端(OUT)輸出。在結(jié)點溫度從0℃升至100℃的情況下，由于上述正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移的影響而使NPN晶體管1的正向基極-發(fā)射極電壓VBE減小0.2V。這樣，從輸出端(OUT)輸出的信號的信號電平為2.3V。即，在圖1所示的現(xiàn)有射隨器電路中存在不能隨溫度變化得到具有高精確度的電平漂移電壓的問題。
順便提及，NPN晶體管501的正向基極-發(fā)射極電壓VBE必然隨NPN晶體管501制造工藝中的制造條件而變化。我們知道正向基極-發(fā)射極電壓VBE的變化沒有預(yù)定方向并且正向基極-發(fā)射極電壓VBE隨機發(fā)生變化。為此，在圖1所示的現(xiàn)有射隨器電路中，還存在從輸出端(OUT)輸出的信號的電平由于正向基極-發(fā)射極電壓VBE的變化而隨機改變以致不能得到具有高精確度的電平漂移電壓的問題。
本發(fā)明是在針對上述問題完成的。因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體集成電路，該電路包括一可得到具有高精確度的電平漂移電壓的射隨器電路。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的一個方面，一個射隨器電路包括含有至少一個晶體管并具有第一溫度相關(guān)特性的晶體管單元，和一個在其一端與晶體管單元相連的電阻元件。響應(yīng)于一個被輸入到晶體管單元的輸入信號，從電阻元件的另一端輸出一個輸出信號。一個電流源電路與電阻元件的另一端相連，并使一個電流流經(jīng)該電阻元件以使得電阻元件的電壓降具有與晶體管單元的第一溫度相關(guān)特性相反的第二溫度相關(guān)特性。
晶體管單元包括一個晶體管，該晶體管的基極被輸入一個輸入信號，發(fā)射極與電阻元件的一端相連。另外，晶體管單元也可以包括以達林頓(DARLINGTON)連接方式被連接的晶體管。與之不同地，晶體管單元可以包括第一雙極晶體管，其具有一個基極輸入信號被輸入到其上，和發(fā)射極，以及第二雙極晶體管，其集電極與第一雙極晶體管的發(fā)射極相連，基極與第二雙極晶體管的集電極相連，并且發(fā)射極與電阻元件的一端相連。
在上述情況中，電流源電路可使一個電流流經(jīng)電阻元件，使得電阻元件的電壓降具有與晶體管單元的第一溫度相關(guān)特性相反的第二溫度相關(guān)特性并使得制造工藝中晶體管單元和電阻元件的變化被消除。
電流源電路可以包括與上述晶體管單元和電阻元件具有相同溫度相關(guān)特性和制造工藝變化的一個晶體管單元和一個電阻元件。而且，電流源電路的晶體管單元還可以與一個穩(wěn)定電源電路相連，并且電流源電路提供的電流與穩(wěn)定電源電路提供的流經(jīng)電流源電路的電阻元件的電流成比例。此外，由穩(wěn)定電源電路提供的流經(jīng)電流源電路中的電阻元件的電流通過一個電流鏡像電路被傳輸?shù)脚c電流源電路相連的電阻元件。
在上述情況中，電阻元件和電流源電路可被形成于同一個集成電路中。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的另一個方面，響應(yīng)于一個輸入信號而輸出一個具有穩(wěn)定電平的輸出信號的方法包括步驟使第一電流從第一雙極晶體管流經(jīng)第一電阻元件；根據(jù)第一電流的第一值傳輸?shù)诙担灰约笆沟诙娏鲝牡诙p極晶體管流經(jīng)第二電阻元件，使得第二雙極晶體管的溫度相關(guān)特性被消除，射隨器電路的第二雙極晶體管用于使一個輸入信號產(chǎn)生電平漂移以輸出一個電平漂移信號。
在這種情況下，第一電阻元件和第一雙極晶體管分別與第二電阻元件和第二雙極晶體管具有相同的溫度相關(guān)特性。另外，第一電阻元件和第一雙極晶體管也可以分別與第二電阻元件和第二雙極晶體管具有相同的制造工藝變化。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的另一個方面，一個射隨器電路包括含有至少一個晶體管并具有第一溫度相關(guān)特性的晶體管單元，和一個在其一端與晶體管單元相連的電阻元件。響應(yīng)于一個被輸入到晶體管單元的輸入信號，從電阻元件的另一端輸出一個輸出信號。一個電流源電路與電阻元件的另一端相連，并使一個電流流經(jīng)該電阻元件以使得電阻元件的電壓降具有與晶體管單元的第一溫度相關(guān)特性相反的第二溫度相關(guān)特性并使得制造工藝中晶體管單元和電阻元件的變化被消除。
圖1是示出了現(xiàn)有的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖2是示出了依據(jù)本發(fā)明第一實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖3是示出了依據(jù)本發(fā)明第二實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖；圖4是示出了依據(jù)本發(fā)明第三實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖；以及圖5是示出了依據(jù)本發(fā)明第四實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
下面，參照附圖詳細說明依據(jù)本發(fā)明的包括了一個射隨器電路的半導(dǎo)體集成電路。
圖2是示出了依據(jù)本發(fā)明第一實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
參照圖2，第一實施例中的射隨器電路由一個NPN晶體管101，一個電阻元件102以及一個電流源電路103構(gòu)成。NPN晶體管101的基極與一個輸入端(IN)相連。NPN晶體管101的集電極與一個電源端(VCC)相連，NPN晶體管的發(fā)射極與電阻元件102的一個端子相連。電阻元件102的另一端子與一個輸出端(OUT)和電流源電路103的其中一個端子相連。電流源電路103的另一個端子與一個電源端(VEE)相連。
NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性為-2mV/℃。電阻元件102和電流源電路103以如此方式構(gòu)成產(chǎn)生于電阻元件102的端子之間的電動勢或電壓降的溫度相關(guān)漂移消除了NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移。特別地，電動勢的溫度相關(guān)漂移特性的值為+2mV/℃，它在數(shù)量上與NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性相等而在方向上與NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性相反。
如上所述，下面將說明第一實施例中的射隨器電路的操作。
NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性為-2mV/℃。反之，電阻元件102產(chǎn)生的電動勢的溫度相關(guān)漂移特性為+2mV/℃。其結(jié)果是，利用從輸出端(OUT)輸出的信號電平，NPN晶體管101的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性被消除。因此，就實現(xiàn)了具有象帶有溫度補償函數(shù)的電平漂移電路一樣的高精確度的射隨器電路，使得從輸出端(OUT)輸出的輸出信號電平為恒定的而與溫度變化無關(guān)。
下面說明依據(jù)本發(fā)明第二實施例的射隨器電路。圖3是示出了依據(jù)本發(fā)明第二實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
參照圖3，第二實施例中的射隨器電路由NPN晶體管201和204，一個電阻元件202以及一個電流源電路203構(gòu)成。NPN晶體管201的基極與一個輸入端(IN)相連。NPN晶體管201的發(fā)射極與NPN晶體管204的基極相連，NPN晶體管201和NPN晶體管204的集電極都與一個電源端(VCC)相連。電阻元件202的一個端子與NPN晶體管204的發(fā)射極相連，并且電阻元件202的另一端子與輸出端(OUT)和電流源電路203的其中一個端子相連。電流源電路203的另一個端子與一個電源端(VEE)相連。NPN晶體管201和204的連接通常被稱為DARLINGTON連接。在一個電平漂移電壓應(yīng)該比較大時，經(jīng)常使用這種連接。
NPN晶體管201和204中的每一個的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性為-2mV/℃。因此，在經(jīng)DARLINGTON連接的NPN晶體管201和204中的正向基極-發(fā)射極電壓的整個溫度相關(guān)漂移特性就為-4mV/℃。電阻元件102和電流源電路103以如此方式構(gòu)成產(chǎn)生于電阻元件102的端子之間的電動勢的溫度相關(guān)漂移特性消除了NPN晶體管201和204中的整個溫度相關(guān)漂移特性。特別地，電動勢的溫度相關(guān)漂移特性的值為+4mV/℃，它在數(shù)量上與NPN晶體管201和204的整個溫度相關(guān)漂移特性相等而在方向上與NPN晶體管201和204的整個溫度相關(guān)漂移特性相反。
下面將說明第二實施例中的射隨器電路的操作。
由于NPN晶體管201和204中的每一個的溫度相關(guān)漂移特性為-2mV/℃，所以對于輸入端(IN)的信號電平來說，整個溫度相關(guān)漂移特性為-4mV/℃。另一方面，電流源電路203工作使得產(chǎn)生于電阻元件202的端子之間的電動勢的溫度相關(guān)漂移特性為+4mV/℃。因此，消除了經(jīng)DARLINGTON連接的NPN晶體管201和204的整個溫度相關(guān)漂移特性，使得從輸出端(OUT)輸出的輸出信號電平為恒定的而與溫度變化無關(guān)。這樣，即使在NPN晶體管201和204被DARLINGTON連接時，也實現(xiàn)了具有象帶有溫度補償函數(shù)的電平漂移電路一樣的高精確度的射隨器電路。
下面說明依據(jù)本發(fā)明第三實施例的射隨器電路。圖4是示出了依據(jù)本發(fā)明第三實施例的射隨器電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
第三實施例中的射隨器電路由NPN晶體管301和304，一個電阻元件302以及一個電流源電路303構(gòu)成。在這個實施例中，NPN晶體管301和304被串聯(lián)并且NPN晶體管304的集電極與其基極相連。這樣，就能達到基本上圖3所示的射隨器電路相等的電平漂移電壓。
在第三實施例中，NPN晶體管301的基極與一個輸入端(IN)相連。NPN晶體管301的發(fā)射極與NPN晶體管304的基極和集電極相連。NPN晶體管301的集電極與一個電源端(VCC)相連。電阻元件302的一個端子與NPN晶體管304的發(fā)射極相連，并且電阻元件302的另一端子與輸出端(OUT)和電流源電路303的其中一個端子相連。電流源電路303的另一個端子與一個電源端(VEE)相連。
NPN晶體管301和304中的每一個的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移特性為-2mV/℃。因此，在正向基極-發(fā)射極電壓下，NPN晶體管301和304的整個溫度相關(guān)漂移特性就為-4mV/℃。另一方面，電阻元件302和電流源電路303以如此方式構(gòu)成產(chǎn)生于電阻元件302的端子之間的電動勢的溫度相關(guān)漂移特性消除了NPN晶體管301和304中的整個溫度相關(guān)漂移特性。特別地，電動勢的溫度相關(guān)漂移特性的值為+4mV/℃，它在數(shù)量上與NPN晶體管301和304的整個溫度相關(guān)漂移特性相等而在方向上與NPN晶體管301和304的整個溫度相關(guān)漂移特性相反。
射隨器電路的操作與第二實施例的相似，因此，在此省略其描述。
順便提及，在上述實施例中，電流源電路產(chǎn)生一個輸出電流使得產(chǎn)生于電阻元件的端子之間的電動勢具有+2mV/℃或+4mV/℃的溫度相關(guān)漂移特性。下面將參照圖5說明依據(jù)本發(fā)明第四實施例、包括能產(chǎn)生這樣一個輸出電流的電流源電路的射隨器電路。
參照圖5，第四實施例中的射隨器電路相當(dāng)于圖2所示的第一實施例中的射隨器電路。圖5中的NPN晶體管401和電阻元件402分別相當(dāng)于圖2中的NPN晶體管101和電阻元件102。圖2所示的電流源電路103由一個NPN晶體管405，一個電阻元件406，PMOS晶體管407和408以及NMOS晶體管409和410構(gòu)成，如圖5所示。
下面說明電流源電路的構(gòu)成。NMOS晶體管410的漏極與一個輸出端(OUT)相連。NMOS晶體管410的柵極與NMOS晶體管409的柵極相連。NMOS晶體管409的漏極與PMOS晶體管408的漏極和NMOS晶體管410的柵極相連。PMOS晶體管407的柵極與PMOS晶體管408的柵極相連。NPN晶體管405的集電極與PMOS晶體管407的柵極和漏極相連。一個穩(wěn)定電源(VRR)與NPN晶體管405的基極相連。電阻元件406的一端與NPN晶體管405的發(fā)射極相連。NMOS晶體管409和410的源極以及電阻元件406的另一端與電源端相連(VEE)。PMOS晶體管407和408的源極與一個電源端(VCC)相連。
下面，說明第四實施例中的射隨器電路的操作。
即使射隨器電路接收到溫度變化而電源端(VCC和VEE)接收到電壓變化，穩(wěn)定電源(VRR)也會提供一個預(yù)定的恒定電壓。從NPN晶體管405的發(fā)射極輸出由這個穩(wěn)定電源(VRR)、NPN晶體管405和電阻元件406所產(chǎn)生的電流。電流值大致如下列等式(1)所示IC5=(VRR-VBE5)/R6(1)其中IC5:NPN晶體管405的發(fā)射極電流，VRR穩(wěn)定電源的電源電壓，VBE5:NPN晶體管405的正向基極-發(fā)射極電壓，以及R6電阻元件406的電阻值。
另一方面，輸出端(OUT)的輸出電平如下列等式(2)所示VOUT=VIN-VBE-ID10×R2(2)其中
VOUT輸出端(OUT)的輸出電平，VIN輸入端(IN)的輸入電平，ID10:NMOS晶體管410的漏極電流，以及R2電阻元件402的電阻值。
電流IC5和ID10成比例關(guān)系，如下列等式(3)所示ID10=α×IC5(3)其中α是一個比例系數(shù)。得到等式(3)所示的等式關(guān)系的原因在于通過控制上述MOS晶體管的柵極寬度比可以容易地控制流過電流鏡像電路中一組PMOS晶體管407和408的電流與流過一組NMOS晶體管409和410的電流之比。根據(jù)等式(1)和(3)，等式(2)被重寫成下述等式(4)。
VOUT=VIN-VBE-α×(R2/R6)×(VRR-VBE5)(4)為了從等式(4)中消除溫度相關(guān)漂移項，而得到等式(5)d(VOUT)/d(T)=-d(VBE)/d(T)+α×(R2/R6)×d(VBE5)/d(T)=0(5)其中T溫度，以及d偏微分法。
如果這些晶體管形成于同一集成電路中，則正向基極-發(fā)射極電壓VBE和正向基極-發(fā)射極電壓VBE5示出了近似相同的制造偏差(manufacturing deviation)和溫度相關(guān)漂移。因此，得到等式(6)以滿足等式(5)。
R6=α×R2 (6)即，如果α和電阻元件406的電阻值被控制以滿足等式(6)，則輸出端(OUT)的輸出電平將不受NPN晶體管401的正向基極-發(fā)射極電壓VBE的溫度相關(guān)漂移和制造偏差的影響。從而，能夠得到具有高精確度的電平漂移電路。
順便提及，如果電阻元件402和406形成于同一集成電路中，則電阻值示出了近似相同的制造偏差和溫度相關(guān)漂移。特別是，如果電阻元件由同一材料制成，則通過改變元件的大小就可以容易地設(shè)置電阻值的比值。如果利用此特性，電阻元件402與406的關(guān)系如下列等式(7)所示，則上述等式(6)被重寫為等式(8)。
R2=β×R6(7)α×β=1 (8)即，如果控制α和β以滿足等式(8)，則能從輸出端(OUT)的輸出電平中消除NPN晶體管401的正向基極-發(fā)射極電壓VBE和電阻元件402的溫度相關(guān)漂移和制造偏差。即，能夠得到具有高精確度的電平漂移電路。
而且，即使在一個NPN晶體管被加到圖5中所示的NPN晶體管401上以形成圖3所示的Darlingdon連接時，也能夠消除正向基極-發(fā)射極電壓VBE和VBE4以及電阻元件2的溫度相關(guān)漂移和制造偏差。這是通過等式(1)到(8)的推導(dǎo)過程就可以理解的。這樣，等式(6)和(8)分別被重寫為等式(9)和(10)。
R6=α×R2/2(9)α×β=2 (10)應(yīng)當(dāng)注意在上述描述中利用了NPN雙極晶體管。但是，只使用這樣的晶體管只是為了便于說明電路的操作。即使射隨器電路是由PNP雙極晶體管構(gòu)成的，其基本操作也是完全相同的。
而且，圖5中所示的電流鏡電路利用了PMOS晶體管或NPN晶體管。但是，這只是一個示例。也可以利用具有其它結(jié)構(gòu)的電流鏡電路。例如，電流鏡電路可由PMOS晶體管和一個PNP晶體管構(gòu)成。電流鏡電路也可以由NMOS晶體管和一個NPN晶體管構(gòu)成。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明，可以通過將一個電流加到一個電阻元件上而消除輸出電平的溫度相關(guān)，使得射隨器電路的雙極晶體管的正向基極-發(fā)射極電壓的一個溫度相關(guān)漂移被消除。從而得到一個具有高精確度的電平漂移電壓。
而且，電流源電路可以由雙極晶體管和一個電阻元件構(gòu)成，它們與其它雙極晶體管和其它電阻元件具有相同的溫度相關(guān)漂移和制造偏差。因此，能夠消除輸出電平的溫度相關(guān)和制造偏差。從而得到一個具有高精確度的電平漂移電壓。
權(quán)利要求
1．一種射隨器電路，包括一個雙極晶體管單元，至少含有一個晶體管并具有第一溫度相關(guān)特性；一個一端與所述雙極晶體管單元相連的電阻元件，一個輸出信號響應(yīng)于一個被輸入到所述雙極晶體管單元的輸入信號，從所述電阻元件的另一端被輸出；以及一個與所述電阻元件的另一端相連的電流源電路，使一個電流流經(jīng)所述電阻元件以使得所述電阻元件的電壓降具有與所述雙極晶體管單元的所述第一溫度相關(guān)特性相反的第二溫度相關(guān)特性。
2．如權(quán)利要求1所述的射隨器電路，其特征在于所述電流源電路可使一個電流流經(jīng)所述電阻元件，使得所述電阻元件的電壓降具有與所述雙極晶體管單元的所述第一溫度相關(guān)特性相反的第二溫度相關(guān)特性并使得制造工藝中所述雙極晶體管單元和所述電阻元件的變化被消除。
3．如權(quán)利要求2所述的射隨器電路，其特征在于所述電流源電路包括一個與上述雙極晶體管單元具有相同溫度相關(guān)特性和制造工藝變化的雙極晶體管單元；以及一個與上述電阻元件具有相同溫度相關(guān)特性和制造工藝變化的電阻元件。
4．如權(quán)利要求3所述的射隨器電路，其特征在于所述電流源電路的所述雙極晶體管單元與一個穩(wěn)定電源電路相連，并且所述電流源電路的電流與所述穩(wěn)定電源電路提供的流經(jīng)所述電流源電路的所述電阻元件的電流成比例。
5．如權(quán)利要求4所述的射隨器電路，其特征在于由所述穩(wěn)定電源電路提供的流經(jīng)所述電流源電路中的所述電阻元件的電流通過一個電流鏡像電路被傳輸?shù)脚c所述電流源電路相連的所述電阻元件。
6．如權(quán)利要求1-5中任一所述的射隨器電路，其特征在于所述雙極晶體管單元包括一個晶體管，該晶體管具有一個基極，輸入信號被輸入到其上，和一個發(fā)射極，其與所述電阻元件的一個端子相連。
7．如權(quán)利要求1-5中任一所述的射隨器電路，其特征在于所述雙極晶體管單元包括以達林頓(Darlington)連接方式連接的晶體管。
8．如權(quán)利要求1-5中任一所述的射隨器電路，其特征在于所述雙極晶體管單元包括一個第一雙極晶體管，它具有基極，一個輸入信號被輸入到其上，和一個發(fā)射極；以及一個第二雙極晶體管，它具有集電極，與所述第一雙極晶體管的發(fā)射極相連，一個基極，與所述第二雙極晶體管的集電極相連，以及一個發(fā)射極與所述電阻元件的一個端子相連。
9．如權(quán)利要求1-5中任一所述的射隨器電路，其特征在于所述電阻元件和所述電流源電路形成于同一集成電路上。
10．一種根據(jù)一個輸入信號輸出一個具有穩(wěn)定電平的輸出信號的方法，包括步驟使第一電流從第一雙極晶體管流經(jīng)第一電阻元件；根據(jù)所述第一電流的第一值傳輸?shù)诙担灰约笆沟诙娏鲝牡诙p極晶體管流經(jīng)第二電阻元件，使得所述第二雙極晶體管的溫度相關(guān)特性被消除，一個射隨器電路的所述第二雙極晶體管用于使一個輸入信號產(chǎn)生電平漂移以輸出一個電平漂移信號。
11．如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述第一電阻元件和所述第一雙極晶體管分別與所述第二電阻元件和所述第二雙極晶體管具有相同的溫度相關(guān)特性。
12．如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述第一電阻元件和所述第一雙極晶體管分別與所述第二電阻元件和所述第二雙極晶體管具有相同的制造工藝變化。
全文摘要
在一個射隨器電路中,一個雙極晶體管與一個電阻元件相連。該雙極晶體管具有一個溫度相關(guān)特性。一個電流源電路與該電阻元件相連以使一個電流流經(jīng)該電阻元件,使得電阻元件的電壓降具有與雙極晶體管單元的第一溫度相關(guān)特性相反的溫度相關(guān)特性。
文檔編號H03K17/14GK1212506SQ9812002
公開日1999年3月31日 申請日期1998年9月22日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月22日
發(fā)明者渡會誠一 申請人:日本電氣株式會社