新型dc轉(zhuǎn)dc的恒流恒壓保護電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，包括電源輸入端、DC轉(zhuǎn)化芯片和電源輸出端，DC轉(zhuǎn)化芯片的輸出端連接在MOS管的柵極上，MOS管的源極連接在電源輸端出的負極且MOS管的漏極通過單向二極管連接在電源輸出端的正極，在MOS管的柵極與電源輸出端的負極之間設(shè)有第四電阻，在電源輸出端的負極與DC轉(zhuǎn)化芯片的接地引腳之間設(shè)有第五電阻，還設(shè)有與DC轉(zhuǎn)化芯片相連接的恒流恒壓控制電路，恒流恒壓控制電路包括第一電阻、第二電阻、三極管、第六電阻。本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單、操作便捷，有效的解決上傳統(tǒng)技術(shù)中DC轉(zhuǎn)DC電路中只具有恒壓功能從而容易造成電子元件被燒壞的不足，使用穩(wěn)定性好，適用性強且實用性好。
【專利說明】
新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及DC轉(zhuǎn)DC的保護電路，特別涉及一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子產(chǎn)品應(yīng)用時，有很多時候會出現(xiàn)元器件使用不同電壓的情況，此時即需使用DC to DC電路，一般都會使用到DC轉(zhuǎn)換DC轉(zhuǎn)化芯片，一般的DC轉(zhuǎn)換DC轉(zhuǎn)化芯片都有EN使能腳，當(dāng)檢測到高電平時DC轉(zhuǎn)化芯片正常功能，檢測到低電平時DC轉(zhuǎn)化芯片停止工作，即高電壓轉(zhuǎn)換成低電壓或者低電壓轉(zhuǎn)換成高電壓。而普遍的DC轉(zhuǎn)換DC轉(zhuǎn)化芯片一般只有恒壓功能，接上超出原來規(guī)定的功率后容易燒壞電路。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的主要目的是提供一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，旨在解決傳統(tǒng)技術(shù)中DC轉(zhuǎn)DC電路中只具有恒壓功能從而容易造成電子元件被燒壞的不足。
[0004]本實用新型提出一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，包括電源輸入端、DC轉(zhuǎn)化芯片和電源輸出端，所述電源輸入端的正極通過連接在DC轉(zhuǎn)化芯片的輸入引腳上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片的輸出端連接在MOS管的柵極上，所述MOS管的源極連接在電源輸端出的負極且MOS管的漏極通過單向二極管連接在電源輸出端的正極，在MOS管的柵極與電源輸出端的負極之間還設(shè)有第四電阻，在電源輸出端的負極與DC轉(zhuǎn)化芯片的接地引腳之間設(shè)有第五電阻，還設(shè)有與所述DC轉(zhuǎn)化芯片相連接的恒流恒壓控制電路，所述恒流恒壓控制電路包括第一電阻、第二電阻、三極管、第六電阻，所述第一電阻與第二電阻串聯(lián)且第一電阻的一端連接在單向二極管的負極上、第二電阻的一端連接在電源輸端出的負極上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片的控制端連接在第一電阻與第二電阻的連接點上，所述三極管的集電極連接在DC轉(zhuǎn)化芯片的電源輸入端，所述三極管的基極通過第六電阻連接在電源輸出湍的負極上，所述三極管的發(fā)射極接地。
[0005]在所述電源的輸入端和輸入端均并聯(lián)有濾波電容。
[0006]所述三極管為NPN型三極管，所述MOS管為N型MOS管。
[0007]本申請中DC轉(zhuǎn)化芯片的型號為AH8731芯片。
[0008]本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單、操作便捷，設(shè)有恒流恒壓控制電路，可有效的根據(jù)電源輸出端中第五電阻的電流實現(xiàn)對DC轉(zhuǎn)化芯片的控制，從而達到恒流恒壓保護，有效的解決上傳統(tǒng)技術(shù)中DC轉(zhuǎn)DC電路中只具有恒壓功能從而容易造成電子元件被燒壞的不足，使用穩(wěn)定性好，適用性強且實用性好。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的實施例示意圖。
[0010]本實用新型目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例，參照附圖做進一步說明。
【具體實施方式】
[0011]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0012]參照圖1，提出本實用新型的的一實施例，一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，包括電源輸入端1、DC轉(zhuǎn)化芯片2和電源輸出端3，所述電源輸入端I的正極通過連接在DC轉(zhuǎn)化芯片2的輸入引腳上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片2的輸出端連接在MOS管QI的柵極上，所述MOS管Ql的源極連接在電源輸端出3的負極且MOS管Ql的漏極通過單向二極管D連接在電源輸出端3的正極，在MOS管Ql的柵極與電源輸出端3的負極之間還設(shè)有第四電阻R4，在電源輸出端3的負極與DC轉(zhuǎn)化芯片2的接地引腳之間設(shè)有第五電阻R5，還設(shè)有與所述DC轉(zhuǎn)化芯片2相連接的恒流恒壓控制電路4，所述恒流恒壓控制電路4包括第一電阻Rl、第二電阻R2、三極管Q2、第六電阻R6，所述第一電阻Rl與第二電阻R2串聯(lián)且第一電阻Rl的一端連接在單向二極管D的負極上、第二電阻R2的一端連接在電源輸端出3的負極上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片2的控制端連接在第一電阻Rl與第二電阻R2的連接點上，所述三極管Q2的集電極連接在DC轉(zhuǎn)化芯片2的電源輸入端，所述三極管Q2的基極通過第六電阻R6連接在電源輸出湍3的負極上，所述三極管Q2的發(fā)射極接地。
[0013]在所述電源的輸入端和輸入端均并聯(lián)有濾波電容C。
[0014]所述三極管為NPN型三極管，所述MOS管為N型MOS管。
[0015]本申請中DC轉(zhuǎn)化芯片的型號為AH8731芯片。
[0016]其工作原理簡述如下:當(dāng)負載在額定功率范圍內(nèi)，電路工作在恒壓狀態(tài)，通過電阻Rl，R2控制輸出電壓的穩(wěn)定性，由于流過電阻R5的電流產(chǎn)生的電壓不足以驅(qū)動三極管Q2導(dǎo)通，DC轉(zhuǎn)化芯片的EN腳為高電平，電路正常工作。
[0017]當(dāng)負載在額定功率點上，電路工作在恒流恒壓狀態(tài)，通過電阻Rl，R2控制輸出電壓的穩(wěn)定性，流過電阻R5的電流產(chǎn)生的電壓足以驅(qū)動三極管Q2導(dǎo)通，DC轉(zhuǎn)化芯片的EN腳為低電平，電路停止工作，電阻R5沒有電流流過，三極管Q2截止，DC轉(zhuǎn)化芯片的EN腳轉(zhuǎn)為高電平，電路正常功能，當(dāng)電阻R5產(chǎn)生的電壓足以驅(qū)動三極管Q2導(dǎo)通，DC轉(zhuǎn)化芯片的EN腳又為低電平，電路又停止工作，不斷重復(fù)以上的工作狀態(tài)以達到恒流的目的，這樣實現(xiàn)了恒流恒壓保護。
[0018]本實用新型的結(jié)構(gòu)簡單、操作便捷，設(shè)有恒流恒壓控制電路，可有效的根據(jù)電源輸出端中第五電阻的電流實現(xiàn)對DC轉(zhuǎn)化芯片的控制，從而達到恒流恒壓保護，有效的解決上傳統(tǒng)技術(shù)中DC轉(zhuǎn)DC電路中只具有恒壓功能從而容易造成電子元件被燒壞的不足，使用穩(wěn)定性好，適用性強且實用性好。
[0019]以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，包括電源輸入端、DC轉(zhuǎn)化芯片和電源輸出端，所述電源輸入端的正極通過連接在DC轉(zhuǎn)化芯片的輸入引腳上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片的輸出端連接在MOS管的柵極上，所述MOS管的源極連接在電源輸端出的負極且MOS管的漏極通過單向二極管連接在電源輸出端的正極，在MOS管的柵極與電源輸出端的負極之間還設(shè)有第四電阻，在電源輸出端的負極與DC轉(zhuǎn)化芯片的接地引腳之間設(shè)有第五電阻，其特征在于:還設(shè)有與所述DC轉(zhuǎn)化芯片相連接的恒流恒壓控制電路，所述恒流恒壓控制電路包括第一電阻、第二電阻、三極管、第六電阻，所述第一電阻與第二電阻串聯(lián)且第一電阻的一端連接在單向二極管的負極上、第二電阻的一端連接在電源輸端出的負極上，所述DC轉(zhuǎn)化芯片的控制端連接在第一電阻與第二電阻的連接點上，所述三極管的集電極連接在DC轉(zhuǎn)化芯片的電源輸入端，所述三極管的基極通過第六電阻連接在電源輸出湍的負極上，所述三極管的發(fā)射極接地。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，其特征在于:在所述電源的輸入端和輸入端均并聯(lián)有濾波電容。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型DC轉(zhuǎn)DC的恒流恒壓保護電路，其特征在于:所述三極管為NPN型三極管，所述MOS管為N型MOS管。
【文檔編號】H02H7/12GK205646780SQ201620315029
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年4月15日
【發(fā)明人】蔣小榮, 邱子建
【申請人】廣東金萊特電器股份有限公司