本發(fā)明涉及一種電源變換器。
背景技術(shù)：
：自激推挽振蕩電路，是公知的技術(shù)，科學(xué)出版社的《實(shí)用電源電路設(shè)計(jì)》的第284頁至298頁有詳細(xì)的介紹，電路等效結(jié)構(gòu)如圖1所示?，F(xiàn)有的自激推挽振蕩電路結(jié)構(gòu)如圖2所示，其工作原理可以參考人民郵電出版社的《電源變換技術(shù)》的第56頁，該書ISBN號：7-115-04229-2/TN.353。此外，專利號為JPH0847254的日本專利公開了一種晶體管啟動(dòng)電路及應(yīng)用該啟動(dòng)電路的DC/DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)電路如圖4所示。上述電路中，所有方案都采用同樣的輸入、輸出條件作對比測試，如下：輸入電壓12V、輸出電壓5V、輸出電流200mA、即輸出功率為1W。圖1電路電阻R3為4.7kΩ、電容C5為0.047μF；缺點(diǎn)是給電路上電瞬間，有過大的基極電流，導(dǎo)致晶體管深度飽和，當(dāng)晶體管的基極電流消失時(shí)，就會出現(xiàn)由于晶體管存儲時(shí)間的存在，晶體管不能瞬間截止，此時(shí)，變壓器的磁芯趨于飽和(如圖14的最大磁通密度±Bm點(diǎn)處)，初級繞組的電感值非常小，那么，晶體管Q1、Q2的集電極瞬間電流大，如圖7所示，示波器通道4是晶體管集電極的電流波形，在導(dǎo)通瞬間有3.72A的沖擊電流(圖中方框)，而方案選用的器件最大集電極瞬態(tài)電流為2A，多次上電或者在惡劣的工作環(huán)境時(shí)，晶體管容易多次受大電流的沖擊損壞。圖3(圖3為圖2的簡化電路圖)的電路電阻R1為4.7kΩ，電容C2為0.047μF；在上電瞬間能很好解決圖1引起的晶體管集電極瞬間大電流的問題，如圖8所示，電路上電瞬間時(shí)，輸入電壓VIN通過電阻R1，有電流流過支路a1，給電容C2充電，電流流向輸入電源地端，如圖8方框數(shù)據(jù)，晶體管集電極電流只有16mA，是晶體管集電極對地結(jié)電容充電引起的。當(dāng)正常工作時(shí)，輸入電壓VIN通過電阻R1，有電流流過支路a1為晶體管Q1、Q2提供啟動(dòng)基極電流，此時(shí)為了滿足晶體管Q1、Q2啟動(dòng)，必然需要大的基極電流，則可通過減小電阻R1獲取大的驅(qū)動(dòng)電流，提升低溫啟動(dòng)能力和容性負(fù)載能力，然而在穩(wěn)態(tài)工作狀態(tài)時(shí)，只需要較小的晶體管基極電流就能滿足輸出功率要求，但啟動(dòng)之后較小的電阻R1產(chǎn)生的大電流在正常工作時(shí)會導(dǎo)致晶體管深度飽和，存儲時(shí)間增大，延長晶體管關(guān)斷時(shí)間，導(dǎo)致晶體管功耗大、整體效率低、發(fā)熱量大，不利于高溫環(huán)境的工作；如果增大電阻R1，流過a1支路的電流必定減小，能滿足效率和高溫環(huán)境，但會導(dǎo)致該電路在低溫啟動(dòng)異常，會降低帶容性負(fù)載啟動(dòng)能力，甚至不能滿足輸出功率要求。圖5(圖5為圖4的簡化電路圖)是現(xiàn)有公開專利的實(shí)施方案，電阻R1為100Ω，電阻R3為8.2kΩ，電容C5為0.047μF，電阻R4為10kΩ，二極管D3為肖特基二極管；該方案解決了圖1引起的瞬間沖擊電流，如圖9方框所示，瞬態(tài)電流為1.44A；也解決了圖2晶體管驅(qū)動(dòng)的不足，但是短路保護(hù)功能還是無法實(shí)現(xiàn)，同時(shí)該方案引入了新的問題：晶體管正常工作時(shí)集電極、基極的電壓有很大的尖峰電壓，如圖10所示，在晶體管切換導(dǎo)通、關(guān)閉的瞬間，由于變壓器漏感和晶體管存儲時(shí)間的存在，晶體管在切換導(dǎo)通、關(guān)閉時(shí)變壓器飽和產(chǎn)生的集電極尖峰電流，會導(dǎo)致晶體管集電極產(chǎn)生很大尖峰電壓，同時(shí)由變壓器耦合到晶體管的基極，也就造成了晶體管的基極有很大的反向尖峰電壓，一般的晶體管的基極最大反向耐壓只有5V，所以在長時(shí)間的沖擊下容易損壞晶體管，而且很大的集電極尖峰電壓會造出晶體管損耗增大，導(dǎo)致整體轉(zhuǎn)換器效率下降，器件表面溫升過高導(dǎo)致電路可靠性差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種既能加速啟動(dòng)晶體管、提升帶容性負(fù)載啟動(dòng)能力、提升低溫啟動(dòng)能力，又可以在正常工作狀態(tài)時(shí)，減小晶體管存儲時(shí)間，從而提高轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)功能，可以在不同環(huán)境溫度下正常工作的一種電源變換器。為實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明的具體方案如下：一種電源變換器，包括支路a、支路b、第二變壓器T1B、第一晶體管Q1、第二晶體管Q2以及第一變壓器T1A；所述支路a的一端與電壓輸入端電連接，另一端與所述支路b的第二電容C2串接，所述第二電容C2的另一端接地；所述支路a包括并聯(lián)的第三電阻R3、第五電容C5；所述支路a的另一端還與所述第二變壓器T1B的中心抽頭電連接，所述第二變壓器T1B的中心抽頭由第一線圈Nb1、第二線圈Nb2的連接端構(gòu)成，所述第一線圈Nb1、第二線圈Nb2各自的另一端分別與所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的基極電連接，所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的發(fā)射極接地；所述第一變壓器T1A的原邊中心抽頭與電壓輸入端電連接，兩端分別與第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的集電極電連接，以通過支路a和支路b在電路啟動(dòng)時(shí)給第一晶體管Q1的基極、第二晶體管Q2的基極提供大電流，并在電路穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，給第一晶體管Q1的基極、第二晶體管Q2的基極提供小電流。優(yōu)選的，所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的集電極之間還電連接有第四電容C4。優(yōu)選的，還包括連接于電源輸入端與所述支路a之間的支路a1，所述支路a1包括第一電阻R1。本發(fā)明提供的電源變換器與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有效率高、空載功耗低、帶容性負(fù)載啟動(dòng)能力強(qiáng)、低溫啟動(dòng)能力強(qiáng)和長時(shí)間短路保護(hù)功能的特點(diǎn)。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定，在附圖中：圖1為自激推挽基本電路結(jié)構(gòu)圖；圖2為現(xiàn)有的自激推挽變換器實(shí)際電路圖；圖3為圖2的等效電路圖；圖4為已公開專利的實(shí)現(xiàn)電路；圖5為圖4的簡化電路圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例一電路原理圖；圖7為圖1所示電路瞬間上電啟動(dòng)波形；圖8為圖2所示電路瞬間上電啟動(dòng)波形；圖9為圖5所示電路瞬間上電啟動(dòng)波形；圖10為圖5所示電路正常工作時(shí)晶體管基極與集電極電壓波形；圖11是本發(fā)明實(shí)施例一電路瞬間上電啟動(dòng)波形；圖12是本發(fā)明專利實(shí)施例一電路正常工作時(shí)晶體管基極與集電極電壓波形；圖13是本發(fā)明工作原理概述圖；圖14是本發(fā)明磁芯的矩形磁滯回線；圖15是本發(fā)明上電瞬間原邊等效結(jié)構(gòu)圖；圖16是本發(fā)明正常工作原邊等效結(jié)構(gòu)圖；圖17是全波整流電路；圖18是本發(fā)明電路與現(xiàn)有技術(shù)方案電路效率對比圖；圖19是本發(fā)明電路啟動(dòng)波形；圖20是現(xiàn)有電路啟動(dòng)波形；圖21是本發(fā)明實(shí)施例二電路原理圖；圖22是本發(fā)明實(shí)施例二電路上電瞬間原邊等效結(jié)構(gòu)圖；圖23是本發(fā)明實(shí)施例二電路正常工作原邊等效結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明，在此本發(fā)明的示意性實(shí)施例以及說明用來解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。實(shí)施例一如圖6所示，一種電源變換器，包括支路a、支路b、第二變壓器T1B、第一晶體管Q1、第二晶體管Q2以及第一變壓器T1A；所述支路a的一端與電壓輸入端電連接，另一端與所述支路b的第二電容C2串接，第二電容C2的另一端接地；所述支路a包括并聯(lián)的第三電阻R3、第五電容C5；所述支路a的另一端還與所述第二變壓器T1B的中心抽頭電連接，所述第二變壓器T1B的中心抽頭由第一線圈Nb1、第二線圈Nb2的連接端構(gòu)成，所述第一線圈Nb1、第二線圈Nb2各自的另一端分別與所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的基極電連接，所述第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的發(fā)射極接地；所述第一變壓器T1A的原邊中心抽頭與電壓輸入端電連接，兩端分別與第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的集電極電連接，且第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的集電極之間還電連接有第四電容C4。所述的第四電容C4：在電路上電導(dǎo)通和穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，由于變壓器漏感的存在，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2在導(dǎo)通、截止時(shí)產(chǎn)生高頻尖峰電壓，連接在第一晶體管Q1、第二晶體管Q2集電極第四電容C4能有效抑制該高頻尖峰電壓。還包括連接于電源輸入端與所述支路a之間的支路a1，所述支路a1包括第一電阻R1：在所述支路a包括并聯(lián)的第三電阻R3、第五電容C5和所述支路b的第二電容C2組合一起能實(shí)現(xiàn)加速啟動(dòng)晶體管、提升帶容性負(fù)載啟動(dòng)能力和低溫啟動(dòng)能力。所述電壓輸入端與地之間還電連接有濾波電容C1，對輸入電壓濾波，減小輸入電壓波動(dòng)對電路的影響。當(dāng)接通電源VIN時(shí)，第一晶體管Q1、第二晶體管Q2通過支路a1、a、b的第一電阻R1、第三電阻R3、第五電容C5、第二電容C2、第一線圈Nb1和第二線圈Nb2，均獲得正向偏置而趨于導(dǎo)通的電流，但是由于電路的結(jié)構(gòu)和對稱器件的不平衡特性，因此必定會有其中一個(gè)晶體管優(yōu)先導(dǎo)通，另一個(gè)晶體管則會截止。假設(shè)第一晶體管Q1先導(dǎo)通，則連接到第一晶體管Q1的原邊線圈Np1上的感應(yīng)電壓為下正上負(fù)，第一線圈Nb1感應(yīng)電壓為上正下負(fù)，如圖13所示，使第一晶體管Q1基極獲得正反饋能量，第一晶體管Q1迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通；而第二晶體管Q2連接到基極的第二線圈Nb2感應(yīng)電壓為上正下負(fù)，第二晶體管Q2的基極電流迅速減小，從而第二晶體管Q2截止。此時(shí)，變壓器副邊線圈Ns2經(jīng)二極管整流后輸出電流至負(fù)載R2。在支路a1，第一電阻R1串接第三電阻R3、第五電容C5，在第三電阻R3、第五電容C5另一端串接對地第二電容C2，能解決由圖1、圖2、圖4電路引起的不足問題。第一電阻R1為100Ω，第三電阻R3為8.2kΩ，第五電容C5為0.047μF，第二電容C2為0.1μF；圖11是本發(fā)明專利實(shí)施電路瞬間上電啟動(dòng)波形，從圖中可以看到啟動(dòng)時(shí)晶體管的集電極瞬態(tài)電流為1.76A，比電路圖1的晶體管集電極瞬態(tài)電流要小1.96A，與圖5電路啟動(dòng)瞬態(tài)電流相差不大；圖12是本發(fā)明專利實(shí)施電路正常工作時(shí)晶體管基極與集電極電壓波形，從圖中可以看到正常工作時(shí)，比圖4電路的晶體管基極電壓波形小7.06V，比圖4電路的集電極電壓波形小49.6V。當(dāng)?shù)谝痪w管Q1持續(xù)導(dǎo)通，繞組Np1產(chǎn)生勵(lì)磁電流，在該電流的作用下磁芯內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間線性增加，在磁芯趨于飽和時(shí)，原邊繞組Np1的電感量迅速減小，第一晶體管Q1集電極電流迅速上升，第一線圈Nb1磁通量變化率減小，即dφ/dt減小，導(dǎo)致第一線圈Nb1電壓下降，但由于晶體管的存儲時(shí)間的存在，第一晶體管Q1基極電流下降到零甚至出現(xiàn)反向電流時(shí)，第一晶體管Q1不立即截止，而保持導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)第一晶體管Q1集電極電流迅速上升形成尖峰電流。一定存儲時(shí)間之后第一晶體管Q1脫離飽和，集電極電流開始下降，瞬間磁芯磁通不再增大(如圖14的最大磁通密度±Bm點(diǎn)處)，即dφ/dt＝0，然后第一晶體管Q1的集電極電流開始下降，各線圈將產(chǎn)生反方向的感應(yīng)電壓。第一線圈Nb1感應(yīng)電壓變成上負(fù)下正，第二線圈Nb2感應(yīng)電壓變成上負(fù)下正，Np2上感應(yīng)電壓上正下負(fù)，第二晶體管Q2導(dǎo)通，第一晶體管Q1截止，電路實(shí)現(xiàn)自激振蕩。第三電阻R3、第五電容C5在電路啟動(dòng)時(shí)的工作特性：如圖6所示的第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的偏置電路第一電阻R1、第二電容C2之間串接并聯(lián)的第三電阻R3、第五電容C5。在上電時(shí)給第五電容C5充電，相當(dāng)于支路a的第三電阻R3、第五電容C5短路狀態(tài)，如圖15所示，第一電阻R1連接在支路a1與支路a之間，導(dǎo)致支路a1、a在上電的短時(shí)間內(nèi)有足夠大的電流Ia1流過，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的提供基極電流，加速第一晶體管Q1、第二晶體管Q2啟動(dòng)，特別在低溫時(shí)，也會有良好的啟動(dòng)能力；第三電阻R3、第五電容C5在電路正常工作時(shí)的特性：圖6電路正常工作時(shí)，第五電容C5不再充電，相當(dāng)于開路，如圖16所示，則第一電阻R1與第三電阻R3串聯(lián)在支路a1與支路a之間，流向第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的偏置電流Ia2比圖15支路a1、a的電流Ia1要小得多，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2基極提供的驅(qū)動(dòng)電流就小，降低了第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的飽和深度和驅(qū)動(dòng)功耗，在電路翻轉(zhuǎn)時(shí),減小了晶體管退飽和時(shí)的存儲時(shí)間，從而提高變換器的轉(zhuǎn)換效率，適應(yīng)高溫環(huán)境的工作條件。圖6電路輸出端DCout短路時(shí)，圖6電路進(jìn)入高頻自激振蕩工作狀態(tài)，由于第一電阻R1與第三電阻R3串聯(lián)在支路a1、a，提供給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的偏置電流小，實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)功能，短路工作原邊等效如圖16所示。本發(fā)明專利實(shí)施電路圖6與公開專利圖5實(shí)施電路最為相似，差別在于圖6電路用第二電容C2替代了圖5的二極管D3和電阻R4，圖6電路的第二電容C2一端連接到輸入端的地，另一端與線圈T1B抽頭連接，作用是吸收由變壓器漏感和集電極飽和電流引起的尖峰電壓(該尖峰電壓通過變壓器耦合到晶體管基極，在晶體管基極線圈抽頭對地第二電容C2吸收)，提升電路轉(zhuǎn)換效率，提高電路可靠性。圖2是現(xiàn)有的自激推挽變換器實(shí)際電路圖，圖6是本次發(fā)明技術(shù)電路圖；把圖2、圖6都做成直流輸入12V、直流輸出5V、輸出電流200mA的DC-DC轉(zhuǎn)換器，即輸出功率為1W；變壓器采用同材質(zhì)、同型號磁芯，輸入與輸出線圈匝數(shù)一樣，都采用同工藝制作變壓器。變壓器耦合到輸出端，都采用圖17公知的全波整流電路，由二極管D1、D2，假負(fù)載電阻R2和輸出濾波電容C3構(gòu)成。電路參數(shù)的設(shè)計(jì)要求必須滿足如下：1、能使電路在同等低溫條件下實(shí)現(xiàn)熱插拔啟動(dòng)；2、能滿足同等容性負(fù)載熱插拔啟動(dòng)。圖2、圖6輸入濾波電容C1、第一晶體管Q1、第二晶體管Q2、二極管D1、D2、電容C3、第四電容C4、電阻R2、第一變壓器T1A、T1B采用相同參數(shù)，實(shí)施對比例子中，需要調(diào)整圖2、圖6各自的第一電阻R1、第二電容C2滿足參數(shù)設(shè)計(jì)條件；本發(fā)明電路器件第三電阻R3、第五電容C5參數(shù)必須滿足設(shè)計(jì)要求。表1的數(shù)據(jù)由圖6電路測試所得，第一電阻R1為10Ω，第二電容C2為680pF，第四電容C4為120pF，第三電阻R3為8.9KΩ、第五電容C5為1000pF、第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的放大倍數(shù)約為200，其集電極最大工作電流1A，最大Vce電壓為60V；二極管D1、D2為肖特基整流管，其中變壓器T1參數(shù)原邊Np1、Np2與副邊Ns1、Ns2的匝數(shù)比為：35:16，反饋Nb1、Nb2的匝數(shù)為2，變壓器磁芯采用高磁導(dǎo)率鐵氧體環(huán)形磁芯。表1本發(fā)明技術(shù)方案測試記錄為了說明本發(fā)明的效果，對比現(xiàn)有技術(shù)的自激推挽變換器，滿足電路設(shè)計(jì)參數(shù)條件下，采用圖2的電路原理圖，第一電阻R1為3.9KΩ、第二電容C2為0.1μF，第四電容C4為120pF，變壓器設(shè)計(jì)與制作工藝一致，在常溫測試下得出表2的實(shí)際性能參數(shù)。表2現(xiàn)有技術(shù)方案測試記錄輸入電壓(V)輸入電流(mA)輸出電壓(V)輸出電流(mA)工作頻率(kHz)效率(％)1211.25.31空載74.9無125.205.22074.743.331229.105.154074.758.991238.305.116074.666.711247.605.078074.971.011256.805.0410074.573.941265.805.0012074.875.991274.904.9714074.677.411283.904.9416074.678.511293.104.918074.578.9512102.304.8720074.679.34可見，在滿載輸出效率，本發(fā)明方案電路要比現(xiàn)有方案效率提升了2.63％，在全負(fù)載范圍內(nèi)，本發(fā)明方案電路的效率都要比現(xiàn)有方案電路效率要高，如圖18所示。在空載輸出時(shí)，本發(fā)明方案的空載輸入電流要比現(xiàn)有方案空載輸入電流小3.1mA，即本發(fā)明的空載功耗要低。表3是為了體現(xiàn)本發(fā)明方案具有短路保護(hù)功能，做了如下條件測試：高溫+105℃、輸出短路、持續(xù)時(shí)間1小時(shí)，輸入電壓都為12V。本發(fā)明方案電路能很好的實(shí)現(xiàn)輸出短路保護(hù)功能特性。表3短路保護(hù)測試性能記錄表4是為了體現(xiàn)本發(fā)明方案具有快速啟動(dòng)第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的優(yōu)勢，做了如下條件測試：常溫+25℃、滿功率1W輸出，輸入電壓都為12V，用示波器檢測輸出端。本發(fā)明方案電路具有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力，能快速啟動(dòng)第一晶體管Q1、第二晶體管Q2。圖19是本發(fā)明電路啟動(dòng)波形，圖20是現(xiàn)有電路啟動(dòng)波形。表4啟動(dòng)測試性能記錄實(shí)施例二如圖21，與實(shí)施例一電路圖6所不同的是：實(shí)施例二電路無實(shí)施例一電路所述連接于電源輸入端與所述支路a之間的支路a1，所述支路a1包括第一電阻R1；電路實(shí)現(xiàn)自激振蕩的原理、電路短路保護(hù)功能原理與實(shí)施例一基本相同。在第三電阻R3、第五電容C5另一端串接對地第二電容C2，能解決由圖1、圖2、圖4電路引起的不足問題。在電路啟動(dòng)時(shí)，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的基極提供大電流；當(dāng)電路穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的基極提供小電流；第三電阻R3、第五電容C5在電路啟動(dòng)時(shí)的工作特性：如圖21所示的第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的偏置電路第二電容C2之間串接并聯(lián)的第三電阻R3、第五電容C5。在上電時(shí)給第五電容C5充電，相當(dāng)于支路a的第三電阻R3、第五電容C5短路狀態(tài)，如圖22所示；輸入端電壓直接給第二電容C2充電，通常第二電容C2取容值為0.03uF至1uF之間，可知：在上電的短時(shí)間內(nèi)有足夠大的電流Ia3流過，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的提供基極電流，加速第一晶體管Q1、第二晶體管Q2啟動(dòng)，特別在低溫時(shí)，也會有良好的啟動(dòng)能力；第三電阻R3、第五電容C5在電路正常工作時(shí)的特性：圖21電路正常工作時(shí)，第五電容C5不再充電，相當(dāng)于開路，如圖23所示，則第三電阻R3串聯(lián)在電壓輸入正端與支路b之間，流向第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的偏置電流Ia4比圖22支路a的電流Ia3要小得多，給第一晶體管Q1、第二晶體管Q2基極提供的驅(qū)動(dòng)電流就小，降低了第一晶體管Q1、第二晶體管Q2的飽和深度和驅(qū)動(dòng)功耗，在電路翻轉(zhuǎn)時(shí),減小了晶體管退飽和時(shí)的存儲時(shí)間，從而提高變換器的轉(zhuǎn)換效率，適應(yīng)高溫環(huán)境的工作條件。以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明實(shí)施例的原理以及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只適用于幫助理解本發(fā)明實(shí)施例的原理；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在具體實(shí)施方式以及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。當(dāng)前第1頁1 2 3