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單相電容啟動與運行異步電的制造方法

文檔序號:7371245閱讀:268來源:國知局
單相電容啟動與運行異步電的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種單相電容啟動與運行異步電機,包括轉(zhuǎn)子和定子;所述定子包括布置在定子鐵芯上的工作繞組與啟動繞組,所述啟動繞組串接一組電容組,所述電容組由兩個以上的電容并聯(lián)而成,各所述電容先分別串接一個可控硅后再實現(xiàn)并聯(lián);各所述可控硅的控制端受控于一個控制模塊,所述控制模塊耦合于一個用于傳感電機轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)速傳感器;所述控制模塊使所述可控硅導(dǎo)通的數(shù)量與電機轉(zhuǎn)速呈反比例關(guān)系。該電機可以在啟動過程中,將與啟動繞組相串聯(lián)的電容的容值在較大范圍內(nèi)逐漸地、精確地調(diào)節(jié)。
【專利說明】單相電容啟動與運行異步電機
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電機領(lǐng)域,特別地,是一種單相異步電機。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,單相異步電機的應(yīng)用范圍十分廣泛,對于單相異步電機,其內(nèi)部包括工作繞組和啟動繞組,較多單相異步電機在啟動后,啟動繞組即不再工作,但由于啟動繞組的匝數(shù)與工作繞組相差不大,如果啟動后就此閑置,其浪費的體積和材料資源非常巨大,因此,一些單相異步電機中,啟動繞組在啟動之后仍然工作,其機制是,在啟動時,與啟動繞組相串接的電容的容值較大,啟動后,電容值縮小,保持較低數(shù)值。
[0003]在調(diào)節(jié)電容數(shù)值的過程中,通常通過改變可調(diào)式電容的容值得以實現(xiàn),但可調(diào)式電容的調(diào)節(jié)范圍較為狹窄,并且,對于可調(diào)式電容,在長期使用的過程中,經(jīng)常性地調(diào)節(jié)其容值調(diào)節(jié)部件,將造成其精度逐漸下降,使目標(biāo)容值不準(zhǔn)確。
實用新型內(nèi)容
[0004]針對上述問題,本實用新型的目的在于提供一種單相電容啟動與運行異步電機,該電機可以在啟動過程中,將與啟動繞組相串聯(lián)的電容的容值在較大范圍內(nèi)逐漸地、精確地調(diào)節(jié)。
[0005]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:該單相電容啟動與運行異步電機包括轉(zhuǎn)子和定子;所述定子包括布置在定子鐵芯上的工作繞組與啟動繞組,所述啟動繞組串接一組電容組,所述電容組由兩個以上的電容并聯(lián)而成,各所述電容先分別串接一個可控硅后再實現(xiàn)并聯(lián);各所述可控硅的控制端受控于一個控制模塊,所述控制模塊耦合于一個用于傳感電機轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)速傳感器;所述控制模塊使所述可控硅導(dǎo)通的數(shù)量與電機轉(zhuǎn)速呈反比例關(guān)系。
[0006]作為優(yōu)選,所述轉(zhuǎn)速傳感器為一對光耦,設(shè)置于電機轉(zhuǎn)軸上的打孔盤的兩側(cè)。
[0007]作為優(yōu)選,所述控制模塊為集成運算芯片,其包括至少一個輸入引腳,以及不少于所述電容數(shù)量的輸出引腳,各所述輸出引腳電性連接一個所述電容所對應(yīng)的可控硅控制極;所述可控硅在接受到持續(xù)的高電平時,保持電路接通,否則斷開電路。
[0008]作為優(yōu)選,構(gòu)成所述電容組的各電容的電容值相等。
[0009]本實用新型的有益效果在于:該單相電容啟動與運行異步電機在啟動過程中,由于構(gòu)成所述電容組的各電容可以獨立地進行通斷,且通斷動作受控制模塊準(zhǔn)確控制,因此,電容組的總電容值總可以達到目標(biāo)值;且電容數(shù)量可以取很多,則所述電容組的總電容值可以在O至所有電容并聯(lián)導(dǎo)通后的總電容值之間調(diào)節(jié),其調(diào)節(jié)范圍很大。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本單相電容啟動與運行異步電機的電氣結(jié)構(gòu)示意圖?!揪唧w實施方式】
[0011]下面結(jié)合實施例對本實用新型進行進一步說明:
[0012]在圖1所示的實施例中,該單相電容啟動與運行異步電機包括轉(zhuǎn)子和定子;所述定子包括布置在定子鐵芯上的工作繞組(非實用新型點,未圖示)與啟動繞組1,所述啟動繞組I串接一組電容組2,與該電容組2—同接入單相電源7 ;所述電容組2由5個電容20并聯(lián)而成,各所述電容20先分別串接一個可控硅3后再實現(xiàn)并聯(lián);需要注意的是,圖1中僅是為了繪圖的便利,僅畫出5個電容20,實際上,電容組2可以由20個?50個電容20構(gòu)成;各所述可控硅3的控制端受控于一個控制模塊5,所述控制模塊5耦合于一個用于傳感電機轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)速傳感器4 ;所述控制模塊5使所述可控硅3導(dǎo)通的數(shù)量與電機轉(zhuǎn)速呈反比例關(guān)系,所述反比例關(guān)系,如設(shè)可控娃3的導(dǎo)通數(shù)量為η,電機轉(zhuǎn)速為V,則(n+Kl)* (v+K2)=K3,其中,Κ1、Κ2、Κ3為定值。
[0013]上述的單相電容啟動與運行異步電機,所述轉(zhuǎn)速傳感器為一對光稱,設(shè)置于電機轉(zhuǎn)軸上的打孔盤的兩側(cè);轉(zhuǎn)軸每轉(zhuǎn)過一周,所述光耦的光訊號通過打孔盤上的通孔一次,則計數(shù)一次。
[0014]上述的單相電容啟動與運行異步電機,所述控制模塊5為集成運算芯片,其包括至少一個輸入引腳,用于接收電機轉(zhuǎn)速信號,以及不少于所述電容數(shù)量的輸出引腳,各所述輸出引腳電性連接一個所述電容20所對應(yīng)的可控硅控制極;所述可控硅在接受到持續(xù)的高電平時,保持電路接通,否則斷開電路。
[0015]上述的單相電容啟動與運行異步電機,構(gòu)成所述電容組2的各電容20的電容值相等;如,設(shè)各電容2的電容值為C,電容數(shù)量為k,則電容組2的總電容值可以在O至kC之間調(diào)節(jié),步長為C。
[0016]上述單相電容啟動與運行異步電機在啟動過程中,由于構(gòu)成所述電容組2的各電容20可以獨立地進行通斷,且通斷動作受控制模塊5準(zhǔn)確控制,因此,電容組2的總電容值總可以達到目標(biāo)值;且電容數(shù)量可以取很多,則所述電容組2的總電容值可以在O至所有電容并聯(lián)導(dǎo)通后的總電容值之間調(diào)節(jié),其調(diào)節(jié)范圍很大。
[0017]以上所述僅為本實用新型的較佳方式,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單相電容啟動與運行異步電機,包括轉(zhuǎn)子和定子;所述定子包括布置在定子鐵芯上的工作繞組與啟動繞組(1),其特征在于:所述啟動繞組(I)串接一組電容組(2),所述電容組由兩個以上的電容(20)并聯(lián)而成,各所述電容(20)先分別串接一個可控硅(3)后再實現(xiàn)并聯(lián);各所述可控硅的控制端受控于一個控制模塊(5),所述控制模塊(5)耦合于一個用于傳感電機轉(zhuǎn)速的轉(zhuǎn)速傳感器(4);所述控制模塊(5)使所述可控硅(3)導(dǎo)通的數(shù)量與電機轉(zhuǎn)速呈反比例關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相電容啟動與運行異步電機,其特征在于:所述轉(zhuǎn)速傳感器(4)為一對光稱,設(shè)置于電機轉(zhuǎn)軸上的打孔盤的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相電容啟動與運行異步電機,其特征在于:所述控制模塊(5)為集成運算芯片,其包括至少一個輸入引腳,以及不少于所述電容數(shù)量的輸出引腳,各所述輸出引腳電性連接一個所述電容(20 )所對應(yīng)的可控硅(3 )控制極;所述可控硅(3 )在接受到持續(xù)的高電平時,保持電路接通,否則斷開電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單相電容啟動與運行異步電機,其特征在于:構(gòu)成所述電容組(2)的各電容(20)的電容值相等。
【文檔編號】H02P25/04GK203596778SQ201320693422
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】馬根昌 申請人:馬根昌
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