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一種背結(jié)n型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):10858174閱讀:460來源:國知局
一種背結(jié)n型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種背結(jié)N型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。本實(shí)用新型的一種背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體,N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的n+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的p+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;N型晶體硅基體的正表面包括正面電極,N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu),背面電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與p+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。其有益效果是:在背表面鈍化膜上開槽后印刷鋁漿,鋁漿僅在開槽圖案處與背表面p+摻雜層形成局部接觸。還可提高電池的開路電壓,同時(shí)還能夠極大的減少電池片的銀漿消耗,從而降低電池片的制作成本。
【專利說明】
一種背結(jié)N型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池領(lǐng)域,特別涉及一種背結(jié)N型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是一種能將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。目前,業(yè)界的主流產(chǎn)品為P型晶體硅電池。該電池工藝簡單,但是具有光致衰減效應(yīng),即電池的效率會(huì)隨著時(shí)間的增加而逐漸衰減,這主要是由于摻入P型硅襯底中的硼原子與襯底中的氧原子相結(jié)合產(chǎn)生硼氧對(duì)的結(jié)果。研究表明,硼氧對(duì)起著載流子陷阱作用,使少數(shù)載流子壽命降低,從而導(dǎo)致了電池光電轉(zhuǎn)換效率的衰減。相對(duì)于P型晶體硅電池,N型太陽能電池具有光致衰減小、耐金屬雜質(zhì)污染性能好、少數(shù)載流子擴(kuò)散長度長等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]N型太陽能電池分為前結(jié)型和背結(jié)型兩種。其中背結(jié)N型太陽能電池的結(jié)構(gòu)為η+/η/ρ+結(jié)構(gòu),其正表面為η+摻雜層,背表面為ρ+摻雜層。ρ+摻雜層一般采用摻鋁銀漿制作電極,然而摻鋁銀漿的價(jià)格都較為昂貴,這導(dǎo)致含銀漿料在電池制造成本中的占比居高不下。另外,摻鋁銀漿雖然可以和P+摻雜層形成較好的歐姆接觸,但其下方的金屬復(fù)合非常嚴(yán)重,這會(huì)損失較大一部分的開路電壓。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種背結(jié)N型太陽能電池和組件及其系統(tǒng)。所述的背結(jié)N型太陽能電池可以提高電池的開路電壓,同時(shí)還能夠顯著地降低含銀漿料的使用量,從而降低太陽能電池的生產(chǎn)成本。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種背結(jié)N型太陽能電池,其技術(shù)方案是:
[0006]本實(shí)用新型提供的一種背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體,N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;N型晶體硅基體的正表面包括正面電極,N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu),背面鋁電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000:1。
[0007]其中,正面電極是銀電極。
[0008]其中,正面電極是由正面主柵和正面副柵構(gòu)成的H型柵線。
[0009 ] 其中,正面主柵的線寬為0.5-3mm,正面副柵的線寬為40_80μπι。
[0010]其中,鈍化減反膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜,鈍化膜是Si02、SiNx或AI2O3介質(zhì)膜中的一種或多種。
[0011]其中,N型晶體硅基體的厚度為50-300μπι;ρ+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5-2.0ymjife化減反膜的厚度為70-1 1nm;鈍化膜的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5-2.0um0
[0012]其中,N型晶體硅基體的背表面包括穿透鈍化膜的多個(gè)槽狀結(jié)構(gòu),多個(gè)槽狀結(jié)構(gòu)相互平行;槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20-60μηι。
[0013]其中,槽狀結(jié)構(gòu)的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)、非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)或者非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種背結(jié)N型太陽能電池組件,包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型太陽能電池、封裝材料、背層材料,背結(jié)N型太陽能電池是上述的一種背結(jié)N型太陽能電池。
[0015]本實(shí)用新型還提供了一種背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng),包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型太陽能電池組件,背結(jié)N型太陽能電池組件是上述的一種背結(jié)N型太陽能電池組件。
[0016]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0017]本實(shí)用新型提出的背結(jié)N型太陽能電池,其優(yōu)點(diǎn)在于:在背表面鈍化膜上開槽后印刷鋁漿,鋁漿僅在開槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比,本實(shí)用新型方法可提高電池的開路電壓,同時(shí)還能夠極大的減少電池的銀漿消耗,從而降低電池片的制作成本。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二烘干后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0020]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0021]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟三后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0022]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟四后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0023]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法步驟二中開槽后的錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說明,需要指出的是,所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本實(shí)用新型的理解,而對(duì)其不起任何限定作用。
[0028]參見圖5至圖9所示,本實(shí)施例提供的一種背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體10,N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14; N型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的ρ+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18; N型晶體硅基體10的正表面包括正面電極,正面電極是由正面主柵20和正面副柵24構(gòu)成的H型柵線,正面主柵20的線寬為0.5-3mm,正面副柵24的線寬為40-80μπι;正面電極是銀電極。N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極22、背面鋁電極26和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu),槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20-60μπι。背面鋁電極26填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與ρ+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸,背面鋁電極26可以覆蓋整個(gè)N型晶體硅基體10的背表面,背面鋁電極26也可以只覆蓋背面開槽區(qū)域。N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000:1;具體數(shù)值可以選擇300:1; 125:0.18; 156:0.18; 156:1; 1560:5; 1560:1; 10000:1。本實(shí)施中,槽狀結(jié)構(gòu)的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖6所示)、非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖7所示)或者非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖8所示);非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)和非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)可以是有規(guī)則的陣列或者無規(guī)則的陣列(如圖9所示型晶體硅基體的背表面包括多個(gè)穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu),多個(gè)槽狀結(jié)構(gòu)相互平行。
[0029]優(yōu)選地,鈍化減反膜14是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜,鈍化膜18是S12、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中的一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50-300μπι;ρ+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5-2.Ομπι;鈍化減反膜14的厚度為70-1 1nm;鈍化膜18的厚度為不低于20nm; η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5-2.Ομπι。
[0030]本實(shí)用新型提出的背結(jié)N型太陽能電池,其有益效果包括:在背表面鈍化膜上開槽后印刷鋁漿,鋁漿僅在開槽圖案處與背表面P+摻雜層形成局部接觸。與使用摻鋁銀漿印刷電極相比,本實(shí)用新型方法可提高電池的開路電壓,同時(shí)還能夠極大地減少電池的銀漿消耗,從而降低電池片的制作成本。
[0031]為了更清楚的顯示本實(shí)施例中背結(jié)N型太陽能電池的結(jié)構(gòu),下述以兩個(gè)實(shí)施例對(duì)背結(jié)N型太陽能電池的制備方法也作了詳細(xì)描述。
[0032]實(shí)施例1
[0033]參見圖1、圖3至圖9所示,本實(shí)施例中的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法包括如下步驟:
[0034](I )、制備金屬化前的背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體1,N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;Ν型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18。其中正表面的鈍化減反膜14是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜,背表面的鈍化膜18是Si02、SiNx和Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι;η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?2.0μm;正表面鈍化減反膜14的厚度為70?I 1nm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm; ρ+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.Ομπι。完成步驟(I)后的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0035](2)、在背表面鈍化膜18上開槽形成槽狀結(jié)構(gòu),開槽方式采用激光開槽法。確保其完全穿透背表面鈍化膜18但不破壞ρ+摻雜區(qū)域16的表面。開槽后圖案的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖6),其寬度為20-60um,長度為154mm,這些連續(xù)線條互相平行。開槽后圖案的形狀也可以為非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖7),可以為陣列排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖8),還可以為錯(cuò)位排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖9)。完成步驟(2)后的電池結(jié)構(gòu)如圖3所不O
[0036](3)、在N型晶體硅基體10的背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極26并烘干。背面鋁電極26可以覆蓋整個(gè)N型晶體硅基體10的背表面,背面鋁電極26也可以只覆蓋背面開槽區(qū)域。在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷背面銀主柵電極22并烘干,背面銀主柵電極22用于電池之間的焊接。完成步驟(3)后的電池結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0037](4)、在N型晶體硅基體10的正表面使用銀漿印刷電極并進(jìn)行烘干,其電極圖案的形狀為H型柵線(由正面主柵20和正面副柵24構(gòu)成),其中主柵寬0.5-3mm,長154mm,等間距設(shè)置3-6根,副柵線寬40-80um,長154mm,互相平行設(shè)置。完成步驟⑷后的電池結(jié)構(gòu)如圖5所不O
[0038](5)、將步驟(4)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié),燒結(jié)的溫度不高于900°C。至此,完成背結(jié)N型太陽能電池的制備。
[0039]實(shí)施例2
[0040]參見圖1至圖9所示,本實(shí)施例中的背結(jié)N型太陽能電池的制備方法包括如下步驟:[0041 ] (I )、制備金屬化前的背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體1,N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;N型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域16和背表面鈍化膜18。其中正表面的鈍化減反膜14是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜,背表面的鈍化膜18是Si02、SiNx和Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種。N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι;η+摻雜區(qū)域12的摻雜深度為0.5?2.0μm;正表面鈍化減反膜14的厚度為70?I 1nm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm; ρ+摻雜區(qū)域16的摻雜深度為0.5?2.Ομπι。完成步驟(I)后的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0042](2)、在背表面鈍化膜18上開槽,開槽方式采用漿料刻蝕法。在N型晶體硅基體10的背表面印刷刻蝕漿料40(參見圖2所示)并進(jìn)行烘干和清洗,,確保其完全穿透背表面鈍化膜18。開槽圖案的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖6),其寬度為20-60um,長度為154_,這些連續(xù)線條互相平行。開槽圖案的形狀也可以為非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)(如圖7),可以為陣列排列的非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)(如圖8),還可以為錯(cuò)位排列的非連續(xù)圓點(diǎn)(如圖9)??涛g漿料40的烘干溫度為100-400 0C,時(shí)間為1-10分鐘,烘干后的電池結(jié)構(gòu)如圖2所示。烘干后將N型單晶硅基體10放入清洗設(shè)備中去除殘余的刻蝕漿料40并進(jìn)行清洗??筛鶕?jù)情況輔以超聲以提高清洗效果。完成步驟(2)后的電池結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0043](3)、在N型晶體硅基體10的背表面使用鋁漿印刷背面鋁電極26并烘干。背面鋁電極26可以覆蓋整個(gè)N型晶體硅基體10的背表面,背面鋁電極26也可以只覆蓋背面開槽區(qū)域。在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷背面銀主柵電極22并烘干,背面銀主柵電極22用于電池之間的焊接。完成步驟(3)后的電池結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0044](4)、在N型晶體硅基體10的正表面使用銀漿印刷電極并進(jìn)行烘干,其電極圖案的形狀為H型柵線,其中主柵寬0.5-3mm,長154mm,等間距設(shè)置3-6根,副柵線寬40-80um,長154mm,互相平行設(shè)置。完成步驟(4)后的電池結(jié)構(gòu)如圖5所示。
[0045](5)、將步驟(4)后的N型晶體硅基體10置于燒結(jié)爐中燒結(jié),燒結(jié)的溫度不高于900°C。至此,完成背結(jié)N型太陽能電池的制備。
[0046]本實(shí)施例還提供了一種背結(jié)N型太陽能電池組件,包括由上至下連接的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型太陽能電池、封裝材料、背層材料,背結(jié)N型太陽能電池是上述的一種背結(jié)N型太陽能電池。本實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù),且本實(shí)用新型提供的背結(jié)N型太陽能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的背結(jié)N型太陽能電池,不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說明書僅對(duì)背結(jié)N型太陽能電池及其制備方法進(jìn)行詳述,對(duì)背結(jié)N型太陽能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說明書描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上,即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的背結(jié)N型太陽能電池組件。
[0047]本實(shí)施例還提供了一種背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng),包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型太陽能電池組件,背結(jié)N型太陽能電池組件是上述的一種背結(jié)N型太陽能電池組件。本實(shí)施例的背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù),且本實(shí)用新型提供的背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的背結(jié)N型太陽能電池,不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說明書僅對(duì)背結(jié)N型太陽能電池及其制備方法進(jìn)行詳述,對(duì)背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說明書描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上,即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng)。
[0048]最后應(yīng)當(dāng)說明的是,以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案,而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制,盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換,而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種背結(jié)N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體,所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體的正表面包括正面電極,所述N型晶體硅基體的背表面設(shè)置有背面銀主柵電極、背面鋁電極和穿透鈍化膜的槽狀結(jié)構(gòu),背面鋁電極填充在槽狀結(jié)構(gòu)內(nèi)并與P+摻雜區(qū)域形成歐姆接觸;所述N型晶體硅基體的長度與厚度的比值為300:1?10000:1。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述正面電極是銀電極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述正面電極是由正面主柵和正面副柵構(gòu)成的H型柵線。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述正面主柵的線寬為0.5-3mm,所述正面副柵的線寬為40-80μπι。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述鈍化減反膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜,所述鈍化膜是S12、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中的一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述N型晶體硅基體的厚度為50-30(^111;所述?+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5-2.(^111;所述鈍化減反膜的厚度為70-11nm;所述鈍化膜的厚度為不低于20nm ;所述η+摻雜區(qū)域的摻雜深度為0.5-2.0ym07.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:Ν型晶體硅基體的背表面包括穿透鈍化膜的多個(gè)槽狀結(jié)構(gòu),多個(gè)所述槽狀結(jié)構(gòu)相互平行;所述槽狀結(jié)構(gòu)的寬度為20-60μπιο8.根據(jù)權(quán)利要求1?7任一所述的一種背結(jié)N型太陽能電池,其特征在于:所述槽狀結(jié)構(gòu)的形狀為連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)、非連續(xù)的線條狀結(jié)構(gòu)或者非連續(xù)的圓點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)。9.一種背結(jié)N型太陽能電池組件,包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、背結(jié)N型太陽能電池、封裝材料、背層材料,其特征在于:所述背結(jié)N型太陽能電池是權(quán)利要求1-8任一所述的一種背結(jié)N型太陽能電池。10.—種背結(jié)N型太陽能電池系統(tǒng),包括一個(gè)或多于一個(gè)串聯(lián)的背結(jié)N型太陽能電池組件,其特征在于:所述背結(jié)N型太陽能電池組件是權(quán)利要求9所述的一種背結(jié)N型太陽能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK205542842SQ201620311979
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年4月14日
【發(fā)明人】林建偉, 孫玉海, 劉志鋒, 季根華, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來光電科技有限公司
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