一種在板上直接封裝led的陶瓷基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的陶瓷基板產(chǎn)品一般包括陶瓷基板、設(shè)置在陶瓷基板正面的導(dǎo)電極和大功率倒裝芯片、設(shè)置在陶瓷基板背面的散熱片，導(dǎo)電極和散熱片均是金屬材質(zhì)，通常是采用金屬銅，以利于導(dǎo)電。由于銅的色澤比較暗，反光度不強(qiáng)，制作成LED成品后，反射率不夠高。
[0003]有鑒于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過在陶瓷基板表面用化學(xué)沉積的方法覆蓋一層銀，利用銀較高的反射率使成品具有較強(qiáng)的反光功能。然而金屬銀在高壓作用下易氧化發(fā)黑，反射率差，并且銀材料價(jià)格高，造成生產(chǎn)成本居高不下。
[0004]再者，采用大功率倒裝芯片(3W以上)而言，大功率倒裝芯片能耗大，加之大功率倒裝芯片本身就比較貴，使用成本過高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，在節(jié)約生產(chǎn)成本和使用成本的基礎(chǔ)下，有效提高成品反射率，增強(qiáng)產(chǎn)品性能。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案:
[0007]一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正裝芯片、第一電極、第二電極、第一散熱片、第二散熱片，該中功率正裝芯片固定在陶瓷基板的正面，該陶瓷基板上開設(shè)有第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔，該第一導(dǎo)通孔中注入第一導(dǎo)電柱，該第二導(dǎo)通孔中注入第二導(dǎo)電柱，所述第一、第二電極安裝于陶瓷基板的正面，第一、第二散熱片安裝于陶瓷基板的反面，第一電極、第一導(dǎo)電柱、第一散熱片為一體式結(jié)構(gòu)，第二電極、第二導(dǎo)電柱及第二散熱片也為一體式結(jié)構(gòu)；該中功率正裝芯片、第一電極、第二電極彼此之間用金屬線相連。
[0008]作為一種優(yōu)選方案，所述陶瓷基板是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板。
[0009]作為一種優(yōu)選方案，所述中功率正裝芯片與陶瓷基板之間通過粘膠層相連。
[0010]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知，其主要是設(shè)計(jì)中功率正裝芯片，以取代傳統(tǒng)的大功率倒裝芯片，由于中功率正裝芯片耗能小，加之中功率正裝芯片本身價(jià)格便宜，因此能夠有效降低生產(chǎn)成本和使用成本。
[0011]此外，由于陶瓷基板是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相對(duì)于傳統(tǒng)采用表面的銀層反光而言，銀在高壓作用下易氧化發(fā)黑，反射率差，并且銀材料價(jià)格高，造成生產(chǎn)成本居高不下，而采用氧化鋁陶瓷板不存在上述弊端。
[0012]為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型之實(shí)施例的組裝立體示意圖；
[0014]圖2是圖1的背面示意圖；
[0015]圖3是本實(shí)用新型之實(shí)施例的剖視圖；
[0016]圖4是本實(shí)用新型之實(shí)施例的陶瓷基板示意圖；
[0017]圖5是本實(shí)用新型之實(shí)施例中陶瓷基板的透視圖。
[0018]附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明:
[0019]1、陶瓷基板2、中功率正裝芯片
[0020]3、第一電極4、第二電極
[0021]5、第一散熱片6、第二散熱片
[0022]7、粘膠層8、第一導(dǎo)通孔
[0023]9、第二導(dǎo)通孔10、第一導(dǎo)電柱
[0024]11、第二導(dǎo)電柱12、金屬線。
【具體實(shí)施方式】
[0025]請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖5所示，其顯示出了本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，是一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板1，其結(jié)構(gòu)包括有陶瓷基板1、中功率正裝芯片2、第一電極
3、第二電極4、第一散熱片5、第二散熱片6。
[0026]其中，所述陶瓷基板I是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板，相對(duì)于傳統(tǒng)表面采用銀層的陶瓷基板，由于金屬銀具有易氧化的缺點(diǎn)，很容易發(fā)黑，并且成本高，改為本實(shí)用新型的氧化鋁陶瓷板后靠陶瓷反光，不存在上述缺陷。
[0027]該中功率正裝芯片2 (I?2W)固定在陶瓷基板I的正面，中功率正裝芯片2與陶瓷基板I之間具有粘膠層7。相對(duì)于傳統(tǒng)采用大功率倒裝芯片(3W以上)而言，大功率倒裝芯片能耗大，加之大功率倒裝芯片本身就比較貴，使用成本過高。
[0028]所述第一、第二電極3、4安裝于陶瓷基板I的正面，第一、第二散熱片5、6安裝于陶瓷基板I的反面，該陶瓷基板I上開設(shè)有第一導(dǎo)通孔8和第二導(dǎo)通孔9，在陶瓷基板I的第一導(dǎo)通孔8中注入第一導(dǎo)電柱10，在第二導(dǎo)通孔9中注入第二導(dǎo)電柱11，使第一電極3、第一導(dǎo)電柱10、第一散熱片5之間導(dǎo)電相連，同樣的，第二電極4、第二導(dǎo)電柱11、第二散熱片6之間也導(dǎo)電相連。該中功率正裝芯片2、第一電極3、第二電極4彼此之間用金屬線12相連。
[0029]本實(shí)施例中，所述第一電極3、第一導(dǎo)電柱10、第一散熱片5為一體式結(jié)構(gòu)，第二電極4、第二導(dǎo)電柱11及第二散熱片6也為一體式結(jié)構(gòu)；藉此，只需要置入模具中，即可一次快速成型出電極、導(dǎo)電柱和散熱，成型方式非常簡(jiǎn)單，有效提高生產(chǎn)效率。
[0030]綜上所述，本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于，其主要是設(shè)計(jì)中功率正裝芯片2，以取代傳統(tǒng)的大功率倒裝芯片，由于中功率正裝芯片2耗能小，加之中功率正裝芯片2本身價(jià)格便宜，因此能夠有效降低生產(chǎn)成本和使用成本。
[0031]此外，由于陶瓷基板I是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相對(duì)于傳統(tǒng)采用表面的銀層反光而言，銀在高壓作用下易氧化發(fā)黑，反射率差，并且銀材料價(jià)格高，造成生產(chǎn)成本居高不下，而采用氧化鋁陶瓷板不存在上述弊端。
[0032]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，其特征在于:包括陶瓷基板、中功率正裝芯片、第一電極、第二電極、第一散熱片、第二散熱片，該中功率正裝芯片固定在陶瓷基板的正面，該陶瓷基板上開設(shè)有第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔，該第一導(dǎo)通孔中注入第一導(dǎo)電柱，該第二導(dǎo)通孔中注入第二導(dǎo)電柱，所述第一、第二電極安裝于陶瓷基板的正面，第一、第二散熱片安裝于陶瓷基板的反面，第一電極、第一導(dǎo)電柱、第一散熱片為一體式結(jié)構(gòu)，第二電極、第二導(dǎo)電柱及第二散熱片也為一體式結(jié)構(gòu)；該中功率正裝芯片、第一電極、第二電極彼此之間用金屬線相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，其特征在于:所述陶瓷基板是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，其特征在于:所述中功率正裝芯片與陶瓷基板之間通過粘膠層相連。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種在板上直接封裝LED的陶瓷基板，包括陶瓷基板、中功率正裝芯片、電極、散熱片，通過設(shè)計(jì)中功率正裝芯片，以取代傳統(tǒng)的大功率倒裝芯片，由于中功率正裝芯片耗能小，加之中功率正裝芯片本身價(jià)格便宜，因此能夠有效降低生產(chǎn)成本和使用成本；此外，由于陶瓷基板是一種反射率大于92%的氧化鋁陶瓷板，靠陶瓷原有的亮面反光，相對(duì)于傳統(tǒng)采用表面的銀層反光而言，銀在高壓作用下易氧化發(fā)黑，反射率差，并且銀材料價(jià)格高，造成生產(chǎn)成本居高不下，而采用氧化鋁陶瓷板不存在上述弊端。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-60
【公開號(hào)】CN204497267
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520178300
【發(fā)明人】康為, 吳朝暉
【申請(qǐng)人】東莞市凱昶德電子科技股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年3月27日