光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)一種多晶硅太陽(yáng)能電池片。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池片是一種由于光生伏特效應(yīng)而將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件，是一種新型電源，具有永久性、清潔性和靈活性三大特點(diǎn)。但現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池片存在轉(zhuǎn)換效率低、生產(chǎn)成本高等不足。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述情況提供一種轉(zhuǎn)換效率高、生產(chǎn)成本低的多晶硅太陽(yáng)能電池片。本實(shí)用新型的目的可通過(guò)以下方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述二氧化硅空心球薄膜的厚度為18 — 20nm，所述氮氧化硅薄膜的厚度為36— 40nm，這種結(jié)構(gòu)的反折射膜能有效提高光電轉(zhuǎn)換效率；所述主柵線與所述次柵線垂直相交，所述主柵線為寬度大于所述次柵線的細(xì)實(shí)線，所述細(xì)實(shí)線上間隔設(shè)置有多個(gè)寬度大于所述細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述粗實(shí)線段的寬度為1.4mm，細(xì)實(shí)線的寬度為0.3mm，所述次柵線的寬度為0.04_，這種結(jié)構(gòu)的主柵線和次柵線既可以節(jié)省印刷漿料，降低生產(chǎn)成本，也可以減少遮光面積，提升轉(zhuǎn)換效率，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52mm (指每列背電極中心線之間的距離)，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12_，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9mm，這種結(jié)構(gòu)的背電極可以降低印刷漿料的使用，降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型具有制造成本低，轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0004]圖1，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0005]圖2，本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006]圖3，背電極結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖4，每段背電極及其周邊框線結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]對(duì)照?qǐng)D1、圖2、圖3、圖4可知，一種光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片1，硅片的表面設(shè)有反折射膜2，反折射膜的上面印有主柵線3和次柵線4，硅片的背面印有背電極5，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述二氧化娃空心球薄膜的厚度為18 — 20nm，所述氮氧化娃薄膜的厚度為36—40nm;所述主柵線與所述次柵線垂直相交，所述主柵線為寬度大于所述次柵線的細(xì)實(shí)線，所述細(xì)實(shí)線上間隔設(shè)置有多個(gè)寬度大于所述細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述粗實(shí)線段的寬度為1.4mm，細(xì)實(shí)線的寬度為0.3mm，所述次柵線的寬度為0.04mm，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52mm，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線6，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12mm，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9mm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片(1)，硅片的表面設(shè)有反折射膜(2)，反折射膜的上面印有主柵線(3)和次柵線(4)，硅片的背面印有背電極(5)，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述二氧化娃空心球薄膜的厚度為18 — 20nm，所述氮氧化娃薄膜的厚度為36— 40nm ;所述主柵線與所述次柵線垂直相交，所述主柵線為寬度大于所述次柵線的細(xì)實(shí)線，所述細(xì)實(shí)線上間隔設(shè)置有多個(gè)寬度大于所述細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述粗實(shí)線段的寬度為1.4mm，細(xì)實(shí)線的寬度為0.3mm，所述次柵線的寬度為0.04mm，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，一列背電極位于硅片背面中間，其余兩列背電極各自距離中間一列背電極52mm，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線(6)，所述框線呈間隔狀均勻布滿背電極周邊，所述背電極是長(zhǎng)為18mm且寬為2.3mm的矩形豎條狀，且同列背電極之間的間隔為12mm，每列背電極中位于首尾兩端的背電極與硅片邊緣的間隔各自為9mm ο
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種光電轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽(yáng)能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述主柵線與所述次柵線垂直相交，所述主柵線為寬度大于所述次柵線的細(xì)實(shí)線，所述細(xì)實(shí)線上間隔設(shè)置有多個(gè)寬度大于所述細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述背電極具有十五段，且十五段背電極呈五行三列矩陣狀排布，每段背電極皆是豎條狀，且每段背電極的邊緣連接有若干框線。本實(shí)用新型具有制造成本低，轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【IPC分類】H01L31-0224, H01L31-0216
【公開(kāi)號(hào)】CN204348729
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520091121
【發(fā)明人】葉挺寧
【申請(qǐng)人】江西金泰新能源有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年2月10日