硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及印制電路板的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]制作一塊PCB板，以絕緣材料為基板加工成一定尺寸的板，上面至少有一個(gè)導(dǎo)電圖形及所設(shè)計(jì)好的孔，以實(shí)現(xiàn)電子元器件之間的電氣連接，這樣的板稱(chēng)為印制電路板。通常PCB能為已封裝好電子元器件(電阻、電容、電感、二、三極管和集成電路)提供固定、裝配的機(jī)械支撐，可實(shí)現(xiàn)電子元器件之間的電氣連接，電子元件有很多種封裝形式，不同封裝形式的元件在PCB上的安裝方式也是不同的。傳統(tǒng)的電子元件大都是插針式的，體積較大，對(duì)于這種元件，需要在PCB上鉆孔后才能安裝。元件引腳從鉆孔穿過(guò)焊接在PCB另一面的焊盤(pán)上，焊接完成后還要剪除多余的引腳。且以前的PCB版局限于封裝好的電子元件，芯片(指裸芯片)綁定在PCB版上必須用黑膠保護(hù)，這種黑膠保護(hù)也是一種封裝形式，即軟包封，稱(chēng)非空封封裝，可靠性較差，只能用于民品和工業(yè)品，不能應(yīng)用于航天航空軍品。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了克服現(xiàn)有的技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，包括前覆蓋層、中間主體層和后覆蓋層，所述前覆蓋層、中間主體層和后覆蓋層依次連接在一起，所述中間主體層一面內(nèi)嵌一個(gè)凹槽一，另一面設(shè)有孔一，所述中間主體層的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)鍵合壓塊，所述中間主體層的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)電極引出端，所述前覆蓋層上設(shè)有一個(gè)與中間主體層上凹槽一相對(duì)應(yīng)的凹槽二，所述后覆蓋層上設(shè)有一個(gè)與中間主體層上孔一相對(duì)應(yīng)的孔二，所述前覆蓋層和后覆蓋層上分別設(shè)有與中間主體層上鍵合壓塊位置相對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)切口，所述前覆蓋層和后覆蓋層上分別設(shè)有與中間主體層上電極引出端位置相對(duì)應(yīng)的引出電纜切口。
[0005]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，進(jìn)一步包括所述前覆蓋層、中間主體層和后覆蓋層上分別設(shè)有不少于3個(gè)安裝孔。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，進(jìn)一步包括所述凹槽一為八邊形，所述凹槽二為八邊形。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是，硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)既是一塊PCB板又替代了一個(gè)封裝外殼，有利于縮小體積，減輕重量，可靠性好，能滿(mǎn)足航天電子產(chǎn)品的特點(diǎn)要求，特別適用于傳感器、探測(cè)器的封裝殼體。
【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0009]圖1是本實(shí)用新型的前覆蓋層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本實(shí)用新型的中間主體層的內(nèi)嵌凹槽一面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3是本實(shí)用新型的中間主體層的開(kāi)孔的一面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖4是本實(shí)用新型的后覆蓋層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖5是本實(shí)用新型的整體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中1.前覆蓋層，2.中間主體層，3.后覆蓋層，4.凹槽一，5.孔一，6.鍵合壓塊，7.電極引出端，8.焊盤(pán)切口，9.引出電纜切口，10.安裝孔，11.凹槽二，12.孔二。
【具體實(shí)施方式】
[0015]如圖1、圖2、圖3、圖4和圖5所示，一種硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，包括前覆蓋層1、中間主體層2和后覆蓋層3，前覆蓋層1、中間主體層2和后覆蓋層3依次連接在一起，中間主體層2 —面內(nèi)嵌一個(gè)凹槽一 4，另一面設(shè)有孔一 5，中間主體層2的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)鍵合壓塊6，中間主體層2的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)電極引出端7，前覆蓋層I上設(shè)有一個(gè)與中間主體層2上凹槽一 4相對(duì)應(yīng)的凹槽二 11，后覆蓋層3上設(shè)有一個(gè)與中間主體層2上孔一 5相對(duì)應(yīng)的孔二 12，前覆蓋層I和后覆蓋層3上分別設(shè)有與中間主體層2上鍵合壓塊6位置相對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)切口 8，前覆蓋層I和后覆蓋層3上分別設(shè)有與中間主體層2上電極引出端7位置相對(duì)應(yīng)的引出電纜切口 9。較優(yōu)的，前覆蓋層1、中間主體層2和后覆蓋層3上分別設(shè)有不少于3個(gè)安裝孔10。凹槽一 4為八邊形，凹槽二 11為八邊形。
[0016]本實(shí)用新型在使用時(shí)，將硅輻射探測(cè)器硅芯片切割成八邊形(最大利用芯片有效面積，且方便芯片切割)，通過(guò)膠粘劑嵌入中間主體層2上的八邊形凹槽一 4中，將硅芯片的電極分別與中間主體層2上鍵合壓塊6通過(guò)S1-Al絲超聲鍵合工藝形成電氣連接，電極引出端7實(shí)現(xiàn)該器件與外部的電氣連接，前覆蓋層I和后覆蓋層3主要用于對(duì)中間主體層2上鍵合壓塊6和電極引出端7的保護(hù)，并起美觀作用，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)硅輻射探測(cè)器的疊層應(yīng)用，完成不同輻射程度的探測(cè)需要。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，包括前覆蓋層(I )、中間主體層(2)和后覆蓋層(3)，所述前覆蓋層(1)、中間主體層(2)和后覆蓋層(3)依次連接在一起，其特征是，所述中間主體層(2)—面內(nèi)嵌一個(gè)凹槽一(4)，另一面設(shè)有孔一(5)，所述中間主體層(2)的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)鍵合壓塊(6)，所述中間主體層(2)的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)電極引出端(7 )，所述前覆蓋層(I)上設(shè)有一個(gè)與中間主體層(2 )上凹槽一(4 )相對(duì)應(yīng)的凹槽二( 11)，所述后覆蓋層(3)上設(shè)有一個(gè)與中間主體層(2)上孔一(5)相對(duì)應(yīng)的孔二(12)，所述前覆蓋層(I)和后覆蓋層(3)上分別設(shè)有與中間主體層(2)上鍵合壓塊(6)位置相對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)切口(8)，所述前覆蓋層(I)和后覆蓋層(3)上分別設(shè)有與中間主體層(2)上電極引出端(7)位置相對(duì)應(yīng)的引出電纜切口( 9 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，所述前覆蓋層(1)、中間主體層(2)和后覆蓋層(3)上分別設(shè)有不少于3個(gè)安裝孔(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅輻射探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，所述凹槽一(4)為八邊形，所述凹槽二( 11)為八邊形。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及印制電路板的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種硅探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)，包括依次連接的前覆蓋層、中間主體層和后覆蓋層，中間主體層一面內(nèi)嵌一個(gè)八邊形槽，另一面設(shè)有孔，中間主體層的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)鍵合壓塊，中間主體層的兩面分別設(shè)有不少于一個(gè)電極引出端，前覆蓋層和后覆蓋層上分別設(shè)有與中間主體層上鍵合壓塊位置相對(duì)應(yīng)的焊盤(pán)切口和與電極引出端位置相對(duì)應(yīng)的引出電纜切口。前覆蓋層、中間主體層和后覆蓋層上分別設(shè)有不少于3個(gè)安裝孔。本實(shí)用新型的硅探測(cè)器封裝結(jié)構(gòu)既是一塊PCB板又替代了一個(gè)封裝外殼，有利于縮小體積，減輕重量，可靠性好，能滿(mǎn)足航天產(chǎn)品的要求，特別適用于傳感器、探測(cè)器的封裝殼體。
【IPC分類(lèi)】H01L31-0203, H01L31-02
【公開(kāi)號(hào)】CN204303820
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520000734
【發(fā)明人】吳佳, 張紅, 孫瑞峰
【申請(qǐng)人】常州市華誠(chéng)常半微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年1月4日