一種半導(dǎo)體光源組裝及生產(chǎn)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體光源組裝及生產(chǎn)方法，其中該方法包括：鍍膜切割步驟，對晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列，對所述晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到晶片；固晶步驟，對晶片的電極與基板的相應(yīng)電極進(jìn)行配對，采用預(yù)設(shè)焊接工藝，對晶片與基板的配對電極進(jìn)行焊接，從而將所述晶片組裝到基板上，得到半導(dǎo)體光源。本發(fā)明將沒有進(jìn)行封裝的晶片直接組裝到基板上，避免了將封裝級光源顆粒組裝到基板上而帶來的光源顆粒斷線問題，有助于提高半導(dǎo)體光源的良品率及可靠性，并降低半導(dǎo)體光源的生產(chǎn)成本。
【專利說明】
一種半導(dǎo)體光源組裝及生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種半導(dǎo)體光源組裝及生產(chǎn)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈通常被分為上游芯片、中游封裝、下游組裝應(yīng)用這三個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。不同的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)代表了不同的生產(chǎn)加工工藝及技術(shù)領(lǐng)域，同時各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)都對下環(huán)節(jié)提供其最終產(chǎn)品，并最終由下游組裝應(yīng)用環(huán)節(jié)形成最終的照明產(chǎn)品。
[0003]對應(yīng)于上述三個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)，目前傳統(tǒng)半導(dǎo)體光源的制作通常是由上游完成成品LED芯片，在中游封裝環(huán)節(jié)完成LED芯片的封裝(即形成封裝級LED光源顆粒)，并最終在下游組裝應(yīng)用環(huán)節(jié)由下游環(huán)節(jié)直接將封裝級LED光源顆粒組裝在基板上，從而加工形成LED光源。
[0004]傳統(tǒng)的半導(dǎo)體照明生產(chǎn)工藝中，在中游封裝環(huán)節(jié)形成的封裝級LED光源顆粒并不適合柔性基板的組裝。由于柔性基板具有易彎折的特性，所以在將封裝級LED光源顆粒組裝到柔性基板上時特別容易造成組裝在柔性基板上部的LED光源顆粒電極產(chǎn)生斷線，所以也就導(dǎo)致了下游組裝應(yīng)用環(huán)節(jié)在進(jìn)行LED光源顆粒組裝時良品率較低。
[0005]基于上述情況，亟需一種能夠有效提高半導(dǎo)體光源成品率的半導(dǎo)體光源組裝方法。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體光源組裝方法，所述方法包括:
[0007]對晶元的電極與基板的相應(yīng)電極進(jìn)行配對；
[0008]采用預(yù)設(shè)焊接工藝，對晶元與基板的配對電極進(jìn)行焊接。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)焊接工藝包括以下所列項(xiàng)中的任一項(xiàng):
[0010]a、通過熱超聲共晶方式將所述晶元與基板的配對電極共晶焊接；
[0011 ] b、首先錫膏印刷到基板上，隨后將所述晶元放置到基板相應(yīng)位置的錫膏上，并進(jìn)行回流焊接；
[0012]C、首先將導(dǎo)電粘接劑點(diǎn)到基板上，隨后將所述晶元放置到基板相應(yīng)位置的導(dǎo)電粘接劑上，并進(jìn)行烘烤或熱壓。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述基板為柔性基板。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述為晶元采用雙電極及水平電極結(jié)構(gòu)的正裝晶片或倒裝晶元。
[0015]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，所述方法包括:
[0016]鍍膜切割步驟，對晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列，對所述晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到晶片；
[0017]固晶步驟，采用如上所述的半導(dǎo)體光源組裝方法，將所述晶片組裝到基板上，得到半導(dǎo)體光源。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述方法還包括:
[0019]晶元分選步驟，根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選，得到所需要的晶
J L ο
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)包括以下所列項(xiàng)中的一項(xiàng)或幾項(xiàng):
[0021]正向電壓、光輻射功率、發(fā)光波長、反向電流、抗靜電參數(shù)。
[0022 ]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述方法還包括:
[0023]原片切割步驟，根據(jù)原片地圖，對晶元原片進(jìn)行切割，得到所需要的晶元。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述鍍膜切割步驟包括:
[0025]將由熒光粉和膠水混合制成的熒光膜或熒光膠覆蓋到所述晶元陣列上；
[0026]對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列進(jìn)行切割，得到晶片。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在所述鍍膜切割步驟中，
[0028]在對晶元進(jìn)行排列時，根據(jù)所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對分選后的晶元進(jìn)行配對，對配對晶元進(jìn)行排列，得到晶元陣列；
[0029]在切割時，以配對晶元為單位對所述晶元陣列進(jìn)行切割，得到晶片。
[0030]本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，所述方法包括:
[0031]晶元組裝步驟，將晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列，采用如上所述的半導(dǎo)體光源組裝方法，將所述晶元陣列與基板進(jìn)行組裝，實(shí)現(xiàn)晶元的無封裝組裝；
[0032]鍍膜切割步驟，對組裝到基板上的晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到半導(dǎo)體光源。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述方法還包括:
[0034]晶元分選步驟，根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選，得到所需要的晶
J L ο
[0035]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)包括以下所列項(xiàng)中的至少一項(xiàng):
[0036]正向電壓、光輻射功率、發(fā)光波長、反向電流、抗靜電參數(shù)。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述方法還包括:
[0038]原片切割步驟，根據(jù)原片地圖，對晶元原片進(jìn)行切割，得到所需要的晶元。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在所述鍍膜切割步驟中，
[0040]將由熒光粉和膠水混合制成熒光膜或熒光膠的熒光膜或熒光膠覆蓋到組裝在基板上的晶元陣列上；
[0041]對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列進(jìn)行切割，得到半導(dǎo)體光源。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，
[0043]在對晶元進(jìn)行排列時，對分選后的晶元進(jìn)行配對，對配對晶元進(jìn)行排列，得到晶元陣列；
[0044]在切割時，以配對晶元為單位對所述晶元陣列進(jìn)行切割，得到半導(dǎo)體光源。
[0045]本發(fā)明將沒有進(jìn)行封裝的晶片組裝到基板上，相較于現(xiàn)有的封裝級光源芯片，沒有進(jìn)行封裝的晶片不存在支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。這樣，通過將晶片直接與基板進(jìn)行組裝，就避免了現(xiàn)技術(shù)中將封裝級光源顆粒組裝到基板上而帶來的光源顆粒斷線問題。本方法有助于大幅提高半導(dǎo)體光源的良品率，并降低半導(dǎo)體光源的生產(chǎn)成本。同時，因?yàn)楸痉椒ú淮嬖跀嗑€問題，這也也能夠提高半導(dǎo)體光源的可靠性。
[0046]同時，對比現(xiàn)有的半導(dǎo)體光源產(chǎn)業(yè)鏈可以看出，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法不需要封裝環(huán)節(jié)，這也使得本方法從生產(chǎn)環(huán)節(jié)上較少了封裝步驟，節(jié)省了封裝工藝中芯片支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，這樣進(jìn)一步去減小了半導(dǎo)體光源的生產(chǎn)成本。
[0047]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0048]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0049]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)流程圖；
[0050]圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0052]同時，在以下說明中，出于解釋的目的而闡述了許多具體細(xì)節(jié)，以提供對本發(fā)明實(shí)施例的徹底理解。然而，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以不用這里的具體細(xì)節(jié)或者所描述的特定方式來實(shí)施。
[0053]另外，在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機(jī)可執(zhí)行指令的計算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行，并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。
[0054]實(shí)施例一:
[0055]在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體照明生產(chǎn)工藝中，中游封裝環(huán)節(jié)生產(chǎn)得到的封裝級LED光源顆粒在組裝到柔性基板時，由于柔性基板易彎折的特性，使得組裝過程的良品率較低。這也就使得LED光源的生產(chǎn)成本增加，給LED光源的發(fā)展以及應(yīng)用帶來不利影響。
[0056]本發(fā)明通過對傳統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝以及造成封裝級LED光源顆粒出現(xiàn)斷線的原因進(jìn)行細(xì)致地分析，提出了一種采用不對LED晶片進(jìn)行封裝，而是直接與基板進(jìn)行組裝的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，圖1示出了本實(shí)施例中該方法的流程圖。
[0057]如圖1所示，本實(shí)施例在步驟SlOl中根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選。其中，本實(shí)施例中，來料晶元為采用正裝結(jié)構(gòu)或倒裝結(jié)構(gòu)的晶元，進(jìn)一步地說，來料晶元可以為采用雙電極及水平電極的正裝結(jié)構(gòu)或倒裝結(jié)構(gòu)的晶元，但本發(fā)明不限于此。
[0058]本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)包括正向電壓、光福射功率、發(fā)光波長、反向電流和抗靜電參數(shù)。這些參數(shù)可以使用相應(yīng)的檢測設(shè)備檢測得到。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)可以為以上所列項(xiàng)中的任一項(xiàng)或幾項(xiàng)，預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)也可以包括其他合理參數(shù)，本發(fā)明不限于此。
[0059]為了使得最終生產(chǎn)出的半導(dǎo)體光源能夠發(fā)出所需要的光，就需要對晶元進(jìn)行鍍膜。同時，為了滿足自動化量產(chǎn)的需要，鍍膜方式通常采用集中鍍膜處理。所以滿足集中鍍膜的要求，就需要先對分選出的晶元進(jìn)行排列。
[0060]如圖1所示，本實(shí)施例在在步驟S102中，對分選后的晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列。本實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)來對分選后的晶元進(jìn)行配對，隨后對配對晶元進(jìn)行排列，從而得到晶元陣列。其中，配對晶元可以包含至少兩種晶元。
[0061]在步驟S103中，對晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到晶片。具體地，鍍膜工藝可以采用以下所列工藝中的任一項(xiàng):
[0062]I)將熒光粉和膠水混合制成熒光膜，使用壓膜機(jī)將熒光膜壓到晶元陣列上；
[0063]2)將熒光粉和膠水混合制成熒光膠，使用噴粉機(jī)將熒光膠噴到晶元陣列上；
[0064]3)將熒光粉和膠水混合制成熒光膠，使用molding機(jī)將熒光膠壓到晶元陣列上。
[0065]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他合理工藝來對晶元陣列進(jìn)行鍍膜，本發(fā)明不限于此。本實(shí)施例中，通過鍍膜使得最終生產(chǎn)出的半導(dǎo)體光源能夠發(fā)出白光，但本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，通過調(diào)整鍍膜材料及組分，還可以得到其他類型的光源。
[0066]當(dāng)完成晶片陣列的鍍膜后，對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列進(jìn)行切割，從而得到晶片。本實(shí)施例中，因?yàn)樵趯гM(jìn)行排列時是按照配對晶元進(jìn)行排列的，所以在對晶元陣列進(jìn)行切割時，以配對晶元為單位來對晶元陣列進(jìn)行切割。所以切割得到的晶片可以包括多個晶元。
[0067]如圖1所示，當(dāng)通過切割得到晶片后，在步驟S104中將晶片組裝到基板上，從而得到半導(dǎo)體光源。其中，本實(shí)施例中，為了突顯本發(fā)明的原理、目的以及優(yōu)點(diǎn)，基板優(yōu)選地采用柔性基板。需要說明的是，根據(jù)實(shí)際使用需要，基板可以為制備得到的基板(例如根據(jù)配對后的晶元進(jìn)行電極設(shè)計以適應(yīng)配對后的晶元的要求)，也可以成料基板，本發(fā)明不限于此。
[0068]在將晶片組裝到基板上的過程中，首先對晶片的電極與基板的相應(yīng)電極進(jìn)行配對，以確定晶元的電機(jī)應(yīng)該與基板上的哪個電極進(jìn)行焊接。隨后，采用預(yù)設(shè)焊接工藝，對晶片與基板的配對電極進(jìn)行焊接。
[0069]本實(shí)施例中，晶片與基板的焊接工藝可以為下所列工藝中的任一項(xiàng):
[0070]a、通過熱超聲共晶方式將晶片與基板共晶焊接；
[0071]b、首先錫膏印刷到基板上，隨后將待組裝的晶片放置到錫膏上，并進(jìn)行回流焊接；
[0072]C、首先將導(dǎo)電粘接劑點(diǎn)到基板上，隨后將待組裝的晶片放置到導(dǎo)電粘接劑上，并進(jìn)行烘烤或熱壓。
[0073]因?yàn)楸景l(fā)明中組裝到基板上的晶片并沒有進(jìn)行封裝，所以也就沒有現(xiàn)有的封裝工藝中所添加的芯片支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將晶片的電極直接固定在柔性基板的相應(yīng)電極上，所以即使柔性基板發(fā)生彎曲，晶片的電極也不會產(chǎn)生斷線。這樣便有效解決了現(xiàn)有的光源顆粒組裝過程中良品率低的問題。
[0074]為了保證晶片與基板的組裝質(zhì)量，本實(shí)施例中，還可以利用錫膏檢測(SolderPaste Inspect1n，簡稱為SPI)設(shè)備和自動光學(xué)檢測(Automatic Optic Inspect1n，簡稱為AOI)設(shè)備來相應(yīng)地檢測焊料以及晶片位置是否符合要求。例如，在錫膏印刷后使用SPI設(shè)備檢測錫膏的厚度尺寸是否符合要求，在晶片放置到錫膏上后、回流焊接前使用AOI設(shè)備檢測晶片的位置是否符合要求。
[0075]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他合理工藝來進(jìn)行晶片與基板的焊接，本發(fā)明不限于此。
[0076]從上述描述中可以看出，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法不需要對晶片進(jìn)行封裝，而是將晶片直接組裝到基板上。相較于現(xiàn)有的封裝級光源芯片，由于沒有對晶片進(jìn)行封裝，所以也就不存在支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。這樣通過將晶片的電極直接與柔性基板的相應(yīng)電極進(jìn)行焊接，即使柔性基板發(fā)生了彎曲，晶片的電極與基板的連接也能夠保持可靠。這也就避免了現(xiàn)技術(shù)中將封裝級光源顆粒組裝到基板上而帶來的光源顆粒斷線問題，從而能在組裝過程中大幅提高半導(dǎo)體光源的良品率、降低生產(chǎn)成本。
[0077]同時，對比現(xiàn)有的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)環(huán)節(jié)可以看出，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法不需要對晶片進(jìn)行封裝環(huán)節(jié)，不僅使得生產(chǎn)環(huán)節(jié)得到簡化，還節(jié)省了封裝工藝中芯片支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，這樣也就進(jìn)一步減小了半導(dǎo)體光源的生產(chǎn)成本。
[0078]實(shí)施例二:
[0079]LED晶元由LED原片切割得到。因?yàn)椴煌腖ED晶元的主波長不同，如果不進(jìn)行LED晶元的分選，為了保證成品的LED光源的光色一致性，就需要對構(gòu)成熒光膜或熒光膠中熒光粉的配比進(jìn)行調(diào)整。
[0080]晶元的分選區(qū)域一般標(biāo)定在5nm以內(nèi)，但是對于基于多晶元混光的應(yīng)用場合，設(shè)計光色所要求的波長范圍較寬。所以嚴(yán)格地按照主波長等分選參數(shù)進(jìn)行晶元分選也就不是十分必要了。
[0081]通過對LED原片的細(xì)致分析，發(fā)現(xiàn)不同主波長的LED晶元在LED原片上的分布位置不同?；谕还に噮?shù)，對于同一MOCVD設(shè)備生產(chǎn)出的不同LED原片，相同波長的晶元在原片上的分布位置比較一致。因此也就可以根據(jù)特定MOCVD設(shè)備所生產(chǎn)出的LED原片中各個位置處晶元波長的特性，得到對應(yīng)于MOCVD設(shè)備的原片位置圖。在原片位置圖中，通過晶元所處的位置即可得到波長較為一致的晶元。
[0082]基于上述原理，本實(shí)施例提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法根據(jù)原片位置圖來得到所需要的晶元。實(shí)施例一所提供的方法為了保證晶元的一致性，需要首先采用特定檢測設(shè)備對正向電壓、發(fā)光波長等分選參數(shù)進(jìn)行檢測，隨后再根據(jù)分選參數(shù)對來料晶元進(jìn)行分選，以此來得到所需要的晶元。而本實(shí)施例中則可以根據(jù)原片位置圖直接由原片切割得到波長一致的晶元，這樣也就不需要額外的檢測設(shè)備，從而有效地簡化了生產(chǎn)流程和減少了生產(chǎn)設(shè)備，降低了生產(chǎn)成本。
[0083]為了保證由原片切割得到的晶元的波長的一致性，本實(shí)施例中還對得到的晶元進(jìn)行隨機(jī)檢測。當(dāng)檢測得到晶元的波長與期望波長的誤差在允許范圍內(nèi)時，則表明所得到的晶元滿足要求。如果誤差大于允許范圍，則表明此時所得到的晶元滿足要求，由此可以得知此時原片位置圖存在異常。這樣通過反推生產(chǎn)流程可以得到該異常產(chǎn)生的原因，并根據(jù)異常產(chǎn)生原因并對原片位置圖進(jìn)行檢測修正，從而保證得到的晶元的可靠性。
[0084]得到所需要的晶元后，分別通過鍍膜切割步驟和固晶步驟來最終生產(chǎn)得到半導(dǎo)體光源。鍍膜切割步驟以及固晶步驟的實(shí)現(xiàn)原理以及過程與實(shí)施例一中所闡述的相同，在此不再贅述。
[0085]從上述描述中可以看出，本實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法在實(shí)施例所提供的方法的基礎(chǔ)上，根據(jù)原片位置圖直接切割得到所需要的晶元，而不再需要使用特定設(shè)備對各個晶元的發(fā)光波長、正向電壓等晶元分選參數(shù)進(jìn)行檢測。這樣也就減少了生產(chǎn)過程中所需要使用的設(shè)備，簡化了生產(chǎn)流程，有助于降低生產(chǎn)成本。
[0086]實(shí)施例三:
[0087]基于不對晶元進(jìn)行封裝而直接與基板組裝的思想，本實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，圖2示出了該方法的流程圖。
[0088]如圖2所示，本實(shí)施例在步驟S201中根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選。在步驟S202中，對分選后的晶元進(jìn)行排列，得到晶元陣列。步驟S201與步驟S202的原理及過程分別與實(shí)施例一中的步驟SlOl以及步驟S102相同，在此不再贅述。
[0089]本實(shí)施例在步驟S203中，將得到的晶元陣列與基板進(jìn)行組裝。其中，基板優(yōu)選地采用柔性基板。需要說明的是，根據(jù)實(shí)際使用需要，基板可以為制備得到的基板，也可以成料基板，基板也可以為非柔性基板，本發(fā)明不限于此。
[0090]在將晶元陣列組裝到基板上的過程中，首先對晶元陣列中各個晶元的電極與基板的相應(yīng)電極進(jìn)行配對，以確定晶元的電極應(yīng)該與基板上的哪個電極進(jìn)行焊接。隨后采用預(yù)設(shè)焊接工藝，對晶元與基板的配對電極進(jìn)行焊接。
[0091]本實(shí)施例中，晶元陣列與基板的焊接工藝可以為下所列工藝中的任一項(xiàng):
[0092]a、通過熱超聲共晶方式將晶元陣列與基板共晶焊接；
[0093]b、首先錫膏印刷到基板上，隨后將待組裝的晶元陣列放置到錫膏上，并進(jìn)行回流焊接；
[0094]c、首先將導(dǎo)電粘接劑點(diǎn)到基板上，隨后將待組裝的晶元陣列放置到導(dǎo)電粘接劑上，并進(jìn)行烘烤或熱壓。
[0095]為了保證晶元陣列與基板的固定質(zhì)量，本實(shí)施例中，還可以利用SPI設(shè)備和AOI設(shè)備來相應(yīng)地檢測焊料以及晶元陣列的位置是否符合要求。例如，在錫膏印刷后使用SPI設(shè)備檢測錫膏的厚度尺寸是否符合要求，在晶元陣列放置到錫膏上后、回流焊接前使用A1設(shè)備檢測晶元陣列的位置是否符合要求。
[0096]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他合理的焊接工藝來進(jìn)行晶元陣列與基板的焊接，本發(fā)明不限于此。
[0097]相較于現(xiàn)有的封裝級光源芯片，由于沒有對晶元進(jìn)行封裝，所以也就不存在支架結(jié)構(gòu)和導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。這樣通過將晶元的電極直接與柔性基板的相應(yīng)電極進(jìn)行焊接，即使柔性基板發(fā)生了彎曲，晶片的電極與基板中相應(yīng)電極的連接也能夠保持可靠。
[0098]在步驟S204中，對組裝到基板上的晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，從而得到半導(dǎo)體光源。
[0099]本實(shí)施例中，對晶元陣列進(jìn)行鍍膜可以保證得到的半導(dǎo)體光源的色溫、顯色指數(shù)等參數(shù)的一致性。其中，對晶元陣列的鍍膜可以通過以下所列工藝中的任一項(xiàng)來實(shí)現(xiàn):
[0100]I)將熒光粉和膠水混合制成熒光膜，使用壓膜機(jī)將熒光膜壓到晶元陣列上；
[0101]2)將熒光粉和膠水混合制成熒光膠，使用噴粉機(jī)將熒光膠噴到晶元陣列上；
[0102]3)將熒光粉和膠水混合制成熒光膠，使用molding機(jī)將熒光膠壓到晶元陣列上。
[0103]需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他合理工藝來實(shí)現(xiàn)晶元陣列的鍍膜，本發(fā)明不限于此。
[0104]當(dāng)晶元陣列鍍膜完成后，便可以對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列切割，從而得到半導(dǎo)體光源。本實(shí)施例中，因?yàn)樵趯гM(jìn)行排列時是按照配對晶元進(jìn)行排列的，所以在對晶元陣列進(jìn)行切割時，以配對晶元為單位進(jìn)行切割。在最終得到的半導(dǎo)體光源中可以包含多個晶元。
[0105]類似于實(shí)施例二基于實(shí)施例一所進(jìn)行的改進(jìn)，本實(shí)施例中，也可以基于相同原理根據(jù)原片中位置圖直接切割原片來得到所需要的晶元，在此不再贅述。
[0106]從以上描述中可以看出，相較于實(shí)施例一所提供的半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，本實(shí)施例所提供的方法先將晶元與基板進(jìn)行組裝，然后進(jìn)行鍍膜切割，但同樣能夠達(dá)到實(shí)施例一所參數(shù)的技術(shù)效果。
[0107]應(yīng)該理解的是，本發(fā)明所公開的實(shí)施例不限于這里所公開的特定結(jié)構(gòu)、處理步驟或材料，而應(yīng)當(dāng)延伸到相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所理解的這些特征的等同替代。還應(yīng)當(dāng)理解的是，在此使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而并不意味著限制。
[0108]說明書中提到的“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”意指結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施例中。因此，說明書通篇各個地方出現(xiàn)的短語“一個實(shí)施例”或“實(shí)施例”并不一定均指同一個實(shí)施例。
[0109]為了方便，在此使用的多個項(xiàng)目、結(jié)構(gòu)單元、組成單元和/或材料可出現(xiàn)在共同列表中。然而，這些列表應(yīng)解釋為該列表中的每個元素分別識別為單獨(dú)唯一的成員。因此，在沒有反面說明的情況下，該列表中沒有一個成員可僅基于它們出現(xiàn)在共同列表中便被解釋為相同列表的任何其它成員的實(shí)際等同物。另外，在此還可以連同針對各元件的替代一起來參照本發(fā)明的各種實(shí)施例和示例。應(yīng)當(dāng)理解的是，這些實(shí)施例、示例和替代并不解釋為彼此的等同物，而被認(rèn)為是本發(fā)明的單獨(dú)自主的代表。
[0110]此外，所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任何其他合適的方式結(jié)合到一個或多個實(shí)施例中。在下面的描述中，提供一些具體的細(xì)節(jié)，例如長度、寬度、形狀等，以提供對本發(fā)明的實(shí)施例的全面理解。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，本發(fā)明無需上述一個或多個具體的細(xì)節(jié)便可實(shí)現(xiàn)，或者也可采用其它方法、組件、材料等實(shí)現(xiàn)。在其它示例中，周知的結(jié)構(gòu)、材料或操作并未詳細(xì)示出或描述以免模糊本發(fā)明的各個方面。
[0111]雖然上述示例用于說明本發(fā)明在一個或多個應(yīng)用中的原理，但對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明的原理和思想的情況下，明顯可以在形式上、用法及實(shí)施的細(xì)節(jié)上作各種修改而不用付出創(chuàng)造性勞動。因此，本發(fā)明由所附的權(quán)利要求書來限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體光源組裝方法，其特征在于，所述方法包括: 對晶元的電極與基板的相應(yīng)電極進(jìn)行配對； 采用預(yù)設(shè)焊接工藝，對晶元與基板的配對電極進(jìn)行焊接。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)焊接工藝包括以下所列項(xiàng)中的任一項(xiàng): a、通過熱超聲共晶方式將所述晶元與基板的配對電極共晶焊接； b、首先錫膏印刷到基板上，隨后將所述晶元放置到基板相應(yīng)位置的錫膏上，并進(jìn)行回流焊接； C、首先將導(dǎo)電粘接劑點(diǎn)到基板上，隨后將所述晶元放置到基板相應(yīng)位置的導(dǎo)電粘接劑上，并進(jìn)行烘烤或熱壓。3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基板為柔性基板。4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述為晶元采用雙電極及水平電極結(jié)構(gòu)的正裝晶片或倒裝晶元。5.一種半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，其特征在于，所述方法包括: 鍍膜切割步驟，對晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列，對所述晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到曰曰斤； 固晶步驟，采用如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的方法，將所述晶片組裝到基板上，得到半導(dǎo)體光源。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 晶元分選步驟，根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選，得到所需要的晶元。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)包括以下所列項(xiàng)中的一項(xiàng)或幾項(xiàng): 正向電壓、光輻射功率、發(fā)光波長、反向電流、抗靜電參數(shù)。8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 原片切割步驟，根據(jù)原片地圖，對晶元原片進(jìn)行切割，得到所需要的晶元。9.如權(quán)利要求5?8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述鍍膜切割步驟包括: 將由熒光粉和膠水混合制成的熒光膜或熒光膠覆蓋到所述晶元陣列上； 對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列進(jìn)行切割，得到晶片。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述鍍膜切割步驟中， 在對晶元進(jìn)行排列時，根據(jù)所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對分選后的晶元進(jìn)行配對，對配對晶元進(jìn)行排列，得到晶元陣列； 在切割時，以配對晶元為單位對所述晶元陣列進(jìn)行切割，得到晶片。11.一種半導(dǎo)體光源生產(chǎn)方法，其特征在于，所述方法包括: 晶元組裝步驟，將晶元進(jìn)行排列得到晶元陣列，采用如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的方法，將所述晶元陣列與基板進(jìn)行組裝，實(shí)現(xiàn)晶元的無封裝組裝； 鍍膜切割步驟，對組裝到基板上的晶元陣列進(jìn)行鍍膜并切割，得到半導(dǎo)體光源。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 晶元分選步驟，根據(jù)預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)，對來料晶元進(jìn)行分選，得到所需要的晶元。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)晶元分選參數(shù)包括以下所列項(xiàng)中的至少一項(xiàng): 正向電壓、光輻射功率、發(fā)光波長、反向電流、抗靜電參數(shù)。14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 原片切割步驟，根據(jù)原片地圖，對晶元原片進(jìn)行切割，得到所需要的晶元。15.如權(quán)利要求11?14中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述鍍膜切割步驟中， 將由熒光粉和膠水混合制成熒光膜或熒光膠的熒光膜或熒光膠覆蓋到組裝在基板上的晶元陣列上； 對覆有熒光膜或熒光膠的晶元陣列進(jìn)行切割，得到半導(dǎo)體光源。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于， 在對晶元進(jìn)行排列時，對分選后的晶元進(jìn)行配對，對配對晶元進(jìn)行排列，得到晶元陣列； 在切割時，以配對晶元為單位對所述晶元陣列進(jìn)行切割，得到半導(dǎo)體光源。
【文檔編號】H01L33/48GK106058011SQ201610612747
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月29日
【發(fā)明人】袁長安, 梁潤園, 方濤
【申請人】常州市武進(jìn)區(qū)半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究院