提升激光尖峰退火制程均勻性的方法及絕緣柵雙極晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種提升激光尖峰退火制程均勻性的方法及絕緣柵雙極晶體管。本發(fā)明的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法包括：使得激光尖峰退火制程的掃描方向和劃片槽不平行，以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集中，由此消除條紋分布。
【專利說明】
提升激光尖峰退火制程均勻性的方法及絕緣柵雙極晶體管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種提升激光尖峰退火 (Laser Spike Annealing，簡稱LSA)制程均勾性的方法、以及采用該提升激光尖峰退火制程均勻性的方法制成的絕緣柵雙極晶體管?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]一些絕緣概雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)產(chǎn)品的導(dǎo)通飽和壓降(Vcesat)表現(xiàn)為條紋狀分布。對這些條紋狀分布結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)，條紋狀分布與激光尖峰退火制程有關(guān)。
[0003]激光尖峰退火制程默認(rèn)進(jìn)行與切口(notch)平行的方向(X方向)的掃描。機(jī)臺有能力做與切口垂直的方向(Y方向)的掃描。而絕緣柵雙極晶體管IGBT產(chǎn)品條紋狀分布會隨著X 和Y掃描發(fā)生相同轉(zhuǎn)變，由此判定這些條紋狀分布與激光尖峰退火有關(guān)。
[0004]為了消除產(chǎn)品條紋分布，暫時(shí)解決辦法是分別進(jìn)行X和Y掃描。但這樣會導(dǎo)致機(jī)臺產(chǎn)能下降一半，同時(shí)會導(dǎo)致碎片率提高(兩次激光尖峰退火制程)。
[0005]所以，希望提出一種既能消除條紋并且又能不影響產(chǎn)能的方法。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種既能消除條紋并且又能不影響產(chǎn)能的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其中使得激光尖峰退火制程的掃描方向和劃片槽不平行，以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集中，由此消除條紋分布。
[0008]優(yōu)選地，所述提升激光尖峰退火制程均勻性的方法用于制造絕緣柵雙極晶體管。
[0009]優(yōu)選地，所述提升激光尖峰退火制程均勻性的方法包括:
[0010]第一步驟:將晶圓布置在激光尖峰退火機(jī)臺中；
[0011]第二步驟:旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向不同于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的方向；
[0012]第三步驟:執(zhí)行所述激光尖峰退火掃描。
[0013]優(yōu)選地，在第二步驟中，旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向相對于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的方向偏離預(yù)定角度。[0〇14] 優(yōu)選地，所述預(yù)定角度介于15至75之間。
[0015]優(yōu)選地，所述預(yù)定角度為15度、30度、45度、60度或75度。[0〇16]優(yōu)選地，所述預(yù)定角度為45度。
[0017]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，還提供了一種采用所述提升激光尖峰退火制程均勻性的方法制成的絕緣柵雙極晶體管。
[0018]本發(fā)明基于條紋狀分布理論基礎(chǔ)，提出使得激光尖峰退火制程的掃描方向和劃片槽不平行，由此來消除條紋分布。掃描方向不和劃片槽同向，可以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集中，由此本發(fā)明可以降低破片率。根據(jù)本發(fā)明的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法可以完全消除絕緣柵雙極晶體管導(dǎo)通壓降條紋狀分布，并且同時(shí)不影響產(chǎn)能，也可以降低超薄晶圓在激光尖峰退火制程的破片率?！靖綀D說明】
[0019]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0020]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法的流程圖。
[0021]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號?！揪唧w實(shí)施方式】
[0022]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0023]通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)推測條紋狀產(chǎn)生的原因，本發(fā)明的發(fā)明人提出，對于制造例如絕緣柵雙極晶體管，只要掃描方向不和晶圓劃片槽(切割槽)同一個(gè)方向即可以消除條紋狀分布。而且進(jìn)一步的，實(shí)驗(yàn)證實(shí)45度旋轉(zhuǎn)晶圓后條紋狀分布完全消除。但是，機(jī)臺本身除了0度 (X方向)和90度(Y方向)以外，其它任何方向機(jī)臺都不能支持，所以對機(jī)臺升級優(yōu)化成為需要。
[0024]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法的流程圖。
[0025]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法包括:
[0026]第一步驟S1:將晶圓布置在激光尖峰退火機(jī)臺中；
[0027]第二步驟S2:旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向不同于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的方向；
[0028]例如，在第二步驟S2中，旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向相對于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的方向偏離預(yù)定角度。舉例來說，所述預(yù)定角度介于15至75之間。例如，所述預(yù)定角度為15度、30度、45度、60度或75度。其中，所述預(yù)定角度為45度是最優(yōu)選擇，實(shí)驗(yàn)證實(shí)45度的設(shè)置使得條紋狀分布完全消除。
[0029]第三步驟S3:執(zhí)行所述激光尖峰退火掃描。掃描方向不和劃片槽同向，可以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集中，由此本發(fā)明可以降低破片率。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例，提供了一種采用所述提升激光尖峰退火制程均勻性的方法制成的絕緣柵雙極晶體管。
[0031]本發(fā)明基于條紋狀分布理論基礎(chǔ)，提出使得激光尖峰退火制程的掃描方向和劃片槽不平行，由此來消除條紋分布。掃描方向不和劃片槽同向，可以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集中，由此本發(fā)明可以降低破片率。根據(jù)本發(fā)明的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法可以完全消除絕緣柵雙極晶體管導(dǎo)通壓降條紋狀分布，并且同時(shí)不影響產(chǎn)能，也可以降低超薄晶圓在激光尖峰退火制程的破片率。
[0032]本發(fā)明消除絕緣柵雙極晶體管的導(dǎo)通壓降條紋狀分布，提升成品性能。而且，本發(fā)明不需要X方向和Y方向的兩次激光尖峰退火制程，從而不影響機(jī)臺產(chǎn)能。[〇〇33]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。[〇〇34]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，其中使得激光尖峰退火制 程的掃描方向和劃片槽不平行，以防止或者緩解激光尖峰退火制程時(shí)劃片槽熱應(yīng)力瞬間集 中，由此消除條紋分布。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，所述提升 激光尖峰退火制程均勻性的方法用于制造絕緣柵雙極晶體管。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于包括:第一步驟:將晶圓布置在激光尖峰退火機(jī)臺中；第二步驟:旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向不同于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的 方向；第三步驟:執(zhí)行所述激光尖峰退火掃描。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，在第二步 驟中，旋轉(zhuǎn)晶圓以使得晶圓劃片槽的方向相對于將要執(zhí)行的激光尖峰退火掃描的方向偏離 預(yù)定角度。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，所述預(yù)定 角度介于15至75之間。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，所述預(yù)定 角度為15度、30度、45度、60度或75度。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法，其特征在于，所述預(yù)定 角度為45度。8.—種采用根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的提升激光尖峰退火制程均勻性的方法制成 的絕緣柵雙極晶體管。
【文檔編號】H01L29/739GK106024603SQ201610596456
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月27日
【發(fā)明人】傅榮顥
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司