R-t-b系燒結(jié)磁體及其制造方法
【專利摘要】一種R?T?B系燒結(jié)磁體，其特征在于，下述式(1)所示的組成滿足下述式(2)～(9)，uRwBxGazAlvCoqTigFejM (1)(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，M為R、B、Ga、Al、Co、Ti和Fe以外的元素，u、w、x、z、v、q、g、j表示質(zhì)量％)；29.0≤u≤32.0 (2)(其中，重稀土類元素RH為R?T?B系燒結(jié)磁體的10質(zhì)量％以下)；0.93≤w≤1.00 (3)0.3≤x≤0.8 (4)；0.05≤z≤0.5 (5)；0≤v≤3.0 (6)；0.15≤q≤0.28 (7)；60.42≤g≤69.57 (8)；0≤j≤2.0 (9)；并且g除以Fe的原子量所得的值設(shè)為g’，v除以Co的原子量所得的值設(shè)為v’，z除以Al的原子量所得的值設(shè)為z’，w除以B的原子量所得的值設(shè)為w’，q除以Ti的原子量所得的值設(shè)為q’時(shí)，滿足下述式(A)和(B)。0.06≤(g’+v’+z’)?(14×(w’?2×q’))(A) 0.10≥(g’+v’+z’)-(14×(w’-q’))(B)。
【專利說明】
R-T-B系燒結(jié)磁體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及R-T-B系燒結(jié)磁體及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 已知以R2T14B型化合物為主相的R-T-B系燒結(jié)磁體(R為稀土類元素中的至少一種 且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的至少一種且必須包含F(xiàn)e)是永磁體中最高性能的磁 體，被用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的音圈馬達(dá)(VCM)，電動(dòng)汽車用(EV、HV、PHV等）馬達(dá)，產(chǎn)業(yè)儀器用馬達(dá) 等各種馬達(dá)、家電制品等中。
[0003] R-T-B系燒結(jié)磁體主要由包含R2T14B化合物的主相和位于該主相的晶界部分的晶 界相構(gòu)成。作為主相的R2T 14B化合物是具有高磁化的強(qiáng)磁性材料，形成R-T-B系燒結(jié)磁體的 特性的根本。
[0004] R-T-B系燒結(jié)磁體在高溫下矯頑力Hcj(以下有時(shí)簡記為"Hcj"）降低，引起不可逆熱 退磁。因此，特別是用于電動(dòng)汽車用馬達(dá)(或者混合動(dòng)力汽車用馬達(dá))時(shí)，即便高溫下也要求 維持高的Hcj。并且為了抑制高溫下的不可逆熱退磁，即為了高溫下也維持高Hcj，要求在室 溫下獲得更高的H cJ。
[0005] 已知在R-T-B系燒結(jié)磁體中，若用重稀土類元素 RH(主要為Dy和/或Tb)置換作為主 相的R2T14B化合物中的R所含的輕稀土類元素 RL(主要為Nd和/或Pr)的一部分，則Hcj提高，并 且隨著重稀土類元素RH的置換量的增加Hcj提高。
[0006] -直以來，為了提高Hcj，雖然在R-T-B系燒結(jié)磁體中大量添加重稀土類元素(主要 是Dy)，但存在殘留磁通密度Br(有時(shí)簡記為"Br"）降低的問題。因此，近年來采用有以下的方 法，即、使重稀土類元素從R-T-B系燒結(jié)磁體的表面向內(nèi)部擴(kuò)散，在主相晶粒的外殼部使重 稀土類元素稠化，一邊抑制B r的降低，一邊獲得高HcJ。
[0007] 但是，Dy由于產(chǎn)地受限等理由，所以具有供給不穩(wěn)定、或者價(jià)格變化等的問題。因 此，要求盡量不使用Dy等重稀土類元素(盡量減少使用量)而提高R-T-B系燒結(jié)磁體的H cJ的 技術(shù)。
[0008] 專利文獻(xiàn)1中記載了：通過與以往通常使用的R-T-B系合金比較，B量限定到相對(duì)少 的特定的范圍，并且含有選自Al、Ga、Cu中的1種以上的金屬元素 M，而使R2Tn相生成，通過充 分確保以該R2T17相為原料生成的過渡金屬富集相(R 6T13M)的體積率，從而獲得抑制Dy的含 量并且矯頑力提高的R-T-B系稀土類燒結(jié)磁體。
[0009] 專利文獻(xiàn)2中公開了：通過與通常的R-T-B系合金相比，減少B量，并且使B、Al、Cu、 Co、Ga、C、0的量為規(guī)定的范圍，進(jìn)而Nd及Pr、以及Ga及C相對(duì)于B的原子比分別滿足特定的關(guān) 系，由此得到高的殘留磁通密度和矯頑力。
[0010] 另外，作為R-T-B系燒結(jié)磁體的如提高手段，提出有各種方法，即在R-T-B系燒結(jié)磁 體中利用特定手段將含有重稀土類元素RH的金屬、合金、化合物等供給至R-T-B系燒結(jié)磁體 表面，用熱處理使重稀土類元素RH擴(kuò)散到磁體內(nèi)部，通過用重稀土類元素RH置換R 2T14B化合 物的外殼部的輕稀土類元素RL，由此抑制Br的降低，并且提高H cJ。
[0011]例如，專利文獻(xiàn)3公開有如下的方法，即在處理室內(nèi)配置含有R-Fe-B系稀土類燒結(jié) 磁體體和重稀土類元素RH(選自Dy、Ho和Tb中的至少1種）的塊體，將這些加熱到700 °C以上 且1000°C以下，將重稀土類元素RH從塊體中供給到R-Fe-B系稀土類燒結(jié)磁體的表面，并且 使重稀土類元素RH擴(kuò)散到R-Fe-B系稀土類燒結(jié)磁體的內(nèi)部。
[0012]進(jìn)而，專利文獻(xiàn)4中記載有如下:通過將含有4~10質(zhì)量％的07的R-T-B系合金與具 有1080°C以上的熔點(diǎn)的高熔點(diǎn)化合物(選自Al、Ga、Mg、Nb、Si、Ti、Zr中的任一種的氧化物、 硼化物、碳化物、氮化物、或硅化物)混合、成形、燒結(jié)，由此不會(huì)增高〇 7濃度的情況下，獲得 高的矯頑力，并且能夠抑制添加了 Dy所致的磁化(Br)等的磁特性的降低。
[0013]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0014] 專利文獻(xiàn)
[0015] 專利文獻(xiàn)1:國際公開第2013/008756號(hào) [0016] 專利文獻(xiàn)2:國際公開第2013/191276號(hào) [0017] 專利文獻(xiàn)3:國際公開第2007/102391號(hào) [0018] 專利文獻(xiàn)4:國際公開第2010/073533號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0019] 發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0020] 但是，本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，存在如下的問題:如專利文獻(xiàn)1、2所記載的那樣，在與通常 的R-T-B系燒結(jié)磁體相比減少B量(少于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量）、且添加了 Ga等 的組成的燒結(jié)磁體中，B量僅發(fā)生稍微變化，Hcj會(huì)發(fā)生大幅變化。
[0021] 例如，有B量僅發(fā)生0.01質(zhì)量％變化時(shí)，Hcj發(fā)生100kA/m變化的情況。相對(duì)于此，通 常的R-T-B系燒結(jié)磁體(含有多于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量的B)即便B量發(fā)生0.1 質(zhì)量％的變化，Hcj也幾乎不變化。
[0022] 因此，在與通常的R-T-B系燒結(jié)磁體比減少B量，且添加了 Ga等的組成的燒結(jié)磁體 中，為了抑制Hcj的變化，而需要以0.01質(zhì)量％的高精度對(duì)B量進(jìn)行管理。但是，在量產(chǎn)設(shè)備 中，將原料合金熔化、鑄造時(shí)，將B量以例如0.01質(zhì)量％的精度進(jìn)行管理是非常困難的。
[0023] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式1)是為了解決這樣的問題而完成的，其目的在 于提供Hcj的變化相對(duì)于B量的變化少、且具有高B r和高Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體。
[0024]以下對(duì)另外的實(shí)施方式的課題進(jìn)行說明。
[0025] 在專利文獻(xiàn)1中，因?yàn)樾枰圃炫c以往不同的新的組成的R-T-B系合金，所以需要 從一開始就找到合金的熔化和鑄造條件、粉碎條件、燒結(jié)條件、熱處理?xiàng)l件等所有的最佳條 件，并且在這些各條件與現(xiàn)狀的制造條件不同時(shí)，每次制造新的R-T-B系合金時(shí)需要改變各 個(gè)設(shè)備的諸條件等，有招致制造時(shí)的工時(shí)和成本增加這樣的問題。
[0026] 進(jìn)而，根據(jù)專利文獻(xiàn)1，雖然可以得到與以往相比Hcj高的R-T-B系燒結(jié)磁體，但是為 了滿足用于電動(dòng)汽車用馬達(dá)、混合動(dòng)力汽車用馬達(dá)等時(shí)所要求的高Hcj，Dy的使用是不可或 缺的。因此，為了削減Dy的使用量，不得不應(yīng)用專利文獻(xiàn)3公開的這樣的從R-T-B系燒結(jié)磁體 的表面供給重稀土類元素，并擴(kuò)散到內(nèi)部的方法等。
[0027] 但是，如果在專利文獻(xiàn)1的R-T-B系稀土類燒結(jié)磁體中應(yīng)用專利文獻(xiàn)3所公開的方 法，則有角形比Hk/Hcj(以下簡稱為"H k/Hcj'Hk為在J[磁化的大小]-H[磁場的強(qiáng)度]曲線的 第2象限中，J相對(duì)于Jr[殘留磁化= Br]的值達(dá)到一定比例的值的位置的H值。R-T-B系燒結(jié)磁 體中，作為一定比例的值大多使用0.9\1[0.9乂8^。）大幅降低的問題。
[0028]另外，根據(jù)專利文獻(xiàn)4，雖然不增高Dy濃度也能夠獲得高的矯頑力，但原本R-T-B系 合金中所含有的Dy量非常多(R-T-B系合金中為4~10質(zhì)量％)，所以無法滿足盡量不使用重 稀土類元素RH，并且不降低B r而使Hcj提高這樣的用戶的需求。
[0029]另外，專利文獻(xiàn)4中，雖然使用選自Al、Ga、Mg、Nb、Si、Ti、Zr中任一種的氧化物、硼 化物、碳化物、氮化物、或硅化物作為高熔點(diǎn)化合物，但這些化合物中所含的氧、硼、碳、氮、 硅等即便在燒結(jié)后也殘存在磁體中，有可能使所得到的磁體的磁特性劣化。
[0030]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式2)的目的在于，廉價(jià)地提供盡量不使用重稀 土類元素 RH，抑制Br的降低并且具有高Hcj和高Hk/Uj的R-T-B系燒結(jié)磁體。
[0031]用于解決課題的手段
[0032] 本發(fā)明的實(shí)施方式1的方案1-1的R-T-B系燒結(jié)磁體，其特征在于，下述式（1)所示 的組成滿足下述式(2)~(9)，
[0033] uRwBxGazAlvCoqTigFejM (1)
[0034] (R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，M為1?、8、6&^1、(：〇、11和?6以外的元 ，u、w、x、z、v、q、g、j^^/j、質(zhì)里 /〇)
[0035] 29.0 彡u彡 32.0 (2)
[0036](其中，重稀土類元素RH為R-T-B系燒結(jié)磁體的10質(zhì)量％以下）
[0037] 0.93 彡 w彡 1.00 (3)
[0038] 〇.3^x^0.8 (4)
[0039] 0.05彡 z 彡0.5 (5)
[0040] 〇?3.〇 (6)
[0041 ] 0.15彡q彡0.28 (7)
[0042] 60.42 彡 g彡 69.57 (8)
[0043] 0^j^2.0 (9)
[0044] 當(dāng)g除以Fe的原子量所得的值設(shè)為g'、v除以Co的原子量所得的值設(shè)為v'、z除以A1 的原子量所得的值設(shè)為z'、w除以B的原子量所得的值設(shè)為w'、q除以Ti的原子量所得的值設(shè) 為q'時(shí)，滿足下述式(A)和(B)。
[0045] 0.06^；(g，+v，+z，)-(14X(w ，-2Xq，)) (A)
[0046] 0? 10^：(g'+v'+z'）_(14X (w'-q'）） (B)
[0047] 本發(fā)明的實(shí)施方式1的方案1-2為方案1-1所述的R-T-B系燒結(jié)磁體，其中，0.18<q 彡0.28〇
[0048] 本發(fā)明的實(shí)施方式1的方案1-3為方案1-1或者1-2所述的R-T-B系燒結(jié)磁體，其特 征在于，具有R2T 14B化合物(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素 中的至少一種且必須包含F(xiàn)e)、
[0049] R6T13A化合物(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的 至少一種且必須包含F(xiàn)e，A為Ga、Al、Cu和Si中的至少一種且必須包含Ga)、和 [0050] T的硼化物共存的組織。
[0051]本發(fā)明的實(shí)施方式1的方案1-4是方案1-1~1-3中任一項(xiàng)所述的R-T-B系燒結(jié)磁 體，其特征在于，R-T-B系燒結(jié)磁體的任意截面中的R6T13A化合物的面積比率為2%以上。 [0052]本發(fā)明的實(shí)施方式2的方案2-1為R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其包括如下的工 序：
[0053] 準(zhǔn)備含有R:27~35質(zhì)量％ (R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd)，
[0054] B:0.9~1.0質(zhì)量％，
[0055] Ga:0.15~0.6質(zhì)量％，
[0056] 余量T(T為過渡金屬元素中的至少一種且必須包含F(xiàn)e)和不可避免的雜質(zhì)的合金 粉末的工序，
[0057]準(zhǔn)備Ti的氫化物的粉末的工序，
[0058]將合金粉末和Ti的氫化物粉末按照混合后的混合粉末100質(zhì)量％中所含有的Ti為 〇. 3質(zhì)量％以下進(jìn)行混合并準(zhǔn)備混合粉末的工序，
[0059] 對(duì)混合粉末進(jìn)行成形并準(zhǔn)備成形體的工序，
[0060] 對(duì)成形體進(jìn)行燒結(jié)并準(zhǔn)備R-T-B系燒結(jié)磁體原材的工序，以及 [0061 ]對(duì)R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序。
[0062]本發(fā)明的方案2-2是方案2-1所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其包括:替代對(duì) R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序，準(zhǔn)備由含有Dy和/或Tb的金屬、合金或者化合物 構(gòu)成的RH擴(kuò)散源的工序，
[0063]實(shí)施向R-T-B系燒結(jié)磁體原材中供給RH擴(kuò)散源的Dy和/或Tb并使之?dāng)U散的RH供給 擴(kuò)散處理的工序，以及
[0064]對(duì)RH供給擴(kuò)散處理工序后的R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序。
[0065] 本發(fā)明的方案2-3是方案2-1或者2-2所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其中，B 為0.91~1.0質(zhì)量％。
[0066] 本發(fā)明的方案2-4是方案2-1~2-3中任一項(xiàng)所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法， 其中，R-T-B系燒結(jié)磁體具有
[0067] R2T14B化合物(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的 至少一種且必須包含F(xiàn)e)、
[0068] R6T13M化合物(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的 至少一種且必須包含F(xiàn)e，M為Ga、Al、Cu和Si中的至少一種且必須包含Ga)、和 [0069] Ti的硼化物共存的組織。
[0070]本發(fā)明的方案2-5為方案2-4所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其中，
[0071] R-T-B系燒結(jié)磁體的任意的截面中的R6T13M化合物的面積比率為1 %以上。
[0072]本發(fā)明的方案2-6為方案2-5所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其中，R-T-B系 燒結(jié)磁體的任意的截面中的R6Ti3M化合物的面積比率為2 %以上。
[0073]發(fā)明的效果
[0074] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式可以提供Hcj的變化相對(duì)于B量的變化少，且具有高Br和高 Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體。
[0075] 另外，本發(fā)明的另一實(shí)施方式可以廉價(jià)地提供在盡量不使用重稀土類元素 RH的情 況下，抑制Br的降低并且具有高Hcj和高Hk/Uj的R-T-B系燒結(jié)磁體。
【附圖說明】
[0076] 圖1為實(shí)施方式1的試樣No. 25利用FE-SEM得到的反射電子像的照片。
[0077] 圖2為表示實(shí)施方式1的分析位置3中的EDX的光譜數(shù)據(jù)的說明圖。
[0078]圖3使用FIB在圖1的虛線位置沿縱深方向選出，采用FE-SEM進(jìn)行觀察的照片。
[0079]圖4為表示利用電子射線衍射對(duì)實(shí)施方式1的粒狀結(jié)晶進(jìn)行結(jié)晶結(jié)構(gòu)分析的結(jié)果 的說明圖。
[0080]圖5為表示利用電子射線衍射對(duì)實(shí)施方式1的針狀結(jié)晶進(jìn)行結(jié)晶結(jié)構(gòu)分析的結(jié)果 的說明圖。
[0081 ]圖6是實(shí)施方式1的試樣No. 20利用FE-SEM得到的反射電子像的照片。
[0082]圖7是實(shí)施方式1的試樣No.21利用FE-SEM得到的反射電子像的照片。
[0083] 圖8是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例3的R-T-B系燒結(jié)磁體的Ti量與Hcj的關(guān)系的圖表。
[0084] 圖9是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例3的R-T-B系燒結(jié)磁體的Ti量與Br的關(guān)系的圖表。
[0085] 圖10是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例3的R-T-B系燒結(jié)磁體的Ti量與Hk的關(guān)系的圖表。
[0086] 圖11是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例3的R-T-B系燒結(jié)磁體的Ti量與Hk/Hcj的關(guān)系的圖 表。
[0087] 圖12是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例4的R-T-B系燒結(jié)磁體的Ti量與Hcj的關(guān)系的圖表。 [0088]圖13是表示實(shí)施方式2的實(shí)施例5的R-T-B系燒結(jié)磁體的FE-TEM的組織觀察結(jié)果的 照片。
[0089]圖14是表示表征實(shí)施方式2的圖13的部位a的電子射線衍射的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖 形的照片。
[0090 ]圖15是表不表征實(shí)施方式2的圖13的部位b的電子射線衍射的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖 形的照片。
[0091]圖16是表示表征實(shí)施方式2的圖13的部位c的電子射線衍射的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖 形的照片。
[0092]圖17是表示實(shí)施方式2的TiB2的X射線衍射結(jié)果的圖表。
[0093]圖18是表示實(shí)施方式2的Nd6Fe13Ga合金的X射線衍射結(jié)果的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0094]以下基于附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。予以說明，以下的說明中，雖然根據(jù)需 要使用表示特定的方向或位置的術(shù)語(例如，"上"、"下"、"右"、"左"及包含這些術(shù)語的其他 的術(shù)語），這些術(shù)語的使用是用于容易理解參照了附圖的發(fā)明，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不受這 些術(shù)語的含義的限制。
[0095] 1 ?實(shí)施方式1
[0096]本發(fā)明人等研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn):通過按照特定的范圍內(nèi)的含量添加鈦，在制造工序 中生成鈦的硼化物，由此從R-T-B系燒結(jié)磁體全部的B量減去制造工序中因與Ti結(jié)合而消耗 掉的B量所得到的B量（以下有時(shí)將未與Ti形成硼化物的殘留的B量作為有效B量記載為"Bm 量"）少于通常的R-T-B系燒結(jié)磁體全部的B量(少于R2T14B型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量），并 且添加了 Ga等的組成的燒結(jié)磁體中，Hcj的變化相對(duì)于B量的變化受到抑制。而且，本發(fā)明人 等還確認(rèn)到：在進(jìn)行了這樣的Ti的添加時(shí)，與比R2T14B型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量少且添 加了 Ga的燒結(jié)磁體中見到的效果相同地得到高Br和高Hcj。
[0097] 1-1 ?關(guān)于Ti添加
[0098]本發(fā)明人等確認(rèn)了在本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體中形成Ti的硼化物(TiB和/ 或TiB2)。另外，本實(shí)施方式中，使其生成Ti的硼化物，從而前述Beff量比通常的R-T-B系燒結(jié) 磁體的B量變少?；谶@些，本發(fā)明人等想到:通過含有規(guī)定的含量的Ti，由此即便B量發(fā)生 變化Hcj的變化也會(huì)受到抑制的機(jī)理如下。其中，想提醒的是以下示出的機(jī)理并不意味著本 實(shí)施方式的發(fā)明的技術(shù)范圍受到限制。
[0099]如上所述，采用與通常的R-T-B系燒結(jié)磁體相比B量減少（少于R2T14B型化合物的化 學(xué)計(jì)量比的B量），再添加了 Ga等的組成的燒結(jié)磁體能夠得到高的Hcj。
[0100] 這可以認(rèn)為：如果B量低于R2T14B型化合物的化學(xué)計(jì)量比，則R和T變?yōu)槭Ｓ喽?R2T17相，通常隨著B量的降低磁特性急劇降低，但是如果磁體組成中含有Ga，則代替R 2T17相 生成R-T-Ga相(代表性為R6T13A化合物），由此可以得到高的Hcj。
[0101]此處，本說明書中的所謂的"R-T-Ga相"是含有R20原子％以上且35原子％以下、 T55原子％以上且75原子％以下、Ga3原子％以上且15原子％以下的相，典型的可列舉 R6T13Ga化合物。予以說明，由于R-T-Ga相中有混入作為不可避免的雜質(zhì)的Al、Si、Cu等的情 況，因此可以規(guī)定為R 6T13A化合物(R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金 屬元素中的至少一種且必須包含F(xiàn)e，A為Ga、Al、Cu和Si中的至少一種且必須包含Ga)。例如， 有成為R6T 13(Gai-i-y-sAliSiyCu s)化合物的情形。
[0102] 但是，如上所述，與通常的R-T-B系燒結(jié)磁體相比B量減少，進(jìn)一步添加了 Ga等的組 成的燒結(jié)磁體中，如果B量發(fā)生變化，則Hcj發(fā)生較大變化。這可以認(rèn)為：由于B量與R2T14B型化 合物的化學(xué)計(jì)量比相比多少會(huì)變少(R、T多少會(huì)有剩余），R-T-Ga相的生成量會(huì)發(fā)生較大變 化，所以Hcj的B量依賴性變大。
[0103] 與此相對(duì)，本發(fā)明人深入研究的結(jié)果可知，在通過添加Ti形成硼化物（TiB和/或 TiB2)，由此使前述B eff量少于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量時(shí)，能夠使Hcj對(duì)于磁體總 體的B量的依賴性減小。
[0104]這可認(rèn)為:如本實(shí)施方式所述，通過在與由R2Fe14B型化合物的化學(xué)計(jì)量比求得的B 量相比，B量多的組成的R-T-B系燒結(jié)磁體中形成Ti的硼化物，由此使Beff量比通常的R-T-B 系燒結(jié)磁體的B量減少時(shí)，因Ga的添加而使R 2Tn相等的生成受到抑制，生成R-T-Ga相，結(jié)果， 雖然Hcj提高，但此時(shí)如果磁體總體組成的B量相對(duì)于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比的B量發(fā) 生變化，則TiB與TiB 2的生成比發(fā)生變化，即，由磁體總體組成的B量與fcTwB型化合物的化 學(xué)計(jì)量比求得的B量之差較?。?，含有的B量更少)時(shí)，與TiB2相比多數(shù)生成TiB;相反，由磁 體總體組成的B量和R 2T14B型化合物的化學(xué)計(jì)量比求得的B量之差較大時(shí)（即，含有的B量更 多的情況），與TiB相比多數(shù)生成TiB 2。如此，B越多越生成B富集的Ti硼化物(TiB2)，B越少越 生成B貧乏的Ti硼化物(TiB)，由此即便磁體總體的B量發(fā)生變化，也能使磁體中未與Ti生成 化合物的B量(Brf f量)的變化減小，該結(jié)果認(rèn)為，能夠使R-T-Ga相的生成量的變化相對(duì)于B量 的變化減小，能夠抑制Hcj的變化。
[0105]基于這些，進(jìn)一步研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過Ti量和B量滿足式(A)和式(B)，可以使R-T-Ga相的生成量為適當(dāng)?shù)姆秶?，因此可以抑制Hcj的變化相對(duì)于B量的變化，并且得到高B r和 尚 Hcj。
[0106] 0.06 彡（g'+v'+z'）-(14X(w'_2Xq'）） (A)
[0107] 0? 10^：(g'+v'+z'）_(14X (w'-q'）） (B)
[0108] 此處，g'是g除以Fe的原子量(55.845)得到的值，v'是v除以Co的原子量(58.933) 得到的值，z'是z除以A1的原子量(26.982)得到的值，w'是w除以B(10.811)的原子量得到的 值，q '是q除以T i的原子量(47.867)得到的值。
[0109] 對(duì)式(A)和式(B)進(jìn)行說明。
[0110]前述Beff量如果低于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比，則Fe與能夠容易置換主相的Fe 位點(diǎn)的Co、Al成為剩余（即，F(xiàn)e、Co與A1的合計(jì)與fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比的T量相比為 剩余）。因此，所有的Ti成為TiB 2時(shí)（即Ti與最多的B結(jié)合時(shí)），為了使前述Beff量比fcTwB型化 合物的化學(xué)計(jì)量比的B量減少，[(g'+v'+z'）_(14X (w'_2Xq'））](未形成主相的Fe、Co、Al 的合計(jì)）需要大于〇(Fe、Co與A1為剩余）。另外，進(jìn)一步規(guī)定未形成該主相的Fe、Co、Al的合計(jì) 為0.06以上的是式(A)。通過設(shè)為0.06以上，從而可以使R-T-Ga相適當(dāng)?shù)厣?。另外，?A) 可以使用？6&)、〇)&)^1(2)、8(?)、11^)的各自分析值除以？ 6、(：0^1、8、11的原子量而得 到的值(g'、V'、Z'、w'、q'）計(jì)算求出。后述的式B也同樣。
[0111] 其原因是如果未形成主相的Fe、Co、Al的合計(jì)不足0.06,則由于R-T-Ga相的相比率 過少，因此有可能無法獲得高的Hcj。
[0112] 進(jìn)而，本實(shí)施方式中，所有的Ti成為TiB時(shí)（即Ti與最少的B結(jié)合時(shí)），用(式)B規(guī)定 [&'+，+2'）-(14\(?'1'））](未形成主相的？ 6、0^1的合計(jì))為0.10以下的情況。其原因 是：若未形成主相的Fe、Co、Al的合計(jì)超過0.10,則R-T-Ga相的比率變得過高，主相比率降 低，有可能無法得到高的B r。
[0113] 如上所述，本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體中，可以具有fcTwB化合物、R6T13A化合 物和Ti的硼化物(TiB 2或TiB和TiB2)共存的組織。另外，在優(yōu)選的方案中，本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體中，其任意的截面中R 6T13A化合物以面積比率計(jì)含有2%以上。予以說明，如后 述的實(shí)施例所示，R6T 13A化合物的面積比率可以利用市售的圖像分析軟件分析R-T-B系燒結(jié) 磁體的任意的截面的由FE-SEM (電場放射型掃描電子顯微鏡)得到的反射電子像(BSE像）的 圖像而求出。
[0114]予以說明，本說明書中"任意的截面"是指，例如像包含中心部的截面那樣，在顯示 本發(fā)明的R-T-B系燒結(jié)磁體的典型的特征的合理的期待的基礎(chǔ)上所選擇的任意的截面，并 不包含未顯示本發(fā)明的特征這樣的隨意選擇的截面。
[0115] 卜2 ?組成
[0116] 以下對(duì)本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體的組成詳情進(jìn)行說明。
[0117] 如上所述，本實(shí)施方式添加Ti，生成Ti的硼化物，從而使前述Beff量比通常的R-T-B 系燒結(jié)磁體的B量減少，并且含有Ga等。由此，在晶界生成R-T-Ga相，即使抑制Dy等的重稀土 類元素的含量，也能得到高的H cj。
[0118] 本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體的組成可通過式(1)表示。
[0119] uRwBxGazAlvCoqTigFejM (1)
[0120] (R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，M為1?、8、6&^1、(：〇、11和?6以外的元 ，u、w、x、z、v、q、g、j^^/j、質(zhì)里 /〇)
[0121] 以下對(duì)各個(gè)元素的組成范圍，即u、w、x、z、v、q、g、j的數(shù)值范圍進(jìn)行說明。
[0122] 1)稀土類元素(R)
[0123] 本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體中的R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd。 本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體即使不使用重稀土類元素RH也能得到高的B r和高的Hcj，因 此在要求更高的Hcj時(shí)，也可以削減RH的添加量，典型的，RH可以為10質(zhì)量％以下，優(yōu)選為5質(zhì) 量％以下。
[0124] R的含量如式(2)所示為29.0質(zhì)量％~32.0質(zhì)量％。
[0125] 29.0 彡u彡 32.0 (2)
[0126] R低于29.0質(zhì)量％時(shí)，有無法確保生成充分量的R-T-Ga相所需要的R而無法獲得高 的Hcj的可能，若超過32.0質(zhì)量％，則主相比率降低，無法得到高的B r。
[0127] 2)硼(B)
[0128] B的含量如式(3)所示為0.93質(zhì)量％~1.00質(zhì)量％。
[0129] 0.93 彡 w彡 1.00 (3)
[0130] B低于0.93質(zhì)量％時(shí)，前述Beff量變得過少，R2T17相析出，無法得到高的H cj，或者主 相比率降低，無法得到高的Br，若超過1.00質(zhì)量％，則有R-T-Ga相無法充分生成而不能得到 尚的Hcj的可能。
[0131] 3)鎵(Ga)
[0132] Ga的含量如式(4)所示為0.3質(zhì)量％~0.8質(zhì)量％。
[0133] 〇.3^x^0.8 (4)
[0134] 若Ga低于0.3質(zhì)量％^ljR-T-Ga相的生成量過少，無法使R2T17相消失，有可能不能 得到高的此，若超過0.8質(zhì)量％，則存在不需要的Ga，主相比率降低，有可能B r降低。
[0135] 5)鋁(A1)
[0136] A1的含量如式(5)所示為0.05質(zhì)量％~0.5質(zhì)量％。
[0137] 0.05彡 z 彡0.5 (5)
[0138] 通過含有A1，可以提高Hcjjl可以作為不可避免的雜質(zhì)而含有，也可以主動(dòng)添加而 含有。若A1超過0.5質(zhì)量％，則可能使B r降低。以不可避免的雜質(zhì)含有的量和主動(dòng)添加的量 的合計(jì)計(jì)含有0.05質(zhì)量％以上且0.5質(zhì)量％以下。
[0139] 6 鈷(Co)
[0140] Co的含量如式(6)所示為3.0質(zhì)量％以下。
[0141] 〇?3.〇 (6)
[0142] Co可以含有3.0質(zhì)量％以下。Co雖然對(duì)溫度特性的提高、耐腐蝕性的提高有效，但 若Co的含量超過3.0質(zhì)量％，則有可能無法得到高的B r。
[0143] 7)鈦(Ti)
[0144] Ti的含量如式(7)所示為0.15質(zhì)量％~0.28質(zhì)量％。
[0145] 0.15 彡 q彡 0.28 (7)
[0146] Ti低于0.15質(zhì)量％時(shí)，有可能無法抑制由B量的變化所致的Hcj的變化，若超過0.28 質(zhì)量％，則主相比率降低，有可能無法得到高的Br。優(yōu)選下述的式（10)所示的為0.18質(zhì)量％ 以上且0.28質(zhì)量％以下。可以進(jìn)一步抑制由B量的變化所致的Hcj的變化。
[0147] 0.18 彡 q彡 0.28 (10)
[0148] 8)鐵(Fe)
[0149] Fe的含量如式(8)所示為60.42質(zhì)量％~69.57質(zhì)量％。
[0150] 60.42 彡 g彡 69.57 (8)
[0151] Fe低于60.42質(zhì)量％時(shí)，主相比率降低，有可能無法得到高的Br，若超過69.57質(zhì) 量％dljR-T-Ga相等的生成超過所需，由此主相比率降低，有可能不能得到高的B r。
[0152] 9)元素 M
[0153] M是1?、8、6&、厶1、(：〇、11和卩6以外的元素。
[0154] 如式(9)所示，1?、8、6&^1、〇)、11和?6以外的元素11以合計(jì)計(jì)可以含有2.0質(zhì)量％以 下。
[0155] 0^g^2.0 (9)
[0156] 即，式(9)顯示出：出于所得到的R-T-B系燒結(jié)磁體的特性的改善等的目的，任意的 元素(可以是多個(gè)種類的元素)和不可避免的雜質(zhì)(A1為不可避免的雜質(zhì)時(shí)，A1除外）以合計(jì) 計(jì)可以含有最大至2.0質(zhì)量％。
[0157]作為改善R-T-B系燒結(jié)磁體的特性的元素，例如，可以含有0質(zhì)量％~2.0質(zhì)量％的 Cu、Ni、厶8、厶11、]\1〇等。
[0158]特別優(yōu)選含有Cu。通過含有Cu可以得到高的HcjXu的更優(yōu)選的含量為0.05質(zhì)量％ 以上且1.0質(zhì)量％以下。
[0159] 予以說明，M的優(yōu)選的實(shí)施方式之一是M由不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成（其中，如上所述， 優(yōu)選含有Cu)。作為本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體所含的不可避免的雜質(zhì)，可例示釹鐠合 金(Nd-Pr合金），電解鐵，硼鐵合金等工業(yè)上使用的原料通常所含有的不可避免的雜質(zhì)。作 為這樣的不可避免的雜質(zhì)，可例示Cr、Mn、Si等。進(jìn)而，作為制造工序中的不可避免的雜質(zhì)， 可例示〇(氧）、N(氮）、C(碳)等。優(yōu)選0為600~8000ppm、N為800ppm以下、C為lOOOppm以下。
[0160] 予以說明，式（1)所示的1?、8、6&、六1、(：〇、1^、？6和_勺各自的含量(質(zhì)量％)8卩11、1叉、 z、v、q、g和j的評(píng)價(jià)可以采用例如高頻電感親合等離子體發(fā)光分光分析法（ICP發(fā)光分光分 析法，ICP-0ES)。另外氧量的評(píng)價(jià)可以采用例如利用氣體熔解-紅外線吸收法的氣體分析裝 置，氮量的評(píng)價(jià)可以采用例如利用氣體熔解-導(dǎo)熱法的氣體分析裝置，碳量的評(píng)價(jià)可以采用 例如利用燃燒-紅外線吸收法的氣體分析裝置。
[0161] 1-3. R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法
[0162] 對(duì)本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法的一例進(jìn)行說明。R-T-B系燒結(jié)磁體 的制造方法包括獲得合金粉末的工序、成形工序、燒結(jié)工序和熱處理工序。以下對(duì)各工序進(jìn) 行說明。
[0163] (1)獲得合金粉末的工序
[0164] 按照規(guī)定的組成準(zhǔn)備各個(gè)元素的金屬或者合金，進(jìn)行熔化、鑄造，得到規(guī)定的組成 的合金。典型地，使用帶式鑄造法等，制造片狀的合金。將獲得的片狀的原料合金進(jìn)行氫粉 碎，粗粉碎粉的尺寸設(shè)為例如1. 〇mm以下。接著，利用噴射式粉碎機(jī)等對(duì)粗粉碎粉進(jìn)行微粉 碎，從而獲得例如粒徑D50(利用基于氣流分散法的激光衍射法得到的體積基準(zhǔn)中值粒徑） 為3~7wii的微粉碎粉(合金粉末）。關(guān)于合金粉末，可以使用1種的合金粉末(單合金粉末）， 也可以使用通過將2種以上的合金粉末混合、粉碎而得到的合金粉末(混合合金粉末)所謂 的雙合金法，還可以使用公知的方法等按照本實(shí)施方式的組成方式制作合金粉末?？梢栽?噴射式粉碎機(jī)粉碎前的粗粉碎粉，噴射式粉碎機(jī)粉碎中和噴射式粉碎機(jī)粉碎后的合金粉末 中使用公知的潤滑劑作為助剖。
[0165] 予以說明，關(guān)于Ti的添加，可以在使用帶式鑄造法等的原料合金的制作中，在得到 用于進(jìn)行鑄造的熔融金屬時(shí)以Ti金屬、Ti合金或者含Ti的化合物等的形式添加，得到含有 Ti的熔融金屬后，將其凝固而得到。另外，代替其，可以在制作原料合金之后直至進(jìn)行成形 之間，以Ti金屬、Ti合金或者Ti含有化合物等形式添加，可列舉出例如，在氫粉碎前后或噴 射式粉碎機(jī)粉碎后的合金粉末中添加T i的氫化物(T iH2等)的方法。
[0166] (2)成形工序
[0167] 使用所獲得的合金粉末進(jìn)行磁場中成形，得到成形體。磁場中成形使用如下的公 知的任意的磁場中成形方法，包括:在模具的模腔內(nèi)插入干燥后合金粉末，并且邊施加磁場 邊進(jìn)行成形的干式成形法，在模具的模腔內(nèi)注入分散有合金粉末的漿料，并且邊排出漿料 的分散介質(zhì)邊在磁場中進(jìn)行成形的濕式成形法。
[0168] (3)燒結(jié)工序
[0169] 通過燒結(jié)成形體，從而得到燒結(jié)磁體。成形體的燒結(jié)可以使用公知的方法。予以說 明，為了防止燒結(jié)時(shí)的氣氛所致的氧化，燒結(jié)優(yōu)選在真空氣氛中或者不活潑氣體中進(jìn)行。不 活潑氣體優(yōu)選使用氦、氬等不活潑氣體。
[0170] (4)熱處理工序
[0171] 出于提高磁特性的目的，優(yōu)選對(duì)所得到的燒結(jié)磁體進(jìn)行熱處理。熱處理溫度、熱處 理時(shí)間等可以采用公知的條件。出于成為最終制品形狀等目的，可以對(duì)所得到的燒結(jié)磁體 實(shí)施研削等機(jī)械加工。這種情況下，熱處理可以在機(jī)械加工前也可以在機(jī)械加工后。進(jìn)而， 可以對(duì)所得到的燒結(jié)磁體實(shí)施表面處理。表面處理可以是公知的表面處理，例如可以進(jìn)行 A1蒸鍍、電鍍Ni、樹脂涂裝等的表面處理。
[0172] 2.實(shí)施方式2
[0173] 本實(shí)施方式的特征在于，在與以往的R-T-B系燒結(jié)磁體幾乎同樣的組成(含有R、B、 Ga和Fe等，與專利文獻(xiàn)1的燒結(jié)磁體相比，B量較高[0.9~1.0質(zhì)量％ ]組成）的合金粉末中添 加規(guī)定量的Ti的氫化物的粉末（以下稱為"Ti氫化物粉末"）。由此，可以提供盡量在不使用 重稀土類元素RH的情況下，抑制B r的降低且具有高Hcj和高Hk/Uj的R-T-B系燒結(jié)磁體。
[0174] 本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體抑制Br的降低且具有高Hcj和高Hk/Hcj的理由雖然 不確定，但是認(rèn)為原因是通過Ti氫化物粉末的添加，在燒結(jié)和/或熱處理中，生成R 6T13M化合 物(代表性為Nd6Fe13Ga化合物）、Ti的硼化物(代表性為TiB 2化合物）。
[0175] 根據(jù)本實(shí)施方式，由于使用與以往的R-T-B系燒結(jié)磁體幾乎同樣的組成的合金粉 末，因此Hcj不會(huì)因B量的些微變化而發(fā)生較大變化(急劇降低）。另外，新型的合金不需要新 的工序等，基本上可以直接應(yīng)用現(xiàn)有的制造條件。因此，可以比專利文獻(xiàn)1更廉價(jià)地提供具 有與專利文獻(xiàn)1的燒結(jié)磁體同等以上的高Hcj的燒結(jié)磁體。
[0176] 另外，本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體可以抑制RH供給擴(kuò)散處理所致的Hk/Uj的降 低。雖然該理由尚未確定，但認(rèn)為與前述同樣地，原因是通過Ti氫化物粉末的添加，在燒結(jié) 和/或熱處理中，生成R 6T13M化合物和Ti的硼化物。
[0177] 另一方面，前述專利文獻(xiàn)4中，高熔點(diǎn)化合物(選自Al、Ga、Mg、Nb、Si、Ti、Zr中任一 種的氧化物、硼化物、碳化物、氮化物、或硅化物）中所含的氧、硼、碳、氮、硅等即便在燒結(jié)后 也殘存在磁體中，有使所得到的磁體的磁特性劣化的可能性，本實(shí)施方式中使用的Ti氫化 物粉末在燒結(jié)工序中分解成Ti和H2(氫氣），氫氣由磁體釋放到燒結(jié)爐內(nèi)，最終排出到燒結(jié) 爐外。因此，幾乎沒有使磁特性劣化的可能性。
[0178]如此，根據(jù)本實(shí)施方式，以廉價(jià)地提供盡量不使用重稀土類元素 RH的情況下，具有 與專利文獻(xiàn)1的燒結(jié)磁體同等以上的高Hcj，且抑制Br降低，并且具有高Hk/Hcj的R-T-B系燒結(jié) 磁體。
[0179] 以下，對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說明。以下示出的本實(shí)施方式的說明中，如前述專利文獻(xiàn) 3等所述的那樣，將RH擴(kuò)散源的重稀土類元素RH供給到R-T-B系燒結(jié)磁體原材的表面并使RH 擴(kuò)散到R-T-B系燒結(jié)磁體原材的內(nèi)部的情形稱為"RH供給擴(kuò)散處理"。另外，將實(shí)施RH供給擴(kuò) 散處理后，不進(jìn)行RH的供給而使RH擴(kuò)散到R-T-B系燒結(jié)磁體原材的內(nèi)部的情形稱為"RH擴(kuò)散 處理"。進(jìn)而，將對(duì)燒結(jié)后的R-T-B系燒結(jié)磁體原材所實(shí)施的熱處理以及對(duì)RH供給擴(kuò)散處理 后或者RH擴(kuò)散處理后所實(shí)施的熱處理簡稱為"熱處理"。另外，將熱處理前的R-T-B系燒結(jié)磁 體稱為"R-T-B系燒結(jié)磁體原材"，將熱處理后的R-T-B系燒結(jié)磁體稱為"R-T-B系燒結(jié)磁體"。
[0180] [ 1 ]R-T_B系燒結(jié)磁體的制造方法
[0181] (1)準(zhǔn)備合金粉末的工序
[0182] 在準(zhǔn)備合金粉末的工序中，合金粉末的組成如下所述。含有
[0183] R:27 ~35 質(zhì)量 ％，
[0184] B:0.9~1.0質(zhì)量％，
[0185] Ga:0.15~0.6質(zhì)量％，
[0186] 殘部T和不可避免的雜質(zhì)。
[0187] 前述組成中，各元素的含量若低于前述范圍的下限或者超過上限，則有時(shí)無法得 到抑制Br的降低且具有高Hcj和高Hk/Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體。B更優(yōu)選為0.91~1.0質(zhì)量％。 Ga優(yōu)選為0.2~0.6質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.3~0.6質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為0.4~0.6質(zhì)量％，最優(yōu) 選為0.4~0.5質(zhì)量％。
[0188] R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd。作為Nd以外的稀土類元素可列舉出 Pr。進(jìn)而，可以含有少量的Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一種。Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一種的含量 優(yōu)選R-T-B系燒結(jié)磁體總體的1.0質(zhì)量％以下。B的一部分可以用C置換。T為過渡金屬元素中 的至少一種且必須包含F(xiàn)e。作為Fe以外的過渡金屬元素可列舉出Co。進(jìn)而可以含有少量的 V、Cr、Mn、Ni、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W#。
[0189] 作為上述以外的元素可以含有Cu、Al。以磁特性提高等為目的，Cu、Al可以主動(dòng)地 添加，也可以有效利用使用原料、合金粉末的制造過程中不可避免的導(dǎo)入的Cu、Al(可以使 用作為雜質(zhì)含有Cu、Al的原料）。〇1和A1的含量(主動(dòng)添加的量和作為不可避免的雜質(zhì)混入 的量的合計(jì))優(yōu)選各自為0.5質(zhì)量％以下。
[0190] 關(guān)于準(zhǔn)備合金粉末的工序，按照前述組成稱量各元素的原料，利用公知的制造方 法制成粉末。例如，利用帶式鑄造法制作合金，利用氫粉碎法將所得到的合金制成粗粉碎粉 末?；蛘呃脟娚涫椒鬯闄C(jī)等對(duì)該粗粉碎粉末進(jìn)行微粉碎，制成微粉碎粉末。合金粉末可以 是粗粉碎粉末、微粉碎粉末中的任一種。
[0191] (2)準(zhǔn)備Ti的氫化物的粉末的工序
[0192] Ti氫化物粉末可以利用市售的粉末。市售的Ti氫化物粉末的粒徑為利用例如以基 于氣流分散式激光衍射法測定所得到的體積中心值即D50為50wii左右。Ti氫化物粉末為與 金屬(Ti金屬）的狀態(tài)相比非常穩(wěn)定的物質(zhì)，而且，因?yàn)榭梢杂脟娚涫椒鬯闄C(jī)等進(jìn)行粉碎，所 以具有以下的優(yōu)點(diǎn)：即使利用噴射式粉碎機(jī)等對(duì)市售的Ti氫化物粉末進(jìn)行微粉碎而成為微 粉碎粉末（以D50計(jì)為5mi以下），也可以比較安全地操作。
[0193] 另外，如前所述，在前述專利文獻(xiàn)4中，高熔點(diǎn)化合物(選自Al、Ga、Mg、Nb、Si、Ti、Zr 中的任一種的氧化物、硼化物、碳化物、氮化物、或硅化物）中所含的氧、硼、碳、氮、硅等即便 在燒結(jié)后也殘存在磁體中，有使所得到的磁體的磁特性劣化的可能性，本實(shí)施方式中使用 的Ti氫化物粉末，在燒結(jié)工序中分解成Ti和H 2(氫氣），氫氣由磁體中釋放到燒結(jié)爐內(nèi)，最終 排出到燒結(jié)爐外。因此，具有幾乎沒有使磁特性劣化的可能性的優(yōu)點(diǎn)。另外，由此可以抑制 R-T-B系燒結(jié)磁體的氧含量、碳含量、氮含量的增加，例如，可以制造氧含量2000ppm以下、碳 含量1500ppm以下、氮含量lOOOppm以下的R-T-B系燒結(jié)磁體，可以更進(jìn)一步提高磁特性。
[0194] (3)準(zhǔn)備混合粉末的工序
[0195] 根據(jù)前述準(zhǔn)備的合金粉末和Ti氫化物粉末按照混合后的混合粉末100質(zhì)量％中含 有的Ti為0.3質(zhì)量％以下方式進(jìn)行混合，制成混合粉末。如果混合后的混合粉末100質(zhì)量％ 中含有的Ti超過0.3質(zhì)量％，則無法得到抑制B r的降低且具有高Hcj和高Hk/Hcj的R-T-B系燒 結(jié)磁體。Ti的混合量優(yōu)選為0.05~0.3質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.12~0.3質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為 0.18~0.3質(zhì)量％，最優(yōu)選為0.22~0.3質(zhì)量％。混合優(yōu)選將由粗粉碎粉末構(gòu)成的合金粉末 和(未粉碎的)Ti氫化物粉末混合后利用噴射式粉碎機(jī)等進(jìn)行微粉碎。通過在混合后進(jìn)行微 粉碎可以更均勻地混合，并且可以用與以往同樣的工序而不追加新的工序地準(zhǔn)備由合金粉 末和Ti氫化物粉末的微粉碎粉末構(gòu)成的混合粉末。當(dāng)然，也可以將合金粉末和Ti氫化物粉 末分別微粉碎后利用公知的混合手段進(jìn)行混合而準(zhǔn)備混合粉末。這種情況下，混合可以是 干式、濕式中的任一種。
[0196] (4)準(zhǔn)備成形體的工序
[0197] 成形前述混合粉末并制成成形體。成形用公知的成形手段進(jìn)行。例如，可以應(yīng)用將 干燥后的合金粉末供給到模具的模腔內(nèi)，并在磁場中進(jìn)行成形的干式成形法;或者將含有 合金粉末的漿料注入到模具的模腔內(nèi)，并且邊排出漿料的分散介質(zhì)邊在磁場中使合金粉末 成形的濕式成形法等。
[0198] (5)準(zhǔn)備R-T-B系燒結(jié)磁體原材的工序
[0199] 燒結(jié)前述成形體并制成R-T-B系燒結(jié)磁體原材(燒結(jié)體）。燒結(jié)用公知的燒結(jié)手段 進(jìn)行。例如，可以應(yīng)用燒結(jié)溫度為1 〇〇〇 °C以上且1180 °C以下、燒結(jié)時(shí)間為1小時(shí)至10小時(shí)左 右、在真空氣氛中或者不活潑氣體(氦、氬等）中燒結(jié)的方法等。
[0200] (6)對(duì)R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序
[0201]對(duì)前述R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理并制成R-T-B系燒結(jié)磁體。熱處理的溫 度、時(shí)間、氣氛等可以應(yīng)用公知的條件。例如，可以采用僅在比較低的溫度(400 °C以上且600 °C以下）的熱處理（一段熱處理）；或者在比較高的溫度（700°C以上且燒結(jié)溫度以下（例如 1050°C以下））進(jìn)行的熱處理后，在比較低的溫度(400°C以上且600°C以下）進(jìn)行熱處理(二 段熱處理)等的條件。作為優(yōu)選條件，可列舉在730°C以上且1020°C以下實(shí)施5分鐘至500分 鐘左右的熱處理，冷卻后(冷卻到室溫或者440°C以上且550°C以下后），進(jìn)而在440°C以上且 550°C以下進(jìn)行5分鐘至500分鐘左右的熱處理。熱處理氣氛優(yōu)選在真空氣氛或者不活潑氣 體(氦、氬等)下進(jìn)行。
[0202]為了進(jìn)一步提高R-T-B系燒結(jié)磁體的Hcj而實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理時(shí)，代替對(duì)前述R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序?qū)嵤┮韵碌墓ば颉?br>[0203] (7)準(zhǔn)備RH擴(kuò)散源的工序
[0204]準(zhǔn)備包含含有Dy和/或Tb的金屬、合金或者化合物的RH擴(kuò)散源的工序可以應(yīng)用前 述專利文獻(xiàn)3等公知的RH供給擴(kuò)散處理中所公開的工序。
[0205] (8)實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理的工序
[0206]實(shí)施將RH擴(kuò)散源的Dy和/或Tb供給到R-T-B系燒結(jié)磁體原材中并使之?dāng)U散的RH供 給擴(kuò)散處理的工序可以應(yīng)用前述專利文獻(xiàn)3等公知的RH供給擴(kuò)散處理所公開的工序。予以 說明，RH供給擴(kuò)散處理如專利文獻(xiàn)3所述，可以是由RH擴(kuò)散源中將重稀土類元素RH邊供給到 R-T-B系燒結(jié)磁體原材的表面邊使其擴(kuò)散到內(nèi)部方法，還可以是使含有RH的金屬、合金、化 合物等利用成膜(干式法或者濕式法)或涂布預(yù)先存在于R-T-B系燒結(jié)磁體原材的表面后， 通過熱處理使其擴(kuò)散到R-T-B系燒結(jié)磁體原材內(nèi)部的方法。
[0207]為了進(jìn)一步將利用前述RH供給擴(kuò)散處理供給到R-T-B系燒結(jié)磁體原材內(nèi)部的Dy 和/或Tb擴(kuò)散到內(nèi)部，可以進(jìn)行RH擴(kuò)散處理。RH擴(kuò)散處理在實(shí)施了 RH供給擴(kuò)散處理后，不重 新從RH擴(kuò)散源進(jìn)行Dy和/或Tb的供給而是進(jìn)行加熱。例如，實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理后，接著進(jìn) 行RH擴(kuò)散處理的情況下，在不重新從RH供給源供給Dy和/或Tb的條件下，優(yōu)選在700°C以上 且1000°C以下，更優(yōu)選800°C以上且950°C以下進(jìn)行實(shí)施?；蛘?，實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理后，僅 回收R-T-B系燒結(jié)磁體原材的情況下，對(duì)該R-T-B系燒結(jié)磁體原材在大氣壓以下的真空或者 不活潑氣體氣氛中，優(yōu)選700 °C以上且1000 °C以下，更優(yōu)選800 °C以上且950 °C以下實(shí)施。處 理時(shí)間例如為10分鐘~24小時(shí)左右，更優(yōu)選1小時(shí)~6小時(shí)左右。利用RH擴(kuò)散處理在R-T-B系 燒結(jié)磁體原材內(nèi)部中產(chǎn)生Dy和/或Tb的擴(kuò)散，供給到表層附件的Dy和/或Tb進(jìn)一步擴(kuò)散到更 深處(原文:奧深<)，可以提高磁體總體的Hcj。
[0208] (9)對(duì)R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序
[0209]對(duì)RH供給擴(kuò)散處理工序后（也可以在RH供給擴(kuò)散處理工序后進(jìn)行RH擴(kuò)散工序）的 R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理并形成R-T-B系燒結(jié)磁體。該熱處理與上述(6)的熱處理 同樣。
[0210] [2]R-T_B系燒結(jié)磁體
[0211]如前所述，通過Ti氫化物粉末的添加，在燒結(jié)和/或熱處理(還包含代替實(shí)施熱處 理的工序而實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理和熱處理的情形）中，生成R6T13M化合物（代表性的是 Nd 6Fe13Ga化合物)和Ti的硼化物(代表性的是TiB2化合物）。即，利用本實(shí)施方式的R-T-B系 燒結(jié)磁體的制造方法得到的R-T-B系燒結(jié)磁體具有fcTwB化合物、R 6T13M化合物和Ti的硼化 物共存的組織。
[0212] R2T14B化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd。作為Nd以外的稀土 類元素可列舉Pr。還可以含有少量的Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一種。T為過渡金屬元素中的至 少一種且必須包含F(xiàn)e。作為Fe以外的過渡金屬元素，可列舉出Co』的一部可以用C置換。 [0 213] 在R6T13M化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd。作為Nd以外的稀 土類元素可列舉出Pr。還可以含有少量的Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一種。T為過渡金屬元素中 的至少一種且必須包含 Fe。作為Fe以外的過渡金屬元素，可列舉出C〇(jM主要為Ga<3R 6Tl3M化 合物中，代表性的是Nd6Fe13Ga化合物。R6T13M化合物具有La 6ConGa3型結(jié)晶結(jié)構(gòu)。R6T13M化合 物根據(jù)其狀態(tài)有成為R6T13』1+a化合物(典型的，a為2以下）的情形。予以說明，即使是僅使用 Ga作為M時(shí)，也有R-T-B系燒結(jié)磁體中含有Al、Cu和Si從而成為R 6T13-a(Gai-x- y-zCuxAlySiz) 1+a 的情形。
[0214] 關(guān)于利用本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法得到的R-T-B系燒結(jié)磁體，其 任意的截面中R6T 13M化合物以面積比率計(jì)含有1 %以上。進(jìn)而，具有更高的Hcj時(shí)，R6T13M化合 物以面積比率計(jì)含有2%以上。予以說明，R 6T13M化合物的面積比率如后述的實(shí)施例所示，可 利用市售的圖像分析軟件分析R-T-B系燒結(jié)磁體的任意的截面利用FE-SEM(電場放射型掃 描電子顯微鏡)得到的反射電子像(BSE像)的圖像而求出。
[0215] Ti的硼化物代表性的為TiB2化合物。也有與TiB2化合物一起存在TiB化合物的情 形。予以說明，前述專利文獻(xiàn)4的實(shí)施例中記載有:高熔點(diǎn)化合物為Ti C時(shí)，Ti C在燒結(jié)中與R-T-B系稀土類永磁體的材料中的B反應(yīng)，生成TiB2并存在于晶界。但是，從TiC中分離后的C (碳)即使在燒結(jié)后也殘存于磁體中，有使所得到的磁體的磁特性劣化的可能性。另外，認(rèn)為 專利文獻(xiàn)4的實(shí)施例中由于Ga含量為0.08質(zhì)量％，所以幾乎沒有生成前述R 6T13M化合物。因 此，認(rèn)為專利文獻(xiàn)4中并沒有得到像本實(shí)施方式這樣的具有fcTwB化合物、R 6T13M化合物和Ti 的硼化物共存的組織的R-T-B系燒結(jié)磁體。
[0216]實(shí)施例
[0217] 1.實(shí)施方式1的實(shí)施例
[0218]〈實(shí)驗(yàn)例1>
[0219] 使用Nd金屬、Pr金屬、硼鐵合金、Ga金屬、Cu金屬、A1金屬、電解Co、Ti金屬和電解鐵 (金屬均為純度99%以上），按照規(guī)定的組成進(jìn)行調(diào)配，將這些原料熔化并利用帶式鑄造法 進(jìn)行鑄造，得到厚度為0.2~0.4mm的片狀原料合金。用氫加壓氣氛使所得到的片狀的原料 合金氫脆化，在真空中加熱到550°C、再冷卻，實(shí)施脫氫處理，得到粗粉碎粉。
[0220] 接著，在得到的粗粉碎粉中相對(duì)于粗粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.04質(zhì)量％的作 為潤滑劑的硬脂酸鋅后，使用氣流式粉碎機(jī)(噴射式粉碎機(jī)裝置），在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行干式粉 碎，得到粒徑D 5Q為4mi的微粉碎粉(合金粉末）。予以說明，本實(shí)驗(yàn)例中，通過將粉碎時(shí)氮?dú)庵?的氧濃度設(shè)為50ppm以下，以使最終得到的燒結(jié)磁體的氧量達(dá)到0.1質(zhì)量％左右。另外，粒徑 D 5〇是用基于氣流分散法的激光衍射法得到的值(體積基準(zhǔn)中值粒徑）。
[0221] 在前述微粉碎粉中相對(duì)于微粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.05質(zhì)量％的作為潤滑 劑的硬脂酸鋅后，在磁場中成形，得到成形體。成形裝置使用了磁場施加方向與加壓方向正 交的所謂的直角磁場成形裝置(橫磁場成形裝置）。
[0222] 將得到的成形體在真空中、1070 °C~1090 °C下保持4小時(shí)并燒結(jié)后，進(jìn)行急冷，得 到燒結(jié)磁體
[0223] 燒結(jié)磁體的密度為7.5Mg/m3以上。將所得到的燒結(jié)磁體的成分的分析結(jié)果示于表 1。予以說明，表1中的各成分使用高頻電感耦合等離子體發(fā)光分光分析法(ICP-0ES)進(jìn)行測 定。另外，〇(氧量)使用基于氣體熔解-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，N(氮量)使 用基于氣體熔解-導(dǎo)熱法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，C(碳量)使用基于燃燒-紅外線吸收法 的氣體分析裝置進(jìn)行測定。另外，表1中，Nd、Pr的量的合計(jì)值是R量(u)，用ICP-0ES測定的R、 8、6 &^1、(：〇、1^6以外的元素、即(：11、0111、31、0、1(：的量的合計(jì)值是11量(]_)。后述的表3、 5和7中也是相同的。另外，使用表1示出的值計(jì)算式(A)的（g'+V'+z'）-(14X(w'-2Xq'）_ 式(B)的(8'+，+2'）-(14\(?'^'）），在本發(fā)明的范圍內(nèi)的情況為"〇"，本發(fā)明的范圍外的 情況為" X "，記載于表1"式A"和"式B"欄中。以下示出的表3、5和7中也同樣。予以說明，如表 1示出的那樣，試樣No. 1~3、4~6、7~9、10~11、12~15、16~17分別是除了B量不同之外基 本相同的組成。
[0226] 對(duì)于所得到的燒結(jié)磁體，實(shí)施如下熱處理:在900~1000°C保持2小時(shí)后，冷卻至室 溫，接著在500 °C保持2小時(shí)后，冷卻至室溫。對(duì)熱處理后的燒結(jié)磁體實(shí)施機(jī)械加工，制作縱 向7_、橫向7mm、厚度7mm的試樣，用3.2MA/m的脈沖磁場磁化后，利用B-H測繪儀測定各試樣 的B r及Hcj。測定結(jié)果示于表2。予以說明，進(jìn)行了測定后Br及Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體的成分、 氣體分析，結(jié)果是與表1的R-T-B系燒結(jié)磁體原材的成分、氣體分析結(jié)果同等。
[0227] 進(jìn)而，各個(gè)試樣No. 1~3、4~6、7~9、10~11、12~15、16~17中的Hcj的變化相對(duì)于 B量的變化如以下所示求出。
[0228] 首先，求出各試樣中（除B量以外基本相同的組成中）最低的B量與最高的B量中的B 量之差，進(jìn)而，求出最低的Hcj與最高的Hcj之差，通過Hcj之差除以B量之差，由此求出B量變化 0.01質(zhì)量％時(shí)，Hcj變化多少。例如，試樣No. 4~6中的Hcj的變化如以下所述求出。
[0229] 首先，試樣No . 4~6中，最低的B量是試樣No . 4的0.90質(zhì)量％，最高的B量是試樣 No . 6的0.95質(zhì)量％，最低的Hcj是試樣No. 6的1278kA/m，最高的Hcj是試樣No . 4的1509kA/m。 并且，B量如果從0.90質(zhì)量％改變到0.95質(zhì)量％ (變化0.05質(zhì)量％時(shí)），則H?！綇?508kA/m改變 到1278kA/m(變化230kA/m)，因此如果B量變化0.01質(zhì)量％，則如變化46kA/m( 230/ (0.05 X 100))。同樣地，也求出試樣No. 1~3、7~9、10~11、12~15、16~17。結(jié)果示于表2的"A Hcj/ 0.01B"欄中。以下示出的表6的AHcj/O.OlB也同樣求出。
[0230] [表 2]
[0232] 如表2所不，作為本實(shí)施方式的實(shí)施例樣品的試樣No. 7~9、10~11、12~15、16~ 17，A Hcj/0.01B為24kA/m以下，Hcj的變化相對(duì)于B量的變化較少，且得到了高Br和高H cj。相 對(duì)于此，Ti量為本實(shí)施方式的范圍外的試樣No.l~3、4~6,其AHcj/O.OlB為46kA/m以上， Hcj的變化相對(duì)于B量的變化比實(shí)施例樣品大，因此，若B量增加則Hcj降低(例如，試樣No. 3為 1260kA/m)，無法得到高的Hcj。另外，由作為本實(shí)施方式的實(shí)施例樣品的試樣No. 10~11、12 ~15、16~17明顯可知，若!^為0.18質(zhì)量％以上，則六1^/0.018為121^/111以下，并且1^的變 化相對(duì)于B量的變化少。
[0233] 〈實(shí)驗(yàn)例2>
[0234] 使用Nd金屬、Pr金屬、硼鐵合金、Ga金屬、Cu金屬、A1金屬、電解Co、Ti金屬和電解鐵 (金屬均為純度99%以上），按照規(guī)定的組成進(jìn)行調(diào)配，將這些原料熔化，利用帶式鑄造法進(jìn) 行鑄造，得到厚度為0.2~0.4_的片狀原料合金。將所得到的片狀的原料合金用與實(shí)驗(yàn)例1 同樣的方法制作了粗粉碎粉。接著，將所得到的粗粉碎粉用與實(shí)驗(yàn)例1同樣的方法進(jìn)行干式 粉碎，得到了粒徑D 5Q為4wii的微粉碎粉(合金粉末）。進(jìn)而，利用與實(shí)驗(yàn)例1同樣的方法在磁場 中成形，得到成形體。將得到的成形體在1080°C保持4小時(shí)并燒結(jié)后，進(jìn)行急冷，得到了燒結(jié) 磁體。燒結(jié)磁體的密度為7.5Mg/m 3以上。
[0235] 將所得到的燒結(jié)磁體的成分的分析結(jié)果示于表3。予以說明，表3中的各成分使用 高頻電感耦合等離子體發(fā)光分光分析法（ICP-0ES)進(jìn)行測定。另外，0(氧量)使用基于氣體 熔解-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，N(氮量)使用基于氣體熔解-導(dǎo)熱法的氣體 分析裝置進(jìn)行測定，C(碳量)使用基于燃燒-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定。另外， 由ICP-0ES的分析值計(jì)算得出的式(A)和式(B)的結(jié)果示于表3。對(duì)于所得到的燒結(jié)磁體與實(shí) 驗(yàn)例1同樣實(shí)施了熱處理。對(duì)熱處理后的燒結(jié)磁體實(shí)施機(jī)械加工，制作縱向7mm，橫向7mm，厚 度7mm的試樣，用3.2MA/m的脈沖磁場磁化后，利用B-H測繪儀測定了各試樣的Br及Hcj。測定 結(jié)果示于表4。予以說明，進(jìn)行了測定Br及Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體的成分、氣體分析，結(jié)果與 表3的R-T-B系燒結(jié)磁體原材的成分、氣體分析結(jié)果同等。測定結(jié)果示于表4。
[0240]表3示出的試樣No. 18除了不滿足式(A)以外，是與作為實(shí)驗(yàn)例1示出的實(shí)施例樣品 的試樣No. 9基本相同組成。如表4所示，Ti即使在本發(fā)明的范圍內(nèi)，Ti與B的關(guān)系若為本發(fā)明 的范圍外，則Hcj為1341KA/m，與試樣No. 9的1444kA/m相比較，大幅降低。
[0241] 〈實(shí)驗(yàn)例3>
[0242] 使用Nd金屬、Pr金屬、硼鐵合金、Ga金屬、Cu金屬、A1金屬、電解Co和電解鐵(金屬均 為純度99%以上），按照規(guī)定的組成進(jìn)行調(diào)配，將這些原料熔化后利用帶式鑄造法進(jìn)行鑄 造，得到厚度為0.2~0.4mm的片狀原料合金。用氫加壓氣氛對(duì)所得到的片狀的原料合金進(jìn) 行氫脆化后，在真空中加熱到550°C、并冷卻，實(shí)施脫氫處理，得到粗粉碎粉。接著，在得到的 粗粉碎粉中相對(duì)于粗粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.04質(zhì)量％的作為潤滑劑的硬脂酸鋅后， 采用氣流式粉碎機(jī)(噴射式粉碎機(jī)裝置），在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行干式粉碎，得到粒徑D50為4wii的 微粉碎粉(合金粉末）。予以說明，本實(shí)驗(yàn)例中，通過將粉碎時(shí)氮?dú)庵械难鯘舛仍O(shè)為50ppm以 下，以使最終得到的燒結(jié)磁體的氧量達(dá)到0.1質(zhì)量％左右。另外，粒徑D50是用基于氣流分散 法的激光衍射法得到的值(體積基準(zhǔn)中值粒徑）。
[0243] 在前述微粉碎粉添加0.22質(zhì)量％的粒徑D50為lOwii以下的TiH2粉末，進(jìn)而添加、混 合相對(duì)于微粉碎粉100質(zhì)量％為〇.05質(zhì)量％的作為潤滑劑的硬脂酸鋅后，在磁場中成形，得 到成形體。予以說明，成形裝置使用磁場施加方向與加壓方向正交的、所謂的直角磁場成形 裝置(橫磁場成形裝置）。
[0244] 將得到的成形體在真空中，1040°C下保持4小時(shí)并燒結(jié)后，進(jìn)行急冷，得到燒結(jié)磁 體。
[0245] 燒結(jié)磁體的密度為7.5Mg/m3以上。得到的燒結(jié)磁體的成分的分析結(jié)果示于表5。予 以說明，表5中的各成分使用高頻電感耦合等離子體發(fā)光分光分析法（ICP-0ES)進(jìn)行測定。 另外，0(氧量)使用基于氣體熔解-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，N(氮量)使用基 于氣體熔解-導(dǎo)熱法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，C(碳量)使用基于燃燒-紅外線吸收法的氣 體分析裝置進(jìn)行測定。另外，由ICP-0ES的分析值計(jì)算得出的式(A)和式(B)的結(jié)果示于表5。 如表5所示，試樣No. 19~22是除了 B量不同以外基本相同的組成。
[0246] [表 5]
[0247]
[0248] 對(duì)于所得到的燒結(jié)磁體，實(shí)施如下熱處理:在900~1000 °C保持2小時(shí)后，冷卻至室 溫，接著在500 °C保持2小時(shí)后，冷卻至室溫。對(duì)熱處理后的燒結(jié)磁體實(shí)施機(jī)械加工，制作縱 向7mm，橫向7mm，厚度7mm的試樣，用3.2MA/m的脈沖磁場磁化后，利用B-H測繪儀測定各試樣 的B r及HcJ。測定結(jié)果示于表6。予以說明，進(jìn)行測定了Br及Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體的成分、氣 體分析，結(jié)果與表5的R-T-B系燒結(jié)磁體原材的成分、氣體分析結(jié)果同等。進(jìn)而，試樣No. 19~ 22中的Hcj的變化相對(duì)于B量的變化示于表6的A Hcj/0.01B中。
[0249] [表 6]
[0251] 如表6所示，本實(shí)施方式的實(shí)施例的樣品AHcj/O.OlB僅變化6kA/m，且具有高Br和 高 Hcj。
[0252] 〈實(shí)驗(yàn)例4>
[0253] 使用Nd金屬、Pr金屬、硼鐵合金、Ga金屬、Cu金屬、A1金屬、電解Co和電解鐵(金屬均 為純度99%以上），按照規(guī)定的組成進(jìn)行調(diào)配，將這些原料熔化后利用帶式鑄造法進(jìn)行鑄 造，得到厚度為0.2~0.4mm的片狀原料合金。用氫加壓氣氛對(duì)所得到的片狀的原料合金進(jìn) 行氫脆化后，在真空中加熱到550°C，并冷卻、實(shí)施脫氫處理，得到粗粉碎粉。接著，在得到的 粗粉碎粉中相對(duì)于粗粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.04質(zhì)量％的作為潤滑劑的硬脂酸鋅后， 使用氣流式粉碎機(jī)(噴射式粉碎機(jī)裝置），在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行干式粉碎，得到粒徑D 5Q為4wii的微 粉碎粉(合金粉末）。予以說明，本實(shí)驗(yàn)例中，通過將粉碎時(shí)氮?dú)庵械难鯘舛仍O(shè)為50ppm以下， 以使最終得到的燒結(jié)磁體的氧量達(dá)到0.1質(zhì)量％左右。另外，粒徑D 5Q是用基于氣流分散法的 激光衍射法得到的值(體積基準(zhǔn)中值粒徑）。
[0254] 在前述微粉碎粉添加〇 ? 1~〇 ? 28質(zhì)量％的粒徑D5Q為10_以下的TiH2粉末，進(jìn)而相 對(duì)于微粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.05質(zhì)量％的作為潤滑劑的硬脂酸鋅后，在磁場中成 形，得到成形體。予以說明，成形裝置使用場施加方向與加壓方向正交的、所謂的直角磁場 成形裝置(橫磁場成形裝置）。
[0255] 所得到的成形體在真空中1040°C下保持4小時(shí)并燒結(jié)后進(jìn)行急冷，得到燒結(jié)磁體。
[0256] 燒結(jié)磁體的密度是7.5Mg/m3以上。所得到的燒結(jié)磁體的成分、氣體分析(0(氧量）， N(氮量），C(碳量））的結(jié)果示于表7。予以說明，表7中的各成分使用高頻電感耦合等離子體 發(fā)光分光分析法(ICP-0ES)進(jìn)行測定。另外，0(氧量)使用基于氣體熔解-紅外線吸收法的氣 體分析裝置進(jìn)行測定，N(氮量)使用基于氣體熔解-導(dǎo)熱法氣體的分析裝置進(jìn)行測定，C(碳 量)使用基于燃燒-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定。另外，由ICP-0ES的分析值計(jì)算 的式(A)和式(B)的結(jié)果示于表7。如表7所示，試樣No. 23~26、27~28除了Ti量不同以外，是 基本相同的細(xì)成。
[0257] [表 7]
[0259] 對(duì)于所得到的燒結(jié)磁體，實(shí)施如下熱處理:在900~1000°C保持2小時(shí)后，冷卻至室 溫，接著在500 °C保持2小時(shí)后，冷卻至室溫。對(duì)熱處理后的燒結(jié)磁體實(shí)施機(jī)械加工，制作縱 向7mm，橫向7mm，厚度7mm的試樣，用3 ? 2MA/m的脈沖磁場磁化后，利用B-H測繪儀，測定各試 樣的Br及Hcj。測定結(jié)果示于表8。予以說明，進(jìn)行測定了B r及Hcj的R-T-B系燒結(jié)磁體的成分、 氣體分析，結(jié)果與表7的R-T-B系燒結(jié)磁體原材的成分、氣體分析結(jié)果同等。測定結(jié)果示于表 8〇
[0260] [表 8]
[0262] 如表8所示，不滿足式(A)和式(B)任一個(gè)的比較例樣品與滿足兩者的本實(shí)施方式 的實(shí)施例樣品相比較，Hcj大幅降低。
[0263] 〈實(shí)驗(yàn)例5>
[0264] 關(guān)于試樣No.25(實(shí)施例）的樣品，使用截面拋光機(jī)(Cross section polisher)(裝 置名：SM-09010，日本電子制）進(jìn)行切削加工，用FE-SEM(裝置名：JSM-7001F，日本電子制）以 倍率2000倍對(duì)加工截面進(jìn)行拍攝，由此得到的反射電子像示于圖1。另外，基于FE-SEM附帶 的H)X(裝置名：JED-2300,日本電子制）的組成分析的結(jié)果示于表9。予以說明，EDX中由于缺 乏輕元素的定量性，所以對(duì)除B以外的元素進(jìn)行測定。
[0265][表 9]
[0268] 如圖1和表9所示，分析位置1 (相當(dāng)于圖1的1)是主相、即RAwB相，比RAwB相對(duì)比 度較亮的分析位置2(相當(dāng)于圖1的2)是R-T-Ga相(R 6T13A化合物）（含有R20原子％以上且35 原子％以下、T55原子％以上且75原子％以下、Ga3原子％以上且15原子％以下的相）。比 R 2T14B相對(duì)比度較暗的分析位置3(相當(dāng)于圖1的3)檢測出90%以上的Ti。此處，如前所述，由 于B沒有定量性，所以排除在外，因此無法判斷Ti-B相。此處圖2中表示分析位置3的EDX的光 譜數(shù)據(jù)。由光譜數(shù)據(jù)僅檢測出Ti與B的峰，能夠確認(rèn)分析位置3由Ti和B構(gòu)成。進(jìn)而，使用FIB (裝置名:FB2100，F(xiàn)B2000A，日立高新技術(shù)公司制)在圖1的虛線的位置以縱深方向選出分析 位置3，使用FE-TEM (裝置名：HF-2100日立高新技術(shù)公司制）進(jìn)行觀察，結(jié)果示于圖3。如圖3 所示，能夠確認(rèn)到Ti-B相是長寬比不同的2種結(jié)晶相。此處，將長寬比小的結(jié)晶稱為"粒狀結(jié) 晶"，將長寬比大的結(jié)晶稱為"針狀結(jié)晶"。對(duì)此，實(shí)施了利用電子射線衍射進(jìn)行的結(jié)晶結(jié)構(gòu) 的分析，結(jié)果示于圖4(粒狀結(jié)晶）、圖5(針狀結(jié)晶）中。由圖4示出的粒狀結(jié)晶的分析結(jié)果，能 夠確認(rèn)粒狀結(jié)晶為TiB 2相(六方晶）。另外，由圖5示出的針狀結(jié)晶的分析結(jié)果能夠確認(rèn)針狀 結(jié)晶為TiB相(斜方晶）。
[0269] 進(jìn)而，關(guān)于除了 B量不同以外基本相同組成的試樣No. 20和試樣No. 21，用截面拋光 機(jī)(裝置名：SM-09010,日本電子制)進(jìn)行切削加工，使用FE-SEM(裝置名:JSM-7001F，日本電 子制）以倍率20000倍對(duì)加工截面進(jìn)行拍攝，由此得到的反射電子像示于圖6(試樣No. 20)、 圖7(試樣No. 21)中。圖6示出的B量少為0.94質(zhì)量％的試樣No . 20的樣品中，多觀察到作為 Ti-B相的針狀結(jié)晶（TiB相），圖7示出的B量多為0.96質(zhì)量％的試樣No. 21的樣品中，多觀察 到作為Ti-B相的粒狀結(jié)晶（TiB2相）。由該結(jié)果可知：即便B量發(fā)生變化，所形成的TiB相和 TiB 2相的比例也發(fā)生變化，從而相對(duì)于fcTwB型化合物的化學(xué)計(jì)量比為不足的B量(未與Ti 結(jié)合的B量)的變化變少，由此能夠抑制Hcj的變化相對(duì)于B量的變化。
[0270] 〈實(shí)驗(yàn)例6>
[0271 ] 關(guān)于表1的試樣No. 13、15和表3的試樣No. 20、21、25(任一試樣均是本實(shí)施方式的 實(shí)施例）的R-T-B系燒結(jié)磁體的任意的截面，實(shí)施鏡面加工后，利用截面拋光機(jī)(SM-09010， 日本電子株式會(huì)社制)對(duì)該鏡面的一部分實(shí)施離子束加工。接著，利用FE-SEM(電場放射型 掃描電子顯微鏡，JSM-7001F，日本電子株式會(huì)社制)觀察(加速電壓5kV、作業(yè)距離4mm、TTL 模式、倍率2000倍)該加工面。另外，利用圖像分析軟件（Scandium，0LYMPUS SOFT頂AGING S0LUT10NS GMBH制)分析利用FE-SEM得到的反射電子像(BSE像），求出R6T13A化合物(代表性 的是Nd6Fe13Ga化合物）的面積比率。關(guān)于利用FE-SEM得到的BSE像，構(gòu)成該區(qū)域的元素的平 均原子序號(hào)越大越顯示較亮，元素的原子序號(hào)越小越顯示較暗。例如，晶界相(稀土類富集 相)顯示為較亮，主相(RAmB相）、氧化物等顯示為較暗。R 6T13A化合物以其中間左右的亮度 顯示。利用圖像分析軟件進(jìn)行的分析中，通過圖像處理作成將BSE像的亮度作為橫軸，頻度 (面積)為縱軸的圖表，利用EDS (能量色散型X射線分光法)搜索R6T13A化合物，與前述圖表內(nèi) 的特定的亮度對(duì)應(yīng)并求出R 6T13A化合物的面積比率。予以說明，利用FE-SEM進(jìn)行的反射電子 像(BSE像）的視野的廣度為45miX60mi。結(jié)果示于表10。
[0272][表 10]
[0274] 如表10所示，本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體中，在其任意的截面中R6T13A化合物 以面積比率計(jì)含有2%以上。
[0275] 〈實(shí)驗(yàn)例7>
[0276] 使用Nd金屬、Pr金屬、Dy金屬、硼鐵合金、Ga金屬、Cu金屬、A1金屬、電解Co、Ti金屬 和電解鐵(金屬均為純度99%以上），按照表11所示的組成進(jìn)行調(diào)配，將這些原料熔化后利 用帶式鑄造法進(jìn)行鑄造，得到厚度為0.2~0.4mm的片狀原料合金。用氫加壓氣氛使所得到 的片狀的原料合金氫脆化，在真空中加熱到550°C、并冷卻，實(shí)施脫氫處理，得到粗粉碎粉。
[0277] 接著，在得到的粗粉碎粉中相對(duì)于粗粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.04質(zhì)量％的作 為潤滑劑的硬脂酸鋅后，使用氣流式粉碎機(jī)(噴射式粉碎機(jī)裝置），在氮?dú)饬髦羞M(jìn)行干式粉 碎，得到粒徑D 5Q為4mi的微粉碎粉(合金粉末）。予以說明，本實(shí)驗(yàn)例中，通過將粉碎時(shí)氮?dú)庵?的氧濃度設(shè)為50ppm以下，以使最終得到的燒結(jié)磁體的氧量達(dá)到0.1質(zhì)量％左右。另外，粒徑 D 5〇是用基于氣流分散法的激光衍射法得到的值(體積基準(zhǔn)中值粒徑）。
[0278] 在前述微粉碎粉中相對(duì)于微粉碎粉100質(zhì)量％添加、混合0.05質(zhì)量％的作為潤滑 劑的硬脂酸鋅后，在磁場中成形，得到成形體。成形裝置使用磁場施加方向與加壓方向正交 的、所謂的直角磁場成形裝置(橫磁場成形裝置）。
[0279] 將所得到的成形體在真空中1090°C~1110°C下保持4小時(shí)并燒結(jié)后，進(jìn)行急冷，得 到燒結(jié)磁體。
[0280]燒結(jié)磁體的密度為7.6Mg/m3以上。所得到的燒結(jié)磁體的成分的分析結(jié)果示于表 11。予以說明，表11中的各成分使用高頻電感耦合等離子體發(fā)光分光分析法(ICP-0ES)進(jìn)行 測定。另外，〇(氧量)使用基于氣體熔解-紅外線吸收法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，N(氮量） 使用基于氣體熔解-導(dǎo)熱法的氣體分析裝置進(jìn)行測定，C(碳量)使用基于燃燒-紅外線吸收 法的氣體分析裝置進(jìn)行測定。另外，表11中，Nd、Pr、Dy的量的合計(jì)為R量(u)，用ICP-OES測定 的1?、8、6&^1、(：〇、1'1、？6以外的元素、8卩〇1、(^111、31、0、1(：的量的合計(jì)的值為11量（」_)。另 外，計(jì)算Fe(g)、Co(v)、Al(z)、B(w)、Ti(q)的分析值除以各自Fe、Co、Al、B、Ti的原子量而得 到的值(g'，v'，z'，w'，q'），以及使用該值計(jì)算式(A)的(g'+v'+z'）_(14X (w'_2Xq'））和式 (B)的(8'+，+2'）-(14\(?'^'）），并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)的情況為"〇"，在本發(fā)明的范圍 外的情況為"X"，記載于表11的"式A"和"式B"的欄中。予以說明，如表11所示，試樣No.40~ 43、44~47分別為除了 B量不同以外基本相同的組成。
[0281][表 11]
[0283]對(duì)于所得到的燒結(jié)磁體，實(shí)施如下熱處理:在1000°C保持2小時(shí)后，冷卻至室溫，接 著在500 °C保持2小時(shí)后，冷卻至室溫。對(duì)熱處理后的燒結(jié)磁體實(shí)施機(jī)械加工，制作縱向7mm， 橫向7mm，厚度7mm的試樣，用3 ? 2MA/m的脈沖磁場磁化后，利用B-H測繪儀測定各試樣的Br， 利用脈沖B-H測繪儀測定各試樣的Hcj。測定結(jié)果示于表12。予以說明，進(jìn)行已測定B r及Hcj的 R-T-B系燒結(jié)磁體的成分、氣體分析，結(jié)果與表12的R-T-B系燒結(jié)磁體原材的成分、氣體分析 結(jié)果同等。進(jìn)而，將Hcj的變化相對(duì)于B量的變化示于表12的AHcj/O.OlB。
[0284][表 12]
[0286] 如表12所示，本發(fā)明的實(shí)施例的樣品的A Hcj/0.01B僅變化14kA/m、及11 kA/m，且具 有尚Br和尚Hcj。
[0287] 2.實(shí)施方式2的實(shí)施例
[0288] 實(shí)施例1
[0289] 按照表13的A、B所示的合金組成稱量各元素的原料，利用帶式鑄造法制作合金。利 用氫粉碎法將所得到的各合金進(jìn)行粗粉碎并得到粗粉碎粉末。在所得到的合金A的粗粉碎 粉末中，按照混合后的混合粉末組成為表14的試樣No. 2~6所不的組成混合TiH2,準(zhǔn)備混合 粉末(粗粉碎粉末的混合粉末）。予以說明，試樣No. 1是合金A的粗粉碎粉末，試樣No . 7是合 金B(yǎng)的粗粉碎粉末，均沒有混合TiH2。將前述試樣No. 2~6的混合粉末和試樣No. 1、7的粗粉 碎粉末分別利用噴射式粉碎機(jī)進(jìn)行微粉碎，準(zhǔn)備粒徑D50(利用氣流分散式激光衍射法測定 得到的體積中心值，以下同樣）為4.2mi的試樣No . 2~6的混合粉末(微粉碎粉末的混合粉 末)和試樣No. 1、7的微粉碎粉末。
[0294] 將試樣No. 2~6的混合粉末和試樣No . 1、7的微粉碎粉末用直角磁場成形裝置(橫 向磁場成形裝置）以磁場強(qiáng)度0.81^/111、壓力491〇^(0.51:〇11/〇1]1 2)分別成形厚12111111\寬26111111 X長55mm(寬度方向?yàn)榇艌鍪┘臃较颍┑某尚误w2個(gè)后，將得到的成形體在1030°C燒結(jié)4小 時(shí)，基于試樣No . 2~6的混合粉末和試樣No. 1、7的微粉碎粉末分別準(zhǔn)備2個(gè)R-T-B系燒結(jié)磁 體原材(以下稱為"試樣No #的R-T-B系燒結(jié)磁體原材"，以下同樣）。
[0295] 為了測定試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性，對(duì)試樣No. 1~7的R-T-B系燒 結(jié)磁體原材各自2個(gè)中的1個(gè)在真空氣氛下、880°C的溫度下實(shí)施3小時(shí)的熱處理，冷卻后，再 在500°C、真空氣氛下進(jìn)行2小時(shí)的熱處理。將所得到的基于試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁 體原材的R-T-B系燒結(jié)磁體(以下稱為"試樣No #的R-T-B系燒結(jié)磁體"，以下同樣)分別進(jìn)行 切斷和研削，加工成厚7.0mmX寬7.0_ X長7.0mm。利用B-H測繪儀測定加工后的試樣No. 1 ~7的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性。測定結(jié)果示于表15。予以說明，Hk/Hcj中，Hk在J(磁化大 小)-H(磁場強(qiáng)度）曲線的第2象限中，J為處于0.9XJ r(Jr為殘留磁化，Jr = Br)的值的位置的 H值（以下同樣）。
[0296] [表 15]
[0298] 如表15所示可知，合金粉末中混合TiH2、進(jìn)行成形、燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系 燒結(jié)磁體(試樣No. 2~6，本發(fā)明例）與未混合TiH2粉末的試樣(試樣No. 1，比較例）比較，HcJ 大大提高。另外可知，混合粉末100質(zhì)量％中含有的Ti量為0.22~0.27的范圍尤其提高了 HcJ。進(jìn)而，因TiH2的添加B r雖然有若干降低，但相對(duì)于HcJ的提高效果Br的降低并不那么大。 即，抑制Br的降低且提高了Hcj。進(jìn)而，關(guān)于H k/Hcj，任一試樣均具有0.98這樣的高值。予以說 明，試樣No. 7是專利文獻(xiàn)1的再現(xiàn)例，與其他的試樣比較，B量較低(0.88質(zhì)量％ )。如表15所 示，RH供給擴(kuò)散處理前的試樣No. 7的R-T-B系燒結(jié)磁體的Hcj和Br與本實(shí)施方式基本相同。
[0299] 接著，對(duì)各個(gè)試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體原材2個(gè)中的1個(gè)進(jìn)行切斷和研削， 加工成厚7.4mm X寬7.4mm X長7.4mm。對(duì)于各個(gè)加工后的試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體 原材，在Mo板上依次層疊板狀的由Dy金屬構(gòu)成的RH擴(kuò)散源、保持構(gòu)件、R-T-B系燒結(jié)磁體原 材、保持構(gòu)件、板狀的由Dy金屬構(gòu)成的RH擴(kuò)散源，由此準(zhǔn)備7種層疊體。予以說明，保持構(gòu)件 中使用了Mo制的平織的金屬網(wǎng)。將前述7種層疊體裝入熱處理爐內(nèi)，在壓力為O.lPa的真空 氣氛下，880°C的溫度下進(jìn)行了5.5小時(shí)RH供給擴(kuò)散處理。然后冷卻爐內(nèi)，僅取出試樣No. 1~ 7的R-T-B系燒結(jié)磁體原材。將RH供給擴(kuò)散處理后的試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體原材在 真空氣氛下，880 °C的溫度進(jìn)行5小時(shí)RH擴(kuò)散處理，冷卻后，在500 °C、真空氣氛下進(jìn)行2小時(shí) 熱處理，得到了 No.l~7的R-T-B系燒結(jié)磁體。所得到的試樣No.l~7的R-T-B系燒結(jié)磁體的 整面各研削0.2mm，加工成厚7.0_ X寬7.0mm X長7.0_。利用脈沖B-H測繪儀對(duì)加工后的試 樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性進(jìn)行測定。測定結(jié)果示于表16。
[0300] [表 16]
[0302] 如表16所示可知，對(duì)在合金粉末中混合TiH2、進(jìn)行成形和燒結(jié)而成的R-T-B系燒結(jié) 磁體原材實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理、RH擴(kuò)散處理和熱處理而得到的R-T-B系燒結(jié)磁體(試樣No. 2 ~6，本發(fā)明例)與未混合TiH2粉末的燒結(jié)磁體(試樣No. 1，比較例）比較，具有高的Hcj。另外， 即便在RH供給擴(kuò)散處理后，Br和Hk/Hcj的降低也僅為一點(diǎn)點(diǎn)，具有高B r和高Hk/Uj。另一方面， 作為專利文獻(xiàn)1的再現(xiàn)例的試樣No . 7的R-T-B系燒結(jié)磁體與RH供給擴(kuò)散前相比較，Hk/HcJ大 幅降低。
[0303] 實(shí)施例2
[0304]按照表17的C所示的合金組成稱量各元素的原料，利用帶式鑄造法制造合金。利用 氫粉碎法對(duì)得到的合金進(jìn)行粗粉碎，得到粗粉碎粉末。在所得到的合金C的粗粉碎粉末中按 照混合后的混合粉末的組成為表18所不的組成混合TiH2，準(zhǔn)備試樣No . 8~11的混合粉末 (粗粉碎粉末的混合粉末）。將前述試樣No.8~11的混合粉末分別利用噴射式粉碎機(jī)進(jìn)行微 粉碎，準(zhǔn)備粒徑D50為4.2mi的試樣No. 8~11的混合粉末(微粉碎粉末的混合粉末）。
[0309]將試樣No.8~11的混合粉末利用與實(shí)施例1同樣的方法進(jìn)行成形、燒結(jié)，分別準(zhǔn)備 基于試樣No. 8~11的混合粉末的R-T-B系燒結(jié)磁體原材2個(gè)。為了測定試樣No. 8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性，對(duì)各個(gè)試樣No. 8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體原材2個(gè)中的1個(gè)實(shí)施與實(shí) 施例1同樣的熱處理和加工。利用B-H測繪儀對(duì)所得到的試樣No.8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體 的磁特性進(jìn)行測定。測定結(jié)果示于表19。
[0310][表 19]
[0312] 本實(shí)施例是使B量(0.95替換為0.93)、Ga量(0.4替換為0.2)和Co量(0.5替換為 2.0)與實(shí)施例1的合金A的組成不同的例子。如表19所示，與基于合金A的R-T-B系燒結(jié)磁體 的磁特性相比雖然有若干劣化，但仍得到了優(yōu)異的磁特性。
[0313] 接著，將試樣No. 8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體原材2個(gè)中的1個(gè)加工成與實(shí)施例1同樣 的形狀后，利用與實(shí)施例1同樣的方法進(jìn)行RH供給擴(kuò)散處理、RH擴(kuò)散處理和熱處理。與實(shí)施 例1同樣對(duì)所得到的試樣No.8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體進(jìn)行加工后，利用脈沖B-H測繪儀測 定磁特性。測定結(jié)果示于表20。
[0316] 如表20所示可知，對(duì)在合金粉末中混合TiH2、進(jìn)行成形和燒結(jié)而成的R-T-B系燒結(jié) 磁體原材實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理而得到的R-T-B系燒結(jié)磁體，其抑制Br的降低并且具有高HcJ 和尚 Hk/HcJ〇 [0317] 實(shí)施例3
[0318]按照表21的D~F所述的合金組成稱量各元素的原料，利用帶式鑄造法制造合金。 利用氫粉碎法對(duì)所得到的各合金進(jìn)行粗粉碎，得到粗粉碎粉末。在所得到的合金D~F的粗 粉碎粉末按照混合后的混合粉末的組成為表2 2所不的組成混合T i H 2，準(zhǔn)備試樣N o. 13~15、 17~20、22~25的混合粉末(粗粉碎粉末的混合粉末）。予以說明，試樣No. 12是合金D的粗粉 碎粉末，試樣No . 16是合金E的粗粉碎粉末，試樣No . 21是合金F的粗粉碎粉末，均未混合 TiH2。將前述各混合粉末和粗粉碎粉末分別利用噴射式粉碎機(jī)進(jìn)行微粉碎，準(zhǔn)備粒徑D50為 4.2ym的試樣No .13~15、17~20、22~25的混合粉末（微粉碎粉末的混合粉末）和試樣 No. 12、16和21的微粉碎粉末。
[0323] 利用與實(shí)施例1同樣的方法對(duì)試樣No. 13~15、17~20、22~2 5的混合粉末和試樣 No. 12、16和21的微粉碎粉末進(jìn)行成形、燒結(jié)，準(zhǔn)備基于試樣No. 13~15、17~20、22~25的混 合粉末和試樣No. 12、16和21的微粉碎粉末的R-T-B系燒結(jié)磁體原材。
[0324] 為了測定試樣No. 12~25的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性，對(duì)試樣No. 12~25的R-T-B 系燒結(jié)磁體原材進(jìn)行了與實(shí)施例1同樣的熱處理和加工。利用B-H測繪儀對(duì)所得到的試樣 No. 12~25的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性進(jìn)行測定。將測定結(jié)果示于圖8~圖11以及表23。圖 8表示橫軸為Ti量、縱軸為Hcj的測定結(jié)果，圖9表示橫軸為Ti量、縱軸為Br的測定結(jié)果，圖10 表示橫軸為Ti量、縱軸為Hk的測定結(jié)果，圖11表示橫軸為Ti量、縱軸為Hk/Hcj的測定結(jié)果。圖 8~圖11中圓形的曲線表示試樣No. 12~15，三角形的曲線表示試樣No. 16~20，菱形的曲線 表不試樣No ? 21~25。
[0327] 本實(shí)施例是使合金的B量變化的例子。如圖8所示可知，合金粉末中混合TiH2、進(jìn)行 成形、燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體(試樣No. 13~15、17~20、22~25、本發(fā)明例） 與任一的B量中均未混合TiH2粉末的試樣(試樣No. 12、16和21、比較例）比較，Hcj大大提高。 另外可知，混合粉末100質(zhì)量％中含有的Ti量為0.18~0.25的范圍時(shí)尤其提高了H cJ。
[0328] 另外，如圖9所示，本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體雖然Br降低，但是Br的降低相對(duì) 于Hcj的提高效果并不那么明顯。即，抑制B r的降低，并且提高Hcj。進(jìn)而，如圖10所示，Hk也高， 如圖11所示，關(guān)于Hk/H?！?，任一試樣都具有超過0.95的高值。
[0329] 實(shí)施例4
[0330] 在實(shí)施例3的合金E的粗粉碎粉末中按照混合后的混合粉末100質(zhì)量％中含有的Ti 為0 ~0.3(TiH2 為0 ~0.31，Ti〇2為 0 ~0.18)混合 11112、11〇2、1182、11(：和11_勺各粉末，用與實(shí) 施例1同樣的方法進(jìn)行微粉碎、成形、燒結(jié)和熱處理而得到R-T-B系燒結(jié)磁體。利用B-H測繪 儀對(duì)所得到的R-T-B系燒結(jié)磁體的Hcj進(jìn)行測定。測定結(jié)果示于圖12及表24。圖12表示橫軸為 Ti量、縱軸為Hcj的測定結(jié)果，圓形的曲線表示TiH 2,三角形的曲線表示Ti02,菱形的曲線表 示TiB2，四角的曲線表示TiC，X標(biāo)記的曲線表示混合有TiN的情形。
[0333] 如圖12所示可知，混合有TiH2的情況下，Hcj大幅提高。如前所述，Ti02、TiB 2、TiC和 TiN中所含的氧、硼、碳、氮等即使在燒結(jié)后也殘存于磁體中，有可能使所得到的磁體的磁特 性劣化。本實(shí)施方式中使用的TiH 2在燒結(jié)工序中分解成11和出(氫氣），氫氣由磁體釋放到燒 結(jié)爐內(nèi)，最終排出到燒結(jié)爐外。因此，幾乎沒有使磁特性劣化的可能性。
[0334] 實(shí)施例5
[0335] 對(duì)于實(shí)施例3的試樣118的1?-1'-8系燒結(jié)磁體，進(jìn)行了基于?￡-1￡11(電場放射型透 射型電子顯微鏡，HF-2100，株式會(huì)社日立高新技術(shù)公司制）的組織觀察。其結(jié)果(DF-STEM 像)示于圖13。另外，對(duì)于圖13所示的部位a、b、c進(jìn)行了基于EDS(能量色散型X射線分光法） 的組成分析。其結(jié)果示于表25。予以說明，對(duì)于部位a和b沒有進(jìn)行B的分析。另外，對(duì)于部位 a、b、c拍攝了電子射線衍射的表征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形。其結(jié)果示于圖14~16。圖14是部位 a的衍射圖形，圖15是部位b的衍射圖形，圖16是部位c的衍射圖形。
[0336]進(jìn)而，關(guān)于用于鑒定化合物的R6T13M化合物與Ti的硼化物的標(biāo)準(zhǔn)試樣，與前述同樣 利用EDS進(jìn)行了組成分析。其結(jié)果示于表26。作為Ti的硼化物的標(biāo)準(zhǔn)試樣使用市售的TiB2。 首先，為了慎重起見，利用X射線衍射裝置對(duì)市售的TiB 2進(jìn)行了 X射線衍射，確認(rèn)了其為TiB2 化合物無誤。X射線衍射的結(jié)果示于圖17。作為R6T13M化合物的標(biāo)準(zhǔn)試樣使用R為Nd、T為Fe、M 為Ga，按照作為Nd 6Fe13Ga化合物的質(zhì)量％的理論值的Nd: 52.1、Fe : 43.7、Ga: 4.2方式稱量 Nd、Fe、Ga，使其恪化制作合金。所得到的合金的分析結(jié)果示于表27。測定該合金的X射線衍 射，確認(rèn)為La6Co 1 iGa3型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的Nd6Fe 13Ga化合物無誤。X射線衍射的結(jié)果示于圖18。
[0343]從表25的部位a的基于EDS的組成分析結(jié)果以及圖14所示的部位a的電子射線衍射 的表征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形的結(jié)果，可以確認(rèn)部位a是NcbFewB化合物。
[0344]另外，從表25~表27的組成分析結(jié)果以及圖15所不的部位b的電子射線衍射的表 征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形的結(jié)果，可以鑒定出部位b為N d 6 F e 13 G a化合物。即，在部位b的基于 EDS的組成分析結(jié)果和標(biāo)準(zhǔn)試樣的組成分析結(jié)果中雖然Nd量有若干差異，但從構(gòu)成元素以R (Nd和Pr)、Fe和Ga作為主體；圖15所不的部位b的電子射線衍射的表征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形 的結(jié)果與NdsFei3Ga化合物的結(jié)晶結(jié)構(gòu)相同，可以鑒定出部位b為NdsFei3Ga化合物。
[0345]進(jìn)而，從表25~表27的組成分析結(jié)果以及圖16所不的部位c的電子射線衍射的表 征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形的結(jié)果，可以鑒定出部位c為TiB2化合物。即，根據(jù)部位c的基于EDS 的組成分析結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)試樣的組成分析結(jié)果類似且構(gòu)成元素由Ti和B構(gòu)成、圖16所示的部 位c的電子射線衍射的表征結(jié)晶結(jié)構(gòu)的衍射圖形的結(jié)果與TiB 2化合物的結(jié)晶結(jié)構(gòu)相同，可 鑒定出部位c為TiB2化合物。
[0346] 如以上所述，通過Ti氫化物粉末的添加，在燒結(jié)和/或熱處理中，生成R6T13M化合物 (代表性的是Nd 6Fe13Ga化合物）與Ti的硼化物(代表性的是TiB2化合物）。即，可知由本實(shí)施 方式的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法得到的R-T-B系燒結(jié)磁體具有fcTwB化合物、R 6T13M化合 物、Ti的硼化物共存的組織。
[0347] 實(shí)施例6
[0348] 對(duì)于實(shí)施例1的試樣No. 1~7的R-T-B系燒結(jié)磁體(未實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理、RH擴(kuò)散 處理的R-T-B系燒結(jié)磁體)的任意的截面實(shí)施鏡面加工后，利用截面拋光機(jī)(SM-09010,日本 電子株式會(huì)社制)對(duì)該鏡面的一部分實(shí)施離子束加工。接著，利用FE-SEM(電場放射型掃描 電子顯微鏡，JSM-7001F，日本電子株式會(huì)社制)觀察(加速電壓5kV，工作距離4mm，TTL模式， 倍率2000倍）該加工面。另外，利用圖像分析軟件（Scandium，0LYMPUS SOFT IMAGING SOLUTIONS GM BH制）對(duì)利用FE-SEM得到的反射電子像(BSE像)進(jìn)行分析，求出R6T13M化合物 (代表性的是Nd 6Fe13Ga化合物）的面積比率。在利用FE-SEM得到的BSE像中，構(gòu)成其區(qū)域的元 素的平均原子序號(hào)越大越較亮地顯示，元素的原子序號(hào)越小越較暗地顯示。例如，晶界相 (稀土類富集相)較亮地顯示，主相(R 2T14B相）、氧化物等較暗地顯示。R6T13M化合物用其中間 左右的亮度來顯示。關(guān)于基于圖像分析軟件的分析，利用圖像處理作成以BSE像的亮度為橫 軸、頻度(面積)為縱軸的圖表，利用EDS (能量色散型X射線分光法)搜索R6T13M化合物，使其 與前述圖表內(nèi)的特定的亮度對(duì)應(yīng)，求出R 6T13M化合物的面積比率。對(duì)截面上的不同的5視野 (各視野的寬度為45mi X 60mi)的BSE像分別進(jìn)行該分析，將其平均值作為R6T13M化合物的面 積比率。其結(jié)果示于表28。
[0349] [表 28]
[0351] 關(guān)于在合金粉末中混合TiH2,并成形、燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體(試 樣No. 2~6，本發(fā)明例），如前所述，具有fcTwB化合物、R6T13M化合物和Ti的硼化物共存的組 織，如表28所述，R 6T13M化合物以面積比率計(jì)存在有1 %以上，特別是具有更高的Hcj的情況 下，R6T13M化合物以面積比率計(jì)存在有2%以上。另一方面，未混合TiH 2粉末的樣品（試樣 No. 1，比較例)和專利文獻(xiàn)1的再現(xiàn)例的試樣No. 7(比較例），雖然R6T13M化合物以面積比率計(jì) 存在有1 %以上，但未生成Ti的硼化物。本實(shí)施方式的R-T-B系燒結(jié)磁體抑制Br的降低且具 有高和高Hk/H cj可以認(rèn)為:原因在于fcTwB化合物、R6T13M化合物、T i的硼化物共存的組織 以及R6T13M化合物的存在量。
[0352] 實(shí)施例7
[0353] 對(duì)于實(shí)施例2的試樣No. 8~11的R-T-B系燒結(jié)磁體(未實(shí)施RH供給擴(kuò)散處理、RH擴(kuò) 散處理的R-T-B系燒結(jié)磁體），利用與實(shí)施例6同樣的方法，求出R 6T13M化合物的面積比率。其 結(jié)果示于表29。
[0354] [表 29]
[0356] 關(guān)于在合金粉末中混合TiH2,并進(jìn)行成形、燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體 (試樣No. 8~11，本發(fā)明例），如前所述，具有fcTwB化合物、R6T13M化合物、Ti的硼化物共存的 組織，如表29所示，R 6T13M化合物以面積比率計(jì)存在有1 %以上。
[0357] 實(shí)施例8
[0358] 按照表30的G、H所述的合金組成稱量各元素的原料，利用帶式鑄造法制造合金。利 用氫粉碎法對(duì)所得到的各合金進(jìn)行粗粉碎，得到粗粉碎粉末。在所得到的合金G的粗粉碎粉 末中按照混合后的混合粉末的組成為表31的試樣N 〇 . 4 8~5 2所不的組成混合T i H 2，準(zhǔn)備混 合粉末(粗粉碎粉末的混合粉末）。予以說明，試樣No . 47是合金G的粗粉碎粉末，試樣No. 53 是合金H的粗粉碎粉末，均未混合TiH2。利用噴射式粉碎機(jī)對(duì)前述試樣No . 48~52的混合粉 末和試樣No.47、53的粗粉碎粉末分別進(jìn)行微粉碎，準(zhǔn)備粒徑D50(利用基于氣流分散式激光 衍射法的測定得到體積中心值，以下同樣)為4.2wii的試樣No.48~52的混合粉末(微粉碎粉 末的混合粉末)和試樣No. 47、53的微粉碎粉末。
[0359] [表 30]
[0363]利用與實(shí)施例1同樣的方法對(duì)試樣No.48~52的混合粉末和試樣No.47、53的粗粉 碎粉末進(jìn)行成形、燒結(jié)，準(zhǔn)備基于試樣No. 48~52的混合粉末和試樣No. 47、53的粗粉碎粉末 的R-T-B系燒結(jié)磁體原材。為了測定試樣No . 47~53的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性，對(duì)試樣 No.47~53的R-T-B系燒結(jié)磁體原材進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的熱處理和加工。利用B-H測繪儀對(duì) 所得到的試樣No.47~53的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性進(jìn)行測定。測定結(jié)果示于表32。另外， 利用與實(shí)施例6同樣的方法，求出R 6T13M化合物的面積比率。其結(jié)果示于表32。
[0364][表 32]
[0366]本實(shí)施例是使實(shí)施例1的合金A的組成變化而成的例子，特別是使Ga量從0.4質(zhì) 量％增加到0.5質(zhì)量％的例子。由表32可知：在合金粉末中混合TiH2并進(jìn)行成形、燒結(jié)和熱 處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體(試樣No. 48~52,本發(fā)明例），與未混合TiH2粉末的燒結(jié)磁體 (試樣No. 47，比較例)相比較，具有高的H?！?。另一方面，專利文獻(xiàn)1的再現(xiàn)例的試樣No. 53的R- T-B系燒結(jié)磁體的Hcj和Br雖然與本發(fā)明例為同程度，但Hk/Hcj大幅降低。
[0367] 另外，利用本實(shí)施例得到的R-T-B系燒結(jié)磁體在Ti量為0.22~0.27的范圍時(shí)，抑制 8:的降低且具有15001^/111以上的高此。例如，若11量同為0.22的本實(shí)施例的試樣如.50與實(shí) 施例1的試樣No. 3相比較，Hcj提高50kA/m左右而BJI乎沒有降低。
[0368] 進(jìn)而，在合金粉末中混合TiH2并進(jìn)行成形、燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體 (試樣No. 48~52，本發(fā)明例），如前所述，具有fcTwB化合物、R6T13M化合物、Ti的硼化物共存 的組織，如表32所示，R 6T13M化合物以面積比率計(jì)存在有2%以上。
[0369] 實(shí)施例9
[0370]按照表33的I、J所述的合金組成稱量各元素的原料，利用帶式鑄造法制造合金。利 用氫粉碎法對(duì)所得到的各合金進(jìn)行粗粉碎，得到粗粉碎粉末。在所得到的合金I的粗粉碎粉 末中按照混合后的混合粉末的組成為表34的試樣No . 55~59所不的組成混合TiH2，準(zhǔn)備混 合粉末(粗粉碎粉末的混合粉末）。予以說明，試樣No . 54是合金I的粗粉碎粉末，試樣No. 60 是合金J的粗粉碎粉末，均未混合TiH2。利用噴射式粉碎機(jī)對(duì)前述試樣No . 55~59的混合粉 末和試樣No. 54，60法粗粉碎粉末分別進(jìn)行微粉碎，準(zhǔn)備粒徑D50 (用基于氣流分散式激光衍 射法的測定得到的體積中心值，以下同樣)為4.2m的試樣No.55~59的混合粉末(微粉碎粉 末的混合粉末)和試樣No. 54，60的微粉碎粉末。
[0375]利用與實(shí)施例1同樣的方法對(duì)試樣No . 55~59的混合粉末和試樣No. 54,60的粗粉 碎粉末進(jìn)行成形、燒結(jié)，準(zhǔn)備基于試樣No. 55~59的混合粉末和試樣No. 54，60的粗粉碎粉末 的R-T-B系燒結(jié)磁體原材。為了測定試樣No. 54~60法R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性，對(duì)試樣 No. 54~60的R-T-B系燒結(jié)磁體原材進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的熱處理和加工。利用B-H測繪儀對(duì) 得到的試樣No.54~60的R-T-B系燒結(jié)磁體的磁特性進(jìn)行測定。測定結(jié)果示于表35。另外，利 用與實(shí)施例6同樣的方法，求出R 6T13M化合物的面積比率。其結(jié)果示于表35。
[0376][表 35]
[0378] 本實(shí)施例是使實(shí)施例8的合金G的A1量從0.1質(zhì)量％增加0.3質(zhì)量％的例子。由表35 可知，在合金粉末中混合TiH2并進(jìn)行成形，燒結(jié)和熱處理而成的R-T-B系燒結(jié)磁體（試樣 No. 55~59，本發(fā)明例），與未混合TiH2粉末的燒結(jié)磁體(試樣No. 54，比較例）相比較，具有高 Hcj。另一方面，專利文獻(xiàn)1的再現(xiàn)例的試樣?')〇.60的1?-1'-13系燒結(jié)磁體的此和1^雖然與本發(fā)明 例為同程度，但H k/Hcj大幅降低。
[0379] 另外，關(guān)于利用本實(shí)施例得到的R-T-B系燒結(jié)磁體，在Ti量為0.19質(zhì)量％時(shí)具有約 1500kA/m的高Hcj，在Ti量為0.22~0.27質(zhì)量％的范圍時(shí)具有1500kA/m以上的高Hcj。進(jìn)而， 利用本實(shí)施例得到的R-T-B系燒結(jié)磁體，如前所述，具有fcTwB化合物、R 6T13M化合物和Ti的 硼化物共存的組織，如表35所示，R6T 13M化合物以面積比率計(jì)存在有1.9%以上，特別是具有 更高的Hcj的試樣No. 56~59中，R6T13M化合物以面積比率計(jì)存在有2%以上。
[0380] 本申請(qǐng)主張申請(qǐng)日為2014年2月28日的日本國專利申請(qǐng):特愿第2014-037838號(hào)和 申請(qǐng)日為2014年9月29日的日本國專利申請(qǐng):特愿第2014-198073號(hào)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。 通過參照特愿第2014-037838號(hào)和特愿第2014-198073號(hào)，將其全部援引到本說明書中。
[0381] 產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0382] 利用本發(fā)明得到的R-T-B系燒結(jié)磁體可適合用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的音圈馬達(dá)(VCM)、電 動(dòng)汽車用馬達(dá)、混合動(dòng)力汽車用馬達(dá)等的各種馬達(dá)、家電制品等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種R-T-B系燒結(jié)磁體，其特征在于，下述式(1)所示的組成滿足下述式(2)~(9)， URwBxGazAlvCoqTigFejM (1) 其中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含NcUM為1?、8、6&)1、(：〇、11和?6以外的元 ，u、w、x、z、v、q、g、j質(zhì)/〇， 29.0彡u彡32.0 (2) 其中，重稀土類元素 RH為R-T-B系燒結(jié)磁體的10質(zhì)量％以下， 0.93 彡 wC (3) 0.3^x^0.8 (4) 0.05彡z彡0.5 (5) 0?3.0 (6) 0.15彡q彡0.28 (7) 60.42彡g彡69.57 (8) 0^j^2.0 (9) 并且，當(dāng)g除以Fe的原子量所得的值設(shè)為g'、v除以CO的原子量所得的值設(shè)為v'、z除以 Al的原子量所得的值設(shè)為z'、w除以B的原子量所得的值設(shè)為w'、q除以Ti的原子量所得的值 設(shè)為q'時(shí)，滿足下述式(A)和(B)， 0.06<(g'+v'+z'）-(14X(w'_2Xq'）） (A) 0·10之（g'+v'+z '）-(14 X(w'-q'）） （B)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的R-T-B系燒結(jié)磁體，其中， 0.18 彡 q彡 0.28。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的R-T-B系燒結(jié)磁體，其特征在于， 具有R2T14B化合物、R6T13A化合物和T i的硼化物共存的組織， 其中，R2T14B化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素 中的至少一種且必須包含F(xiàn)e， R6Ti3A化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的至 少一種且必須包含F(xiàn)e，A為Ga、Al、Cu和Si中的至少一種且必須包含Ga。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的R-T-B系燒結(jié)磁體，其特征在于， R-T-B系燒結(jié)磁體的任意截面中的R6T13A化合物的面積比率為2 %以上。5. -種R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，其包括如下工序： 準(zhǔn)備如下合金粉末的工序，所述合金粉末含有 R:27~35質(zhì)量％、 Β:0·9 ~1.0 質(zhì)量 ％、 Ga:0.15 ~0.6 質(zhì)量 ％、 余量T和不可避免的雜質(zhì)， 其中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的至少一種且 必須包含F(xiàn)e， 準(zhǔn)備Ti的氫化物的粉末的工序， 將合金粉末與Ti的氫化物的粉末按照混合后的混合粉末100質(zhì)量％中含有的Ti為0.3 質(zhì)量％以下進(jìn)行混合，準(zhǔn)備混合粉末的工序， 對(duì)混合粉末進(jìn)行成形，準(zhǔn)備成形體的工序， 對(duì)成形體進(jìn)行燒結(jié)，準(zhǔn)備R-T-B系燒結(jié)磁體原材的工序，和 對(duì)R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，包括： 替代對(duì)R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序，準(zhǔn)備由含有Dy和/或Tb的金屬、合金 或者化合物構(gòu)成的RH擴(kuò)散源的工序， 實(shí)施將RH擴(kuò)散源的Dy和/或Tb供給到R-T-B系燒結(jié)磁體原材并使之?dāng)U散的RH供給擴(kuò)散 處理的工序， 對(duì)RH供給擴(kuò)散處理工序后的R-T-B系燒結(jié)磁體原材實(shí)施熱處理的工序。7. 根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于， B為0.91~1.0質(zhì)量％。8. 根據(jù)權(quán)利要求5~7中任一項(xiàng)所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于， R-T-B系燒結(jié)磁體具有R2T14B化合物、R6T13M化合物和Ti的硼化物共存的組織， R2T14B化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的至 少一種且必須包含F(xiàn)e， R6Ti3M化合物中，R為稀土類元素中的至少一種且必須包含Nd，T為過渡金屬元素中的至 少一種且必須包含F(xiàn)e，M為Ga、Al、Cu和Si中的至少一種且必須包含Ga。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于， R-T-B系燒結(jié)磁體的任意截面中的R6T13M化合物的面積比率為1 %以上。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于， R-T-B系燒結(jié)磁體的任意截面中的R6T13M化合物的面積比率為2 %以上。
【文檔編號(hào)】B22F3/00GK105960690SQ201580007076
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2015年2月27日
【發(fā)明人】深川智機(jī), 野澤宣介, 西內(nèi)武司, 古澤大介, 坂下信郎, 坂下信一郎
【申請(qǐng)人】日立金屬株式會(huì)社