倒角檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種倒角檢測方法，屬于圖像制作領(lǐng)域。所述方法包括：制作測試基板和參比基板，所述測試基板和所述參比基板中每個基板包括：襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的絕緣層，以及設(shè)置在所述絕緣層的導(dǎo)電層；其中，所述測試基板的絕緣層上形成有鏤空的圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層設(shè)置在所述鏤空的圖形上，所述參比基板的絕緣層上未形成有圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層和所述參比基板的導(dǎo)電層的外輪廓形狀大小相同；分別測試所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻；根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻，確定所述測試基板中的圖形是否存在倒角。實現(xiàn)了在陣列基板工藝中對過孔倒角不良的檢查，檢測效率高。
【專利說明】
倒角檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及制圖工藝領(lǐng)域，特別設(shè)及一種倒角檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在許多電子產(chǎn)品中，例如液晶顯示面板、印刷電路板等，常常需要將絕緣層兩側(cè)的 兩個導(dǎo)電層電連接，在運種情況下，通常會在絕緣層中形成圖形(例如過孔等），通過絕緣層 中的圖形來實現(xiàn)兩側(cè)導(dǎo)電層的電連接。
[0003] 絕緣層材料一般是二氧化娃、氮氧化娃、有機膜等絕緣材料，其中，二氧化娃和氮 氧化娃絕緣層一般都使用化學(xué)氣相沉積鍛膜，由于絕緣層的厚度較厚(一般>500nm)，所W 使用化學(xué)氣相沉積鍛膜時需要采用多步鍛膜方式，形成的絕緣層相當于由多個子層構(gòu)成， 絕緣層的各子層的致密性存在差別，通常絕緣層底部的致密性比絕緣層上部的致密性差。 在絕緣層制備完成后，通過干法刻蝕工藝在上面制作圖形，由于絕緣層底部的致密性比絕 緣層上部的致密性差，致密性差的子層結(jié)構(gòu)較為松軟，刻蝕時致密性較差的子層的刻蝕速 率會大于致密性較好的子層的刻蝕速度，從而在圖形的一側(cè)形成倒角。若圖形出現(xiàn)倒角，在 絕緣層上制作較薄的導(dǎo)電層時，容易在倒角處發(fā)生斷裂，導(dǎo)致絕緣層兩側(cè)的導(dǎo)電層無法電 連接，最終影響產(chǎn)品質(zhì)量。因此，需要對圖形是否出現(xiàn)倒角進行檢測。
[0004] 目前檢測絕緣層圖形倒角的方式，通常是對電子產(chǎn)品進行切片，采用電子顯微鏡 觀察，效率十分低下。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中，檢測絕緣層圖形倒角效率十分低下的問題，本發(fā)明實施例 提供了一種倒角檢測方法。所述技術(shù)方案如下：
[0006] 本發(fā)明實施例提供了一種倒角檢測方法，所述方法包括：
[0007] 制作測試基板和參比基板，所述測試基板和所述參比基板中每個基板包括:襯底 基板，設(shè)置在所述襯底基板上的絕緣層，W及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層;其中，所述測 試基板的絕緣層上形成有縷空的圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層設(shè)置在所述縷空的圖形上， 所述參比基板的絕緣層上未形成有圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層和所述參比基板的導(dǎo)電層 的外輪廓形狀大小相同；
[000引分別測試所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻；
[0009] 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻，確定所述測試基板中的圖 形是否存在倒角。
[0010] 在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，測試所述測試基板的面電阻，包括：
[0011] 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在所述測試基板的導(dǎo)電層上，所述四根探針 中位于兩側(cè)的兩根探針連接電源，所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間設(shè)置有至少一 個所述圖形；
[0012] 采用所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量所述位于兩側(cè)的兩根探針、所述測 試基板的導(dǎo)電層和電源所構(gòu)成的回路的電流11;
[oou]巧慢所述四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U1;
[0014] 根據(jù)所述電流11和電壓U1計算所述測試基板的面電阻；
[001引測試所述參比基板的面電阻，包括：
[0016] 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在所述參比基板的導(dǎo)電層上，所述四根探針 中位于兩側(cè)的兩根探針連接電源；
[0017] 采用所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量所述位于兩側(cè)的兩根探針、所述參 比基板的導(dǎo)電層和電源所構(gòu)成的回路的電流10;
[0018] 測量所述四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U0;
[0019] 根據(jù)所述電流10和電壓U0計算所述參比基板的面電阻。
[0020] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述圖形包括過孔或?qū)⑺鼋^緣層分隔的 凹槽。
[0021] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻，確定所述測試基板中的圖形是否存在倒角，包括：
[0022] 比較所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻的大小，當所述測試基板的 面電阻和所述參比基板的面電阻的差值大于或等于設(shè)定值時，確定所述測試基板存在倒 角。
[0023] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，當所述圖形為過孔時，所述方法還包括：
[0024] 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量。
[0025] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量，包括：
[0026] 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻，計算所述測試基板上電流 在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離；
[0027] 根據(jù)所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距 離計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)。
[0028] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻，計算所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng) 過的距離，包括：
[0029] 根據(jù)W下公式計算所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針 之間經(jīng)過的距離：
[0032] 其中，R0為所述參比基板的面電阻，R1為所述測試基板的面電阻，P為所述導(dǎo)電層 的電阻率，t為所述導(dǎo)電層的厚度，L0為所述參比基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的 兩根探針之間經(jīng)過的距離，L1為所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探 針之間經(jīng)過的距離，W為所述導(dǎo)電層在垂直于所述四根探針所在直線方向上的寬度。
[0033] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述根據(jù)所述測試基板上電流在所述四根 探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離的大小計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)，包括：
[0034] 當所述過孔為圓形時，采用W下公式計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)：
[0035]
[0036] 其中，η為所述出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)，r為所述過孔的半徑，31為圓周率。
[0037] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述方法還包括：
[0038] 采用W下公式計算所述測試基板的倒角發(fā)生率：
[0039] P = n/N，P為所述測試基板的倒角發(fā)生率，N為所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探 針之間設(shè)置的過孔數(shù)量。
[0040] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述方法還包括：
[0041] 通過多組所述測試基板和參比基板，分別計算出多個倒角發(fā)生率；
[0042] 計算所述多個倒角發(fā)生率的平均值。
[0043] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述測試基板和所述參比基板的外輪廓為 正方形或圓形。
[0044] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述正方形的邊長為3mm-8mm，所述圓形的 直徑為。
[0045] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述四根探針中任意相鄰的兩根探針的間 隔為 0.5-1.5mm。
[0046] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述電壓為lOmV-lOOOmV。
[0047] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，所述過孔的半徑為5-10μπι，相鄰的過孔間 隔為10-20皿;所述凹槽的寬度為5-10皿，相鄰的凹槽間隔為10-20皿。
[0048] 本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0049] 本發(fā)明通過檢測測試基板和參比基板的面電阻，并根據(jù)測試基板和參比基板的面 電阻來確定測試基板是否出現(xiàn)倒角，相較于通常的切片檢查，無需再進行切片和電子顯微 鏡觀察，檢測過程更為簡單，因此有效地提高了檢測效率。
【附圖說明】
[0050] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可W根據(jù)運些附圖獲得其他 的附圖。
[0051 ]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種倒角檢測方法的流程圖；
[0052] 圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種倒角檢測方法的流程圖；
[0053] 圖3是本發(fā)明實施例提供的測試基板的截面示意圖；
[0054] 圖4是本發(fā)明實施例提供的參比基板的截面示意圖；
[0055] 圖5是本發(fā)明實施例提供的測試基板的俯視圖；
[0056] 圖6是本發(fā)明實施例提供的測試基板的俯視圖；
[0057] 圖7是本發(fā)明實施例提供的參比基板的俯視圖；
[0058] 圖8是本發(fā)明實施例提供的四探針測面電阻的示意圖；
[0059] 圖9是本發(fā)明實施例提供的四探針測面電阻的俯視圖；
[0060] 圖10是本發(fā)明實施例提供的多組測試基板和參比基板的示意圖；
[0061] 圖11是本發(fā)明實施例提供的多組測試基板和參比基板的示意圖。
【具體實施方式】
[0062] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方 式作進一步地詳細描述。
[0063] 圖1是本發(fā)明實施例提供的一種倒角檢測方法的流程圖，參見圖1，該方法包括：
[0064] 步驟101:制作測試基板和參比基板，測試基板和參比基板中每個基板包括:襯底 基板，設(shè)置在襯底基板上的絕緣層，W及設(shè)置在絕緣層上的導(dǎo)電層;其中，測試基板的絕緣 層上形成有縷空的圖形，測試基板的導(dǎo)電層設(shè)置在縷空的圖形上，參比基板的絕緣層上未 形成有圖形，測試基板的導(dǎo)電層和參比基板的導(dǎo)電層的外輪廓形狀大小相同。
[0065] 其中，測試基板可W是專口用于測試的基板，也可W是實際生產(chǎn)中的基板。導(dǎo)電層 可W是透明金屬氧化物膜層或者金屬膜層。
[0066] 其中，測試基板和參比基板可W是兩個完全獨立的基板;或者，測試基板和參比基 板也可W是集成在同一襯底基板上的基板，具體參見后文圖10提供的測試基板和參比基 板;或者，測試基板和參比基板也可W是集成在同一襯底基板和同一絕緣層上的基板，具體 參見后文圖11提供的測試基板和參比基板。
[0067] 步驟102:分別測試測試基板的面電阻和參比基板的面電阻。
[0068] 其中，測試基板的面電阻為測試基板的導(dǎo)電層的面電阻。參比基板的面電阻為參 比基板的導(dǎo)電層的面電阻。
[0069] 步驟103:根據(jù)測試基板的面電阻和參比基板的面電阻，確定測試基板中的圖形是 否存在倒角。
[0070] 本發(fā)明實施例中，通過檢測測試基板和參比基板的面電阻，并根據(jù)測試基板和參 比基板的面電阻來確定測試基板是否出現(xiàn)倒角，相較于通常的切片檢查，無需再進行切片 和電子顯微鏡觀察，檢測過程更為簡單，因此有效地提高了檢測效率。
[0071] 圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種倒角檢測方法的流程圖，參見圖2,該方法包括：
[0072] 步驟201:制作測試基板和參比基板，測試基板和參比基板中每個基板包括:襯底 基板、設(shè)置在襯底基板上的絕緣層、W及設(shè)置在絕緣層上的導(dǎo)電層;其中，測試基板的絕緣 層上形成有縷空的圖形，測試基板的導(dǎo)電層設(shè)置在縷空的圖形上，參比基板的絕緣層上未 形成有圖形，測試基板的導(dǎo)電層和參比基板的導(dǎo)電層的外輪廓形狀大小相同。
[0073] 其中，測試基板可W是?？谟糜跍y試的基板，也可W是實際生產(chǎn)中的基板。導(dǎo)電層 可W是透明金屬氧化物膜層或者金屬膜層。
[0074] 在本發(fā)明實施例中，圖形可W包括過孔或?qū)⒔^緣層分隔的凹槽，其中，每個凹槽將 絕緣層分隔為兩個獨立的區(qū)域(兩個區(qū)域的絕緣層完全斷開）。
[0075] 圖3所示為測試基板10的截面示意圖，圖4所示為參比基板20的截面示意圖。如圖3 和圖4所示，測試基板10和參比基板20均包括襯底基板11、絕緣層12和導(dǎo)電層13,測試基板 10的絕緣層12上形成有縷空的圖形14。
[0076] 圖5是測試基板10的一種結(jié)構(gòu)的俯視圖，參見圖5,該縷空的圖形14可W是過孔，多 個過孔W陣列方式排列在測試基板10上。過孔的半徑可W為5-10μπι，相鄰的過孔間隔可w 為10-20皿。
[0077] 圖6是測試基板10的另一種結(jié)構(gòu)的俯視圖，參見圖6,該縷空的圖形14可W是凹槽， 多個凹槽間隔平行排列在測試基板10上，每個凹槽將測試基板10分為獨立的兩個區(qū)域，兩 個區(qū)域的絕緣層完全斷開，互不連接。凹槽的寬度可W為5-10μπι，相鄰的凹槽間隔可W為 10-20 皿。
[0078] 圖7是參比基板20的俯視圖，參見圖7,由于參比基板20的絕緣層未開設(shè)縷空的圖 形，因此導(dǎo)電層為一平整的膜層。
[0079 ] 步驟202:分別測試測試基板的面電阻R1和參比基板的面電阻R0。
[0080] 其中，測試測試基板的面電阻R1，包括：
[0081] 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在測試基板的導(dǎo)電層上，四根探針中位于兩 側(cè)的兩根探針連接電源，四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間設(shè)置有至少一個圖形；
[0082] 采用四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量位于兩側(cè)的兩根探針、測試基板的導(dǎo)電 層和電源所構(gòu)成的回路的電流II;
[0083] 測量四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U1;
[0084] 根據(jù)電流II和電壓U1計算測試基板的面電阻R1;
[00化]測試參比基板的面電阻R0,包括：
[0086] 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在參比基板的導(dǎo)電層上，四根探針中位于兩 側(cè)的兩根探針連接電源；
[0087] 采用四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量位于兩側(cè)的兩根探針、參比基板的導(dǎo)電 層和電源所構(gòu)成的回路的電流10;
[0088] 測量四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U0;
[0089] 根據(jù)電流10和電壓U0計算參比基板的面電阻。
[0090] 在該步驟中，采用四探針法測試測試基板和參比基板的面電阻，測試方便。
[0091] 優(yōu)選地，在任意兩個相鄰探針之間設(shè)置至少一個圖形，且相鄰探針之間的圖形數(shù) 量為設(shè)定值，例如相鄰探針之間的圖形數(shù)量為2個。
[0092] 圖8所示為采用四探針測試測試基板10的面電阻的示意圖，圖9是采用四探針測試 測試基板10的面電阻的俯視圖。參見圖8和圖9,將四根探針30沿著陣列形式的過孔中的一 列過孔排列，也即按照圖9所示的a方向進行排列。如圖8和9所示，相鄰兩個探針30間隔2個 過孔。測試時，通過兩側(cè)的兩個探針30向測試基板10施加直流電源，然后通過兩側(cè)的兩個探 針30測量位于兩側(cè)的兩根探針、測試基板的導(dǎo)電層和電源所構(gòu)成的回路的電流II，測量中 間的兩個探針30之間的電壓U1。最后根據(jù)公式R = 4.53U/I計算測試基板的面電阻。
[0093] 在本發(fā)明實施例中，四根探針中任意相鄰的兩根探針的間隔可W為0.5-1.5mm。優(yōu) 選地，相鄰的兩根探針的間隔為1mm。相鄰的兩根探針的間隔太小，導(dǎo)致探針間圖形數(shù)量太 少，不能保證測試精度，相鄰的兩根探針的間隔太大，四根探針無法同時設(shè)置在一炔基板 上。
[0094] 在本發(fā)明實施例中，通過探針向測試基板和參比基板施加的直流電源的電壓可W 為lOmV-lOOOmV。
[00M]當然，圖8中探針30的排列方向僅為舉例，也可W按照方向b或者介于方向a和b之 間的方向進行排列，本發(fā)明對此不做限制。
[0096] 進一步地，本發(fā)明可W對一組測試基板或者參比基板進行多次測試，從而提高倒 角檢測的準確度。多次測試時，既可W在不同方向上進行倒角檢測，也可W在每次倒角檢測 時，控制四根探針中兩側(cè)的兩根探針之間的圖形的數(shù)量不同。
[0097] 另外，需要說明的是，上述圖3、5、6、8中圖形的數(shù)量僅為舉例，本發(fā)明對此不做限 制。
[0098] 步驟203:比較測試基板的面電阻R1和參比基板的面電阻R0的大小，當R1和R0的差 值大于或等于設(shè)定值時，確定測試基板存在倒角。
[0099] 例如，設(shè)定值可W是R0的1 %~2 %。
[0100] 步驟203通過比較R1和R0的差值，確定是否存在倒角，過程簡捷方便。尤其適用于， 刻蝕凹槽的測試基板，因為刻蝕凹槽時，如果發(fā)生倒角，凹槽處導(dǎo)電層為斷開態(tài)，電阻很大， 此時R1與R0相差很大，因此可W設(shè)定一個較大的設(shè)定值，使得判斷出的結(jié)果更為準確。如圖 3所示，當圖形14下部形成倒角15時，導(dǎo)電層13在圖形14下部斷開，如果圖形是過孔，則電流 會沿著過孔周圍流動，而如果圖形是凹槽，則電流將無法直接通過該圖形，此時測得的測試 基板和參比基板的面電阻相差較大，容易判斷出測試基板存在倒角。
[0101] 步驟204:當圖形為過孔時，根據(jù)測試基板的面電阻R1和參比基板的面電阻R0計算 出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量η。
[0102] 由于刻蝕凹槽時，如果發(fā)生倒角，凹槽處導(dǎo)電層為斷開態(tài)，電阻很大，不能準確計 算倒角個數(shù)，因此，該方法只適用于刻蝕過孔的測試基板。確定出出現(xiàn)倒角的過孔個數(shù)，不 僅可W驗證前面判斷的是否存在倒角，還能使得檢測結(jié)果更詳細。
[0103] 其中，根據(jù)測試基板的面電阻R1和參比基板的面電阻R0計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量 η，包括：
[0104] 步驟一:根據(jù)測試基板的面電阻R1和參比基板的面電阻R0,計算測試基板上電流 在四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離L1。
[0105] 其中，根據(jù)W下公式計算測試基板上電流在四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間 經(jīng)過的距離L1:
[0108] 其中，Ρ為導(dǎo)電層的電阻率，t為導(dǎo)電層的厚度，L0為參比基板上電流在四根探針中 位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離，L1為測試基板上電流在四根探針中位于兩側(cè)的兩根 探針之間經(jīng)過的距離，W為導(dǎo)電層在垂直于四根探針所在直線方向上的寬度。
[0109] 如圖9所示，探針30和圖形14(過孔）間隔設(shè)置在方向a上，W為導(dǎo)電層在垂直于方向 a的方向b上的寬度，由于導(dǎo)電層上存在過孔，因此該導(dǎo)電層在存在過孔的位置的寬度與不 存在過孔的位置的寬度不同，但是由于過孔對寬度的影響較小，因此在本發(fā)明實施例中直 接采用不存在過孔的位置的寬度作為導(dǎo)電層的寬度。當探針30所在直線不存在出現(xiàn)倒角的 過孔時，此時電流經(jīng)過的距離為兩側(cè)兩個探針之間的距離，如果探針30所在直線存在出現(xiàn) 倒角的過孔時，則電流經(jīng)過的距離會變大，因為電流經(jīng)過出現(xiàn)倒角的過孔時，需要沿著過孔 的圓周流動。
[0110] 因夫
庚中，S為導(dǎo)電層的截面積。
[0111] 在上述公式中，R0和R1已經(jīng)測出，t、w和L0也可W直接測出，因此根據(jù)公式能夠計 算出L1，計算方便準確。
[0112] 值得說明的是，如果導(dǎo)電層的圖形不是矩形，導(dǎo)電層在垂直于四根探針所在直線 方向上的寬度為變化值時，取導(dǎo)電層在垂直于四根探針所在直線方向上的寬度的平均值， 作為導(dǎo)電層在垂直于四根探針所在直線方向上的寬度。
[0113] 步驟二:根據(jù)測試基板上電流在四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離 L1的大小計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)η。
[0114] 其中，根據(jù)測試基板上電流在四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離L1 的大小計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)η，包括：
[011引當過孔為圓形時，Li = Lo+n(町-化）
[0116] 其中，r為過孔的半徑，31為圓周率。
[0117] 對于圓形過孔而言，當出現(xiàn)倒角時，電流無法從過孔底部直接經(jīng)過，而是需要沿著 過孔圓周流動，因此采用該公式即可計算η的值，計算方便準確。
[0118] 通過面電阻來計算電流在四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離L1，再 根據(jù)該距離確定出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)η，測試及計算過程方便。
[0119] 步驟205:采用出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)η計算測試基板的倒角發(fā)生率。
[0120] 具體地，采用W下公式計算測試基板的倒角發(fā)生率：
[0121] Ρ = η/Ν，Ρ為測試基板的倒角發(fā)生率，Ν為四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間設(shè) 置的過孔數(shù)量。例如，圖5所示的a方向上存在Ν個過孔，η為運Ν個過孔中存在倒角的過孔的 數(shù)量。
[0122] 為了提高上述η/Ν的準確度，在設(shè)置探針時，可W讓兩側(cè)的兩根探針設(shè)置在一排過 孔的兩端，運樣能夠讓兩根探針之間的過孔數(shù)量最大化，從而提高η/Ν的準確度。
[0123] 通過步驟205計算倒角發(fā)生率，使得檢測結(jié)果更直觀。
[0124] 可選地，該方法還包括：
[0125] 通過多組測試基板和參比基板，分別計算出多個倒角發(fā)生率；
[01%]計算多個倒角發(fā)生率的平均值。
[0127] 采用多組測試結(jié)果的平均值作為最終的倒角發(fā)生率，提高檢測精度。
[0128] 在本發(fā)明實施例的一種實現(xiàn)方式中，同時設(shè)置多組完全獨立的測試基板10和參比 基板20,然后分別對每組測試基板10和參比基板20進行檢測。
[0129] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，如圖10所示，在同一塊襯底基板11上可W 同時形成多組測試基板10和參比基板20,多組測試基板10和參比基板20共用同一塊襯底基 板11，各個測試基板10和參比基板20的絕緣層相互分離，且每個測試基板10和參比基板20 的絕緣層上設(shè)有獨立的導(dǎo)電層。例如，在G6玻璃基板（1850mmX 1500mm)上可W設(shè)置間隔設(shè) 置多列測試基板10和參比基板20(沿長邊方向），例如測試基板10和參比基板20均有4-6列， 每列測試基板10中的一個測試基板10和相鄰列中相鄰的參比基板20為一組，每列測試基板 10(或參比基板20)設(shè)置7-10個測試基板10(或參比基板20);而在G8.5玻璃基板(2500mmX 2200mm)上可W間隔設(shè)置6-8列測試基板10和6-8列參比基板20,每列設(shè)置8-12個測試基板 1〇(或參比基板20)。
[0130] 在本發(fā)明實施例的另一種實現(xiàn)方式中，如圖11所示，其提供的結(jié)構(gòu)與圖10相比，測 試基板10和參比基板20除了共用同一塊襯底基板11(圖11未示出）外，還共用了覆蓋在襯底 基板11上的同一個絕緣層12,絕緣層12上設(shè)有圖案區(qū)域(形成有縷空的圖形)和非圖案區(qū)域 (未形成有圖形），在圖案區(qū)域和非圖案區(qū)域?qū)?yīng)布置多個相互分離的導(dǎo)電層，從而形成多 組測試基板10和參比基板20。
[0131] 在本發(fā)明實施例中，測試基板和參比基板的外輪廓可W為正方形、圓形、矩形或其 他圖形，例如，圖5、6、7和9所示，測試基板和參比基板的外輪廓均為正方形。外輪廓為正方 形或圓形時，不僅方便測試基板和參比基板設(shè)計和制作，而且能滿足倒角檢測方法的需要。 當然，在其他實施例中，測試基板和參比基板的外輪廓也可W是其他圖形，本發(fā)明對此不做 限制。
[0132] 優(yōu)選地，正方形的邊長為3mm-8mm，圓形的直徑為3mm-8mm。優(yōu)選地，正方形的邊長 為5mm，圓形的直徑為5mm。測試基板和參比基板尺寸太大不利于同時制作多組測試基板和 參比基板，尺寸太小的話不利于扎針測試。
[0133] 當然，本發(fā)明實施例的測試基板10還可W是實際生產(chǎn)中的產(chǎn)品，在生產(chǎn)時，制作尺 寸相當?shù)臏y試基板，對產(chǎn)品的倒角進行檢測，從而解決陣列基板工藝中對過孔倒角不良的 檢查和攔截。
[0134] W上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種倒角檢測方法，其特征在于，所述方法包括： 制作測試基板和參比基板，所述測試基板和所述參比基板中每個基板包括:襯底基板， 設(shè)置在所述襯底基板上的絕緣層，以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層;其中，所述測試基板 的絕緣層上形成有鏤空的圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層設(shè)置在所述鏤空的圖形上，所述參 比基板的絕緣層上未形成有圖形，所述測試基板的導(dǎo)電層和所述參比基板的導(dǎo)電層的外輪 廓形狀大小相同； 分別測試所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻； 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻，確定所述測試基板中的圖形是 否存在倒角。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測試所述測試基板的面電阻，包括： 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在所述測試基板的導(dǎo)電層上，所述四根探針中位 于兩側(cè)的兩根探針連接電源，所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間設(shè)置有至少一個所 述圖形； 采用所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量所述位于兩側(cè)的兩根探針、所述測試基 板的導(dǎo)電層和電源所構(gòu)成的回路的電流11; 測量所述四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U1; 根據(jù)所述電流II和電壓U1計算所述測試基板的面電阻； 測試所述參比基板的面電阻，包括： 將四根探針沿同一直線均勻間隔設(shè)置在所述參比基板的導(dǎo)電層上，所述四根探針中位 于兩側(cè)的兩根探針連接電源； 采用所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針測量所述位于兩側(cè)的兩根探針、所述參比基 板的導(dǎo)電層和電源所構(gòu)成的回路的電流10; 測量所述四根探針中位于中間的兩根探針之間的電壓U0; 根據(jù)所述電流10和電壓U0計算所述參比基板的面電阻。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖形包括過孔或?qū)⑺鼋^緣層分隔的 凹槽。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻，確定所述測試基板中的圖形是否存在倒角，包括： 比較所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻的大小，當所述測試基板的面電 阻和所述參比基板的面電阻的差值大于或等于設(shè)定值時，確定所述測試基板存在倒角。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當所述圖形為過孔時，所述方法還包括： 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)量，包括： 根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參比基板的面電阻，計算所述測試基板上電流在所 述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離； 根據(jù)所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離計 算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試基板的面電阻和所述參 比基板的面電阻，計算所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng) 過的距離，包括： 根據(jù)以下公式計算所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間 經(jīng)過的距離：其中，R0為所述參比基板的面電阻，R1為所述測試基板的面電阻，p為所述導(dǎo)電層的電 阻率，t為所述導(dǎo)電層的厚度，L0為所述參比基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根 探針之間經(jīng)過的距離，L1為所述測試基板上電流在所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之 間經(jīng)過的距離，W為所述導(dǎo)電層在垂直于所述四根探針所在直線方向上的寬度。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測試基板上電流在所述四根 探針中位于兩側(cè)的兩根探針之間經(jīng)過的距離的大小計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)，包括： 當所述過孔為圓形時，采用以下公式計算出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)：其中，η為所述出現(xiàn)倒角的過孔數(shù)，r為所述過孔的半徑，π為圓周率。9. 根據(jù)權(quán)利要求5至8任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 采用以下公式計算所述測試基板的倒角發(fā)生率： P = n/N，P為所述測試基板的倒角發(fā)生率，N為所述四根探針中位于兩側(cè)的兩根探針之 間設(shè)置的過孔數(shù)量。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括： 通過多組所述測試基板和參比基板，分別計算出多個倒角發(fā)生率； 計算所述多個倒角發(fā)生率的平均值。11. 根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的方法，其特征在于，所述測試基板和所述參比基板 的外輪廓為正方形或圓形。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述正方形的邊長為3mm-8mm，所述圓形 的直徑為。13. 根據(jù)權(quán)利要求2至8任一項所述的方法，其特征在于，所述四根探針中任意相鄰的兩 根探針的間隔為0.5-1.5mm。14. 根據(jù)權(quán)利要求2至8任一項所述的方法，其特征在于，所述電壓為10mV-1000mV。15. 根據(jù)權(quán)利要求3至8任一項所述的方法，其特征在于，所述過孔的半徑為5-10μπι，相 鄰的過孔間隔為10-20μηι;所述凹槽的寬度為5-1 Ομπι，相鄰的凹槽間隔為10-20μηι。
【文檔編號】H01L21/66GK105870035SQ201610391105
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月3日
【發(fā)明人】徐德智, 李紀龍, 李 瑞, 陳程, 段獻學(xué)
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司