柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種防止柔性透明基底內(nèi)的水分、氣體逸出，保證透明導(dǎo)電薄膜使用性能和使用壽命的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，它是在柔性基底一側(cè)的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜層，在SiO2薄膜層上具有透明導(dǎo)電層。由于SiO2薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，對水分與氣體的外泄起到了阻隔的作用，減緩或阻止了柔性透明基底內(nèi)含水分與氣體的逸出，有效降低了水分與氣體對表面透明導(dǎo)電層的腐蝕作用，保證了透明導(dǎo)電薄膜的使用壽命和使用性能。同時由于該致密的SiO2薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，提高了沉積薄膜的附著性能。
【專利說明】
柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種柔性透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]柔性透明導(dǎo)電薄膜由于其特有的柔性、輕薄、高透射率等特性，廣泛應(yīng)用于柔性顯示、薄膜太陽能電池、智能窗膜、觸摸屏等領(lǐng)域。
[0003]柔性透明導(dǎo)電薄膜一般包括柔性透明基底和通過磁控濺射附著在柔性透明基底上的透明導(dǎo)電層。由于柔性透明基底內(nèi)不可避免地存在一定數(shù)量的水分、氣體。在透明導(dǎo)電層在的磁控濺射沉積鍍膜過程中，柔性透明基底內(nèi)的水分、氣體由于高真空的作用不斷揮發(fā)出來，從而對透明導(dǎo)電層的沉積過程、沉積質(zhì)量產(chǎn)生影響。另外，在柔性透明導(dǎo)電薄膜使用過程中，隨著時間的推移，柔性透明基底內(nèi)仍殘留的水分、氣體也將逐漸逸出來，對表面透明導(dǎo)電層起到腐蝕作用，輕者使導(dǎo)電層性能發(fā)生變化。重者，影響導(dǎo)電層的附著力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種防止柔性透明基底內(nèi)的水分、氣體逸出，保證透明導(dǎo)電薄膜使用性能和使用壽命的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜。
[0005]本發(fā)明的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，是在柔性基底一側(cè)的凹凸不平的表面上具有S12薄膜層，在S12薄膜層上具有透明導(dǎo)電層。
[0006]本透明導(dǎo)電薄膜的有益效果:該S12薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，對水分與氣體的外泄起到了阻隔的作用，減緩或阻止了柔性透明基底內(nèi)含水分與氣體的逸出，有效降低了水分與氣體對表面透明導(dǎo)電層的腐蝕作用，保證了透明導(dǎo)電薄膜的使用壽命和使用性能。由于該致密的S12薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，提高了沉積薄膜的附著性能。
[0007]上述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，柔性基底凹凸不平表面的凹處最深為0.8-1.2nm0
[0008]上述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，柔性基底為PET層，透明導(dǎo)電層為AZO層。
[0009]本發(fā)明同時提供了一種柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，該方法制備的透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電層沉積的質(zhì)量較高，形成薄膜厚度一致性較好，同時能夠保證透明導(dǎo)電薄膜使用性能和使用壽命。
[0010]本發(fā)明所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，是對柔性基底的一側(cè)表面進(jìn)行輝光放電處理，使得柔性基底一側(cè)表面形成凹凸不平狀;通過反應(yīng)磁控濺射將Si材料在凹凸不平的柔性基底一側(cè)表面形成S12薄膜層;將透明導(dǎo)材料通過磁控濺射在S12薄膜層上。
[0011]本制備方法的有益效果:由于在濺射導(dǎo)電層時，柔性基底上已經(jīng)附著了S12薄膜層，致密的Si02薄膜層起到了阻隔的作用，降低或阻止了柔性透明基底內(nèi)含水分與氣體的外泄，所以能夠提高透明導(dǎo)電層沉積的質(zhì)量，形成薄膜厚度一致性較好。
[0012]上述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，對柔性基底表面進(jìn)行輝光放電處理時，氧氣流量50sccm，氬氣流量350sccm，功率2KW/cm2，真空度達(dá)到4 *10—3torr，處理時間10-20秒。采用輝光放電對柔性基底表面進(jìn)行處理，方法簡單可控，使得柔性基底表面形成0.8-1.2nm深的連續(xù)凹槽。
[0013]上述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，對Si進(jìn)行磁控濺射時，氬氣流量500sccm，磁控濺射功率12.0Kff/cm2，弓丨入的氧氣流量為12sccm，濺射時間10-20秒。
[0014]上述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，對透明導(dǎo)材料磁控濺射時，氧氣流量2sccm，氬氣流量450sccm，磁控濺射功率5.0Kff/cm2。
【附圖說明】
[0015]圖1是柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]參見圖1所示的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，在PET柔性基底I一側(cè)的凹凸不平的表面上具有S12薄膜層2，在S12薄膜層上具有透明導(dǎo)電AZO層3。柔性基底凹凸不平表面的凹處最深約為Inm ο
[0017]該柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法是對PET柔性透明基底材料表面電離輝光處理，形成無數(shù)的微觀凹槽;再將Si材料通過常溫磁控濺射在柔性透明基底材料表面的凹槽及基底表面形成一薄層透明S12,依次將透明導(dǎo)材料(T⑶)常溫磁控濺射在上述形成的透明S12層面上。
[0018]具體處理方法如下:
對PET柔性透明基底材料表面輝光放電離處理，氧氣流量50sccm、氬氣流量350sccm、功率2KW/cm2，真空度達(dá)到4 *10—Horr，處理時間10-20秒;在柔性基底表面形成深約Inm的無數(shù)的微觀凹槽。
[0019]在獨立的磁控濺射艙內(nèi)，以Si靶為陰極，柔性透明基底為陽極，氬氣流量500SCCm、磁控濺射功率12.0Kff/cm2，通過Ar+轟擊Si靶，濺射出的Si向基底運動；同時引入氧氣流量為12sccm，使高速運動的Si原子與氧碰撞結(jié)合，形成短暫高溫的Si02分子撞擊在處理后的柔性透明基底材料表面凹槽內(nèi)，濺射時間10-20秒，并逐漸形成一層致密的S12薄膜。
[0020]在獨立的磁控濺射艙內(nèi)，以AZO靶為陰極，柔性透明基底為陽極，氧氣流量2SCCm、氬氣流量450sccm、磁控濺射功率5.0KW/cm2，通過Ar+轟擊AZO靶，并向基底運動，在S12薄膜層上沉積形成一 20-30nm的透明導(dǎo)電薄膜層。
[0021]本發(fā)明的優(yōu)點:
1、該致密的S12薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，對柔性透明基底內(nèi)含水分與氣體的外泄起到了阻隔的作用。
[0022]2、由于致密的S12薄膜層阻隔的作用，降低或阻止柔性透明基底內(nèi)含水分與氣體的外泄，提高了透明導(dǎo)電層沉積的質(zhì)量，形成薄膜厚度一致性較好。
[0023]3、由于該致密的S12薄膜層與柔性基底的緊密結(jié)合，提高了沉積薄膜的附著性會K。
[0024]4、本發(fā)明改變了柔性透明基底表面形貌、材料成分，提高了表面透明導(dǎo)電層質(zhì)量，延長了使用壽命。
【主權(quán)項】
1.柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:在柔性基底一側(cè)的凹凸不平的表面上具有S12薄膜層，在S12薄膜層上具有透明導(dǎo)電層。2.如權(quán)利要求1所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:柔性基底凹凸不平表面的凹處最深為0.8-1.2nm ο3.如權(quán)利要求1所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜，其特征是:柔性基底為PET層，透明導(dǎo)電層為AZO層。4.權(quán)利要求1所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是:對柔性基底的一側(cè)表面進(jìn)行輝光放電處理，使得柔性基底一側(cè)表面形成凹凸不平狀;通過反應(yīng)磁控濺射將Si材料在凹凸不平的柔性基底一側(cè)表面形成S12薄膜層;將透明導(dǎo)材料通過磁控濺射在S12薄膜層上。5.如權(quán)利要求4所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是:對柔性基底表面進(jìn)行輝光放電處理時，氧氣流量50sccm，氬氣流量350sccm，功率2KW/cm2，真空度達(dá)到4 *10—3torr，處理時間10-20秒。6.如權(quán)利要求4所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是:對Si進(jìn)行磁控濺射時，氬氣流量500SCCm，磁控濺射功率12.0Kff/cm2，引入的氧氣流量為12sCCm，濺射時間10-20秒。7.如權(quán)利要求4所述的柔性基底界面改性的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征是:對透明導(dǎo)材料磁控濺射時，氧氣流量2SCCm，氬氣流量450sCCm，磁控濺射功率5.0Kff/cm2。
【文檔編號】H01B5/14GK105869721SQ201610383592
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月2日
【發(fā)明人】王魯南, 朱麗萍, 葉志鎮(zhèn), 李鍾允, 樸勝, 樸勝一, 全武賢, 樸翰鎮(zhèn), 王建華, 竇立峰
【申請人】南京匯金錦元光電材料有限公司