基板液處理裝置、基板液處理方法以及基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板液處理裝置、基板液處理方法以及基板處理裝置。不阻礙在對基板進行液處理時產(chǎn)生的氣流而能夠良好地對基板進行液處理。在本發(fā)明中，具有：基板旋轉(zhuǎn)保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋轉(zhuǎn)；處理液供給部(1014)，其向由基板旋轉(zhuǎn)保持部保持著的基板的下表面供給處理液，基板旋轉(zhuǎn)保持部具有：底板(1025)，其以與基板隔開間隔地配置在基板的下方；罩體(1026)，其由底板支承，配置于基板的外周外側(cè)；排出口(1043)，其形成于底板和罩體之間，用于將在基板的下方產(chǎn)生的氣流排出，底板和罩體之間的支承部分(1037)相對于底板的上表面向外側(cè)突并與罩體連接。
【專利說明】
基板液處理裝置、基板液處理方法以及基板處理裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及利用處理液對基板的下表面進行液處理的基板液處理裝置、基板液處理方法以及基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]以往，在制造半導體零部件、平板顯示器等的情況下，使用基板液處理裝置并利用各種處理液對半導體晶圓、液晶基板等基板實施液處理。
[0003]在基板液處理裝置中，存在有在對基板的表面(主面:電路形成面)進行清潔、成膜、蝕刻等處理的同時、對基板的背面也進行清潔等處理的情況。在該情況下，以使基板的背面朝下的狀態(tài)保持基板，通過向基板的背面(下表面)供給處理液，利用處理液對基板的下表面進行液處理。
[0004]在對該基板的下表面進行液處理的基板液處理裝置中，在基板的下方配置圓板狀的底板，從底板的中央朝向上方的基板的下表面噴出處理液。在底板的周圍設有圓環(huán)狀的罩體。罩體被在底板的外周部沿著圓周方向隔開間隔地配置的多個支柱支承。在底板和罩體之間沿著底板的外周形成有用于排出處理液的狹縫狀的排液口。
[0005]并且，在基板液處理裝置中，通過使底板旋轉(zhuǎn)，在一邊保持基板一邊使基板旋轉(zhuǎn)的同時，朝向旋轉(zhuǎn)的基板的下表面供給處理液，由此對基板的下表面進行液處理，將該液處理后的處理液從排液口排出。
[0006]另外，以往，公知有對半導體晶圓、玻璃基板這樣的基板供給預定的處理液來進行清潔處理等基板處理的基板處理裝置。
[0007]作為基板處理裝置，例如存在如下基板處理裝置，該基板處理裝置具有:以能夠旋轉(zhuǎn)的方式設置并從下方支承基板的支承部；向由支承部支承著的基板的下表面供給處理液的處理液供給部，一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊利用處理液對基板的下表面進行處理(例如，參照專利文獻I)。
[0008]該基板處理裝置的支承部具有與基板的周緣下表面接觸來支承基板的支承銷和在基板的周緣外側(cè)整周地圍繞基板的周緣部的圍繞構(gòu)件。圍繞構(gòu)件是承液部，起到為了將使用于基板處理的處理液排出而進行引導的作用。
[0009]現(xiàn)有技術文獻
[0010]專利文獻
[0011]專利文獻1:日本特開2011 — 243627號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明要解決的問題
[0013]在上述以往的基板液處理裝置中，在利用處理液對基板進行液處理時，在基板的外周外側(cè)，在產(chǎn)生由基板的旋轉(zhuǎn)形成的回旋狀氣流的同時，產(chǎn)生由處理液向排液口流動形成的液流。
[0014]并且，在上述以往的基板液處理裝置中，在底板上用于支承罩體的多個支柱設于基板的外周外側(cè)，因此，在基板的外周外側(cè)氣流、液流與支柱發(fā)生碰撞。
[0015]若氣流與支柱發(fā)生碰撞，則氣流紊亂而使流速分布變得不均勻。與此相伴，在基板的外周端緣部處基板的溫度局部降低(溫度分布變得不均勻)。其結(jié)果，有可能無法利用處理液對基板的外周端緣部均勻地進行液處理。
[0016]用于解決問題的方案
[0017]因此，在本發(fā)明中，基板液處理裝置具有:基板旋轉(zhuǎn)保持部，其用于保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn);處理液供給部，其用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)保持部保持著的基板供給處理液，所述基板旋轉(zhuǎn)保持部具有:底板，其與所述基板隔開間隔地配置于所述基板的下方;罩體，其利用支承部分支承于所述底板，配置于所述基板的外周外側(cè);排出口，其形成于所述底板和罩體之間，用于將在所述基板的下方產(chǎn)生的氣流排出，所述底板和所述罩體之間的支承部分相對于所述底板的上表面向外側(cè)突出并與所述罩體連接。
[0018]另外，將所述底板和所述罩體之間的支承部分形成于比所述基板的下表面靠下方的位置。
[0019]另外，將所述底板和所述罩體之間的支承部分的上端面形成得與所述底板的上表面平齊。
[0020]另外，所述處理液供給部向所述基板的下表面供給處理液，所述排出口將從所述處理液供給部供給來的處理液排出。
[0021]另外，將所述底板和所述罩體之間的支承部分形成于基板保持體之間，該基板保持體沿著所述基板的外周隔開間隔地設置有多個，用于支承所述基板。
[0022]另外，將所述底板和所述罩體之間的支承部分和所述基板保持體沿著所述基板的外周等間隔地形成。
[0023]另外，具有多個支承構(gòu)件，該多個支承構(gòu)件設于所述底板的上表面，用于支承所述基板。
[0024]另外，所述多個支承構(gòu)件包括由具有導電性的樹脂形成的第I支承構(gòu)件，在所述底板的內(nèi)部配置有與所述第I支承構(gòu)件接觸的導電性構(gòu)件，所述基板經(jīng)由所述第I支承構(gòu)件和所述導電性構(gòu)件被電導通。
[0025]另外，所述多個支承構(gòu)件包括由導電性比所述第I支承構(gòu)件的導電性低的樹脂形成的第2支承構(gòu)件。
[0026]另外，所述第I支承構(gòu)件的個數(shù)比所述第2支承構(gòu)件的個數(shù)少。
[0027]另外，所述支承構(gòu)件能夠從所述底板的上表面?zhèn)妊b卸。
[0028]另外，在所述罩體上形成有從所述罩體向下方延伸的突起部，所述突起部沿著所述基板的外周形成有多個，延伸到比所述基板的上表面低的位置。
[0029]另外，在本發(fā)明中，一種基板液處理方法，利用基板旋轉(zhuǎn)保持部保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn)，從處理液供給部向所述基板供給處理液而利用處理液對所述基板進行液處理，在進行所述液處理時，利用支承部分預先將底板和罩體連接起來，該底板與設于所述基板旋轉(zhuǎn)保持部的所述基板隔開間隔地配置于所述基板的下方，該罩體配置于所述基板的外周外側(cè)，從形成于所述底板和所述罩體之間的排出口將在所述基板的下方產(chǎn)生的氣流排出。
[0030]發(fā)明的效果
[0031]在本發(fā)明的情況下，能夠不妨礙在基板的液處理時在基板的外周外側(cè)產(chǎn)生的氣流而良好地對基板進行液處理。
【附圖說明】
[0032]圖1是表不基板處理系統(tǒng)的俯視圖。
[0033]圖2是表示基板液處理裝置的側(cè)視圖。
[0034]圖3是基板液處理裝置的俯視圖。
[0035]圖4是基板液處理裝置的放大側(cè)視圖。
[0036]圖5是基板液處理裝置的放大俯視圖。
[0037]圖6是表示實施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。
[0038]圖7是表示處理單元的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
[0039]圖8A是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的立體圖。
[0040]圖8B是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的B向視概略剖視圖。
[0041 ]圖8C是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的俯視圖。
[0042 ]圖8D是圖8C所示的C 一 C ’線概略剖視圖。
[0043]圖SE是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的導電路徑的說明圖。
[0044]圖8F是表示支承銷和卡合部之間的配置關系的俯視示意圖。
[0045]圖SG是表示支承銷和卡合部之間的配置關系的立體圖。
[0046]附圖標記說明
[0047]1001、基板液處理裝置；1002、基板處理系統(tǒng)；1004、基板；1013、基板旋轉(zhuǎn)保持部；1014、處理液供給部；1025、底板；1026、罩體；1033、基板保持體；1037、支承部分；1043、排出口； 2001、基板處理系統(tǒng);2002、輸入輸出站;2003、處理站;2004、控制裝置;2016、處理單元；2061、底板;206 Ib、支承銷;2061 f、導電性構(gòu)件;2070、旋轉(zhuǎn)環(huán);2100、處理液供給部;EX、排出口； W、晶圓。
【具體實施方式】
[0048]以下，參照附圖對本發(fā)明的基板液處理裝置以及基板液處理方法的具體構(gòu)成進行說明。
[0049]另外，以下，為了方便說明，對于由多個部分構(gòu)成的構(gòu)成要素，有時僅對多個部分中的一部分標注附圖標記，而對該一部分以外的其他部分省略標注附圖標記。
[0050][第I實施方式]
[0051]如圖1所示，搭載有本發(fā)明的基板液處理裝置1001的基板處理系統(tǒng)1002在前端部具有輸入輸出單元1003。收容有多張(例如25張)基板1004(在此為半導體晶圓)的承載件1005相對于輸入輸出單元1003輸入以及輸出，承載件1005沿著左右方向排列載置。
[0052]另外，基板處理系統(tǒng)1002在輸入輸出單元1003的后部具有輸送單元1006。輸送單元1006在前側(cè)配置有基板輸送裝置1007，并在后側(cè)配置有基板交接臺1008。在該輸送單元1006中，使用基板輸送裝置1007在載置于輸入輸出單元1003的任一個承載件1005和基板交接臺1008之間輸送基板1004。
[0053]而且，基板處理系統(tǒng)1002在輸送單元1006的后部具有處理單元1009。處理單元1009在中央配置有沿著前后方向延伸的基板輸送裝置1010，并且隔著基板輸送裝置1010而在兩側(cè)分別沿著前后方向排列配置有對基板1004的表面(主面:電路形成面)進行液處理的多個(在此為6個)基板液處理裝置1011和對基板1004的背面進行液處理的多個(在此為6個)基板液處理裝置1001。在該處理單元1009中，使用基板輸送裝置1010在基板交接臺1008和基板液處理裝置1001、1011之間輸送基板1004，使用各基板液處理裝置1001、1011對基板1004進行液處理。另外，對基板1004的表面進行液處理的基板液處理裝置1011的具體的構(gòu)成能夠利用公知的裝置，因此省略說明。
[0054]對基板1004的背面進行液處理的基板液處理裝置1001是本發(fā)明的主要部分，以下對具體的構(gòu)成進行說明。
[0055]如圖2以及圖3所示，基板液處理裝置1001在腔室1012中具有用于在保持著基板1004的狀態(tài)下使基板1004旋轉(zhuǎn)的基板旋轉(zhuǎn)保持部1013和用于向基板1004的背面(下表面)供給處理液的處理液供給部1014。
[0056]腔室1012在上部形成有用于輸入或輸出基板1004的開口 1015。另外，腔室1012在內(nèi)部形成有圓環(huán)狀的分隔壁1016。在分隔壁1016的外側(cè)連接有排出處理液的排液管道1017，在分隔壁1016的內(nèi)側(cè)連接有用于排出空氣的排氣管道1018。
[0057]基板旋轉(zhuǎn)保持部1013在腔室1012的中央部以轉(zhuǎn)動自由的方式設有上下延伸的圓筒狀的旋轉(zhuǎn)軸1019。在旋轉(zhuǎn)軸1019上連接有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)1020。該旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)1020由控制部1021驅(qū)動控制。
[0058]另外，基板旋轉(zhuǎn)保持部1013在旋轉(zhuǎn)軸1019的中空部以升降自由的方式設有沿著上下方向延伸的升降體1022。在升降體1022的上端面，沿著圓周方向隔開等間隔地形成有用于從下方支承基板1004的3個支承體1023。升降體1022與升降驅(qū)動機構(gòu)1024連接。該升降驅(qū)動機構(gòu)1024由控制部1021升降控制。
[0059]而且，基板旋轉(zhuǎn)保持部1013在旋轉(zhuǎn)軸1019的上端部安裝有圓板狀的底板1025，并且在底板1025安裝有圓環(huán)狀的罩體1026。
[0060]底板1025在與升降體1022的上端面平齊的水平面上形成有上端面1027。另外，底板1025在外周端緣形成有朝向下方擴徑的傾斜狀(圓錐狀)的外周面1028。該底板1025配置為，在由基板旋轉(zhuǎn)保持部1013保持著基板1004的狀態(tài)下在基板1004的下方側(cè)與基板1004的下表面隔開間隔。另外，底板1025使上端面1027比基板1004擴大(形成為大徑)，在基板1004的外周外側(cè)的下側(cè)形成有圓環(huán)狀的上端面緣部1029。
[0061 ] 罩體1026在上部形成有圓環(huán)狀的頂壁1030。頂壁1030覆蓋底板1025的上端面緣部1029的上方。在頂壁1030的下表面和底板1025的上端面緣部1029之間，形成有沿著上下方向具有恒定的間隔的水平流路1031(參照圖4)。在頂壁1030的內(nèi)周側(cè)形成有用于輸入或輸出基板1004的開口 1032。另外，在頂壁1030的內(nèi)周側(cè)下部，沿著圓周方向隔開等間隔地形成有12個用于保持基板1004的基板保持體1033?；灞３煮w1033突出到開口 1032的內(nèi)側(cè)，通過從下側(cè)支承基板1004的下表面的外周端緣部來保持基板1004。罩體1026在利用基板保持體1033保持著基板1004的狀態(tài)下配置于基板1004的外周外側(cè)。這樣，罩體1026的頂壁1030位于比基板1004的下表面高的位置。
[0062]另外，罩體1026在頂壁1030的外周部形成有圓環(huán)狀的外周壁1034。外周壁1034在其內(nèi)表面形成有朝向下方擴徑的傾斜狀(圓錐狀)的內(nèi)周面1035。外周壁1034覆蓋底板1025的外周面1028的外側(cè)(上方)。在外周壁1034的內(nèi)周面1035和底板1025的外周面1028之間形成有沿著上下方向具有間隔的傾斜流路1036(參照圖4)。這樣，罩體1026的外周壁1034的下端位于比基板1004的下表面低的位置。
[0063]該罩體1026由底板1025支承。以下對底板1025和罩體1026之間的支承部分1037的構(gòu)造進行說明。
[0064]如圖2?圖5所示，支承部分1037在俯視時在底板1025的外周端緣部沿著圓周方向隔開等間隔形成有12個。各支承部分1037配置于沿著圓周方向以等間隔形成于罩體1026的12個基板保持體1033之間(優(yōu)選的是中間)，支承部分1037的圓周方向上的寬度充分小于兩個支承部分1037之間的圓周方向上的距離(例如I/8)。
[0065]各支承部分1037在底板1025的外周端緣部(上端面緣部1029)形成有朝向半徑方向延伸的支承槽1038，并且在支承槽1038形成有沿著上下方向貫穿的支承孔1039。另外，各支承部分1037在罩體1026的外周壁1034的內(nèi)側(cè)(內(nèi)周面1035)形成有朝向半徑方向延伸的支承片1040，并且，在支承片1040的頂端部形成有沿著上下方向延伸的支承突起1041。底板1025的支承槽1038和罩體1026的支承片1040成為大致相同的寬度。底板1025的支承孔1039和罩體1026的支承突起1041成為大致相同的直徑。各支承部分1037通過將罩體1026的支承片1040以及支承突起1041嵌入底板1025的支承槽1038以及支承孔1039而利用底板1025將罩體1026支承為裝卸自由。罩體1026的支承突起1041使用環(huán)狀的緊固構(gòu)件1042緊固在底板1025的支承孔1039的下部。在利用底板1025支承著罩體1026的狀態(tài)下，在底板1025的上端面1027的外周端緣部(上端面緣部1029)和罩體1026的外周壁1034的內(nèi)周面1035的上端部之間形成有圓弧形狹縫狀的排出口 1043。在該排出口 1043處，形成于底板1025和罩體1026之間的水平流路1031和傾斜流路1036連通。
[0066]在底板1025和罩體1026之間的支承部分1037以上端面(支承片1040的上表面)位于比罩體1026的內(nèi)側(cè)上端面(頂壁1030的下表面)靠下側(cè)的位置的方式形成。由此，在支承部分1037和罩體1026的內(nèi)側(cè)上端面(頂壁1030的下表面)之間形成有沿著上下方向具有恒定的間隔的間隙1044。該間隙1044與形成于底板1025和罩體1026之間的水平流路1031以及傾斜流路1036連通。如后所述那樣從處理液供給部1014供給來的處理液、空氣向該間隙1044流動。
[0067]處理液供給部1014在升降體1022的上端面中央形成有噴出口 1045，并且，在升降體1022的中心軸線上形成有沿著上下方向延伸的噴出流路1046。處理液供給機構(gòu)1047經(jīng)由噴出流路1046與噴出口 1045連接。處理液供給機構(gòu)1047由控制部1021進行流量控制。
[0068]控制部1021不僅控制基板液處理裝置1001，還控制基板處理系統(tǒng)1002的各部的動作。該控制部1021例如是計算機，具有計算機可讀取的存儲介質(zhì)1048。在存儲介質(zhì)1048存儲有對可在基板處理系統(tǒng)1002中執(zhí)行的各種處理進行控制的程序?？刂撇?021通過讀出被存儲于存儲介質(zhì)1048的程序并執(zhí)行，來控制基板處理系統(tǒng)1002的動作。另外，程序是存儲于由計算機可讀取的存儲介質(zhì)1048的程序，也可以是從其他存儲介質(zhì)安裝于控制部1021的存儲介質(zhì)1048的程序。作為由計算機可讀取的存儲介質(zhì)1048，例如存在硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(CD)、磁光盤(MO)、存儲卡等。
[0069]具有基板液處理裝置1001的基板處理系統(tǒng)1002如以上說明那樣構(gòu)成，通過利用控制部1021對各部的動作進行控制，對基板1004進行處理。
[0070]于在基板液處理裝置1001中利用清潔液等處理液對基板1004的背面進行液處理的情況下，按照存儲于存儲介質(zhì)1048的基板液處理程序利用控制部1021如以下說明那樣控制基板液處理裝置1001等。
[0071]首先，控制部1021使基板1004輸入基板液處理裝置1001(基板輸入工序)。在該基板輸入工序中，利用升降驅(qū)動機構(gòu)1024使升降體1022上升，利用基板輸送裝置1010使基板1004以基板1004的背面朝向下側(cè)的狀態(tài)從上方載置于升降體1022的支承體1023的上部。之后，利用升降驅(qū)動機構(gòu)1024使升降體1022下降，使基板1004從上方載置于基板保持體1033的上部。由此，基板1004被基板旋轉(zhuǎn)保持部1013(基板保持體1033)以基板1004的背面朝向下側(cè)的狀態(tài)保持。
[0072]接著，控制部1021利用處理液對基板1004的下表面(背面)進行液處理(基板液處理工序)O在該基板液處理工序中，通過利用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)1020使旋轉(zhuǎn)軸1019以預定轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，使底板1025以及罩體1026旋轉(zhuǎn)。由此，使基板1004與底板1025以及罩體1026—同旋轉(zhuǎn)。之后，利用處理液供給機構(gòu)1047使預定溫度.預定濃度.預定流量的處理液從噴出口 1045朝向基板1004的下表面中央部噴出。噴出到基板1004的下表面中央部的處理液由于基板1004的旋轉(zhuǎn)而沿著基板1004的下表面朝向基板1004的外周外側(cè)流動。由此，利用處理液對基板1004的下表面進行液處理。在經(jīng)過預定時間后使處理液的噴出以及基板1004的旋轉(zhuǎn)停止。
[0073]接著，控制部1021使基板1004從基板液處理裝置1001輸出(基板輸出工序)。在該基板輸出工序中，利用升降驅(qū)動機構(gòu)1024使升降體1022上升，利用支承體1023的上部從下方支承基板1004的下表面，并且使基板1004上升。之后，利用基板輸送裝置1010使基板1004輸出。
[0074]能夠如以上說明那樣利用基板液處理裝置1001對基板1004進行液處理。此時，在基板液處理工序中，由于基板1004的旋轉(zhuǎn)，基板1004的周圍的空氣(氣氛氣體)流動，在基板1004的外周外側(cè)產(chǎn)生沿著圓周方向流動的氣流(在圖4以及圖5中以空心箭頭表示。)。該氣流在水平流路1031中朝向基板1004的圓周方向流動，經(jīng)由排出口 1043向傾斜流路1036流動。另外，氣流從分隔壁1016的內(nèi)側(cè)向排氣管道1018流動。在該氣流在水平流路1031中流動時，在底板1025和罩體1026之間的支承部分1037的上方(支承部分1037和罩體1026的內(nèi)側(cè)上端面(頂壁1030的下表面)之間)形成有間隙1044，因此，能夠不使氣流與支承部分1037碰撞而流向間隙1044。由此，能夠?qū)饬鞯牧魉俜植急３譃榫鶆虻臓顟B(tài)，也能夠?qū)⒒?004的下表面的溫度分布保持為均勻的狀態(tài)。其結(jié)果，能夠利用處理液均勻地對基板1004的下表面進行液處理。
[0075]另外，在基板液處理工序中，由于處理液的供給以及基板1004的旋轉(zhuǎn)，處理液流動，產(chǎn)生朝向基板1004的外周外側(cè)流動的液流(在圖4以及圖5中以黑箭頭表示。)。該液流在水平流路1031中朝向基板1004的圓周方向流動，經(jīng)由排出口 1043向傾斜流路1036流動。另外，液流從分隔壁1016的外側(cè)向排液管道1017流動。該液流在水平流路1 31中流動時，在底板1025和罩體1026之間的支承部分1037的上方(支承部分1037和罩體1026的內(nèi)側(cè)上端面(頂壁1030的下表面)之間)形成有間隙1044，能夠防止液流通過與支承部分1037碰撞而產(chǎn)生的處理液的飛散，能夠防止由于處理液的飛散而產(chǎn)生的水印的發(fā)生、顆粒的殘留。其結(jié)果，能夠利用處理液良好地對基板1004的下表面進行液處理。
[0076]為了利用間隙1044使氣流、液流更順利地流動，期望的是將支承部分1037的上端面(支承片1040的上表面)形成于比基板1004的下表面靠下方的位置，最優(yōu)選的是將支承部分1037的上端面(支承片1040的上表面)形成得與底板1025的上表面(上端面1027)相同的面上，另外，優(yōu)選的是使支承部分1037相對于底板1025的上表面(上端面1027)向外側(cè)突出而與罩體1026連接。另外，為了在基板1004的外周外側(cè)使氣流、液流均勻地流動，優(yōu)選的是使支承部分1037沿著基板1004的外周等間隔地形成，最優(yōu)選的是在沿著基板1004的外周等間隔地設置的基板保持體1033之間形成支承部分1037。
[0077]如以上說明那樣，在上述基板液處理裝置1001(基板液處理方法)中，在底板1025和罩體1026之間的支承部分1037與罩體1026的內(nèi)側(cè)上端面之間形成有間隙1044，因此，能夠使在基板1004的處理時產(chǎn)生的氣流、液流向間隙1044流動，能夠防止氣流、液流與支承部分1 37碰撞。由此，在上述基板液處理裝置1001(基板液處理方法)中，不阻礙在基板1004的處理時在基板1004的外周外側(cè)產(chǎn)生的氣流、液流而能夠良好地對基板1004進行液處理。另外，在本實施方式中，通過對基板的下表面進行液供給而進行了基板液處理工序，但在對上表面以及下表面或者僅對上表面進行液供給的情況下也能夠應用本發(fā)明。在僅對基板的上表面進行液供給的情況下，不在基板的下表面產(chǎn)生液流，但與上述實施方式同樣地產(chǎn)生氣流，由于溫度降低也對基板的上表面造成影響。因而，通過設為與上述實施方式同樣的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑾卤砻娴臍饬鞯牧魉俜植急３衷诰鶆虻臓顟B(tài)而緩和對上表面的影響，也能夠?qū)⒒宓纳媳砻娴臏囟确植急３衷诰鶆虻臓顟B(tài)。
[0078][第2實施方式]
[0079]在上述的專利文獻1:日本特開2011— 243627號公報的基板處理裝置中，盡管支承銷和圍繞構(gòu)件彼此應該清掃、更換等的條件不同，支承銷和圍繞構(gòu)件也一體地形成，因此，裝置的維護性還存在進一步改善的余地。
[0080]實施方式的一技術方案的目的在于提供一種提高了裝置的維護性的基板處理裝置。
[0081]圖6是表示本實施方式的基板處理系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)的圖。以下，為了明確位置關系，規(guī)定彼此正交的X軸、Y軸以及Z軸，將Z軸正方向設為鉛垂朝上方向。
[0082]如圖6所示，基板處理系統(tǒng)2001具有輸入輸出站2002和處理站2003。輸入輸出站2002和處理站2003鄰接地設置。
[0083]輸入輸出站2002具有承載件載置部2011和輸送部2012。多個承載件C可載置于承載件載置部2011，多個承載件C能以水平狀態(tài)收容多張基板、本實施方式為半導體晶圓(以下稱為晶圓W)。
[0084]輸送部2012與承載件載置部2011鄰接地設置，在輸送部2012的內(nèi)部設置有基板輸送裝置2013和交接部2014?；遢斔脱b置2013具有用于保持晶圓W的晶圓保持機構(gòu)。另外，基板輸送裝置2013能夠沿著水平方向和鉛垂方向移動以及以鉛垂軸線為中心進行回轉(zhuǎn)，利用晶圓保持機構(gòu)在承載件C和交接部2014之間進行晶圓W的輸送。
[0085]處理站2003與輸送部2012鄰接地設置。處理站2003具有輸送部2015和多個處理單元2016。多個處理單元2016排列設置于輸送部2015的兩側(cè)。
[0086]輸送部2015在內(nèi)部具有基板輸送裝置2017?；遢斔脱b置2017具有用于保持晶圓W的晶圓保持機構(gòu)。另外，基板輸送裝置2017能夠沿著水平方向和鉛垂方向移動以及以鉛垂軸線為中心進行回轉(zhuǎn)，利用晶圓保持機構(gòu)在交接部2014和處理單元2016之間進行晶圓W的輸送。
[0087]處理單元2016對利用基板輸送裝置2017輸送的晶圓W進行預定的基板處理。
[0088]另外，基板處理系統(tǒng)2001具有控制裝置2004?？刂蒲b置2004例如是計算機，具有控制部2018和存儲部2019。在存儲部2019中存儲對在基板處理系統(tǒng)2001中執(zhí)行的各種處理進行控制的程序?？刂撇?018通過讀出被存儲于存儲部2019的程序并執(zhí)行，對基板處理系統(tǒng)2001的動作進行控制。
[0089]另外，該程序是記錄在可由計算機讀取的存儲介質(zhì)的程序，也可以是從該存儲介質(zhì)安裝于控制裝置2004的存儲部2019的程序。作為可由計算機讀取的存儲介質(zhì)，例如存在硬盤(HD)、軟盤(FD)、光盤(⑶)、磁光盤(MO)、存儲卡等。
[0090]在如上述那樣構(gòu)成的基板處理系統(tǒng)2001中，首先，輸入輸出站2002的基板輸送裝置2013從載置于承載件載置部2011的承載件C取出晶圓W，將取出來的晶圓W載置于交接部2014。載置于交接部2014的晶圓W被處理站2003的基板輸送裝置2017從交接部2014取出，輸入到處理單元2016。
[0091]在輸入到處理單元2016的晶圓W被處理單元2016處理之后，利用基板輸送裝置2017從處理單元2016輸出，被載置于交接部2014。并且，載置于交接部2014的處理完畢的晶圓W利用基板輸送裝置2013返回到承載件載置部2011的承載件C。
[0092I 接著，參照圖7對處理單元2016的概略結(jié)構(gòu)進行說明。圖7是表示處理單元2016的結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
[0093]如圖7所示，處理單元2016具有回收杯2050、旋轉(zhuǎn)板2060、旋轉(zhuǎn)環(huán)2070、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部2080、基板升降機構(gòu)2090、處理液供給部2100、頂板2110、升降機構(gòu)2120和非活性氣體供給部2130。
[0094]另外，回收杯2050、旋轉(zhuǎn)板2060以及旋轉(zhuǎn)環(huán)2070被收容于省略圖示的腔室。在腔室的頂部設有省略圖示的FFU(風機過濾單元:Fan Filter Unit) C3FFU用于在腔室內(nèi)形成下降流。
[0095]旋轉(zhuǎn)板2060具有底板2061以及旋轉(zhuǎn)軸2062。底板2061水平地設置，在中央具有圓形的凹部2061a。在底板2061的上表面，朝向上方突出地設置有多個支承銷2061b，多個支承銷2061b以使晶圓W從底板2061懸浮的狀態(tài)從下方支承晶圓W。使用圖8A以及之后的附圖隨后論述支承銷2061b的詳細情況。
[0096]旋轉(zhuǎn)軸2062以從底板2061朝向下方延伸的方式設置，具有在中心設有通孔2062a的圓筒狀的形狀。另外，旋轉(zhuǎn)軸2062被軸承環(huán)63軸支承為能夠旋轉(zhuǎn)。
[0097]旋轉(zhuǎn)環(huán)2070配置于被支承于底板2061的晶圓W的外周外側(cè)，以整周地圍繞晶圓W的周緣部的方式設置。另外，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070與底板2061連結(jié)，與旋轉(zhuǎn)板2060成為一體而設置為能夠旋轉(zhuǎn)。
[0098]另外，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070作為承液部發(fā)揮功能，為了排液，將利用后述的處理液供給部2100向晶圓W的背面?zhèn)裙┙o而用于對晶圓W進行處理的處理液導向排液杯2051。
[0099]另外，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070還起到如下作用:防止向晶圓W的背面?zhèn)裙┙o并從旋轉(zhuǎn)的晶圓W向外周側(cè)飛散的處理液反彈而再次返回晶圓W、或者繞到晶圓W的上表面?zhèn)?。使用圖8A以及之后的附圖隨后論述旋轉(zhuǎn)板2060以及旋轉(zhuǎn)環(huán)2070的更具體的結(jié)構(gòu)。
[0100]旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部2080具有帶輪2081、驅(qū)動帶2082和馬達2083。帶輪2081配置于旋轉(zhuǎn)軸2062的下方側(cè)的周緣外側(cè)。驅(qū)動帶2082卷繞于帶輪2081。
[0101]馬達2083的輸出軸與驅(qū)動帶2082連結(jié)，通過向驅(qū)動帶2082傳遞旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力，借助帶輪2081使旋轉(zhuǎn)軸2062旋轉(zhuǎn)。由于該旋轉(zhuǎn)軸2062的旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)板2060以及旋轉(zhuǎn)環(huán)2070—體地旋轉(zhuǎn)。另外，以下，有時將這樣一體地旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)板2 O 6 O以及旋轉(zhuǎn)環(huán)2 O 7 O統(tǒng)稱為“旋轉(zhuǎn)部”。
[0102]基板升降機構(gòu)2090以能夠在底板2061的凹部2061a以及旋轉(zhuǎn)軸2062的通孔2062a內(nèi)升降的方式設置，具有升降銷板2091以及升降軸2092。升降銷板2091在其周緣設有多個、例如5根升降銷209 la。
[0103]升降軸2092從升降銷板2091向下方延伸。在升降銷板2091以及升降軸2092的中心設有處理液供給管2100a。另外，升降軸2092與作動缸機構(gòu)2092a連接，作動缸機構(gòu)2092a用于使升降軸2092升降。由此，可使晶圓W升降而進行晶圓W的相對于旋轉(zhuǎn)板2060的裝載以及卸載。
[0104]處理液供給部2100具有處理液供給管2100a。如前所述那樣，處理液供給管2100a以沿著升降銷板2091以及升降軸2092的內(nèi)部空間延伸的方式設置。
[0105]并且，處理液供給管2100a通過將從處理液配管組2100b的各配管供給過來的處理液引導到晶圓W的背面?zhèn)?，處理液供給部2100向晶圓W的背面?zhèn)裙┙o處理液。另外，處理液供給管2100a與形成于升降銷板2091的上表面的處理液供給口 2091B連通。
[0106]回收杯2050具有排液杯2051、排液管2052、排氣杯2053以及排氣管2054。另外，回收杯2050在上表面設有開口 2055?；厥毡?050主要起到對從由旋轉(zhuǎn)板2060以及旋轉(zhuǎn)環(huán)2070圍成的空間排出的氣體以及液體進行回收的作用。
[0107]排液杯2051接收由旋轉(zhuǎn)環(huán)2070引導來的處理液。排液管2052與排液杯2051的底部連接，將由排液杯2051接收到的處理液經(jīng)由省略圖示的排液配管組的任一個配管排出。[0?08]排氣杯2053以在排液杯2051的外側(cè)或下方與排液杯2051連通的方式設置。在圖7中不出了排氣杯2053以在排液杯2051的周緣內(nèi)側(cè)以及下方與排液杯2051連通的方式設置的例子。
[0109]排氣管2054與排氣杯2053的底部連接，將排氣杯2053內(nèi)的氮氣等氣體經(jīng)由省略圖示的排氣配管組的任一個配管進行排氣。
[0110]頂板2110以能夠升降且在下降了的狀態(tài)下封堵被設于回收杯2050的上表面的開口 2055的方式設置。另外，頂板2110以在封堵被設于回收杯2050的上表面的開口 2055時從上方覆蓋由支承銷2061b支承著的晶圓W的方式設置。
[0111]另外，頂板2110的與由支承銷2061b支承著的晶圓W的周緣部相對的周緣部朝向晶圓W而向下方突出地設置，在頂板2110的周緣部與晶圓W的周緣部之間形成有間隙DI。間隙Dl的大小比由支承銷2061b支承著的晶圓W的中心部和頂板2110之間的距離小。
[0112]升降機構(gòu)2120具有臂2121和升降驅(qū)動部2122。升降驅(qū)動部2122設于回收杯2050的外側(cè)，能夠沿著上下方向移動。臂2121以將頂板2110和升降驅(qū)動部2122連接起來的方式設置。即、升降機構(gòu)2120利用升降驅(qū)動部2122并借助臂2121使頂板2110升降。
[0113]非活性氣體供給部2130具有非活性氣體供給管2131以及非活性氣體供給源2132。非活性氣體供給部2130向晶圓W的上表面?zhèn)裙┙o氮氣、氬氣這樣的非活性氣體。
[0114]非活性氣體供給管2131以在頂板2110以及臂2121的內(nèi)部延伸的方式設置，一端與用于供給非活性氣體的非活性氣體供給源2132連結(jié)。另外，另一端與形成于頂板2110的中心部的非活性氣體供給口 211 Oa連通。
[0115]另外，如圖7所示，優(yōu)選的是，臂2121與頂板2110的上表面的大致中心連接。由此，非活性氣體供給口 21 1a形成于頂板2110的下表面的中心部，因此，能夠?qū)⒎腔钚詺怏w從頂板2110的中心向下方供給，能夠使供給到晶圓W的非活性氣體的流量沿著周向均勻。
[0116]在本實施方式中，與專利文獻I不同，使支承銷2061b與旋轉(zhuǎn)環(huán)2070獨立地形成。由此，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070無需具有作為在晶圓W上產(chǎn)生的電的導電路徑的作用，該材質(zhì)的選擇的范圍變寬。
[0117]以下，使用圖8A?圖SG對本實施方式的旋轉(zhuǎn)部進行說明。首先，圖8A是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的立體圖。另外，圖8B是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的向視B概略剖視圖。另外，圖8B是以圖8A所示的矩形R2剖切而成的概略剖視圖。
[0118]如圖8A所示，實施方式的旋轉(zhuǎn)部具有底板2061和旋轉(zhuǎn)環(huán)2070。在底板2061的上表面沿著底板2061的周向以大致等間隔設有支承銷2061b。
[0119]如已述那樣，支承銷2061b以使其頂端部朝向上方從底板2061突出的方式設置，以使晶圓W從底板2061懸浮的狀態(tài)從下方支承晶圓W。
[0120]另外，如圖8B所示，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070在向視B剖視時與專利文獻I不同，以隔開有空間PS的方式形成有內(nèi)壁，還設有與底板2061卡合的卡合部2070a。
[0121]卡合部2070a形成為能夠與形成于底板2061的卡合孔卡合的形狀，通過使該卡合部2070a嵌合于例如卡合孔，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070與底板2061—體化。另外，卡合的方式不限于嵌合，也可以利用例如緊固構(gòu)件從底板2061的背側(cè)緊固。
[0122]接下來，圖SC是實施方式的旋轉(zhuǎn)部的俯視圖。另外，圖8D是圖SC所示的C一C’線概略剖視圖。
[0123]如圖8C所示，支承銷2061b例如由樹脂形成，設有第I支承銷2061ba和第2支承銷2061bb這兩種。其中，在對第I支承銷2061ba和第2支承銷2061bb進行了比較的情況下，第I支承銷206 Iba由導電性比第2支承銷206 Ibb的導電性高的原材料形成。
[0124]另外，第2支承銷2061bb由對化學試劑的抗性比第I支承銷2061ba的原材料對化學試劑的抗性高的原材料形成。另外，第2支承銷2061bb也可以基于重視耐久性等理由而由不具有導電性的原材料形成。
[0125]如在圖8C中由虛線的封閉曲線圍著的部分所示，第I支承銷2061ba設有例如3個，這些第I支承銷2061ba沿著周向以大致等間隔、即大致120度的間隔配置于底板2061的周緣。
[0126]另外，第2支承銷2061bb在第I支承銷2061ba和第I支承銷2061ba之間沿著周向以大致等間隔例如各3個地設于底板2061的周緣。因而，作為支承銷2061b，以大致30度的間隔配置有共12個。
[0127]如圖8D所示，支承銷2061b(在此是第I支承銷2061ba)以例如朝向上方筆直地延伸的方式形成。
[0128]另外，此時，優(yōu)選的是相對于頂端部的寬度a將本體部的寬度b確保相當量。通過確保該寬度b，在安裝支承銷2061b時，為了能夠利用例如工具等保持頂端部并擰入支承銷2061b，能夠容易施加所需的轉(zhuǎn)矩。
[0129]返回到圖8D的說明。另外，支承銷2061b在底部具有緊固部2061e，通過將支承銷2061b從底板2061的上表面?zhèn)炔迦氡恍纬捎诘装?061的緊固孔2061c，支承銷2061b被緊固于底板2061。
[0130]另外，支承銷2061b如上所述那樣僅通過從底板2061的上表面?zhèn)炔迦刖湍軌虬惭b，因此，能夠在例如不拆卸旋轉(zhuǎn)環(huán)2070這樣的其他構(gòu)件的情況下也容易地進行支承銷2061b的單獨的更換等。
[0131]S卩、由于處理液的影響，第I支承銷2061ba的使用期限先于第2支承銷2061bb的使用期限屆滿，能夠容易地僅更換第I支承銷2061ba。
[0132]另外，如圖8D所示，在底板2061和旋轉(zhuǎn)環(huán)2070之間形成有排出口EX。排出口 EX是用于將在前述的晶圓W的下方產(chǎn)生的氣流、對晶圓W進行了處理后的處理液排出的流路。另外，在旋轉(zhuǎn)環(huán)2070，在旋轉(zhuǎn)環(huán)2070的內(nèi)周附近且在與晶圓W外周相對應的位置形成有從旋轉(zhuǎn)環(huán)2070向下方延伸的突起部2070b。突起部2070b沿著晶圓W外周形成有多個，延伸到比晶圓W的上表面低的位置。由此，防止晶圓W移動到預先確定的范圍之外，防止晶圓W從支承銷2061b落下。若突起部2070b形成于支承銷2061b的上方，則能夠使晶圓W更穩(wěn)定地移動，能夠防止晶圓W從支承銷2061b落下。其原因在于，支承銷2061b上的晶圓W的高度是即使晶圓W具有翹曲等也確定了的高度，因此，即使晶圓W具有翹曲，也不會鉆入突起部2070b的下方，能夠可靠地使晶圓W停止沿著水平方向移動。突起部2070b的橫向?qū)挾?水平方向的長度)形成得比支承銷2061 b的橫向?qū)挾?水平方向的長度)短。由此，能夠防止阻礙基板上的液體的流動以及氣流的流動。出于防止阻礙基板上的液體的流動以及氣流的流動的理由，也更好是突起部2070b的向下方延伸的長度設為直到比支承銷2061b高的位置為止的長度。
[0133]接下來，圖SE是本實施方式的旋轉(zhuǎn)部的導電路徑的說明圖。如圖SE中的箭頭所示，在本實施方式中，在晶圓W載置于旋轉(zhuǎn)部的情況下，在晶圓W上產(chǎn)生的電被從作為導電性原材料的第I支承銷2061ba向底板2061的內(nèi)部導電。
[0134]在底板2061的內(nèi)部設有導電性構(gòu)件2061f，該導電性構(gòu)件2061f與第I支承銷206 Iba接觸。由此，來自第I支承銷206 Iba的電被向?qū)щ娦詷?gòu)件2061 f導電。
[0135]導電性構(gòu)件2061f延伸到旋轉(zhuǎn)軸2062附近，被導到導電性構(gòu)件2061f的電被向旋轉(zhuǎn)軸2062導電。
[0136]S卩、在本實施方式中，形成從第I支承銷2061ba經(jīng)由導電性構(gòu)件2061f的導電路徑，晶圓W被除電。換言之，在本實施方式中，在晶圓W載置于旋轉(zhuǎn)部的情況下，晶圓W經(jīng)由第I支承銷2061ba和導電性構(gòu)件2061f被電導通。
[0137]接下來，圖8F是表示支承銷2061b和卡合部2070a之間的配置關系的俯視示意圖。另外，在圖8F中，支承銷2061b的配置位置用“X”表示，標注有附圖標記P。另外，圖SG是表示支承銷2061b和卡合部2070a之間的配置關系的立體圖。
[0138]如圖8F所示，將底板2061和旋轉(zhuǎn)環(huán)2070連結(jié)起來而使底板2061和旋轉(zhuǎn)環(huán)2070—體化的前述的卡合部2070a沿著旋轉(zhuǎn)環(huán)2070的周向以大致等間隔設有例如6個。另外，卡合部2070a以分別位于支承銷2061b的配置位置P相互之間的方式配置。
[0139]具體而言，如圖8G所示，卡合部2070a以位于例如導電性較高的第I支承銷2061ba和導電性較低(沒有導電性)的第2支承銷2061bb之間的大致中央的方式配置。
[0140]通過這樣在支承銷2061b之間配置卡合部2070a，能夠?qū)⒅С袖N2061b和卡合部2070a之間的配置關系設為在俯視時具有對稱性。因而，能夠使處理液以及前述的氣流沿著底板2061的表面大致均勻擴展而流動。
[0141]另外，卡合部2070a使底板2061和旋轉(zhuǎn)環(huán)2070—體化，因此，不會使處理液以及氣流紊亂。
[0142]S卩、能夠在不產(chǎn)生紊亂的情況下對晶圓W的背面?zhèn)却笾戮鶆虻剡M行處理，有助于提尚晶圓W的處理結(jié)果的品質(zhì)。
[0143]如以上說明那樣，在本實施方式中，在底板2061的上表面設有相對于旋轉(zhuǎn)環(huán)2070獨立的多個支承銷2061b。由此，不拆卸包含旋轉(zhuǎn)環(huán)2070在內(nèi)的其他構(gòu)件，就能夠容易地進行更換等，與多個支承銷2061b同旋轉(zhuǎn)環(huán)2070—體地形成的情況相比較，能夠容易地進行維護。
[0144]另外，即使更換支承銷2061b，也不需要更換旋轉(zhuǎn)環(huán)2070，因此，也能夠抑制維護的成本。另外，旋轉(zhuǎn)環(huán)2070自身也能夠相對于支承銷2061b獨立地進行維護。這樣，采用本實施方式，能夠提高基板處理系統(tǒng)2001的維護性。
[0145]并且，使支承銷2061b的局部具有導電性，利用該支承銷2061b的局部形成了導電路徑。由此，能夠防止晶圓W帶電。另外，無需使旋轉(zhuǎn)環(huán)2070具有導電路徑的作用，因此，能夠增加旋轉(zhuǎn)環(huán)2070的原材料的選擇范圍。
[0146]另外，在上述的實施方式中，列舉了分別設置有12個支承銷2061b、6個卡合部2070a的情況的例子，當然它們的個數(shù)并沒有限定。
[0147]另外，在上述的實施方式中，12個支承銷2061b中的3個是第I支承銷2061ba，但對第I支承銷2061ba的個數(shù)、比率等并沒有限定。第I支承銷2061ba的個數(shù)能夠根據(jù)晶圓W是否被恰當?shù)爻姸m當?shù)卣{(diào)整。
[0148]另外，通過使認為更換次數(shù)相對較多的第I支承銷2061ba的個數(shù)少于第2支承銷2061 bb的個數(shù)，能夠減少旋轉(zhuǎn)部整體中的支承銷2061 b的更換次數(shù)。
[0149]如上所述，采用實施方式的一技術方案能夠提高裝置的維護性。
[0150]進一步的效果、變形例能夠由本領域技術人員容易地導出。因此，本發(fā)明的更大范圍的技術方案并不限定于如以上那樣表述且記述的特定的詳細以及代表性的實施方式。因而，在不脫離由所附的權(quán)利要求書及其等同物所定義的總結(jié)性的發(fā)明的概念的精神或范圍的情況下，能夠進行各種各樣的變更。
【主權(quán)項】
1.一種基板液處理裝置，其特征在于， 該基板液處理裝置具有: 基板旋轉(zhuǎn)保持部，其用于保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn)； 處理液供給部，其用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)保持部保持著的基板供給處理液， 所述基板旋轉(zhuǎn)保持部具有: 底板，其與所述基板隔開間隔地配置于所述基板的下方； 罩體，其利用支承部分支承于所述底板，配置于所述基板的外周外側(cè)； 排出口，其形成于所述底板和罩體之間，用于將在所述基板的下方產(chǎn)生的氣流排出，所述底板和所述罩體之間的支承部分相對于所述底板的上表面向外側(cè)突出并與所述罩體連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液處理裝置，其特征在于， 將所述底板和所述罩體之間的支承部分形成于比所述基板的下表面靠下方的位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述底板和所述罩體之間的支承部分的上端面形成得與所述底板的上表面平齊。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述處理液供給部向所述基板的下表面供給處理液，所述排出口將從所述處理液供給部供給來的處理液排出。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的基板液處理裝置，其特征在于， 所述底板和所述罩體之間的支承部分形成于基板保持體之間，該基板保持體沿著所述基板的外周隔開間隔地設置有多個，用于支承所述基板。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板液處理裝置，其特征在于， 將所述底板與所述罩體之間的支承部分和所述基板保持體沿著所述基板的外周等間隔地形成。7.一種基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置具有權(quán)利要求1所述的基板液處理裝置， 該基板處理裝置具有多個支承構(gòu)件，該多個支承構(gòu)件設于所述底板的上表面，用于支承所述基板。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述多個支承構(gòu)件包括由具有導電性的樹脂形成的第I支承構(gòu)件， 在所述底板的內(nèi)部配置有與所述第I支承構(gòu)件接觸的導電性構(gòu)件， 所述基板經(jīng)由所述第I支承構(gòu)件和所述導電性構(gòu)件被電導通。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述多個支承構(gòu)件包括由導電性比所述第I支承構(gòu)件的導電性低的樹脂形成的第2支承構(gòu)件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第I支承構(gòu)件的個數(shù)比所述第2支承構(gòu)件的個數(shù)少。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述支承構(gòu)件能夠從所述底板的上表面?zhèn)妊b卸。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述罩體上形成有從所述罩體向下方延伸的突起部， 所述突起部沿著所述基板的外周形成有多個，延伸到比所述基板的上表面低的位置。13.一種基板液處理方法，其特征在于， 利用基板旋轉(zhuǎn)保持部保持基板并使該基板旋轉(zhuǎn)，從處理液供給部向所述基板供給處理液而利用處理液對所述基板進行液處理，在進行所述液處理時，利用支承部分預先將底板和罩體連接起來，該底板與設于所述基板旋轉(zhuǎn)保持部的所述基板隔開間隔地配置于所述基板的下方，該罩體配置于所述基板的外周外側(cè)，從形成于所述底板和所述罩體之間的排出口將在所述基板的下方產(chǎn)生的氣流排出。
【文檔編號】H01L21/67GK105845603SQ201610069114
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年2月1日
【發(fā)明人】張健, 天野嘉文, 岡本英郎, 岡本英一郎, 伊藤優(yōu)樹
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社