薄膜晶體管陣列基板及制作方法與液晶顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示的技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，以及具有該薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其輕便、低輻射等優(yōu)點越來越受到人們的歡迎。液晶顯示面板包括對置的薄膜晶體管陣列基板(TFTarray)和彩色濾光片基板(color filter，CF)以及夾置在兩者之間的液晶層(LC layer)。
[0003]人對顯示面板的亮度要求隨著環(huán)境光強度改變而變化，白天環(huán)境光較強時需要顯示面板亮一些，而在晚上或在昏暗的房間內則顯示面板的亮度可以降低一些?，F有技術解決該問題的方法有:(I)、手動調節(jié)顯示面板的亮度；(2)、外置半導體光傳感器檢測環(huán)境光亮度，再根據外置光傳感器的檢測結果調節(jié)顯示面板的亮度。
[0004]然而，手動調整顯示面板亮度，操作不方便，造成用戶體驗差；而通過外置半導體光傳感器進行環(huán)境光亮度檢測，導致成本較高。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，通過在顯示面板中集成設置光探測器檢測環(huán)境光的亮度，并自動調節(jié)背光的亮度，實現白天或晚上顯示面板亮度的自動切換。
[0006]本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括:
[0007]襯底；
[0008]形成在所述襯底上的掃描線、柵電極和存儲電容電極線，所述柵電極與所述掃描線電連接；
[0009]覆蓋在所述掃描線、所述柵電極和所述存儲電容電極線上的柵絕緣層；
[0010]形成在所述柵絕緣層上的半導體層、數據線、源電極和漏電極，其中所述掃描線與所述數據線交叉限定多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域內形成有像素電極，所述半導體層具有第一區(qū)域，所述源電極和所述漏電極相互間隔且均與所述半導體層的第一區(qū)域接觸，所述源電極與所述漏電極之一與所述數據線電連接，所述源電極與所述漏電極之另一與所述像素電極電連接；
[0011]所述柵絕緣層上還形成有第一電極、第二電極和電極引線，所述半導體層還具有第二區(qū)域，所述第一電極和所述第二電極相互間隔且均與所述半導體層的第二區(qū)域接觸，所述第一電極、所述半導體層的第二區(qū)域與所述第二電極之間形成金屬-半導體-金屬結構的光探測器，所述柵絕緣層中形成有過孔，所述第一電極與所述第二電極之一與所述電極引線相連并通過所述電極引線引出，所述第一電極與所述第二電極之另一通過所述過孔與所述存儲電容電極線電連接。
[0012]進一步地，所述光探測器的數量為多個，分布在所述襯底上。
[0013]進一步地，所述第一電極與所述電極引線相連并通過所述電極引線引出連接至第一公共電位，所述第二電極通過所述過孔與所述存儲電容電極線電連接，所述第二電極通過所述存儲電容電極線連接至第二公共電位。
[0014]進一步地，所述薄膜晶體管陣列基板采用雙掃描線像素陣列結構，兩條相鄰數據線之間設有兩列像素電極，每條數據線與位于該條數據線兩側的兩列像素電極相連，上下相鄰兩行的像素電極之間設有兩條緊鄰的掃描線，同一行的像素電極連接在位于該行像素電極上下兩側的兩條掃描線上，所述光探測器設置在兩條相鄰數據線之間的兩列像素電極之間。
[0015]進一步地，每個像素區(qū)域內均設置有一個所述光探測器，且所有光探測器均位于每兩條相鄰數據線之間的兩列像素電極之間，位于同一列上的光探測器通過同一條電極引線引出。
[0016]進一步地，所述半導體層采用非晶硅層。
[0017]進一步地，所述半導體層還包括摻雜非晶硅層;所述半導體層的第一區(qū)域和所述半導體層的第二區(qū)域均形成有所述非晶硅層和所述摻雜非晶硅層，或者所述半導體層的第一區(qū)域形成有所述非晶硅層和所述摻雜非晶硅層，而所述半導體層的第二區(qū)域僅形成有所述非晶硅層。
[0018]本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，該制作方法用于制作如上所述的薄膜晶體管陣列基板，并包括如下步驟:
[0019]在所述襯底上沉積第一金屬層，并利用蝕刻工藝對所述第一金屬層進行蝕刻圖形化以制作形成所述掃描線、所述柵電極和所述存儲電容電極線；
[0020]在所述襯底上沉積形成所述柵絕緣層，其中所述柵絕緣層覆蓋所述掃描線、所述柵電極和所述存儲電容電極線；
[0021]在所述柵絕緣層上沉積半導體材料薄膜，并利用蝕刻工藝對所述半導體材料薄膜進行蝕刻圖形化以制作形成所述半導體層；
[0022]利用蝕刻工藝對所述柵絕緣層進行蝕刻圖形化以在所述柵絕緣層中制作形成所述過孑L;
[0023]在所述柵絕緣層上沉積第二金屬層，并利用蝕刻工藝對所述第二金屬層進行蝕刻圖形化以制作形成所述數據線、所述源電極、所述漏電極、所述第一電極、所述第二電極和所述電極引線，其中所述第一電極與所述第二電極之一與所述電極引線相連并通過所述電極引線引出，所述第一電極與所述第二電極之另一填入所述過孔中與所述存儲電容電極線電連接；
[0024]在每個像素區(qū)域內制作形成所述像素電極。
[0025]本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示面板，包括薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光片基板以及夾置在所述薄膜晶體管陣列基板與所述彩色濾光片基板之間的液晶層，所述彩色濾光片基板上形成有遮光層，所述薄膜晶體管陣列基板為上述的薄膜晶體管陣列基板，所述遮光層與每個光探測器的溝道區(qū)相對應的位置形成缺口。
[0026]進一步地，所述液晶顯示面板還包括背光控制器和背光源，所述背光控制器與所述光探測器及所述背光源連接，所述背光控制器根據所述光探測器的檢測結果自動調整所述背光源的亮度。
[0027]本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，將金屬-半導體-金屬結構的光探測器直接集成設置在薄膜晶體管陣列基板上，利用光探測器檢測環(huán)境光亮度，根據檢測結果自動調整背光亮度，從而實現白天或晚上顯示面板亮度的自動切換。本實施例利用普通的TFT制程，即可同步制作形成金屬-半導體-金屬結構的光探測器，實現顯示和環(huán)境光檢測一體化，無需增加額外器件，降低成本。
[0028]另外，薄膜晶體管陣列基板通過采用雙掃描線像素陣列架構，光探測器以小尺寸的金屬-半導體-金屬(MSM)架構分散形成在顯示區(qū)，光探測器的兩個電極中，一個電極走線在未設置數據線的兩列子像素之間，另一個電極走線通過存儲電容電極線，雖然光探測器形成在顯示區(qū)，但并未影響顯示面板的開口率，本實施例將光探測器放置在顯示區(qū)，不會影響周邊非顯示區(qū)的線路排布，有利于實現窄邊框設計。
【附圖說明】
[0029]圖1為金屬-半導體-金屬結構(MSM)的結構示意圖。
[°03°]圖2為金屬-半導體-金屬結構(MSM)的光檢測原理示意圖。
[0031]圖3為本發(fā)明第一實施例中薄膜晶體管陣列基板的平面結構示意圖。
[0032]圖4為圖3中沿IV-1V線的剖面示意圖。
[0033]圖5為圖3中沿V-V線的剖面示意圖。
[0034]圖6為圖3中的薄膜晶體管陣列基板的等效電路圖。
[0035]圖7為本發(fā)明第二實施例中薄膜晶體管陣列基板的平面結構示意圖。
[0036]圖8為圖7中沿VII1-VIII線的剖面示意圖。
[0037]圖9為本發(fā)明實施例中液晶顯示面板的背光控制系統(tǒng)的模塊示意圖。
【具體實施方式】
[0038]為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術方式及功效，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0039]金屬-半導體-金屬結構(Metal-Semiconductor-Metal，MSM)的光探測器，可以實現將光信號轉換為電流信號。如圖1與圖2所示，在襯底11上形成半導體材料層12，在半導體材料層12上沉積形成一對電極13、14，即形成金屬-半導體-金屬結構的光探測器。圖示中，兩個電極13、14為金屬叉指形狀。當適當波長的光入射至該光探測器時，半導體材料