Oled顯示面板及其藍(lán)光濾除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及OL邸顯示領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種改變出光中預(yù)設(shè)波長(zhǎng)段的藍(lán)光能量占 比的OLED顯示面板及其藍(lán)光濾除方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)品的日益普及，關(guān)于長(zhǎng)期使用電子產(chǎn)品會(huì)不會(huì)損害健康的爭(zhēng)論就沒(méi)有 停息過(guò)。而爭(zhēng)論與研究的焦點(diǎn)大部分集中在電子產(chǎn)品中顯示面板的福射問(wèn)題上。
[0003] 目前LCD與OL邸技術(shù)的日益完善，已經(jīng)逐漸替代了原有的CRT顯示器。相比CRT 顯示器來(lái)說(shuō)，LCD與OLED釋放的福射會(huì)相對(duì)小很多。但是，LCD與OLED面板的福射對(duì)于人 眼的傷害問(wèn)題仍然沒(méi)有得到很好的解決。
[0004] 可見(jiàn)光也是電磁波的一種，而電磁波就是電磁福射。因而，廣義上講，可見(jiàn)光也就 是一種電磁福射，只是通常認(rèn)為，可見(jiàn)光對(duì)人體危害不大。可見(jiàn)光是指電磁波譜中波長(zhǎng)約在 390nm至760nm范圍內(nèi)且為肉眼可見(jiàn)的電磁福射。在各種可見(jiàn)光中，藍(lán)光的波長(zhǎng)在400nm至 SOOnm(納米，Nanometer, nm)之間，科學(xué)研究證實(shí)：視網(wǎng)膜細(xì)胞含有一種異常的視黃醒，英 文名叫AzE。AzE有兩個(gè)吸收峰，一個(gè)在紫外區(qū)的335nm，另一個(gè)在藍(lán)光區(qū)的435nm。AzE對(duì)視 網(wǎng)膜色素上皮在沒(méi)有光照黑暗的條件下具有毒性。在光照條件下其毒性大大地增加。目前 最流行LCD與OL邸的光源中含有異常的高能短波藍(lán)光。所謂高能短波藍(lán)光，目前的理解就 是，位于AzE吸收峰的波長(zhǎng)在435nm至440nm的高強(qiáng)度高亮度的藍(lán)光。
[0005] 高能短波藍(lán)光對(duì)視網(wǎng)膜的損害作用，第一步是由于AzE在藍(lán)光區(qū)有吸收峰，所W高 能短波藍(lán)光能激發(fā)使其釋放出自由基離子。第二步是運(yùn)些自由基離子增大了它對(duì)視網(wǎng)膜色 素上皮的損壞作用從而引起視網(wǎng)膜色素上皮的萎縮，再引起光敏感細(xì)胞的死亡。光敏感細(xì) 胞的功能是接受入射光把光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)，后者再通過(guò)視覺(jué)神經(jīng)傳遞給大腦后成像。 光敏感細(xì)胞的死亡將會(huì)導(dǎo)致視力逐漸下降甚至完全喪失。
[0006] 目前的藍(lán)光護(hù)眼方案一般通過(guò)調(diào)整OL邸器件共振腔來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是運(yùn)共振腔層材 料的加入會(huì)增加OL邸器件的阻抗，因此運(yùn)樣的器件功耗較大，不滿足節(jié)能環(huán)保的要求，另 夕F，共振腔調(diào)節(jié)材料價(jià)格較高，運(yùn)樣就會(huì)提高OLED面板價(jià)格，進(jìn)一步阻礙OLED面板的快速 市場(chǎng)化。
[0007] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種OL邸顯示面板的剖面圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的一種 OL邸顯示面板包括自下而上依次疊置的基板1'、OL邸顯示器件2'、光提取層5' W及蓋板 4'。光提取層5'的折射率大于1。其中，OL邸顯示器件2'包括自下而上依次疊置的陽(yáng)極層 21'、空穴注入層22'、第一諧振腔層23'、發(fā)光層24'、電子傳輸層25' W及陰極層26'。由 于第一諧振腔層23'與發(fā)光層24'的厚度較厚，按照目前的方案，第一諧振腔層23'的厚度 為1 050A，按照電阻R = P L/S的電阻計(jì)算公式，現(xiàn)行方案的器件電阻較高，功耗損耗大， 并且諧振腔層材料要求高，價(jià)格貴，不利用OL邸面板的市場(chǎng)化。
[0008] 有鑒于此，發(fā)明人提供了一種改變出光中預(yù)設(shè)波長(zhǎng)段的藍(lán)光能量占比的OL邸顯 示面板及其藍(lán)光濾除方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供OL邸顯示面板及其藍(lán)光濾除方 法，大幅減小435nm之下光譜所占的比例，并且減少諧振腔層的材料利用，能將諧振腔層的 厚度可W降至1000A甚至更低，有利于提高器件效率和降低生產(chǎn)成本，同時(shí)能夠獲得護(hù) 眼效果。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種OL邸顯示面板，包括：
[0011 ]基板；
[0012] OL邸顯示器件，形成于所述基板上表面；
[0013] 蓋板，覆蓋于所述OL邸顯示器件上方并且與所述基板膠合密封；
[0014] 還包括：第二諧振腔層，形成于所述OL邸顯示器件上方、蓋板下表面，用于吸收波 長(zhǎng)在400nm至440nm之間的藍(lán)光。
[0015] 優(yōu)選地，所述第二諧振腔層的厚度為0至Ium之間。
[0016] 優(yōu)選地，所述第二諧振腔層的材料為折射率大于1的透光有機(jī)材料。
[0017] 優(yōu)選地，所述第二諧振腔層的材料為NPB，即4,4'-雙陽(yáng)-(1-糞基）-N苯基]聯(lián) 苯（縮寫：NPB)。
[0018] 優(yōu)選地，所述第二諧振腔層的諧振波長(zhǎng)大于435nm，所述第二諧振腔層過(guò)濾波長(zhǎng)小 于等于435的藍(lán)光。
[0019] 優(yōu)選地，所述OL邸顯示器件包括：
[0020] 陽(yáng)極層，形成于所述基板的上方；
[0021] 空穴注入層，覆蓋于所述陽(yáng)極層的上方；
[0022] 第一諧振腔層，覆蓋于所述空穴注入層的上方，且所述第一諧振腔層和所述第二 諧振腔層都是平行平面腔；
[0023] 發(fā)光層，覆蓋于所述第一諧振腔層的上方；
[0024] 電子傳輸層，覆蓋于所述發(fā)光層的上方；W及 [00巧]陰極層，覆蓋于所述電子傳輸層的上方。
[0026] 優(yōu)選地，所述第一諧振腔層的厚度為50化nmW下。
[0027] 優(yōu)選地，所述第一諧振腔層的材料為透光空穴傳輸材料。
[002引優(yōu)選地，所述第一諧振腔層的材料為DNTPD，即4'-雙（N-{4-[N-(3-甲基苯 基）-N-苯基氨基]苯基} -N-苯基氨基）聯(lián)苯（縮寫：DNTPD)。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供一種用于OL邸顯示面板的制作方法，包括W下 步驟：
[0030] 提供一基板；
[0031] 于所述基板上方形成OL邸顯示器件；
[0032] 于所述OL邸顯示器件上方形成第二諧振腔，用所述第二諧振腔吸收波長(zhǎng)在400nm 至440nm之間的藍(lán)光；
[0033] 提供一蓋板，將所述蓋板覆蓋于所述第二諧振腔層上方，并與所述基板膠合密封。
[0034] 優(yōu)選地，設(shè)置所述第二諧振腔層的厚度為0至Ium之間。
[0035] 優(yōu)選地，選用折射率大于1的透光有機(jī)材料制作所述第二諧振腔層。
[0036] 優(yōu)選地，選用WB制作所述第二諧振腔層的材料。
[0037] 優(yōu)選地，所述OL邸顯示器件的制作方法為：
[0038] 于所述基板上方形成陽(yáng)極層；
[0039] 于所述陽(yáng)極層上方形成空穴注入層；
[0040] 于所述空穴注入層上方形成第一諧振腔層，設(shè)置所述第一諧振腔和第二諧振腔為 平行平面腔；
[0041] 于所述第一諧振腔層上方形成發(fā)光層；
[0042] 于所述發(fā)光層上方形成電子傳輸層；W及
[0043] 于所述電子傳輸層上方形成陰極層。
[0044] 優(yōu)選地，設(shè)置所述第一諧振腔層的厚度為0至500nm之間。
[0045] 優(yōu)選地，選用透光空穴傳輸材料制作所述第一諧振腔層。
[0046] 優(yōu)選地，選用DNTPD材料制作所述第一諧振腔層。
[0047] 本發(fā)明的OL邸顯示面板及其藍(lán)光濾除方法，通過(guò)減小陰極層與陽(yáng)極層之間的第 一諧振腔的厚度，并且調(diào)整陰極層之上第二諧振腔的腔長(zhǎng)，改變出光中預(yù)設(shè)波長(zhǎng)段的藍(lán)光 能量占比，從而大幅減小435nm之下光譜所占的比例，并且減少諧振腔層的材料利用，有利 于提高器件效率和降低生產(chǎn)成本，同時(shí)能夠獲得護(hù)眼效果。
【附圖說(shuō)明】
[0048] 通過(guò)閱讀參照W下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、 目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：
[0049] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種OL邸顯示面板的剖面圖；
[0050] 圖2為本發(fā)明的一種OL邸顯示面板的剖面圖；W及
[0051] 圖3為本發(fā)明中不同諧振腔厚度的第二諧振腔層的器件的光譜比較圖。
[0052] 附圖標(biāo)記
[0053]1' 基板
[0054]2' OLED顯示器件
[005引 21' 陽(yáng)極層
[005引 22' 空穴注入層
[0057] 23' 第一諧振腔層
[0058] 24' 發(fā)光層
[005引 25' 電子傳輸層
[0060] 26' 陰極層
[0061] 4' 蓋板
[00的]5' 光提取層
[0063]1 基板
[0064] 2 OLED顯示器件
[006引 21 陽(yáng)極層
[006引 22 空穴注入層
[0067] 23 第一諧振腔層
[0068] 24 發(fā)光層
[006引 25 電子傳輸層
[0070] 26 陰極層
[0071] 3 第二諧振腔層
[0072] 4 蓋板
【具體實(shí)施方式】
[0073] 現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實(shí)施方式。然而，示例實(shí)施方式能夠W多種形 式實(shí)施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式；相反，提供運(yùn)些實(shí)施方式使得本發(fā)明將 全面和完整，并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中相同的附 圖標(biāo)記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略對(duì)它們的重復(fù)描述。
[0074] 所描述的特征、結(jié)構(gòu)或特性可W W任何合適的方式結(jié)合在一個(gè)或更多實(shí)施方式 中。在下面的描述中，提供許多具體細(xì)節(jié)從而給出對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。然而， 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)意識(shí)到，沒(méi)有特定細(xì)節(jié)中的一個(gè)或更多，或者采用其它的方法、組元、材 料等，也可W實(shí)踐本發(fā)明的技術(shù)方案。在某些情況下，不詳細(xì)示出或描述公知結(jié)構(gòu)、材料或 者操作W避免模糊本發(fā)明。
[00巧]本發(fā)明的附圖僅用于示意相對(duì)位置關(guān)系，某些部位的層厚采用了夸示的繪圖方式 W便于理解，附圖中的線徑和間隔并不代表實(shí)際的尺寸、比例關(guān)系。本文所使用的上、下等 用語(yǔ)是便于描述相對(duì)方向W圖紙為基準(zhǔn)所采用的非限制性用語(yǔ)。
[007引圖2為本發(fā)明的一種OL邸顯示面板的剖面圖。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種OLED顯不面板,包括：基板1、OLED顯不器件2、束^諧振化層3 W及蓋板4。OLED顯 示器件2形成于基板1上表面。蓋板4覆蓋于OL邸顯示器件2上方并且與基板1膠合密 封。第二諧振腔層3形成于OL邸顯示器件2上方、蓋板4下表面，用于吸收波長(zhǎng)在400皿 至440nm之間的藍(lán)光。
[0077] 本實(shí)施例中的OL邸顯示器件2包括陽(yáng)極層21、空穴注入層22、第一諧振腔層23、