陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(英文:Thin_filmtransisitor liquid cystaldisplay ;簡(jiǎn)稱:TFT_IXD)是多數(shù)液晶顯示器的一種。在制作TFT陣列基板時(shí)，為了傳輸信號(hào)，需要采用跳線膜層如氧化銦錫(英文=Indium tin oxide ;簡(jiǎn)稱:ΙΤ0)膜層和過(guò)孔將不同層的金屬圖形連接起來(lái)，如采用將ITO膜層和過(guò)孔將柵極金屬圖形和源漏極金屬圖形連接起來(lái)，完成柵極信號(hào)和公共電極(Com)信號(hào)的傳輸。
[0003]相關(guān)技術(shù)中，在形成過(guò)孔的過(guò)程中，由于柵極金屬圖形上的絕緣圖形(即柵極絕緣圖形)的厚度和源漏極金屬圖形上的絕緣圖形(即鈍化層圖形)的厚度不同，為了保證過(guò)孔內(nèi)的絕緣圖形被完全刻蝕，會(huì)采用過(guò)刻方法對(duì)絕緣圖形進(jìn)行刻蝕，即在原有基礎(chǔ)上再多刻蝕30%?50%。圖1示出了該陣列基板的過(guò)孔結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖1中的01為柵極金屬圖形，02為源漏極金屬圖形，03為ITO膜層。圖2-1是圖1所示的陣列基板的A-A’部位的剖面圖，圖2-1中的04為襯底基板，02為源漏極金屬圖形，05為鈍化層圖形，03為ITO膜層，06為柵極絕緣圖形，01為柵極金屬圖形。
[0004]上述方法形成的過(guò)孔直徑一般為10微米，過(guò)孔的開(kāi)口較小且過(guò)孔是封閉孔，過(guò)刻容易造成金屬圖形和絕緣圖形接觸處的絕緣圖形被刻蝕掉一部分，具有較大的側(cè)蝕(undercut)風(fēng)險(xiǎn)。如圖2_1所示，過(guò)刻容易造成圖2_1中P所標(biāo)注的位置處的鈍化層圖形05被刻蝕掉一部分，或造成圖2-1中Q所標(biāo)注的位置處的柵極絕緣圖形06被刻蝕掉一部分，這樣，過(guò)孔拐角處的ITO膜層03可能無(wú)法完全連接上，信號(hào)無(wú)法正常傳輸，圖2-2還示出了陣列基板上的過(guò)孔的俯視圖(虛線為ITO膜層斷裂的位置)。因此，陣列基板的顯示質(zhì)量較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決陣列基板的顯示質(zhì)量較差的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形；
[0008]在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，所述過(guò)孔的側(cè)壁半開(kāi)放；
[0009]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成跳線膜層。
[0010]可選的，所述過(guò)孔為條狀孔，所述條狀孔的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较虻膫?cè)壁開(kāi)放。
[0011]可選的，所述條狀孔的側(cè)壁開(kāi)放的方向上大于或等于15微米，且小于或等于20微米。
[0012]可選的，具體包括:
[0013]在所述襯底基板上形成所述第一導(dǎo)電圖形；
[0014]在形成有所述第一導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成第一絕緣層圖形；
[0015]在形成有所述第一絕緣層圖形的襯底基板上形成所述第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與所述第一導(dǎo)電圖形位于所述襯底基板上的不同層；
[0016]在形成有所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成第二絕緣層圖形；
[0017]所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形、所述第一絕緣層圖形和所述第二絕緣層圖形圍成所述過(guò)孔；
[0018]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成所述跳線膜層，使得所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形電連接。
[0019]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，所述在形成有所述第一導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成第一絕緣層圖形，包括:
[0020]在形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0021]對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖，形成柵極絕緣圖形；
[0022]所述在形成有所述第一絕緣層圖形的襯底基板上形成所述第二導(dǎo)電圖形，包括:
[0023]在形成有所述柵極絕緣圖形的襯底基板上形成所述源漏極金屬圖形；
[0024]所述在形成有所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成第二絕緣層圖形，包括:
[0025]在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層；
[0026]對(duì)所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖，形成鈍化層圖形。
[0027]可選的，
[0028]所述柵極絕緣圖形包括位于所述柵極金屬圖形上的第一子圖形和與所述柵極金屬圖形同層的第二子圖形，所述柵極金屬圖形與所述第二子圖形存在間隙，所述第一子圖形覆蓋所述柵極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第二子圖形的部分。
[0029]可選的，
[0030]所述源漏極金屬圖形與所述第一子圖形位于同一層，且所述源漏極金屬圖形與所述第一子圖形存在間隙。
[0031]可選的，
[0032]所述鈍化層圖形包括位于所述第一子圖形上的第三子圖形和位于所述源漏極金屬圖形上的第四子圖形，所述第四子圖形覆蓋所述源漏極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第一子圖形的部分，未被所述柵極絕緣層的第一子圖形覆蓋的所述柵極金屬圖形的部分、未被所述鈍化層的第四子圖形覆蓋的所述源漏極金屬圖形的部分、所述柵極絕緣圖形和所述鈍化層圖形共同圍成所述過(guò)孔。
[0033]可選的，具體包括:
[0034]在所述襯底基板上形成所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與所述第一導(dǎo)電圖形位于所述襯底基板上的同一層；
[0035]在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電層圖形的襯底基板上形成第一絕緣層圖形；
[0036]所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形和所述第一絕緣層圖形圍成所述過(guò)孔；
[0037]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成所述跳線膜層，使得所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形電連接。
[0038]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為第一柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為第二柵極金屬圖形，所述方法具體包括:
[0039]在所述襯底基板上形成柵極金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝同層形成所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形；
[0040]在形成有所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0041]對(duì)所述柵極絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖形成柵極絕緣圖形，所述柵極絕緣圖形覆蓋所述第一柵極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第二柵極金屬圖形的部分以及覆蓋所述第二柵極圖形遠(yuǎn)離所述第一柵極金屬圖形的部分；
[0042]所述第一柵極金屬圖形未被所述柵極絕緣圖形覆蓋的部分、所述第二柵極金屬圖形未被所述柵極絕緣圖形覆蓋的部分以及所述柵極絕緣圖形共同圍成所述過(guò)孔；
[0043]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成所述跳線膜層，使得所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形電連接。
[0044]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為第一源漏金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為第二源漏金屬圖形，所述方法具體包括:
[0045]在所述襯底基板上形成源漏金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝同層形成所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形；
[0046]在形成有所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層；
[0047]對(duì)所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖形成鈍化層圖形，所述鈍化層圖形覆蓋所述第一源漏金屬圖形遠(yuǎn)離所述第二源漏金屬圖形的部分以及覆蓋所述第二源漏金屬圖形遠(yuǎn)離所述第一源漏金屬圖形的部分；
[0048]所述第一源漏金屬圖形未被所述鈍化層圖形覆蓋的部分、所述第二源漏金屬圖形未被所述鈍化層圖形覆蓋的部分以及所述鈍化層圖形共同圍成所述過(guò)孔；
[0049]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成所述跳線膜層，使得所述第一源漏金屬圖形和所述第二源漏金屬圖形電連接。
[0050]第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0051]襯底基板；
[0052]所述襯底基板上形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形；
[0053]形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有過(guò)孔，所述過(guò)孔的側(cè)壁半開(kāi)放；
[0054]形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成有跳線膜層。
[0055]可選的，所述過(guò)孔為條狀孔，所述條狀孔的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较虻膫?cè)壁開(kāi)放。
[0056]可選的，所述條狀孔的側(cè)壁開(kāi)放的方向上大于或等于15微米，且小于或等于20微米。
[0057]可選的，
[0058]所述襯底基板上形成有所述第一導(dǎo)電圖形；
[0059]形成有所述第一導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有第一絕緣層圖形；
[0060]形成有所述第一絕緣層圖形的襯底基板上形成有所述第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與所述第一導(dǎo)電圖形位于所述襯底基板上的不同層；
[0061]形成有所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有第二絕緣層圖形；
[0062]所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形、所述第一絕緣層圖形和所述第二絕緣層圖形圍成所述過(guò)孔；
[0063]形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成有所述跳線膜層，所述跳線膜層使所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形電連接。
[0064]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，
[0065]形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成有柵極絕緣圖形；
[0066]形成有所述柵極絕緣圖形的襯底基板上形成有所述源漏極金屬圖形；
[0067]形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有鈍化層圖形。
[0068]可選的，
[0069]所述柵極絕緣圖形包括位于所述柵極金屬圖形上的第一子圖形和與所述柵極金屬圖形同層的第二子圖形，所述柵極金屬圖形與所述第二子圖形存在間隙，所述第一子圖形覆蓋所述柵極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第二子圖形的部分。
[0070]可選的，
[0071]所述源漏極金屬圖形與所述第一子圖形位于同一層，且所述源漏極金屬圖形與所述第一子圖形存在間隙。
[0072]可選的，
[0073]所述鈍化層圖形包括位于所述第一子圖形上的第三子圖形和位于所述源漏極金屬圖形上的第四子圖形，所述第四子圖形覆蓋所述源漏極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第一子圖形的部分，未被所述柵極絕緣層的第一子圖形覆蓋的所述柵極金屬圖形的部分、未被所述鈍化層的第四子圖形覆蓋的所述源漏極金屬圖形的部分、所述柵極絕緣圖形和所述鈍化層圖形共同圍成所述過(guò)孔。
[0074]可選的，
[0075]所述襯底基板上形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與所述第一導(dǎo)電圖形位于所述襯底基板上的同一層；
[0076]形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電層圖形的襯底基板上形成有第一絕緣層圖形；
[0077]所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形和所述第一絕緣層圖形圍成所述過(guò)孔；
[0078]形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成有所述跳線膜層，所述跳線膜層使所述第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形電連接。
[0079]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為第一柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為第二柵極金屬圖形，
[0080]所述襯底基板上形成有所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形；
[0081]形成有所述第一柵極金屬圖形和所述第二柵極金屬圖形的襯底基板上形成有柵極絕緣圖形，所述柵極絕緣圖形覆蓋所述第一柵極金屬圖形遠(yuǎn)離所述第