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一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置的制造方法

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一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,具體的是應(yīng)用在40-T級(jí)混 合磁體外超導(dǎo)磁體上一種高強(qiáng)度環(huán)氧筒式為主體的支撐裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] "十一五"國(guó)家重大科學(xué)工程"穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)裝置"的建設(shè),其目標(biāo)之一是建設(shè) 一臺(tái)40-T級(jí)穩(wěn)態(tài)混合磁體實(shí)驗(yàn)裝置,該裝置建成將成為國(guó)內(nèi)產(chǎn)生最高穩(wěn)態(tài)磁場(chǎng)的實(shí)驗(yàn)裝 置,將為我國(guó)在材料科學(xué)、化學(xué)、生物等學(xué)科的前沿研究提供強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。40-T級(jí) 混合磁體由外超導(dǎo)磁體和內(nèi)水冷磁體組成,其中:內(nèi)水冷磁體采用"Florida-Bitter"類型 的有阻磁體并在032 mm室溫孔徑內(nèi)產(chǎn)生33-34T中心場(chǎng)強(qiáng);外超導(dǎo)磁體采用Nb3Sn CICC (Cable-in-Conduit Conductor)導(dǎo)體進(jìn)行連續(xù)繞制并在4. 5K溫度下運(yùn)行可產(chǎn)生11 T中心 場(chǎng)強(qiáng)并為水冷磁體提供0800 mm安裝孔徑。
[0003] 外超導(dǎo)磁體支撐裝置是混合磁體外超導(dǎo)磁體系統(tǒng)中連接超導(dǎo)線圈和杜瓦底座的 關(guān)鍵部件,它起到支撐線圈自身重力以及傳遞線圈所產(chǎn)生的各種電動(dòng)力載荷的作用。這 些電動(dòng)力載荷主要由于超導(dǎo)磁體與水冷磁體之間的加工與裝配尺寸誤差導(dǎo)致它們的磁 中心不重合而引起,這些誤差可分為軸向誤差(AZ)、徑向誤差(AR)和中心軸夾角誤差 (A 0 )。軸向誤差可引起線圈之間沿軸向電動(dòng)力Fz,徑向誤差可引起徑向電動(dòng)力?1?,中心軸 夾角誤差可引起傾覆力矩M e。另外還可能是由于水冷磁體中Bitter片大范圍短路,如一 半水冷磁體失效這種特殊情況的發(fā)生,這會(huì)使水冷磁體磁中心沿軸向產(chǎn)生較大偏差,從而 使超導(dǎo)磁體產(chǎn)生巨大軸向電動(dòng)力(約270噸拉/壓載荷);等等。這些復(fù)雜的組合載荷需要 通過(guò)支撐裝置傳遞至杜瓦底座。此外,該支撐裝置同時(shí)連接著4. 5K低溫端(即超導(dǎo)磁體)和 常溫端(即杜瓦底座),兩個(gè)端面之間有很大溫度梯度,它作為導(dǎo)熱媒介會(huì)對(duì)4. 5K低溫端產(chǎn) 生較大傳導(dǎo)漏熱,這樣額外地增加了氦制冷機(jī)的能力與運(yùn)行成本。因此,外超導(dǎo)磁體支撐裝 置不僅要有足夠的機(jī)械強(qiáng)度以保證超導(dǎo)磁體在各種工況下的安全穩(wěn)定運(yùn)行,同時(shí)還要盡量 減少其對(duì)超導(dǎo)磁體4. 5K低溫端產(chǎn)生的漏熱量。
[0004] 一種40-T級(jí)混合磁體外超導(dǎo)磁體高強(qiáng)環(huán)氧筒式支撐裝置,充分考慮了高強(qiáng)度與 低漏熱相結(jié)合的原則,一方面可為混合磁體外超導(dǎo)磁體提供有效且可靠的支撐,以保證超 導(dǎo)磁體能夠正常運(yùn)行;另一方面最大程度上降低了對(duì)外超導(dǎo)磁體4. 5K液氦溫區(qū)的傳導(dǎo)漏 熱,并使其漏熱量控制在合理范圍。目前國(guó)外如美國(guó)國(guó)家強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室45T混合磁體外超 導(dǎo)磁體系統(tǒng)中支撐裝置采用變截面的筒式高強(qiáng)不銹鋼結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)保證具有足夠的強(qiáng)度但 漏熱量較大;目前國(guó)內(nèi)并未研制出同類型超導(dǎo)磁體系統(tǒng),已有的少數(shù)大型超導(dǎo)磁體系統(tǒng),如 EAST超導(dǎo)托卡馬克實(shí)驗(yàn)裝置中縱場(chǎng)超導(dǎo)磁體系統(tǒng)采用16個(gè)分離的高強(qiáng)不銹鋼板式與環(huán)氧 筒式相結(jié)合的柔性結(jié)構(gòu);因此本發(fā)明的超導(dǎo)磁體支撐裝置可為以后其他類似的承受各種復(fù) 雜載荷的大型超導(dǎo)磁體系統(tǒng)支撐結(jié)構(gòu)的研制提供很好的借鑒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的為40-T級(jí)混合磁體外超導(dǎo)磁體提供一種高強(qiáng)度低漏熱支撐裝置, 首先解決40-T級(jí)混合磁體外超導(dǎo)磁體在正常運(yùn)行和故障態(tài)時(shí)所受到的巨大的電磁力對(duì)磁 體系統(tǒng)造成負(fù)面影響的問(wèn)題,以提高機(jī)械穩(wěn)定性和運(yùn)行穩(wěn)定性;其次最大程度上減少對(duì)液 氦溫區(qū)的傳導(dǎo)漏熱,以最經(jīng)濟(jì)的方式降低運(yùn)行成本。
[0006] 本發(fā)明采用的技術(shù)方案是: 一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:包括有上端板、環(huán)氧支撐筒、下 端板、液氮冷卻管路,上端板的下端面上垂直設(shè)有上環(huán)形襯板、上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板,上環(huán)形 襯板的內(nèi)徑大于上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板的內(nèi)徑,上環(huán)形襯板與上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板之間留有縫 隙;下端板的上端面上垂直設(shè)有下環(huán)形襯板、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板,下環(huán)形襯板的內(nèi)徑大于下 環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板的內(nèi)徑,下環(huán)形襯板與上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板之間留有縫隙;環(huán)氧支撐筒的上、 下端內(nèi)側(cè)分別設(shè)有環(huán)形凸起,兩個(gè)環(huán)形凸起中分別設(shè)有不銹鋼圓環(huán),上、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板 的外側(cè)壁上分別設(shè)有與環(huán)氧支撐筒上的環(huán)形凸起相配合的環(huán)形凹槽;上環(huán)形襯板、上環(huán)形 內(nèi)側(cè)連接板與下環(huán)形襯板、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板分別通過(guò)螺栓、抗剪定位銷卡設(shè)在環(huán)氧支撐 筒的上、下端;環(huán)氧支撐筒中部設(shè)有液氮冷卻管路。
[0007] 所述的一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:所述的螺栓采用兩 組共48個(gè)M24mm六角頭鉸制孔用螺栓,抗剪定位銷采用兩組共24個(gè)020mm抗剪定位銷。
[0008] 所述的一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:所述的上、下環(huán)形襯 板和上、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板從環(huán)氧支撐筒內(nèi)部安裝,并在圓周向分成六個(gè)金屬弧段進(jìn)行分 段安裝,安裝完畢后對(duì)金屬弧段之間易于焊接的位置采用斷續(xù)加強(qiáng)焊焊接成一體。
[0009] 所述的一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:所述的液氮冷卻管 路由兩個(gè)矩形截面的半圓形管路組成,并設(shè)置有兩進(jìn)兩出管口用于與外超導(dǎo)磁體80K冷屏 的主氮路連接;液氮冷卻管路放置在靠近環(huán)氧支撐筒的室溫端的一端,即放置在離環(huán)氧支 撐筒的室溫端距離為240mm處,并采用螺栓夾緊和常溫固化環(huán)氧膠粘接固定在環(huán)氧支撐筒 外側(cè)。
[0010] 所述的一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:所述的上、下端板上 各設(shè)置24個(gè)033mm螺栓通孔和2個(gè)024mm定位銷孔,可與外超導(dǎo)磁體下端板及外超導(dǎo)磁體 杜瓦底座進(jìn)行連接與固定。
[0011] 所述的一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其特征在于:所述的環(huán)氧支撐筒 是以多方向交叉鋪設(shè)的高強(qiáng)玻纖為增強(qiáng)基體的復(fù)合材料制成的環(huán)氧支撐筒。
[0012] 本發(fā)明的高強(qiáng)度低漏熱的支撐裝置用于40-T級(jí)混合磁體外超導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu)中,通 過(guò)對(duì)多次經(jīng)過(guò)室溫與77K液氮溫度"冷熱循環(huán)"后的支撐裝置進(jìn)行各種載荷工況(見(jiàn)表1)及 其組合載荷工況的測(cè)試以及傳熱測(cè)試,表明該結(jié)構(gòu)的承載能力能夠達(dá)到了實(shí)際使用要求并 具有足夠的安全裕度且對(duì)外超導(dǎo)磁體4. 5 K低溫端的漏熱量?jī)H為11. 33W。
[0013] 表1、超導(dǎo)磁體支撐結(jié)構(gòu)的各種載荷工況
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是: 本發(fā)明起到支撐外超導(dǎo)磁體自身重力以及承擔(dān)與傳遞外超導(dǎo)磁體在正常運(yùn)行時(shí)和故 障態(tài)下所產(chǎn)生的各種電動(dòng)力載荷的作用,同時(shí)最大程度上降低了對(duì)外超導(dǎo)磁體4. 5K液氦 溫區(qū)的傳導(dǎo)漏熱。
[0014] 本發(fā)明的支撐裝置主體采用高強(qiáng)玻纖為增強(qiáng)基體的環(huán)氧支撐筒式結(jié)構(gòu),其高強(qiáng)玻 纖采用多方向交叉鋪設(shè),能夠承受復(fù)雜的組合載荷。
[0015] 本發(fā)明中環(huán)氧支撐筒與金屬部件的連接采用包納方式,環(huán)氧支撐筒上下端頭優(yōu)化 設(shè)計(jì)為圓弧形結(jié)構(gòu),其圓弧形中心放置不銹鋼圓環(huán),來(lái)提高傳遞承拉時(shí)所受載荷的能力。
[0016] 本發(fā)明的超導(dǎo)磁體支撐裝置保證了強(qiáng)度的同時(shí)減少了漏熱量,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊,重 量輕且安全可靠。
[0017]
【附圖說(shuō)明】: 圖1為本發(fā)明一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置主體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018] 圖2為圖1的A部放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019] 圖3為圖1的B部放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020] 圖4為本發(fā)明超導(dǎo)磁體支撐裝置中環(huán)氧支撐筒部件示意圖。
[0021] 圖5為本發(fā)明超導(dǎo)磁體支撐裝置中環(huán)氧支撐筒制造時(shí)成型模具結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖6為本發(fā)明超導(dǎo)磁體支撐裝置中環(huán)氧支撐筒制造時(shí)玻璃纖維布鋪層工藝示意 圖。
[0023] 圖7為本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明: 實(shí)施例1:圖1、2、3、7所示為一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置主體結(jié)構(gòu)示意圖。 一種高強(qiáng)度低漏熱的超導(dǎo)磁體支撐裝置,其主體結(jié)構(gòu)主要包括:上端板1、上環(huán)形襯板2、上 環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板3、M24mm六角頭鉸制孔用螺栓4、020mm抗剪定位銷5、環(huán)氧支撐筒6、下環(huán) 形襯板7、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板8、下端板9和液氮冷卻管路10,上端板1的下端面上垂直設(shè)有 上環(huán)形襯板2、上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板3,上環(huán)形襯板2的內(nèi)徑大于上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板3的內(nèi)徑, 上環(huán)形襯板2與上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板3之間留有縫隙;下端板9的上端面上垂直設(shè)有下環(huán)形 襯板7、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板8,下環(huán)形襯板7的內(nèi)徑大于下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板8的內(nèi)徑,下環(huán)形 襯板7與上環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板8之間留有縫隙;環(huán)氧支撐筒6的上、下端內(nèi)側(cè)分別設(shè)有環(huán)形凸 起11,兩個(gè)環(huán)形凸起11中分別設(shè)有不銹鋼圓環(huán)12,上、下環(huán)形內(nèi)側(cè)連接板3、8的外側(cè)壁上 分別設(shè)有與環(huán)氧支撐筒6上
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