硅基板的分?jǐn)喾椒?br>【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅基板的分?jǐn)喾椒?，在硅基板上形成槽而進(jìn)行分?jǐn)唷?br>【背景技術(shù)】
[0002]以往，在分?jǐn)喙杌鍟r(shí)，大多是使用切割鋸等進(jìn)行分?jǐn)?。此外，在專利文獻(xiàn)I中提出一種玻璃陶瓷基板的分?jǐn)喾椒ǎ暂p荷重對玻璃陶瓷基板進(jìn)行多次劃線后使其斷裂。
[0003][【背景技術(shù)】文獻(xiàn)]
[0004][專利文獻(xiàn)]
[0005][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開2001-113521號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006][發(fā)明要解決的問題]
[0007]專利文獻(xiàn)I中是對玻璃陶瓷基板進(jìn)行多次劃線，但并非分?jǐn)喙杌宓姆椒ā４送?，在分?jǐn)嗖ＡО鍟r(shí)，廣泛使用的方法是，利用劃線裝置在玻璃板上形成刻劃線，沿著刻劃線使其斷裂，由此進(jìn)行分?jǐn)?，從而考慮將該分?jǐn)喾椒☉?yīng)用于硅基板。
[0008]例如，如圖1 (a)所示，在硅基板10上利用劃線輪11進(jìn)行劃線。然后，翻轉(zhuǎn)硅基板10，以刻劃線S位于一對支撐構(gòu)件12a、12b中間的方式配置硅基板10。接著，若使斷裂桿13從上部垂直地下降，沿著下方刻劃線S的龜裂便會(huì)向上方進(jìn)展，如圖1 (c)所示，可與玻璃板同樣地進(jìn)行分?jǐn)唷?br>[0009]但是，將該分?jǐn)喾椒☉?yīng)用于分?jǐn)喙杌鍟r(shí)，如圖1(d)所示，有分?jǐn)喽嗣嫒菀桩a(chǎn)生毛邊等而端面的垂直性下降之類的問題。
[0010]本發(fā)明的目的在于，通過劃線及斷裂來分?jǐn)喙杌鍟r(shí)，能夠提升端面精度地進(jìn)行分?jǐn)唷?br>[0011][解決問題的技術(shù)手段]
[0012]為了解決所述問題，本發(fā)明的硅基板的分?jǐn)喾椒?，在所述硅基板的一面沿著分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽，從所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿著與所述槽對應(yīng)的線形成刻劃線，將斷裂桿沿著所述刻劃線抵壓于所述硅基板的形成有槽的面并使其斷裂，由此沿著刻劃線進(jìn)行分?jǐn)唷?br>[0013]于此，所述硅基板的槽可通過照射激光而形成。
[0014]所述硅基板的槽可以具有至少10 μ m的深度。
[0015][發(fā)明效果]
[0016]根據(jù)具有此種特征的本發(fā)明，預(yù)先沿著硅基板的分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽，沿著此槽而在相反面形成刻劃線，從槽部分按下斷裂桿使其斷裂，由此使硅基板斷裂。這樣，沿著刻劃線的龜裂會(huì)朝向槽深入，因此獲得能提升端面精度的效果。
【附圖說明】
[0017]圖1 (a)-(d)是表示以往分?jǐn)喙杌宓囊粋€(gè)例子的圖。
[0018]圖2(a)_(e)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的硅基板的分?jǐn)嗵幚淼膱D。
[0019]圖3(a)_(c)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的硅基板上形成的槽的不同例子的放大剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]接下來，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖2(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的成為分?jǐn)鄬ο蟮耐藁?0的圖。該基板為具有例如0.4mm厚度的娃基板。
[0021]而且，以特定圖案分?jǐn)嘣摴杌?0時(shí)，首先，如圖2 (b)所示，沿著分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽21。形成該槽21時(shí)利用激光或蝕刻而形成。本實(shí)施方式中是使用YAG激光作為激光，使例如3倍波(355nm)波長的YAG激光脈沖振蕩后照射至成為槽的部分，由此沿著分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽21。如圖3(a)所示，例如槽21的寬度w為10?15 μ m、深度d為30 μπι。
[0022]接著，如圖2(c)所示，翻轉(zhuǎn)硅基板20，從槽21的相反面利用未圖示的劃線裝置按壓并轉(zhuǎn)動(dòng)劃線輪11，而沿著槽21進(jìn)行劃線。這樣形成的刻劃線為刻劃線S。此時(shí)使用的劃線輪11可以是最外周邊部的脊線處未形成切口或槽的常規(guī)劃線輪(普通劃線輪)，也可以是刀尖形成這切口或槽的高滲透型或非高滲透型的劃線輪(日本專利文獻(xiàn)3074143號(hào)、日本專利文獻(xiàn)5022602號(hào)、日本專利文獻(xiàn)5078354號(hào)、日本專利文獻(xiàn)5055119號(hào)等)。
[0023]接下來，如圖2(d)所示，翻轉(zhuǎn)硅基板20，以刻劃線S位于未圖示的斷裂裝置的一對支撐構(gòu)件12a、12b中間的方式配置硅基板20。然后，從刻劃線S的正上方下壓斷裂桿13，進(jìn)行斷裂。
[0024]這樣，如圖2 (e)所示，可以沿著刻劃線S將硅基板20完全地分?jǐn)喽鴨纹?，從而可提升端面精度。且若呈格子狀分?jǐn)喙杌?，便能獲得大體正方形的個(gè)別芯片。
[0025]所述實(shí)施方式中，是照射3倍波的YAG激光而在硅基板形成槽，但并不限定于此，也可以利用其他形式的激光來形成槽。此外，還可以使用等離子蝕刻等干式蝕刻、或濕式蝕刻來形成槽。
[0026]此外，所述實(shí)施方式中，是將槽21的形狀形成為例如剖面大體正方形狀，但如圖3(b)所示，也可以是底面彎曲的形狀的槽。此外，如圖3(c)所示，還可以是剖面為V字狀的槽。
[0027]此外，所述實(shí)施方式中，對于0.4mm厚度的娃基板，槽21的深度d設(shè)為30 μπι，通過將深度設(shè)為至少1ym以上，分?jǐn)鄷r(shí)可以提升端面的直線性。若硅基板的厚度變大，需要使槽的深度d更深。
[0028][工業(yè)上的可利用性]
[0029]本發(fā)明可以使用劃線裝置和斷裂裝置容易地分?jǐn)喙杌?，對于微小硅基板的制造有效?br>[0030][符號(hào)說明]
[0031]10,20 硅基板
[0032]11劃線輪
[0033]12a、12b 支撐構(gòu)件
[0034]13斷裂桿
[0035]21槽
[0036]S刻劃線
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅基板的分?jǐn)喾椒ǎ? 在所述硅基板的一面沿著分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽， 從所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿著與所述槽對應(yīng)的線形成刻劃線， 沿著所述刻劃線，將斷裂桿抵壓于所述硅基板的形成著槽的面而使其斷裂，由此沿著刻劃線進(jìn)行分?jǐn)唷?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板的分?jǐn)喾椒?，其中所述硅基板的槽是通過照射激光而形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基板的分?jǐn)喾椒?，其中所述硅基板的槽具有至?0μπι的深度。
【專利摘要】本發(fā)明涉及硅基板的分?jǐn)喾椒?，課題為分?jǐn)喙杌鍟r(shí)提升端面的垂直性。在硅基板(20)的一面沿著分?jǐn)囝A(yù)定線形成槽(21)。然后，從所述槽(21)的相反面沿著槽(21)而利用劃線裝置形成刻劃線(S)。接著，翻轉(zhuǎn)硅基板(20)，從具有槽(21)的面起，沿著槽下降斷裂桿(13)而使其斷裂。這樣，沿著刻劃線的龜裂朝向槽深入，因此能將硅基板(20)完全地分?jǐn)?，從而可提升端面的精度?br>【IPC分類】H01L21/78
【公開號(hào)】CN104952793
【申請?zhí)枴緾N201410803206
【發(fā)明人】武田真和, 村上健二, 木山直哉, 田村健太
【申請人】三星鉆石工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2014年12月19日