一種dmos產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留的處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留的 處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，DM0S的兩部二氧化娃濕刻分別是一次濕法刻蝕和二次濕法刻蝕，如圖1所 示，前者是沿a軌跡做Body用，B0E濕刻后注入；后者是沿b軌跡做Well用、濕刻后注入， 兩者均要求不損傷襯底（Si)所W要求濕法腐蝕、不容許干刻（Plasma化ch)。
[0003] DMOS產(chǎn)品在兩步二氧化娃濕刻后側(cè)壁凹進(jìn)成碗口，多晶娃任oly-Si)淀積后此處 非常厚，刻蝕前如圖1所示；干刻后往往留下殘留C，如圖2所示。刻蝕包括各向同性刻蝕 和各向異性刻蝕，濕法腐蝕或微波產(chǎn)生等離子體刻蝕均為各向同性刻蝕，如圖3所示；電壓 產(chǎn)生的等離子體刻蝕為各向異性，如圖4所示，圖3與圖4中的d均為反應(yīng)性離子，用于化 學(xué)反應(yīng)刻蝕；e均為轟擊離子，用于物理反應(yīng)刻蝕；f均為光刻膠，用于防止不需要刻蝕的地 方被刻蝕掉；各向同性刻蝕與各向異性刻蝕相比化學(xué)反應(yīng)刻蝕多于物理反應(yīng)刻蝕。
[0004] 現(xiàn)有干刻技術(shù)采用的反應(yīng)離子RIE各向異性刻蝕機(jī)臺(tái)，比如P5000或Lam4400只 能做縱向（Y方向）刻蝕，增加過(guò)腐蝕時(shí)間的同時(shí)聚合物化lymer也會(huì)隨著增加，反過(guò)來(lái)阻 止干刻的進(jìn)行，碗口處始終有多晶娃殘留，如圖2所示，達(dá)不到消除碗口處多晶娃殘留的目 的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留的處理方法， 解決現(xiàn)有技術(shù)中DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留清除不徹底的問(wèn)題。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留的 處理方法，包括如下步驟：
[0007] 使用各向同性的干刻機(jī)臺(tái)對(duì)DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留進(jìn)行刻蝕。
[0008] 上述的處理方法，其中，所述干刻機(jī)臺(tái)在縱向刻蝕的同時(shí)也進(jìn)行橫向刻蝕。
[0009] 上述的處理方法，其中，進(jìn)行刻蝕的步驟具體如下：
[0010] 在預(yù)設(shè)工藝壓力的真空下，預(yù)設(shè)工藝時(shí)間內(nèi)微波將四氣化碳CF4電離出反應(yīng)性離 子氣F*和碳C*，所述F*和所述C*分別與多晶娃Si和氧氣〇2發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而刻蝕。
[0011] 上述的處理方法，其中，所述預(yù)設(shè)工藝壓力為2. 0巧。
[0012] 上述的處理方法，其中，所述微波的功率為1000瓦。
[0013] 上述的處理方法，其中，所述CF4的濃度為1. 5升/分鐘。
[0014] 上述的處理方法，其中，所述〇2的濃度為0. 5升/分鐘。
[0015] 上述的處理方法，其中，所述預(yù)設(shè)工藝時(shí)間為60砂。
[0016] 上述的處理方法，其中，所述干刻機(jī)臺(tái)的型號(hào)為AE2001。
[0017] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：
[001引上述方案中，所述處理方法的刻蝕速率快，可徹底清除DMOS產(chǎn)品碗口處多晶娃殘 留，且刻蝕后的條寬損失和條寬均勻性滿足產(chǎn)品的工藝要求。
【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中DM0S廣品碗口處多晶娃淀積刻蝕自U不意圖；
[0020] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃進(jìn)行刻蝕后殘留示意圖；
[0021]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中各向同性刻蝕示意圖；
[0022] 圖4為現(xiàn)有技術(shù)中各向異性刻蝕示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具 體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0024] 本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留清除不徹底的問(wèn)題，提供一種 DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留的處理方法，包括如下步驟：
[0025] 使用各向同性的干刻機(jī)臺(tái)對(duì)DM0S產(chǎn)品碗口處多晶娃殘留進(jìn)行刻蝕。
[0026] 其中，所述干刻機(jī)臺(tái)在縱向刻蝕的同時(shí)也進(jìn)行橫向刻蝕。
[0027] 本發(fā)明實(shí)施例提供的所述處理方法中的所述干刻機(jī)臺(tái)優(yōu)先選擇型號(hào)為AE2001，當(dāng) 然也可W選擇其他能夠達(dá)到技術(shù)目的的型號(hào)，在此不一一舉例。
[002引具體的，進(jìn)行刻蝕的步驟具體如下：
[0029] 在預(yù)設(shè)工藝壓力的真空下，預(yù)設(shè)工藝時(shí)間內(nèi)微波將四氣化碳CF4電離出反應(yīng)性離 子氣F*和碳C*，所述F*和所述C*分別與多晶娃Si和氧氣〇2發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而刻蝕。
[0030] 由于各向同性干刻機(jī)根據(jù)常規(guī)菜單進(jìn)行操作時(shí)反應(yīng)速度慢、條寬損失過(guò)大、條寬 均勻性差，所W本發(fā)明實(shí)施例提供的所述處理方法對(duì)菜單進(jìn)行了改進(jìn)：其中，所述預(yù)設(shè)工藝 壓力為2. 0巧；所述微波的功率為1000瓦；所述CF4的濃度為1. 5升/分鐘；所述〇2的濃 度為0. 5升/分鐘；所述預(yù)設(shè)工藝時(shí)間為60砂。本發(fā)明實(shí)施例提供的所述處理方法的具體 執(zhí)行菜單如表1所示：
[0031]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留的處理方法，其特征在于，包括如下步驟： 使用各向同性的干刻機(jī)臺(tái)對(duì)DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留進(jìn)行刻蝕。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述干刻機(jī)臺(tái)在縱向刻蝕的同時(shí)也 進(jìn)行橫向刻蝕。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，進(jìn)行刻蝕的步驟具體如下： 在預(yù)設(shè)工藝壓力的真空下，預(yù)設(shè)工藝時(shí)間內(nèi)微波將四氟化碳CF4電離出反應(yīng)性離子氟F*和碳C*，所述F*和所述C*分別與多晶硅Si和氧氣O2發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而刻蝕。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)工藝壓力為2. 0托。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述微波的功率為1000瓦。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述CF4的濃度為1. 5升/分鐘。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述O2的濃度為0. 5升/分鐘。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)工藝時(shí)間為60秒。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述干刻機(jī)臺(tái)的型號(hào)為AE2001。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留的處理方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)中DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留清除不徹底的問(wèn)題而發(fā)明；所述處理方法包括如下步驟：使用各向同性的干刻機(jī)臺(tái)對(duì)DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明提供的方案刻蝕速率快，可徹底清除DMOS產(chǎn)品碗口處多晶硅殘留，且刻蝕后的條寬損失和條寬均勻性滿足產(chǎn)品的工藝要求。
【IPC分類】H01L21-02
【公開(kāi)號(hào)】CN104766782
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410003410
【發(fā)明人】陳定平, 朱愛(ài)兵
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2014年1月3日