晶片檢測方法及設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種晶片檢測方法及設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]PVD (物理氣相沉積)是指在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)，并使蒸發(fā)物質(zhì)與氣體均發(fā)生電離，同時利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在晶片上。物理氣相沉積的方法主要有真空蒸鍍、電弧等離子體鍍、離子鍍膜、以及分子束外延等，目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體和聚合物等。
[0003]通常為確保工藝性能，PVD工藝腔室需要進(jìn)行兩種調(diào)節(jié)工藝。第一調(diào)節(jié)工藝為預(yù)燒靶材，預(yù)燒靶材通常是在PVD工藝腔室已經(jīng)暴露在大氣中或停用一段時間之后，將靶材表面的氧化物和其他雜質(zhì)清除，在預(yù)燒靶材工藝期間，將輔助晶片或遮蔽盤覆蓋在基座上，以防止氧化物和其他雜質(zhì)沉積到基座上；第二調(diào)節(jié)工藝為涂覆，涂覆一般是在傳統(tǒng)PVD工藝期間沉積在PVD工藝腔室內(nèi)表面上的材料表面涂覆一層覆蓋物，如:氮化鈦的PVD應(yīng)用通常在PVD工藝腔室內(nèi)表面產(chǎn)生一層氮化鈦，該氮化鈦層易碎，并且在后續(xù)工藝期間剝落，影響工藝性能，因此通過在該氮化鈦層表面涂覆一層鈦，以防止氮化鈦層的剝落，保證后續(xù)工藝性能。通常，相隔預(yù)定間隔時間進(jìn)行一次涂覆。
[0004]目前，對晶片進(jìn)行PVD工藝時，采用的設(shè)備如圖1所示。當(dāng)晶片在工藝腔室進(jìn)行工藝時，基座在Ped電機(jī)的驅(qū)動下,帶動晶片向上升至工藝位置,在此過程中，基座經(jīng)過CoverΟ-ring(閥蓋O形環(huán))位置時,攜帶Cover 0_ring—起上升至工藝位置,此時,Cover 0-ring將晶片固定在基座上，進(jìn)行工藝；待工藝完成后，由于工藝時間過長或其他原因，當(dāng)Ped電機(jī)驅(qū)動基座移動至低位時，晶片很容易被卡在Cover Ο-ring上面,這就很容易導(dǎo)致當(dāng)轉(zhuǎn)盤進(jìn)入下一工藝腔室進(jìn)行下一工藝時，出現(xiàn)無片的情況，污染基座及工藝腔室，同時還會造成資源的浪費(fèi)，增加生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對晶片進(jìn)行下一工藝時出現(xiàn)無片的問題，提供一種晶片檢測方法及設(shè)備。
[0006]一種晶片檢測方法，包括如下步驟:
[0007]S100，轉(zhuǎn)盤在接收到控制器發(fā)送的轉(zhuǎn)動至預(yù)設(shè)目標(biāo)位置的命令信號后，啟動轉(zhuǎn)動；
[0008]S200，所述控制器檢測到轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與傳感器的位置對應(yīng)時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0009]S300，所述傳感器接收到所述檢測命令信號后，檢測到所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，控制所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置轉(zhuǎn)動至所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置。
[0010]其中，所述步驟S200包括如下步驟:
[0011]S210，檢測所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置是否對應(yīng)；
[0012]S220，當(dāng)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置對應(yīng)時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0013]S220’，當(dāng)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置不對應(yīng)時，根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤的第一轉(zhuǎn)動角度；
[0014]S230’，根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤的第一轉(zhuǎn)動角度，控制所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置轉(zhuǎn)動至所述傳感器的位置。
[0015]其中，所述步驟S300包括如下步驟:
[0016]S310，所述傳感器接收到所述檢測命令信號后，檢測所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)；
[0017]S320，當(dāng)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)不同時，發(fā)出報警指令;
[0018]S320’，當(dāng)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，根據(jù)當(dāng)前所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤的第二轉(zhuǎn)動角度；
[0019]S330’，根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤的第二轉(zhuǎn)動角度，控制所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置轉(zhuǎn)動至所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置。
[0020]其中，還包括如下步驟:
[0021]S100’，根據(jù)當(dāng)前所述轉(zhuǎn)盤的位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置的對應(yīng)關(guān)系。
[0022]相應(yīng)的，為實(shí)現(xiàn)上述晶片檢測方法，本發(fā)明還提供了一種晶片檢測設(shè)備，包括轉(zhuǎn)盤、傳感器和控制器，其中:
[0023]所述傳感器，設(shè)置在轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與預(yù)設(shè)目標(biāo)位置之間，位于所述轉(zhuǎn)盤上方；
[0024]所述控制器，分別與所述轉(zhuǎn)盤和所述傳感器連接，包括信號發(fā)送模塊、第一檢測模塊和第一控制模塊，其中:
[0025]所述信號發(fā)送模塊，用于向所述轉(zhuǎn)盤發(fā)送轉(zhuǎn)動至所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置的命令信號；
[0026]所述第一檢測模塊，用于檢測到所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置對應(yīng)時，發(fā)送檢測命令信號至所述傳感器；
[0027]所述第一控制模塊，用于當(dāng)所述傳感器檢測到所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，控制所述轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動至所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置。
[0028]其中，所述第一檢測模塊包括第一檢測單元、第一計(jì)算單元和第一控制單元，其中:
[0029]所述第一檢測單元，用于檢測所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置是否對應(yīng)；
[0030]所述第一計(jì)算單元，用于當(dāng)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置不對應(yīng)時，根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置和所述傳感器的位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤的第一轉(zhuǎn)動角度；
[0031]所述第一控制單元，用于根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤的第一轉(zhuǎn)動角度，控制所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置轉(zhuǎn)動至所述傳感器的位置。
[0032]其中，所述第一控制模塊包括第二控制單元、第二計(jì)算單元和第三控制單元，其中:
[0033]所述第二控制單元，用于當(dāng)所述傳感器檢測到所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)不同時，發(fā)送報警指令；
[0034]所述第二計(jì)算單元，用于當(dāng)所述傳感器檢測到所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)與所述傳感器中記錄狀態(tài)相同時，根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤的第二轉(zhuǎn)動角度；
[0035]所述第三控制單元，用于根據(jù)所述轉(zhuǎn)盤的第二轉(zhuǎn)動角度，控制所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置轉(zhuǎn)動至所述預(yù)設(shè)目標(biāo)位置。
[0036]其中，所述控制器還包括第一計(jì)算模塊，其中:
[0037]所述第一計(jì)算模塊，用于根據(jù)當(dāng)前所述轉(zhuǎn)盤的位置，計(jì)算所述轉(zhuǎn)盤放置晶片位置與所述傳感器的位置的對應(yīng)關(guān)系。
[0038]其中，所述傳感器為距離設(shè)定式傳感器。
[0039]本發(fā)明提供的一種晶片檢測方法及設(shè)備，其中方法為，在轉(zhuǎn)盤將晶片送入下一工藝腔室之前，對轉(zhuǎn)盤放置晶片位置的狀態(tài)進(jìn)行檢測，以判斷該轉(zhuǎn)盤放置晶片位置處是否存在晶片，若存在，則通過轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)盤，將晶片送入下一工藝腔室進(jìn)行工藝，其通過增加在晶片進(jìn)入工藝腔室之前的檢測功能，有效地避免了無片情況下進(jìn)行工藝所導(dǎo)致的能源浪費(fèi)與工藝腔室污染的問題。
【附圖說明】
[0040]圖1為PVD設(shè)備中工藝腔室結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2為晶片檢測方法一具體實(shí)施例流程圖；
[0042]圖3為晶片檢測方法另一具體實(shí)施例流程圖；
[0043]圖4為晶片檢測設(shè)備一具體實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖5為晶片檢測設(shè)備另一具體實(shí)施例結(jié)構(gòu)意圖；
[0045]圖6為晶片檢測設(shè)備又一具體實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0046]為使本發(fā)明技術(shù)方案更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0047]參見圖2，一種晶片檢測方法，包括如下步驟:
[0048]S100，轉(zhuǎn)盤在接收到控制器發(fā)送的轉(zhuǎn)動至預(yù)設(shè)目標(biāo)位置的命令信號后，啟動轉(zhuǎn)動；
[0049]S200，控制器檢測到轉(zhuǎn)盤放置晶片