一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶顯示裝置和有機發(fā)光顯示裝置等平板顯示技術(shù)領(lǐng)域得到了非常廣泛的應(yīng)用，以主動矩陣(active matrix)式液晶顯示裝置為例，TFT是作為液晶顯示裝置中液晶顯示面板的像素開關(guān)元件。其中，TFT具有一柵電極、一漏電極、一源電極及一有源層，柵電極與柵極線電連接并受其控制而開啟，源電極與數(shù)據(jù)線電連接以接收信號，而漏電極與像素電極電連接，用以改變液晶顯示面板的每個像素的穿透率而達到控制灰階亮度的目的。
[0003]液晶顯示面板通常是由一 TFT陣列基板、一彩色濾光基板以及一夾設(shè)于兩基板間的液晶層構(gòu)成，且兩基板與液晶層可形成多個陣列設(shè)置的像素。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的TFT陣列基板的俯視圖，如圖1所示，主要包括基板1、以及設(shè)置于基板I上多條柵極線2和多條數(shù)據(jù)線3，位于數(shù)據(jù)線3和柵極線2交叉處的TFT (包括源電極4、柵電極5和漏電極6)以及與TFT電連接的像素電極(圖中未示出)。
[0004]相鄰的數(shù)據(jù)線3和柵極線2所圍成的區(qū)域為像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括TFT區(qū)域和像素電極區(qū)域，所述像素電極設(shè)置于該像素電極區(qū)域內(nèi)，TFT設(shè)置于TFT區(qū)域內(nèi)。TFT的柵電極5與柵極線2相連，TFT的源電極4與數(shù)據(jù)線3相連，TFT的漏電極6與所述像素電極相連。
[0005]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板制作方法的流程圖。如圖2所示，現(xiàn)有的TFT陣列基板的制作工藝包括如下步驟:
[0006]A、提供基板1，在基板上形成緩沖層101 ；
[0007]B、在緩沖層101上沉積一層有源層，刻蝕所述有源層，在所述TFT區(qū)域形成有源層結(jié)構(gòu)7 ；
[0008]C、在步驟B的基礎(chǔ)上沉積一層柵極絕緣層102 ；
[0009]D、在步驟C的基礎(chǔ)上沉積第一導電層，刻蝕該第一導電層形成第一電極圖案，所述第一電極圖案包括柵極線(圖中未示出)和柵電極5 ;
[0010]E、在步驟D的基礎(chǔ)上沉積第一層間絕緣層103，刻蝕該層間絕緣層103和柵極絕緣層102在TFT區(qū)域形成第一過孔1031和第二過孔1032 ；
[0011]F、在步驟E的基礎(chǔ)上沉積第二導電層，刻蝕該第二導電層形成第二電極圖案，所述第二電極圖案包括數(shù)據(jù)線3、源電極4和漏電極6，源電極4通過第一過孔1031與有源層結(jié)構(gòu)7電連接，漏電極6通過第二過孔1032與有源層結(jié)構(gòu)7電連接；
[0012]G、在步驟F的基礎(chǔ)上依次沉積鈍化層104、公共電極層105和第一絕緣層106，刻蝕該第一絕緣層106、公共電極層105和鈍化層104在TFT區(qū)域形成第三過孔1061 ；
[0013]H、在步驟G的基礎(chǔ)上沉積像素電極層，刻蝕該像素電極層在像素區(qū)域形成像素電極107，像素電極107通過第三過孔1061與漏電極6電連接。
[0014]現(xiàn)有的TFT陣列基板在制作的過程中，如果層間絕緣層103表面存在異物，則沉積的第二導電層在異物(Particle)(如圖1中所示的異物8)所在的位置出現(xiàn)凸起，使得形成的數(shù)據(jù)線3容易發(fā)生斷裂，從而產(chǎn)生暗線，降低了產(chǎn)品良率。
[0015]同時，如圖2步驟E所示，現(xiàn)有的陣列基板在制作過程中，因為層間絕緣層103的材料為絕緣材質(zhì)，在刻蝕該層間絕緣層103形成第一過孔1031和第二過孔1032的過程中，尤其在光刻膠剝離、清洗等過程中，層間絕緣層103表面容易產(chǎn)生并積累靜電，當在第一過孔1031和第二過孔1032中分別形成源電極4和漏電極6以后，單個TFT呈暴露狀態(tài)，此時層間絕緣層103表面的靜電會通過源電極4和漏電極6擊傷有源層結(jié)構(gòu)7與柵電極5交疊的部分(溝道)，從而使得溝道產(chǎn)生缺陷或者在柵極絕緣層103上積累電荷，進而導致陣列基板中TFT (包括N型管和P型管)的閾值電壓Vth發(fā)生漂移，而發(fā)生閾值電壓Vth漂移的TFT，其局部充電和放電的能力會發(fā)生增強或者減弱，從而導致局部像素電壓產(chǎn)生波動，從而使得液晶顯示面板出現(xiàn)顯示效果不均(mura)的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)據(jù)線容易斷裂產(chǎn)生的暗線、產(chǎn)品良率低以及顯示不均的問題。
[0017]第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括:基板；位于所述基板上的柵電極、柵極線和金屬預置層，所述柵極線與所述金屬預置層位于同一層且相互電絕緣；覆蓋所述柵電極和柵極線的層間絕緣結(jié)構(gòu)，所述層間絕緣結(jié)構(gòu)將所述金屬預置層裸露出來；位于所述層間絕緣結(jié)構(gòu)上的源電極和漏電極；位于所述層間絕緣結(jié)構(gòu)與所述金屬預置層上的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線和所述源電極電連接。
[0018]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，包括相對設(shè)置的對置基板和陣列基板，所述陣列基板為第一方面所述的陣列基板。
[0019]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括第二方面所述的顯示面板。
[0020]第四方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:提供一基板；在所述基板上形成柵極金屬層，刻蝕所述柵極金屬層形成柵電極、柵極線和金屬預置層，所述柵極線與所述金屬預置層電絕緣；在所述柵電極、所述柵極線和所述金屬預置層上形成層間絕緣層，圖案化所述層間絕緣層形成層間絕緣結(jié)構(gòu)，所述層間絕緣結(jié)構(gòu)將所述金屬預置層裸露出來；
[0021]在所述層間絕緣結(jié)構(gòu)和所述金屬預置層上形成源漏極金屬層，刻蝕所述源漏極金屬層形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，所述金屬預置層位于所述數(shù)據(jù)線下面。
[0022]本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，通過在數(shù)據(jù)線的下方設(shè)置金屬預置層，且所述金屬預置層與所述柵極線電絕緣，在制作過程中，金屬預置層和數(shù)據(jù)線在不同的工藝步驟中形成，使得導致金屬預置層斷裂的異物和導致數(shù)據(jù)線斷裂的異物不會發(fā)生在重疊的位置，因此，能夠降低因數(shù)據(jù)線斷線而帶來的暗線的風險，從而提升產(chǎn)品良率，此外，在相同數(shù)據(jù)線的寬度下，能夠增大數(shù)據(jù)線的截面面積，從而使得電阻大幅下降，相應(yīng)的信號延遲也會大幅下降，且金屬預置層能夠優(yōu)先導走層間絕緣結(jié)構(gòu)表面積累的靜電，防止顯示面板產(chǎn)生顯示不均的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0023]下面將通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點，附圖中:
[0024]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的TFT陣列基板的俯視圖；
[0025]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板制作方法的流程圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的剖面圖；
[0027]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖；
[0028]圖5是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中存在異物時的不意圖；
[0029]圖6是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板中數(shù)據(jù)線的截面圖；
[0030]圖7中示出了本發(fā)明實施例提供的陣列基板的數(shù)據(jù)線的截面圖；
[0031]圖8是本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖9是本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖10、圖1la和圖11b、圖12至圖14是本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法的各步驟對應(yīng)的剖面圖。
【具體實施方式】
[0034]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容，并且附圖中相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。
[0035]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的剖面圖，圖4是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖，下面結(jié)合圖3和圖4對本發(fā)明實施例提供的陣列基板進行描述。所述陣列基板包括:基板11、位于基板11上的柵電極121、柵極線123和金屬預置層122，柵極線123與金屬預置層122位于同一層且相互電絕緣，覆蓋柵電極121和柵極線123的層間絕緣結(jié)構(gòu)13，位于層間絕緣結(jié)構(gòu)13上的源電極141和漏電極143，位于金屬預置層122上的數(shù)據(jù)線142，數(shù)據(jù)線142和源電極141電連接。
[0036]其中，基板11的材料可以為玻璃或塑料中的任意一種，優(yōu)選的，基板11的材料為玻璃材料。柵電極121、柵極線123和金屬預置層122位于同一層且在同一工藝步驟中形成，柵電極121和柵極線123電連接，柵電極121、柵極線123和金屬預置層122可以只包括一層金屬，例如:T1、Mo或Al等，當然，柵電極121、柵極線123和金屬預置層122也可以是多層金屬的疊層，例如:例如:可以是鈦Ti/鋁Al/Ti多層金屬的疊層，也可以是鉬Mo/Al/Mo多層金屬的疊層，這里僅僅是舉例說明柵電極121、柵極線123和金屬預置層122的兩種情況，還有其他很多情況，這里不再一一說明。優(yōu)選的，柵電極121、柵極線123和金屬預置層122的厚度均為10n