一種清除碎硅片中雜質的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及硅料加工技術領域，具體涉及一種清除碎硅片中雜質的方法。
【背景技術】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路和光伏產業(yè)的發(fā)展，集成度的不斷提高，對硅原料的需求越來越高，同時對硅片的質量要求也越來越高，在生產過程中，經常需要處理和回收利用碎硅料，因碎硅片原料中有較多石子、金屬、纖維等雜物，對雜質的清除效果也提出了越來越高的要求；現(xiàn)有的碎硅片清洗方法主要有物理清洗和化學清洗，物理清洗主要應用于清除碎硅片表面的顆粒沾污，可采取機械擦洗或超聲清洗、兆聲清洗等物理方法來去除，除效果最差的機械擦洗外，其余物理清洗方法對設備要求較高，成本難控制；化學清洗則是采用化學清洗劑對碎硅片進行濕式清洗，最典型的化學清洗工藝是RCA清洗，采用化學清洗也有不能一次性清除多種雜物、清洗周期長、工序多、效率低等問題。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的旨在提供一種清除碎硅片中雜質的方法，可一次性清除多種雜物，提高工效，節(jié)省生產成本。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:配制浸泡液一浸泡一漂流，
[0005]I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸0.9-1.1、純水9.5-10.5、30%濃度過氧化氫溶液0.4-0.6，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡6-8小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；3)漂流:將步驟2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
[0006]本發(fā)明的一種清除碎硅片中雜質的方法與現(xiàn)有技術相比具有如下優(yōu)異效果。
[0007]采用本發(fā)明的清除碎硅片中雜質的方法，通過浸泡使碎硅片上浮，又經漂流洗凈，可使得到的碎片料中無雜物、金屬、石子、纖維等雜質，一次性清除多種雜物，清洗周期短，提高了工效，降低了生產成本。
【具體實施方式】
[0008]下面對本發(fā)明的一種清除碎硅片中雜質的方法作進一步的詳細說明。
[0009]本發(fā)明的一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:配制浸泡液一浸泡一漂流，
[0010]I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸0.9-1.1、純水9.5-10.5、30%濃度過氧化氫溶液0.4-0.6，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡6-8小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；3)漂流:將步驟2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
[0011]實施例1:
[0012]一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:
[0013]I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸0.9、純水9.5、30%濃度過氧化氫溶液0.4，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡6小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；3)漂流:將步驟2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
[0014]實施例2:
[0015]一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:
[0016]I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸1、純水10、30%濃度過氧化氫溶液0.5，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡7小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；3)漂流:將步驟2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
[0017]實施例3:
[0018]一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:
[0019]I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸1.1、純水10.5、30%濃度過氧化氫溶液0.6，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡8小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；3)漂流:將步驟2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
[0020]以上實施例得到的碎硅片潔凈料，經檢測無雜物、金屬、石子、纖維等雜質，可用做硅片再加工原料。
[0021]以上實施例僅對本發(fā)明精神的舉例說明，本發(fā)明所屬技術領域的技術人員可以對所描述的實施例做不同方式的修改或補充或采用類似的方式替換，但并非偏離本發(fā)明的精神所定義的范圍。
【主權項】
1.一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟:配制浸泡液一浸泡一漂流，其特征在于: (I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸0.9-1.1、純水9.5-10.5、30%濃度過氧化氫溶液0.4-0.6，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟(I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡6-8小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；(3)漂流:將步驟(2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
2.根據(jù)權利要求1所述的清除碎硅片中雜質的方法，其特征在于: (I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸0.9、純水9.5、30%濃度過氧化氫溶液0.4，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟(I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡6小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；(3)漂流:將步驟(2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
3.根據(jù)權利要求1所述的清除碎硅片中雜質的方法，其特征在于: (I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸1、純水10、30%濃度過氧化氫溶液0.5，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟(I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡7小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；(3)漂流:將步驟(2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
4.根據(jù)權利要求1所述的清除碎硅片中雜質的方法，其特征在于: (I)配制浸泡液:取55%濃度氫氟酸1.1、純水10.5、30%濃度過氧化氫溶液0.6，置于浸泡池，現(xiàn)配現(xiàn)用；(2)浸泡:將碎硅片置于浸泡池內的步驟(I)配制的浸泡液中，攪拌并清除漂浮雜物后浸泡8小時，碎硅片上浮，得碎硅片漂浮物；(3)漂流:將步驟(2)得到的碎硅片漂浮物轉入漂洗槽內用純水漂流，漂流結束后經烘干得碎硅片潔凈料。
【專利摘要】本發(fā)明涉及硅料加工技術領域，具體涉及一種清除碎硅片中雜質的方法，包括以下步驟：配制浸泡液→浸泡→漂流，采用本發(fā)明的清除碎硅片中雜質的方法，通過浸泡使碎硅片上浮，又經漂流洗凈，可使得到的碎片料中無雜物、金屬、石子、纖維等雜質，一次性清除多種雜物，清洗周期短，提高了工效，降低了生產成本。
【IPC分類】H01L21-02
【公開號】CN104616975
【申請?zhí)枴緾N201510043377
【發(fā)明人】梅川奇, 傅卓理, 何賢安
【申請人】江西久順科技有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2015年1月21日