本公開(kāi)涉及一種電容器。

背景技術(shù)：

1、以往，提出了多種電容器。專利文獻(xiàn)1(日本特開(kāi)2017-103412號(hào)公報(bào))中公開(kāi)了：“一種固體電解電容器，其具備陽(yáng)極體、配置在所述陽(yáng)極體的表面上的電介質(zhì)層以及配置在所述電介質(zhì)層的表面上且使用具有1(s/cm)以上的電導(dǎo)率的氧化鋅構(gòu)成的固體電解質(zhì)層”。

2、專利文獻(xiàn)2(日本特開(kāi)2020-35890號(hào)公報(bào))中公開(kāi)了：“一種固體電解電容器，其具備由閥金屬(valve?metal)構(gòu)成的陽(yáng)極體、形成于所述陽(yáng)極體的表面上的電介質(zhì)層、形成于所述電介質(zhì)層上的半導(dǎo)體層和形成于所述半導(dǎo)體層上的陰極層，其中，所述半導(dǎo)體層使用p型無(wú)機(jī)半導(dǎo)體而構(gòu)成”。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2017-103412號(hào)公報(bào)

6、專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2020-35890號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、目前，一直在尋求耐高溫性高的電容器。在這樣的狀況下，本公開(kāi)的目的之一是提供耐高溫性高的新穎的電容器。

3、用于解決課題的手段

4、本公開(kāi)的一個(gè)方案涉及一種電容器。該電容器包含表面上形成有電介質(zhì)層的陽(yáng)極體和形成于所述電介質(zhì)層上的由金屬氧化物構(gòu)成的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包含形成于所述電介質(zhì)層上的第1導(dǎo)電層和形成于所述第1導(dǎo)電層上的第2導(dǎo)電層，所述第2導(dǎo)電層的平均厚度大于所述第1導(dǎo)電層的平均厚度。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本公開(kāi)，可得到耐高溫性高的電容器。

7、本發(fā)明的新穎的特征記述于所附的權(quán)利要求書(shū)中，但本發(fā)明關(guān)于構(gòu)成及內(nèi)容這兩者，通過(guò)與本發(fā)明的其它目的及特征一起參照附圖的以下的詳細(xì)說(shuō)明而可以更加清楚地理解。

技術(shù)特征：

1.一種電容器，其包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中，進(jìn)一步包含形成于所述導(dǎo)電層上、且含有無(wú)機(jī)導(dǎo)電材料的陰極引出層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電容器，其中，所述第1導(dǎo)電層的平均厚度在1nm～1μm的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電容器，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電容器，其中，所述第2導(dǎo)電層的電導(dǎo)率為1s/cm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電容器，其中，所述導(dǎo)電層由選自zno、tio2、銦錫氧化物、in2o3、sno2、mno2、nio2、cuino2、cucro2、cualo2及cusco2中的至少1種構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的電容器，其中，所述導(dǎo)電層含有用于提高所述導(dǎo)電層的導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)的電容器包含表面形成有電介質(zhì)層(112)的陽(yáng)極體(111)和形成于電介質(zhì)層(112)上的由金屬氧化物構(gòu)成的導(dǎo)電層(120)。導(dǎo)電層(120)包含形成于電介質(zhì)層(112)上的第1導(dǎo)電層(121)和形成于第1導(dǎo)電層(121)上的第2導(dǎo)電層(122)。第2導(dǎo)電層(122)的平均厚度大于第1導(dǎo)電層(121)的平均厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：大野航太朗,中村嘉孝,石本仁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21