本說明書公開的內容涉及半導體裝置。

背景技術：

1、專利文獻1公開了一種半導體裝置。該半導體裝置具備基板(絕緣基板)、在兩面具有主電極的半導體元件、以及主端子(外部連接用端子)。半導體元件的主電極之一經由焊料層而與基板的表面金屬體(金屬箔)連接。主端子通過超聲波接合等而與表面金屬體連接?，F有技術文獻的記載內容作為本說明書中的技術要素的說明通過參照而引用。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2014－60410號公報

技術實現思路

1、在將主端子與基板接合的結構下，有可能由于接合部附近的電場集中而主端子的耐久壽命下降。此外，考慮焊料層的浸潤性、主端子的接合性等，可以想到在將主端子與表面金屬體接合之后施以鍍膜。該情況下，有可能產生鍍液殘渣，在后工序中鍍液滲出而引起焊料層的浸潤性下降等。從上述觀點或未言及的其他觀點來看，對于半導體裝置要求進一步的改良。

2、公開的一個目的在于，提供能夠提高主端子的耐久壽命并且抑制因鍍液殘渣造成的不良狀況的半導體裝置。

3、這里公開的半導體裝置，具備：半導體元件，具有設于一面的第1主電極以及設于與一面在板厚方向上相反的背面的第2主電極；基板，具有絕緣基材、配置于絕緣基材的表面并與第1主電極電連接的表面金屬體、以及配置于絕緣基材中與表面相反的面的背面金屬體；接合件，介于第1主電極與表面金屬體之間，將第1主電極與表面金屬體相接合；主端子，在與表面金屬體之間形成固相接合部；以及鍍膜，以將固相接合部覆蓋的方式設在表面金屬體及主端子上；主端子的與表面金屬體之間形成的固相接合部為一個；主端子中，作為在板厚方向的平面觀察時與表面金屬體重疊的重疊區(qū)域而具有：接合區(qū)域，提供固相接合部；以及非接合區(qū)域，是除了接合區(qū)域以外的區(qū)域，在主端子的至少寬度方向上與接合區(qū)域鄰接而設置；主端子包括重疊區(qū)域的寬度比固相接合部的寬度大的寬度較寬端子。

4、根據所公開的半導體裝置，主端子包括寬度較寬端子。寬度較寬端子具有非接合區(qū)域。非接合區(qū)域至少在寬度方向上與接合區(qū)域鄰接。由此，重疊區(qū)域的寬度比固相接合部的寬度大。由此，能夠抑制電場集中，進而提高主端子(寬度較寬端子)的耐久壽命。

5、此外，鍍膜以將固相接合部覆蓋的方式設置。即，在固相接合之后形成鍍膜。但是，寬度較寬端子在與表面金屬體之間具有的固相接合部是一個。非接合區(qū)域向側方開口。由此，即使鍍液進入到非接合區(qū)域與表面金屬體之間，鍍液也容易被排出。鍍液難以積存在非接合區(qū)域與表面金屬體之間。由此，能夠抑制鍍液殘渣的產生。通過鍍液殘渣的抑制，例如能夠抑制半導體元件與表面金屬體的連接可靠性的下降。這樣，能夠抑制由鍍液殘渣造成的不良狀況。

6、本說明書中公開的多個技術方案為了達成各自的目的而采用相互不同的技術手段。權利要求及其項目中記載的括號內的標記用來例示性地表示與后述實施方式的部分的對應關系，并不限定技術范圍。本說明書公開的目的、特征及效果通過參照后續(xù)的詳細說明及附圖會更加明確。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

8.如權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

技術總結
在基板(50)配置有半導體元件，漏極電極與表面金屬體(52)電連接。主端子(91)在與表面金屬體(52)之間形成有一個基于固相接合的接合部(120)。鍍膜(130)以將接合部(120)覆蓋的方式設在表面金屬體(52)及主端子(91)上。主端子(91)作為與表面金屬體(52)重疊的重疊區(qū)域(911)而具有提供接合部的接合區(qū)域(912)和在主端子(91)的至少寬度方向上與接合區(qū)域(912)鄰接設置的非接合區(qū)域(913)。主端子(91)是重疊區(qū)域(911)的寬度比接合部(120)的寬度大的寬度較寬端子。

技術研發(fā)人員：土持真悟,川島崇功
受保護的技術使用者：株式會社電裝
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21