本實(shí)用新型涉及一種可降低CP值的電感結(jié)構(gòu)，屬于電感器技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

電感器(Inductor)為被動(dòng)電子元件的一種，在電子產(chǎn)品中時(shí)常運(yùn)用，其在電子電路里面具抗拒電流變化，從而可過濾電路的雜訊、穩(wěn)定電路中的電流值、降低電磁干擾、功率轉(zhuǎn)換等功能，但是目前電感器為單一繞組的設(shè)置以對(duì)應(yīng)現(xiàn)代化電子產(chǎn)品已達(dá)不到需求標(biāo)準(zhǔn)而不敷使用，從而演變出多繞組以及多繞組繞線方式的不同形式的電感器。

對(duì)此，中國(guó)專利授權(quán)公告第CN203746604U號(hào)揭露了一種「共模濾波器」，其CN203746604U號(hào)該案中圖1所示的大致結(jié)構(gòu)，尤其共模濾波器以內(nèi)、外層疊繞，并且內(nèi)、外層個(gè)別分成三個(gè)繞線區(qū)域之15匝、1匝和15匝之繞線，而致使形成共模濾波器。

這一技術(shù)方案中，雖可形成多接腳的共模濾波器，但此內(nèi)、外層的繞設(shè)方式及特定此匝數(shù)且又彼此接觸，固然共模濾波器設(shè)有空間區(qū)域，此整體繞設(shè)方式容易形成大的寄生電容(parasitic capacitance)，或稱雜散電容、并聯(lián)電容，此電容容易引起電路干擾，因此并聯(lián)等效電容值CP，其值愈小愈好。故當(dāng)共模濾波器或電感器產(chǎn)生高的CP值，尤其運(yùn)作于高頻率時(shí)，將會(huì)失去高頻濾波的能力。因此，如何針對(duì)上述所言而降低等效并聯(lián)電容值CP，是解決的技術(shù)困難點(diǎn)所在。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷和不足，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理、使用方便的一種可降低CP值的電感結(jié)構(gòu)，一種能降低等效并聯(lián)電容值(CP)而提升高頻濾波能力響應(yīng)的可降低CP值的電感結(jié)構(gòu)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：

本實(shí)用新型所述的一種可降低CP值的電感結(jié)構(gòu)，包括芯柱體、第一線圈和第二線圈；所述的芯柱體上依序設(shè)有第一繞線區(qū)域、第二繞線區(qū)域和第三繞線區(qū)域，芯柱體的兩端分別設(shè)有第一法蘭和第二法蘭，第一法蘭上設(shè)有第一端電極和一第三端電極，且該第二法蘭上設(shè)有第二端電極和第四端電極。

在本實(shí)用新型中：所述的第一線圈，和與之對(duì)應(yīng)的第一繞線區(qū)域、第二繞線區(qū)域以及第三繞線區(qū)域上分別依序繞設(shè)固定m1匝的第一繞線部、m2匝的第二繞線部和m3匝的第三繞線部； 所述的第二線圈，和與之對(duì)應(yīng)的第一繞線區(qū)域、第二繞線區(qū)域以及第三繞線區(qū)域上分別依序繞設(shè)固定n1匝的第四繞線部、n2匝的第五繞線部和n3匝的第六繞線部，該m1匝等于n1匝、該n2匝等于m2+1匝和該n3匝等于m3-1匝；其中，該第一繞線區(qū)域的第一繞線部和第四繞線部與該第二繞線區(qū)域的第二繞線部和第五繞線部之間設(shè)有第一隔離區(qū)，該第二繞線區(qū)域的第二繞線部和第五繞線部與該第三繞線區(qū)域的第三繞線部和第六繞線部之間設(shè)有第二隔離區(qū)和第三隔離區(qū)，該第一隔離區(qū)和第二隔離區(qū)與該第三隔離區(qū)分別形成于該芯柱體上的相對(duì)側(cè)。

在本實(shí)用新型中：所述第一繞線區(qū)域的第一繞線部和第四繞線部形成為相互層疊繞設(shè)，所述第二繞線區(qū)域的第二繞線部和第五繞線部形成為相互水平繞設(shè)，且所述的第三繞線區(qū)域的第三繞線部和第六繞線部形成為相互層疊繞設(shè)。

在本實(shí)用新型中：所述第二繞線區(qū)域的第二繞線部和第五繞線部形成為相互交替配置水平繞設(shè)。

在本實(shí)用新型中：所述m1匝等于19匝、m2匝等于1匝、m3匝等于11匝、n1匝等于19匝、n2匝等于2匝和n3匝等于10匝。

采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型有益效果為：本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理，通過設(shè)置的第一隔離區(qū)、第二隔離區(qū)和第三隔離區(qū)，大幅減少第一線圈和第二線圈的繞設(shè)于芯柱體上后的整體的接觸面積，以及該第二繞線區(qū)域的第二繞線部和第五繞線部形成為相互水平繞設(shè)，進(jìn)一步使得第二繞線部和第五繞線部形成為相互交替配置水平繞設(shè)的形式，更能進(jìn)一步的減少等效并聯(lián)電容值的產(chǎn)生，能夠達(dá)到降低等效并聯(lián)電容值(CP)而提升高頻濾波能力響應(yīng)的功效。

【附圖說(shuō)明】

此處所說(shuō)明的附圖是用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定，在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的第二繞線部和第五繞線部的示意圖；

圖3是本實(shí)用新型的第一隔離區(qū)、第二隔離區(qū)和第三隔離區(qū)的示意圖。

圖中：3.芯柱體；31.第一繞線區(qū)域；32.第二繞線區(qū)域；33.第三繞線區(qū)域；34.第一法蘭；35.第二法蘭；4.第一線圈；41.第一繞線部；42.第二繞線部；43. 第三繞線部；5.第二線圈；51.第四繞線部；52.第五繞線部；53.第六繞線部；6.第一隔離區(qū)；7.第二隔離區(qū)；8.第三隔離區(qū)；91.第一端電極；92.第二端電極；93.第三端電極；94.第四端電極。

【具體實(shí)施方式】

下面將結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型，其中的示意性實(shí)施例以及說(shuō)明僅用來(lái)解釋本實(shí)用新型，但并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。

如圖1所示，一種可降低CP值的電感結(jié)構(gòu)，包括芯柱體3、第一線圈4和第二線圈5，該芯柱體3可為方柱或圓柱形狀，但不以此為限制。該芯柱體3上依序設(shè)有第一繞線區(qū)域31、第二繞線區(qū)域32和第三繞線區(qū)域33，該芯柱體3的兩端分別延伸設(shè)有第一法蘭34和第二法蘭35。在本實(shí)施例中，該第一法蘭34上設(shè)有第一端電極91和第三端電極93，且該第二法蘭35上設(shè)有第二端電極92和第四端電極94。第一線圈4和與之對(duì)應(yīng)的第一繞線區(qū)域31、第二繞線區(qū)域32和第三繞線區(qū)域33分別依序繞設(shè)固定m1匝的第一繞線部41、m2匝的第二繞線部42和m3匝的第三繞線部43。同時(shí)，第二線圈5和與之對(duì)應(yīng)的第一繞線區(qū)域31、第二繞線區(qū)域32和第三繞線區(qū)域33的相鄰第一線圈4分別依序繞設(shè)固定n1匝的第四繞線部51、n2匝的第五繞線部52和n3匝的第六繞線部53。

其中，該第一繞線區(qū)域31的第一繞線部41和第四繞線部51形成為相互層疊繞設(shè)，以縮小芯柱體3的(使用)體積，該第二繞線區(qū)域32的第二繞線部42和第五繞線部52形成為相互水平繞設(shè)(如圖2所示)。較佳的是，該第二繞線區(qū)域32的第二繞線部42和第五繞線部52形成為相互交替配置水平繞設(shè)，其第一線圈4的第二繞線部42和第二線圈5的第五繞線部52的交替配置的方式如圖1所示，但不以此為限制。除了第二繞線部42和第五繞線部52本身以水平排列繞設(shè)以降低兩者之間的繞線接觸面積，更能讓橫跨第一繞線部41和第四繞線部51與第二繞線部42和第五繞線部52之間產(chǎn)生的等效并聯(lián)電容因相對(duì)于第一線圈4和第二線圈5之兩者而均勻的產(chǎn)生，所以能夠抑制第一線圈4和第二線圈5的阻抗不平衡，因此能有效降低整體的等效并聯(lián)電容值CP，故能有效提升高頻濾波響應(yīng)，且低頻濾波響應(yīng)也是相同的，使得本實(shí)用新型成為高品質(zhì)的共模濾波器或電感器。又第三繞線區(qū)域33的第三繞線部43和第六繞線部53形成為相互層疊繞設(shè)，也為縮小芯柱體3的(使用)體積。

如圖3所示，所述第一繞線區(qū)域31的第一繞線部41和第四繞線部51與該第二繞線區(qū)域32的第二繞線部42和第五繞線部52之間設(shè)有第一隔離區(qū)6，所述第二繞線區(qū)域32的第二繞線部42和第五繞線部52與第三繞線區(qū)域33的第三繞線部43和第六繞線部53之間設(shè)有第二隔離區(qū)7和第三隔離區(qū)8，第一隔離區(qū)6和第二隔離區(qū)7與該第三隔離區(qū)8分別形成于該芯柱體3上的相對(duì)側(cè)。所述第一隔離區(qū)6、第二隔離區(qū)7及第三隔離區(qū)8的設(shè)置能明顯有效的大幅減少第一線圈4和第二線圈5兩者之間繞設(shè)于芯柱體3上后的接觸面積，避免產(chǎn)生額外的等效并聯(lián)電容，能有效降低整體的等效并聯(lián)電容值CP。

在本實(shí)施例中，所述的m1匝等于n1匝，所述的n2匝等于m2+1匝和所述的n3匝等于m3-1匝，且，當(dāng)m1匝等于19匝、m2匝等于1匝、m3匝等于11匝、n1匝等于19匝、n2匝等于2匝和n3匝等于10匝(如圖1中第一線圈4和第二線圈5)，而獲得最佳狀態(tài)的降低整體的等效并聯(lián)電容值，但不以此為限制。

綜上所述，因此本實(shí)用新型設(shè)置第一隔離區(qū)6、第二隔離區(qū)7和第三隔離區(qū)8，大幅減少第一線圈4和第二線圈5的繞設(shè)于芯柱體3上后的整體的接觸面積，以及第二繞線區(qū)域32的第二繞線部42和第五繞線部52形成為相互水平繞設(shè)，或進(jìn)一步使得第二繞線部42和第五繞線部52形成為相互交替配置水平繞設(shè)的形式，更能進(jìn)一步的有效減少等效并聯(lián)電容值的產(chǎn)生。

以上所述僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。