本發(fā)明涉及一種金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的制備方法,特別是涉及一種金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物及其制備方法,以及其用于柔性電容器的方法,屬于納米復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,可再生能源的儲存和轉(zhuǎn)化引起了人們的廣泛關(guān)注,電容器作為一種優(yōu)異的儲存裝置顯得尤為突出,其具有結(jié)構(gòu)簡單、功率密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn)。需要注意的是,各類柔性電子器件的發(fā)展,引起了柔性電容器的產(chǎn)生。二維材料由于自身的優(yōu)點(diǎn),在柔性電容器的發(fā)展過程中占得了一席之地。其中,過渡金屬氧化物自身電容性能較高,脫穎而出,但由于其導(dǎo)電性差,限制了應(yīng)用,所以目前各研究者集中改善其導(dǎo)電性,主要是將金屬氧化物與各種導(dǎo)電性較好的物質(zhì)進(jìn)行復(fù)合,例如,石墨烯、導(dǎo)電高分子以及各種碳材料。但是,大部分導(dǎo)電材料僅具有良好導(dǎo)電性,水溶性較差,與金屬氧化物不能較好結(jié)合。因此,發(fā)現(xiàn)一種既具有良好導(dǎo)電性,又可以與金屬氧化物具有良好相容性的物質(zhì),是目前研究的熱點(diǎn)。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的在于提供一種金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物、其制備方法與應(yīng)用,以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
為實現(xiàn)前述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括:
本發(fā)明實施例提供了一種金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物,其包括由均勻分布且緊密連接的金屬氧化物納米片與mxene二維納米片構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu),所述金屬氧化物納米片與mxene二維納米片的質(zhì)量比為1:1~9:1。
本發(fā)明實施例還提供了一種制備所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的方法,其包括:
將金屬氧化物納米片與mxene二維納米片于溶劑中混合均勻,得到混合溶液,將所述混合溶液進(jìn)行真空抽濾,獲得金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物。
本發(fā)明實施例還提供了前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物于制備電極或電容器中的用途。
例如,本發(fā)明實施例還提供了一種復(fù)合電極,其包含前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物。
本發(fā)明實施例還提供了前述的復(fù)合電極的制備方法,其包括:對所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物進(jìn)行加壓處理,形成復(fù)合電極。
又例如,本發(fā)明實施例還提供了一種柔性電容器,其包括兩個電極和電極之間的電解質(zhì),所述電極包括前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物或復(fù)合電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)至少在于:
1)本發(fā)明提供的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物將金屬氧化物與mxene復(fù)合,mxene作為一種新興的過渡金屬碳化物和氮化物,具有良好的柔性,導(dǎo)電性以及良好的水溶性,可以滿足金屬氧化物的需求,對利用本發(fā)明的復(fù)合物制備得到的復(fù)合電極直接進(jìn)行三電極測試,并與單純mxene以及金屬氧化物進(jìn)行對比,性能上具有明顯的提升。另外,本發(fā)明還將金屬氧化物與mxene進(jìn)行簡單的物理混合制備電極,最終性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)差于本發(fā)明的電化學(xué)性能,進(jìn)一步證明了本發(fā)明采用簡單抽濾方式得到的復(fù)合電極的層層堆垛結(jié)構(gòu)利于電子以及離子的傳輸,從而改善電化學(xué)性能;
2)本發(fā)明提供的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的制備方法通過一種簡單、可控的真空抽濾的方式,直接將金屬氧化物以及mxene二維納米片溶液混合,充分利用了金屬氧化物與mxene之間的互溶性良好復(fù)合,然后將得到的復(fù)合電極作為柔性電容器的柔性電極,以改善活性物質(zhì)之間接觸不好的缺點(diǎn)。
3)本發(fā)明提供的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物,同時利用了mxene良好的導(dǎo)電性以及水溶性,通過與金屬氧化物的充分良好接觸,達(dá)到最終改善金屬氧化物導(dǎo)電性的效果,進(jìn)而提升復(fù)合電極的電化學(xué)性能。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一典型實施例中金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的制備方法示意圖;
圖2a-圖2e是本發(fā)明一典型實施例中制備的柔性復(fù)合電極的照片示意圖;
圖3a和圖3b是本發(fā)明一典型實施例中金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的sem圖像;
圖4a和圖4b是本發(fā)明一典型實施例中制備的柔性復(fù)合電極的三電極測試cv以及gcd曲線圖;
圖5a和圖5b是對照例1中單純金屬氧化物三電極測試cv以及gcd曲線圖;
圖6a和圖6b是對照例2中單純mxene三電極測試cv以及gcd曲線圖;
圖7a和圖7b是對照例3中金屬氧化物與mxene通過傳統(tǒng)電極制備方法復(fù)合得到的混合電極的三電極測試cv以及gcd曲線圖;
圖8a是本發(fā)明實施例2中制備的柔性電容器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8b是本發(fā)明實施例2中制備的柔性電容器的柔性表征示意圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有技術(shù)的諸多缺陷,本案發(fā)明人經(jīng)長期研究和大量實踐,提出本發(fā)明的技術(shù)方案,如下將對該技術(shù)方案、其實施過程及原理等作進(jìn)一步的解釋說明。但是,應(yīng)當(dāng)理解,在本發(fā)明范圍內(nèi),本發(fā)明的上述各技術(shù)特征和在下文(實施例)中具體描述的各技術(shù)特征之間都可以相互結(jié)合,從而構(gòu)成新的或者優(yōu)選的技術(shù)方方案。限于篇幅,在此不再一一累述。
本發(fā)明實施例的一個方面提供的一種金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物,參見圖3a和圖3b所示,其包括由均勻分布且緊密連接的金屬氧化物納米片與mxene二維納米片構(gòu)成的層狀結(jié)構(gòu),所述金屬氧化物納米片與mxene二維納米片的質(zhì)量比為1:1~9:1。
作為較佳實施方案之一,所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的厚度約為1~10μm。
作為較佳實施方案之一,所述金屬氧化物納米片的橫向尺寸為1~2μm。
優(yōu)選的,所述金屬氧化物納米片包括mno2、zno、v2o5、fe3o4等,但不限于此。
作為較佳實施方案之一,所述mxene二維納米片的橫向尺寸為1~2μm。
進(jìn)一步的,所述mxene二維納米片包括ti3c2、ti2c、nb4c43等,但不限于此。
本發(fā)明實施例的另一個方面提供的一種制備所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的方法,請參閱圖1所示,其包括:
將金屬氧化物納米片與mxene二維納米片于溶劑中混合均勻,得到混合溶液,將所述混合溶液進(jìn)行真空抽濾,獲得金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物。
作為較佳實施方案之一,所述制備方法具體包括:
將金屬氧化物納米片溶液與mxene二維納米片溶液超聲混合均勻,得到混合溶液,將所述混合溶液進(jìn)行真空抽濾,獲得金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物。
優(yōu)選的,所述金屬氧化物納米片與mxene二維納米片的質(zhì)量比為1:1~9:1。
進(jìn)一步的,所述真空抽濾的壓力為5~20mpa左右。
進(jìn)一步的,所述溶劑包括超純水和乙醇等醇類溶劑,但不限于此。
作為較佳實施方案之一,所述金屬氧化物納米片的橫向尺寸為1~2μm。
優(yōu)選的,所述金屬氧化物納米片包括mno2、zno、v2o5、fe3o4等,但不限于此。
作為較佳實施方案之一,所述mxene二維納米片的橫向尺寸為1~2μm。
進(jìn)一步的,所述mxene二維納米片包括ti3c2、ti2c、nb4c43等,但不限于此。
本發(fā)明提供的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物的制備方法通過一種簡單、可控的真空抽濾的方式,直接將金屬氧化物以及mxene二維納米片溶液混合,然后將得到的復(fù)合電極作為柔性電容器的柔性電極,以改善活性物質(zhì)之間接觸不好的缺點(diǎn)。
本發(fā)明實施例的另一個方面還提供了前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物于制備電極或電容器中的用途。
例如,參閱圖2a-圖2e所示,本發(fā)明實施例還提供了一種具備柔性的復(fù)合電極,其包含前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物。
本發(fā)明實施例還提供了前述的復(fù)合電極的制備方法,其包括:對所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物進(jìn)行加壓處理,形成復(fù)合電極。
進(jìn)一步的,所述制備方法包括:至少以壓片的方式將所述金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物形成于選定基底上,獲得復(fù)合電極。
進(jìn)一步的,所述基底包括不銹鋼網(wǎng)基底,但不限于此。
又例如,為了證明該復(fù)合電極的實用性,本發(fā)明實施例還提供了一種柔性電容器,其包括兩個電極和電極之間的電解質(zhì)(尤其是隔膜電解質(zhì)),所述電極包括前述的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物或復(fù)合電極。
綜上所述,藉由上述技術(shù)方案,本發(fā)明提供的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物將金屬氧化物與mxene復(fù)合,mxene作為一種新興的過渡金屬碳化物和氮化物,具有良好的柔性,導(dǎo)電性以及良好的水溶性,可以滿足金屬氧化物的需求,對利用本發(fā)明的復(fù)合物制備得到的復(fù)合電極直接進(jìn)行三電極測試,并與單純mxene以及金屬氧化物進(jìn)行對比,性能上具有明顯的提升。
以下通過若干實施例并結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。然而,所選的實施例僅用于說明本發(fā)明,而不限制本發(fā)明的范圍。
實施例1
將金屬氧化物以及mxene的納米片溶液,按照9:1的質(zhì)量比進(jìn)行超聲混合,然后進(jìn)行真空抽濾,然后將得到的復(fù)合電極通過壓片的方式轉(zhuǎn)移到不銹鋼網(wǎng)基底上以便于進(jìn)行電化學(xué)測試。制備得到的柔性復(fù)合電極采用三電極的方式進(jìn)行測試。
實施例2
將金屬氧化物以及mxene的納米片溶液,按照4:1的質(zhì)量比進(jìn)行超聲混合,然后進(jìn)行真空抽濾,然后將得到的復(fù)合電極通過壓片的方式轉(zhuǎn)移到不銹鋼網(wǎng)基底上以便于進(jìn)行電化學(xué)測試。制備得到的柔性復(fù)合電極采用三電極的方式進(jìn)行測試,其三電極測試cv以及gcd曲線圖可參閱圖4a和圖4b。將該柔性復(fù)合電極進(jìn)一步組裝為柔性電容器,參見圖8a所示。對本實施例的柔性電容器進(jìn)行柔性表征,其性能參數(shù)參見圖8b所示。
實施例3
將金屬氧化物以及mxene的納米片溶液,按照1:1的質(zhì)量比進(jìn)行超聲混合,然后進(jìn)行真空抽濾,然后將得到的復(fù)合電極通過壓片的方式轉(zhuǎn)移到不銹鋼網(wǎng)基底上以便于進(jìn)行電化學(xué)測試。制備得到的柔性復(fù)合電極采用三電極的方式進(jìn)行測試。
對照例1
量取一定量的金屬氧化物納米片溶液,任意比例稀釋,然后采用相同的方式進(jìn)行真空抽濾,壓片轉(zhuǎn)移到不銹鋼網(wǎng)基底上,制備得到的單純金屬氧化物電極進(jìn)行三電極測試,其三電極測試cv以及gcd曲線圖如圖5a和圖5b所示。
對照例2
量取一定量的mxene納米片溶液,任意比例稀釋,然后采用相同的方式進(jìn)行真空抽濾,壓片轉(zhuǎn)移到不銹鋼網(wǎng)基底上,制備得到的單純mxene電極進(jìn)行三電極測試,其三電極測試cv以及gcd曲線圖如圖6a和圖6b所示。
由實施例1-3和對比例1-2中可以得出,本發(fā)明所獲金屬氧化物以及mxene二維納米復(fù)合物與單純mxene以及金屬氧化物進(jìn)行對比,性能上具有明顯的提升。
對照例3
采用高速離心的方式收集得到金屬氧化物和mxene納米片固體,將二者按照質(zhì)量比4:1混合研磨,然后將混合粉末、乙炔黑、pvdf按照8:1:1的比例混合涂覆在不銹鋼網(wǎng)上,作為電極進(jìn)行三電極測試,其三電極測試cv以及gcd曲線圖如圖7a和圖7b所示。
本對照例將金屬氧化物與mxene進(jìn)行簡單的物理混合制備電極,最終性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)差于本發(fā)明的電化學(xué)性能,進(jìn)一步證明了本發(fā)明采用簡單抽濾方式得到的復(fù)合電極的層層堆垛結(jié)構(gòu)利于電子以及離子的傳輸,從而改善電化學(xué)性能。
通過實施例1-3,可以發(fā)現(xiàn),藉由本發(fā)明的上述技術(shù)方案,通過一種簡單、可控的真空抽濾的方式,直接將金屬氧化物以及mxene二維納米片溶液混合,然后將得到的復(fù)合電極作為柔性電容器的柔性電極,以改善活性物質(zhì)之間接觸不好的缺點(diǎn)。對利用本發(fā)明的復(fù)合物制備得到的復(fù)合電極直接進(jìn)行三電極測試,并與單純mxene以及金屬氧化物進(jìn)行對比,力學(xué)、電學(xué)性能上均具有明顯的提升。
此外,本案發(fā)明人還參照實施例1-實施例3的方式,以本說明書中列出的其它原料和條件等進(jìn)行了試驗,并同樣制得了力學(xué)、電學(xué)性能優(yōu)異的金屬氧化物/mxene二維納米復(fù)合物、復(fù)合電極以及柔性電容器。
應(yīng)當(dāng)理解的是,上述實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。