本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

陣列基板制備時，通常采用銅作為陣列基板中包括源極、漏極及數(shù)據(jù)線的源漏金屬層的材料。由于銅的性質(zhì)較為活潑，易擴(kuò)散至其他膜層中，且在高溫或外加電場的作用下，銅易被氧化，影響陣列基板構(gòu)成的顯示器件的顯示效果。因此通常構(gòu)成源漏金屬層的材料還包括鉬鈮(化學(xué)式：monb)，鉬鈮層通常形成在銅金屬層的上下表面，以對銅進(jìn)行保護(hù)。

然而，光刻膠在鉬鈮層表面的粘附力較低。當(dāng)在陣列基板中的柵線表面形成數(shù)據(jù)線時，由于柵線自身具有一定的厚度，因此數(shù)據(jù)線在與柵線交疊處存在爬坡現(xiàn)象。在底鉬鈮層、銅金屬層、頂鉬鈮層構(gòu)成的導(dǎo)電膜層的表面涂覆光刻膠(光刻膠在頂鉬鈮層的表面)時，由于光刻膠與頂鉬鈮層的粘附力較低，因此光刻膠在上述爬坡處易產(chǎn)生空隙，在后續(xù)的刻蝕工藝中，刻蝕液從上述空隙處侵入導(dǎo)電膜層中，易使得形成的數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，用于降低在陣列基板中形成交叉設(shè)置的信號線時，位于頂層的信號線在爬坡處發(fā)生斷線的幾率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上形成第一導(dǎo)電薄膜，對所述第一導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括第一信號線；在所述第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電薄膜，對所述第二導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層包括第二信號線；所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設(shè)置；其中，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。

可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區(qū)域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域的寬度。

可選的，所述制備方法還包括：對所述第二導(dǎo)電薄膜進(jìn)行粗糙化處理。

進(jìn)一步的，所述對所述第二導(dǎo)電薄膜進(jìn)行粗糙化處理，包括：在所述第二導(dǎo)電薄膜表面涂覆光刻膠，對所述光刻膠進(jìn)行前烘、曝光、顯影、后烘工藝，并將所述光刻膠去除。

本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種陣列基板，包括襯底，在襯底上依次設(shè)置的第一信號線和第二信號線，所述第一信號線和所述第二信號線交叉絕緣設(shè)置；所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于所述邊緣兩個頂點之間的直線距離。

可選的，所述第一信號線的上表面中與所述第二信號線交疊的部分，沿所述第二信號線的延伸方向的兩個邊緣均為弧線。

可選的，所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影重合區(qū)域的寬度，大于所述第二信號線與所述第一信號線在所述襯底上的正投影未重合的區(qū)域的寬度。

可選的，所述第一信號線為柵線和/或公共線，所述第二信號線為數(shù)據(jù)線；或者，所述第一信號線為數(shù)據(jù)線，所述第二信號線為柵線和/或公共線。

可選的，所述第二信號線由依次設(shè)置的第一銅擴(kuò)散阻擋層、銅/銅合金層、第二銅擴(kuò)散阻擋層構(gòu)成。

本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種顯示裝置，包括上述所述的任一種陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，陣列基板的制備方法，具體的包括，在襯底上形成第一導(dǎo)電薄膜，對第一導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層包括第一信號線；在第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電薄膜，對第二導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括第二信號線，第一信號線和第二信號線交叉絕緣設(shè)置。

其中，第一信號線的上表面中與第二信號線交疊的部分，沿第二信號線的延伸方向的至少一邊緣的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離。在第一信號線的厚度不變的情況下，相對于邊緣長度等于邊緣的兩個頂點之間的直線距離的情況，第二導(dǎo)電薄膜在爬坡處與第一導(dǎo)電層的接觸面積會增加，從而使得在第二導(dǎo)電薄膜表面形成光刻膠時，光刻膠在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積增加，進(jìn)而降低了爬坡處的光刻膠產(chǎn)生空隙的幾率，這樣一來，可以降低在執(zhí)行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導(dǎo)電薄膜中，造成形成的第二信號線發(fā)生斷線的幾率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；

圖2為根據(jù)圖1所示的制備方法制備的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3所示的陣列基板中a區(qū)的放大圖；

圖5為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖3所示的陣列基板中第一信號線和第二信號線的又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)-8(f)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備過程示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-襯底；11-第一導(dǎo)電層；111-第一信號線；121-第二信號線；12-第二導(dǎo)電層；13-漏極；20-柵絕緣層；21-氧化物有源層；31-氧化物半導(dǎo)體薄膜；32-第一銅擴(kuò)散阻擋薄膜層；33-銅/銅合金薄膜層；34-第二銅擴(kuò)散阻擋薄膜層；35-光刻膠；351-光刻膠完全保留部分；352-光刻膠半保留部分。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖1所示，包括：

步驟s101、如圖2所示，在襯底10上形成第一導(dǎo)電薄膜，對第一導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第一導(dǎo)電層11，如圖3所示，第一導(dǎo)電層11包括第一信號線111。

需要說明的是，上述構(gòu)圖可指：包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟形成預(yù)定圖形的工藝。光刻工藝，包括成膜、曝光、顯影等工藝，具體可以利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。

步驟s102、如圖2所示，在第一導(dǎo)電層11上形成第二導(dǎo)電薄膜，對第二導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第二導(dǎo)電層12，如圖3所示，第二導(dǎo)電層12包括第二信號線121；第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設(shè)置。

其中，如圖4所示，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離j。第二信號線121的延伸方向為圖3中的y方向。

需要說明的是，第一、可以通過控制掩模板的形狀，使其具有與需要形成的第一信號線111的形狀相同的特定圖案，從而通過掩模板曝光并執(zhí)行后續(xù)光刻工藝后，形成的第一信號線111具有上述特征。

第二、在形成第一信號線111后，可以在第一導(dǎo)電層11的表面形成一層絕緣層，然后在絕緣層的表面形成上述第二導(dǎo)電層12，從而使得形成的第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設(shè)置，且第二信號線121位于第一信號線111的上方。

第三、上述對第二導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖，形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第二導(dǎo)電層12，具體的，在第二導(dǎo)電薄膜的表面涂覆一層光刻膠，并通過曝光、顯影、刻蝕工藝形成第二導(dǎo)電層12。

基于此，本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，具體的，在襯底10上形成第一導(dǎo)電薄膜，對第一導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第一導(dǎo)電層11，第一導(dǎo)電層11包括第一信號線111；在第一導(dǎo)電層11上形成第二導(dǎo)電薄膜，對第二導(dǎo)電薄膜構(gòu)圖形成由導(dǎo)電圖案構(gòu)成的第二導(dǎo)電層12，第二導(dǎo)電層12包括第二信號線121，第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設(shè)置。

其中，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。在第一信號線111的厚度不變的情況下，相對于邊緣e長度等于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離，第二導(dǎo)電薄膜在爬坡處與第一導(dǎo)電層11的接觸面積會增加，從而使得在第二導(dǎo)電薄膜表面形成光刻膠時，光刻膠在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積增加，降低了爬坡處的光刻膠產(chǎn)生空隙的幾率，進(jìn)而可以降低在執(zhí)行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導(dǎo)電薄膜中，造成形成的第二信號線121發(fā)生斷線的幾率。

此外，本發(fā)明對上述邊緣e的形狀不做限定，只要滿足邊緣e的長度大于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離j。示例的，上述邊緣e可以如圖4所示，至少一邊緣e可以為弧線；或者邊緣e可以為折線。

以邊緣e為弧線為例，為了增加通過構(gòu)圖工藝形成第二信號線121時，光刻膠在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積，可選的，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e均為弧線，此時可以如圖5所示，兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同，當(dāng)然兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向也可以不同。考慮到通常信號線制作的較細(xì)，當(dāng)兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相對時，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較窄，第一信號線111極易發(fā)生斷線。因此在第一信號線111較細(xì)的情況下，優(yōu)選的，第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同或相背。

在制作陣列基板時，為了簡化工藝，有時柵極由柵線的一部分充當(dāng)。示例的，如圖7所示，第一信號線111為柵線，第二信號線121為數(shù)據(jù)線。其中，第一信號線111包括凸起部b和柵線本體c，第二信號線121與凸起部b交疊，漏極13與凸起部b交疊。此時由于第一信號線111較粗，即使第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相對，由于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較寬，因此可以降低發(fā)生斷線的幾率。

在此基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步增加光刻膠在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積，可選的，如圖5所示，第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影重合區(qū)域的寬度w1，大于第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影未重合的區(qū)域的寬度w2。其中，第二信號線121的寬度是指：沿第一信號線111的延伸方向(如圖3所示的x方向)，第二信號線121的一端與另一端之間的直線距離。

需要說明的是，可以通過控制掩模板的形狀，使其具有與需要形成的第二信號線121的形狀相同的特定圖案，從而通過掩模板曝光并執(zhí)行后續(xù)光刻工藝后，形成的第二信號線121具有上述形狀。

在此情況下，當(dāng)在第二導(dǎo)電薄膜的表面形成光刻膠，在上述爬坡處，相對于第二信號線121中w1＝w2的情況，光刻膠與第二導(dǎo)電薄膜的上表面的接觸面積進(jìn)一步增大，這樣一來，可以進(jìn)一步降低爬坡處的光刻膠產(chǎn)生空隙的幾率。

在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明對陣列基板的類型不做限定，對于陣列基板中交叉設(shè)置的信號線，在兩條信號線交疊處，將位于底層的信號線設(shè)置為上述結(jié)構(gòu)時，均可以實現(xiàn)降低形成信號線時，位于頂層的信號線發(fā)生斷線的幾率。示例的，當(dāng)陣列基板為底柵型時，如圖3所示，上述第一信號線111可以為柵線，或者為與柵線同層的公共線(gatecommon)，第二信號線121為數(shù)據(jù)線(sdline)；當(dāng)陣列基板為頂柵型時，上述第一信號線111為數(shù)據(jù)線，第二信號線121為柵線，或者與柵線同層的公共線。

此外，上述第一信號線111和第二信號線121通常采用銅/銅合金形成。由于銅的性質(zhì)較為活潑，為了防止銅/銅合金被氧化，或擴(kuò)散至有源層或其他膜層中，對其他膜層造成污染，可選的，在銅/銅合金層的上表面形成第二銅擴(kuò)散阻擋層、下表面形成第一銅擴(kuò)散阻擋層。其中，第一銅擴(kuò)散阻擋層和第二銅擴(kuò)散阻擋層可以防止銅擴(kuò)散至其他膜層，例如有源層中，也可以防止在后續(xù)膜層的制作工藝中，銅/銅合金被氧化。

可選的，構(gòu)成上述銅擴(kuò)散阻擋層的材料包括鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)，鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅可以很好的防止銅/銅合金的擴(kuò)散以及降低其被氧化的幾率。

在此基礎(chǔ)上，由于光刻膠在采用鉬鈮合金構(gòu)成的銅擴(kuò)散阻擋層表面的附著力較低，因此當(dāng)形成第二信號線121時，增加了在爬坡處產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致形成的第二信號線121發(fā)生斷線的幾率。

在此情況下，根據(jù)本發(fā)明實施例提供的制作方法，使得第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j，以增加第二導(dǎo)電薄膜在爬坡處與第一導(dǎo)電層11的接觸面積，從而有效的降低在第二導(dǎo)電薄膜表面形成光刻膠時，在爬坡處的光刻膠產(chǎn)生空隙的幾率。

以下以陣列基板為底柵型，第一信號線111為柵線，第二信號線121為數(shù)據(jù)線為例，對陣列基板的制備過程進(jìn)行說明，具體的可通過如下步驟實現(xiàn)。

s11、在襯底10上形成第一導(dǎo)電薄膜，即柵極薄膜；并在第一導(dǎo)電薄膜101上方形成一層光刻膠。

s12、利用掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分。

其中，掩模板的不透光部分在沿第二信號線121的延伸方向、柵極薄膜與第二信號線121的預(yù)交疊處的至少一個側(cè)邊的長度大于該側(cè)邊的兩個頂點之間的直線距離。

這樣一來，可以使得形成的光刻膠保留部分中對應(yīng)于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣的長度大于邊緣兩個頂點之間的直線距離。

s13、采用刻蝕工藝對柵極薄膜進(jìn)行刻蝕，形成第一導(dǎo)電層11。

具體的，第一導(dǎo)電層11包括第一信號線111，且第一信號線111如圖4所示，上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。

之后，將形成有第一導(dǎo)電層11的襯底10清洗后，還可以采用pecvd在形成有第一導(dǎo)電層11的襯底10上沉積柵絕緣層20。

s14、在形成有第一導(dǎo)電層11的襯底10上形成有源層21、第二導(dǎo)電層12。

具體的，通過以下步驟實現(xiàn)：

步驟s21、如圖8(a)所示，在形成有第一導(dǎo)電層11的襯底10上依次形成氧化物半導(dǎo)體薄膜31、由第一銅擴(kuò)散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴(kuò)散阻擋薄膜層34構(gòu)成的第二導(dǎo)電薄膜，并在第二導(dǎo)電薄膜上方形成光刻膠35。

步驟s22、如圖8(b)所示，利用半色調(diào)掩模板40對光刻膠35進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分351、光刻膠半保留部分352和光刻膠完全去除部分；光刻膠完全保留部分351與源極和漏極13對應(yīng)，光刻膠半保留部分352與源極和漏極13之間的區(qū)域?qū)?yīng)，光刻膠完全去除部分與其他區(qū)域?qū)?yīng)。

其中，半色調(diào)掩模板包括不透明部分、半透明部分和透明部分。光刻膠35經(jīng)過曝光后，光刻膠完全保留部分351對應(yīng)半色調(diào)掩模板的不透明部分，光刻膠半保留部分352對應(yīng)半色調(diào)掩模板的半透明部分，光刻膠完全去除部分對應(yīng)半色調(diào)掩模板的透明部分。

當(dāng)然，上述所指的光刻膠35為正性膠，當(dāng)光刻膠35為負(fù)性膠時，光刻膠完全保留部分351則對應(yīng)半色調(diào)掩模板的透明部分，光刻膠完全去除部分則對應(yīng)半色調(diào)掩模板的不透明部分，光刻膠半保留部分352依然對應(yīng)半色調(diào)掩模板的半透明部分。

步驟s23、如圖8(c)所示，進(jìn)行第一次銅刻蝕工藝，對與光刻膠完全去除部分對應(yīng)的第一銅擴(kuò)散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴(kuò)散阻擋薄膜層34進(jìn)行刻蝕。

其中，在銅刻蝕工藝中，通常采用10％～20％的過蝕時間，以保持刻蝕干凈。此外，在保證銅刻蝕干凈的情況下，盡量縮短過蝕時間，以降低發(fā)生光刻膠剝離和信號線斷線的幾率。

步驟s24、如圖8(d)所示，進(jìn)行氧化物半導(dǎo)體薄膜31刻蝕，對與光刻膠完全去除部分對應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體薄膜31進(jìn)行刻蝕，得到氧化物有源層21。

步驟s25、如圖8(e)所示，采用灰化工藝去除光刻膠半保留部分352。

其中，在保證光刻膠半保留部分352灰化干凈的前提下，盡量縮短灰化時間，以降低發(fā)生光刻膠剝離和信號線斷線的幾率。

可選的，對圖8(e)所示的光刻膠35進(jìn)行烘干。其中，烘干溫度為110°～150°，時間為1oos～200s。這樣一來，可以增加光刻膠35在第二銅擴(kuò)散阻擋層34表面的附著力。

步驟s26、如圖8(f)所示，采用第二次銅刻蝕工藝，對露出的第一銅擴(kuò)散阻擋薄膜層32、銅/銅合金薄膜層33、第二銅擴(kuò)散阻擋薄膜層34進(jìn)行刻蝕，形成上述第二導(dǎo)電層12。

其中，在銅刻蝕工藝中，通常采用10％～20％的過蝕時間，以保持刻蝕干凈。此外，在保證銅刻蝕干凈的情況下，盡量縮短過蝕時間，以降低發(fā)生光刻膠35剝離和信號線斷線的幾率。

最后，剝離上述光刻膠35。

此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚的知道，可以在形成有第二導(dǎo)電層12的襯底10上繼續(xù)形成其他膜層，例如公共電極層、像素電極層。本發(fā)明對此不再贅述。

此外，可選的，在上述步驟s22之前，上述制備方法還包括：對第二導(dǎo)電薄膜進(jìn)行粗糙化處理。需要說明的是，本發(fā)明對上述粗糙化處理的具體方式不做限定，只要在對第二導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理后，可以使得第二導(dǎo)電薄膜的表面粗糙即可。

在此情況下，由于第二導(dǎo)電薄膜的表面粗糙，在第二導(dǎo)電薄膜上形成光刻膠35時，可以增加光刻膠35在第二導(dǎo)電薄膜的附著效果，從而降低了光刻膠35在上述爬坡處存在空隙的幾率。

示例的，上述對第二導(dǎo)電薄膜進(jìn)行粗糙化處理，可以包括：在第二導(dǎo)電薄膜表面涂覆光刻膠35，對光刻膠35進(jìn)行前烘、曝光、顯影、后烘工藝，并將光刻膠35去除。這樣一來，可以通過高溫的光刻膠35對第二導(dǎo)電薄膜的表面進(jìn)行處理，使得第二導(dǎo)電薄膜的表面粗糙。

本實施中，通過一次構(gòu)圖工藝形成氧化物有源層21、第二導(dǎo)電層12，具有簡化工藝步驟的效果，可以降低工藝成本。

當(dāng)然，也可以先通過一次構(gòu)圖工藝形成氧化物有源層21，再通過一次構(gòu)圖工藝形成第二導(dǎo)電層12，此時采用普通調(diào)掩模板進(jìn)行曝光工藝，通過控制掩模板的形狀，可以控制形成的第二導(dǎo)電層12中第二信號線121的上表面的形狀。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖3所示，包括襯底10，在襯底10上依次設(shè)置的第一信號線111和第二信號線121，第一信號線111和第二信號線121交叉絕緣設(shè)置。

其中，如圖4所示，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于該邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。

需要說明的是，第一信號線111和第二信號線121依次設(shè)置在襯底10上，因此第二信號線121位于第一信號線111的上方，因此在第二信號線121與第一信號線111交疊處，第二信號線121存在爬坡現(xiàn)象。

基于此，本發(fā)明提供的上述陣列基板，包括交叉絕緣設(shè)置的第一信號線111和第二信號線121，其中，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的至少一邊緣e的長度大于邊緣e兩個頂點之間的直線距離j。在形成有第一信號線111的襯底10上通過構(gòu)圖工藝形成第二信號線121時，在第一信號線111的厚度不變的情況下，相對于邊緣e長度等于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離，在通過構(gòu)圖工藝形成第二導(dǎo)電層12時，第二導(dǎo)電薄膜在爬坡處與第一導(dǎo)電層11的接觸面積會增加，從而使得在第二導(dǎo)電薄膜表面形成光刻膠35時，光刻膠35在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積增加，降低了爬坡處的光刻膠35產(chǎn)生空隙的幾率，進(jìn)而可以降低在執(zhí)行刻蝕工藝時，刻蝕液從上述空隙處侵入第二導(dǎo)電薄膜中，造成形成的第二信號線121發(fā)生斷線的幾率。

在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明對對上述邊緣e的形狀不做限定，只要滿足邊緣e的長度大于邊緣e的兩個頂點之間的直線距離j。示例的，上述邊緣e可以如圖4所示，上述邊緣e可以為弧線，或者為折線。

在此基礎(chǔ)上，為了增加通過構(gòu)圖工藝形成第二信號線121時，光刻膠35在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積，可選的，第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e均為弧線。此時可以如圖5所示，兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同，當(dāng)然兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向也可以不同。

進(jìn)一步的，為了降低由于第一信號線111的上表面中與第二信號線121交疊處的部分的寬度較窄，導(dǎo)致第一信號線111斷線的幾率，優(yōu)選的，第一信號線111的上表面與第二信號線121交疊的部分，沿第二信號線121的延伸方向的兩個邊緣e的弧線的圓弧凸起方向相同或相背。

在此基礎(chǔ)上，為了進(jìn)一步增加光刻膠35在爬坡處與第二導(dǎo)電薄膜的接觸面積，可選的，如圖5所示，第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影重合區(qū)域的寬度w1，大于第二信號線121與第一信號線111在襯底10上的正投影未重合的區(qū)域的寬度w2。其中，第二信號線121的寬度是指：沿第一信號線111的延伸方向(如圖3所示的x方向)，第二信號線121的一端與另一端之間的直線距離。

在此情況下，當(dāng)在第二導(dǎo)電薄膜的表面形成光刻膠35，在上述爬坡處，相對于第二信號線121中w1＝w2的情況，光刻膠35與第二導(dǎo)電薄膜的上表面的接觸面積進(jìn)一步增大，這樣一來，可以進(jìn)一步降低爬坡處的光刻膠35產(chǎn)生空隙的幾率。

此外，上述第一信號線111和第二信號線121通常采用銅/銅合金形成。由于銅的性質(zhì)較為活潑，為了防止銅/銅合金被氧化，或擴(kuò)散至有源層或其他膜層中，對其他膜層造成污染，可選的，第一信號線111和第二信號線121由依次設(shè)置的第一銅擴(kuò)散阻擋層、銅/銅合金層、第二銅擴(kuò)散阻擋層構(gòu)成。

這樣一來，第一銅擴(kuò)散阻擋層和第二銅擴(kuò)散阻擋層可以防止銅擴(kuò)散至其他膜層，例如有源層中，也可以防止在后續(xù)膜層的制作工藝中，銅/銅合金被氧化。

可選的，構(gòu)成上述銅擴(kuò)散阻擋層的材料包括鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅，鉬鈮合金、鉬鈦合金、氧化銦錫、氧化銦鋅可以很好的防止銅/銅合金的擴(kuò)散以及降低其被氧化的幾率。

此外，本發(fā)明對陣列基板的類型不做限定，例如，可以為底柵型陣列基板或者頂柵型陣列基板。在陣列基板中，形成有交叉設(shè)置的多條信號線，當(dāng)陣列基板為底柵型時，示例的，如圖3所示，上述第一信號線111可以為柵線，或者為與柵線同層的公共線，第二信號線121為數(shù)據(jù)線；當(dāng)陣列基板為頂柵型時，上述第一信號線111為數(shù)據(jù)線，第二信號線121為柵線，或者與柵線同層的公共線。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任一種陣列基板，上述顯示裝置具有與前述實施例提供的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，由于前述實施例已經(jīng)對該陣列基板的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。