本實用新型涉及太陽能電池制造
技術領域：
，尤其涉及一種飽和用管式PECVD石墨舟。
背景技術：
：隨著抗PID技術的發(fā)展，臭氧技術、笑氣技術以及PECVD無預清洗工藝都可以作為抗PID方式，因而導致提高氮化硅折射率不再是唯一的抗PID方式；然而，隨著使用臭氧技術、笑氣技術以及PECVD無預清洗工藝，可以降低硅片折射率RI，由于RI的降低可以帶來短流及效率的增益，但同時由于Si/N的比例也會降低，這又導致導電性變?nèi)?，氮化硅均勻性越來越差，會出現(xiàn)色差片的困擾，且影響轉(zhuǎn)換效率。如圖1、2所示，現(xiàn)有技術中的飽和用管式PECVD石墨舟，其包括石墨舟片1，所述石墨舟片1上設置有用于固定硅片外圈的多個銷釘2。當清洗完成后的空舟進行飽和時，參與導電的銷釘2的外表面會沉積氮化硅，從而影響氮化硅的均勻性，造成色差片，在低折射率工藝下情況更為嚴重。技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提出一種飽和用管式PECVD石墨舟，能夠有效保護銷釘不被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：一種飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片，每個所述石墨舟片上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘，相鄰兩個所述石墨舟片中，對應位置處的所述銷釘之間設置有陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)套設于所述銷釘上。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的長度為8mm～15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的長度為11mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為5mm～12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑為8mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為7.5mm～12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為10mm。其中，所述銷釘包括中間環(huán)，對稱設置于所述中間環(huán)的兩端部的燕尾結(jié)構(gòu)，所述中間環(huán)與所述石墨舟片配合，所述陶瓷環(huán)套設于所述燕尾結(jié)構(gòu)上。進一步地，所述燕尾結(jié)構(gòu)的大端面的徑向尺寸略小于所述陶瓷環(huán)的內(nèi)徑。進一步地，所述燕尾結(jié)構(gòu)的大端面的徑向尺寸為7mm。本實用新型的有益效果為：本實用新型的飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片，每個所述石墨舟片上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘，相鄰兩個所述石墨舟片中，對應位置處的所述銷釘之間設置有陶瓷環(huán)，所述陶瓷環(huán)套設于所述銷釘上；其通過在銷釘上套設陶瓷環(huán)，從而利用陶瓷環(huán)很好地保護了銷釘，避免其被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術中的飽和用管式PECVD石墨舟的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中的飽和用管式PECVD石墨舟的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實用新型的飽和用管式PECVD石墨舟的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖3中的飽和用管式PECVD石墨舟的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖4中的銷釘與陶瓷環(huán)裝配后的主視結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是圖5中的銷釘與陶瓷環(huán)裝配后的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：1-石墨舟片；2-銷釘；3-陶瓷環(huán)；21-中間環(huán)；22-燕尾結(jié)構(gòu)。具體實施方式下面結(jié)合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。如圖3至6所示，一種飽和用管式PECVD石墨舟，包括若干個石墨舟片1，每個所述石墨舟片1上用于固定硅片的外圈設置有多個銷釘2，相鄰兩個所述石墨舟片1中，對應位置處的所述銷釘2之間設置有陶瓷環(huán)3，所述陶瓷環(huán)3套設于所述銷釘2上。其通過在銷釘2上套設陶瓷環(huán)3，從而利用陶瓷環(huán)3很好地保護了銷釘2，避免其被沉積氮化硅，從而極大改善電池片鍍膜均勻性。而且，一個陶瓷環(huán)3可以同時套設在相鄰兩片石墨舟片的同一高度位置處的兩個銷釘2上，從而也可以起到相鄰兩個石墨舟片的支撐定位，也能節(jié)省成本，使得安裝的穩(wěn)定性更好。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的長度為8mm～15mm，具體可以為8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm、12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的長度為11mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑為5mm～12mm，具體可以為5mm、5.5mm、6mm、6.5mm、7mm、7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm、12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、14.5mm、15mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑為8mm。優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為7.5mm～12mm，具體可以為7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm、10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm。進一步優(yōu)選的，所述陶瓷環(huán)的外徑為10mm。如圖5、6所示，所述銷釘2包括中間環(huán)21，對稱設置于所述中間環(huán)21的兩端部的燕尾結(jié)構(gòu)22，所述中間環(huán)21與所述石墨舟片1配合，所述陶瓷環(huán)3套設于所述燕尾結(jié)構(gòu)22上。為了能夠使得陶瓷環(huán)很好地套設于燕尾結(jié)構(gòu)22上，所述燕尾結(jié)構(gòu)22的小端面與中間環(huán)21的端面連接，且燕尾結(jié)構(gòu)22的小端面和大端面均平行于中間環(huán)21的端面，所述燕尾結(jié)構(gòu)22的大端面的徑向尺寸略小于所述陶瓷環(huán)3的內(nèi)徑。具體地，所述燕尾結(jié)構(gòu)22的大端面的徑向尺寸為7mm。空舟飽和過程中，銷釘2沉積氮化硅是導致PECVD鍍膜均勻性較差的關鍵因素。本實用新型通過重新設計石墨舟飽和時的結(jié)構(gòu)，增加陶瓷環(huán)3保護住銷釘2，因而等離子體被陶瓷環(huán)3阻擋，無法進入銷釘區(qū)域，也就沒有氮化硅在銷釘2上沉積，而這又不影響石墨舟片1的飽和，從而在進行鍍膜工藝時，極大改善電池片鍍膜均勻性，且提高多晶轉(zhuǎn)換效率0.04％。對于未使用陶瓷環(huán)和使用陶瓷環(huán)的結(jié)構(gòu)，做了對比，在對比測試中，將未使用陶瓷環(huán)記為改善前，使用陶瓷環(huán)記為改善后；具體對比內(nèi)容為氮化硅的厚度非均勻性以及效率，對比結(jié)果如表1所示：表1組別氮化硅的厚度非均勻性效率改善前3.2％18.50％改善后1.6％18.54％根據(jù)表1可知，對于每片硅片來說，增加了陶瓷環(huán)用于保護銷釘之后，其非均勻性極大降低，也就是說，均勻性極大地提高，轉(zhuǎn)化效率也相應得到提升。以上結(jié)合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I域的技術人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動即可聯(lián)想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3