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一種制造晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置制造方法

文檔序號(hào):7028797閱讀:250來源:國(guó)知局
一種制造晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置,所述裝置依次包括相鄰設(shè)置的刻蝕槽(1)、第一水洗槽(2)、堿洗槽(3)、第二水洗槽(4)、酸洗槽(5)、第三水洗槽(6)和風(fēng)干槽(7);所述第一水洗槽(2)、所述堿洗槽(3)、所述第二水洗槽(4)、所述酸洗槽(5)、所述第三水洗槽(6)和所述風(fēng)干槽(7)內(nèi)均設(shè)置有硅片輸送裝置;所述硅片輸送裝置包括多組上壓輥輪(20)和運(yùn)行輥輪(10);所述上壓輥輪上套有齒輪狀橡膠圈。采用本實(shí)用新型提供的濕法刻蝕裝置可以有效降低疊片時(shí)化學(xué)品殘留在硅片上的概率,且PECVD后出現(xiàn)(小白點(diǎn))外觀問題的硅片數(shù)量可有效降低90%以上。
【專利說明】—種制造晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于晶硅太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域,具體地說涉及一種制造晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在太陽(yáng)能電池制造領(lǐng)域中,濕法刻蝕的工藝目的是通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié),以達(dá)到正面和背面絕緣的目的,同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。
[0003]現(xiàn)有的濕法刻蝕設(shè)備中的硅片輸送裝置如圖1所示,由下部的運(yùn)行輥輪10和上部帶O型氟橡膠圈的上壓輥輪20組成。參考圖2,上壓輥輪20上的O型氟橡膠圈在硅片運(yùn)行中與硅片為線接觸。當(dāng)硅片經(jīng)過酸洗槽或者堿洗槽時(shí),酸堿等腐蝕性溶液噴淋在硅片正面,由于硅片與O型氟橡膠圈接觸部分化學(xué)反應(yīng)不足,會(huì)導(dǎo)致硅片表面形貌不一致。當(dāng)硅片經(jīng)過水洗槽時(shí),由于硅片與O型氟橡膠圈接觸部分清洗不干凈,會(huì)導(dǎo)致堿液帶到酸液槽,或酸液帶到烘干槽,進(jìn)而導(dǎo)致后續(xù)正常硅片表面沾酸,沾酸現(xiàn)象在發(fā)生疊片時(shí)更為嚴(yán)重。沾酸片如果在下料時(shí)未吹干,會(huì)在本工序挑出返工;但是也有部分沾酸片在下料時(shí)已烘干,肉眼很難將其與正常片區(qū)分開來。
[0004]這些沾酸片在行進(jìn)到下一個(gè)工序(PECVD)后會(huì)出現(xiàn)小白點(diǎn),后續(xù)制造的太陽(yáng)能電池片的外觀會(huì)受到嚴(yán)重影響,太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率也有所降低。
[0005]綜上所述,需要一種能夠改變上壓輥輪2上的O型氟橡膠圈在硅片運(yùn)行中與硅片的接觸方式,減少硅片與O型氟橡膠圈接觸面積,以便能夠使硅片與各種腐蝕溶液進(jìn)行充分反應(yīng)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]為了解決現(xiàn)有的濕法刻蝕技術(shù)中,上壓輥輪上的O型圈導(dǎo)致的上壓輥輪與硅片的接觸面積較大的問題,本實(shí)用新型提供了一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面,提供一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置,所述裝置依次包括相鄰設(shè)置的刻蝕槽、第一水洗槽、堿洗槽、第二水洗槽、酸洗槽、第三水洗槽和風(fēng)干槽;
[0008]所述第一水洗槽、所述堿洗槽、所述第二水洗槽、所述酸洗槽、所述第三水洗槽和所述風(fēng)干槽內(nèi)均設(shè)置有硅片輸送裝置;
[0009]所述硅片輸送裝置包括多組上壓輥輪和運(yùn)行輥輪;
[0010]所述上壓輥輪上套有齒輪狀橡膠圈。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)【具體實(shí)施方式】,所述齒輪狀橡膠圈為齒輪狀氟橡膠圈。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)【具體實(shí)施方式】,所述齒輪狀氟橡膠圈包括:圓柱齒輪狀氟橡膠圈、錐齒輪狀氟橡膠圈或非圓齒輪狀氟橡膠圈。
[0013]采用本實(shí)用新型提供的濕法刻蝕裝置,齒輪狀氟橡膠圈的應(yīng)用,有效減小了運(yùn)行過程中上壓輥輪與硅片的接觸。在經(jīng)過酸洗槽堿洗槽時(shí)可以使酸、堿等腐蝕性溶液更好地與硅片進(jìn)行反應(yīng);在經(jīng)過水洗槽時(shí)可以使硅片被噴淋的D1-Water (去離子水)沖洗的更徹底,不留下任何死角。同時(shí),齒輪狀的結(jié)構(gòu)可以有效降低疊片時(shí)化學(xué)品在氟橡膠圈上的殘留概率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0015]圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的濕法刻蝕裝置中的硅片輸送裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的濕法刻蝕裝置的一個(gè)【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)俯視圖;
[0017]圖3所示為根據(jù)本實(shí)用新型的一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖4所示為根據(jù)本實(shí)用新型的一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置中的硅片輸送裝置的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]附圖中相同或相似的附圖標(biāo)記代表相同或相似的部件。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本實(shí)用新型的公開,下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。此外,本實(shí)用新型可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的,其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)注意,在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本實(shí)用新型省略了對(duì)公知組件和處理技術(shù)及工藝的描述以避免不必要地限制本實(shí)用新型。
[0021]參考圖3,圖3所示為根據(jù)本實(shí)用新型的一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]該濕法刻蝕裝置依次包括相鄰設(shè)置的刻蝕槽1、第一水洗槽2、堿洗槽3、第二水洗槽4、酸洗槽5、第三水洗槽6和風(fēng)干槽7。
[0023]濕法刻蝕是為了去除硅片背面及四周的PN結(jié)而用的一種方法。擴(kuò)散過程中,硅片邊緣也會(huì)擴(kuò)散上磷。如果邊緣的PN結(jié)不去除,正面PN結(jié)所收集的光生載流子會(huì)沿著邊緣PN結(jié)而流到背面PN結(jié),從而造成短路。在使用濕法刻蝕時(shí),通常使用硝酸、氫氟酸和硫酸的混酸作為腐蝕性酸性溶液。常用的堿性溶液例如:氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺
坐寸ο
[0024]優(yōu)選的,當(dāng)硅片經(jīng)過堿洗槽3時(shí),使用濃度約為5%的氫氧化鈉稀溶液對(duì)其進(jìn)行噴淋。優(yōu)選的,當(dāng)硅片經(jīng)過酸洗槽5時(shí),使用氫氟酸稀溶液對(duì)其進(jìn)行噴淋。所述第一水洗槽2、第二水洗槽4、第三水洗槽6均使用去離子水對(duì)硅片進(jìn)行噴淋。
[0025]在所述第一水洗槽2、所述堿洗槽3、所述第二水洗槽4、所述酸洗槽5、所述第三水洗槽6和所述風(fēng)干槽7內(nèi)均設(shè)置有硅片輸送裝置。所述硅片輸送裝置包括多組上壓輥輪20和運(yùn)行棍輪10。
[0026]參考圖4,所述上壓輥輪20上套有齒輪狀橡膠圈。齒輪狀橡膠圈在輸送硅片的過程中減少了上壓輥輪20與硅片的接觸,使得酸或堿能更好地與硅片進(jìn)行反應(yīng);并使得硅片在經(jīng)過第一水洗槽2、第二水洗槽4、第三水洗槽6時(shí)被去離子水噴淋的更徹底。可以根據(jù)需求在每個(gè)上壓輥輪20上套不同數(shù)目的齒輪狀橡膠圈。優(yōu)選的,所述上壓輥輪20上套有4對(duì)齒輪狀橡膠圈。
[0027]由于氟彈性體具備優(yōu)異的阻燃性、氣密性、耐高溫、耐油、耐溶劑、耐燃、耐化學(xué)物與耐氣候的性質(zhì),因此,優(yōu)選的,所述齒輪狀橡膠圈為齒輪狀氟橡膠圈。
[0028]根據(jù)具體的工藝操作的不同需求,齒輪狀氟橡膠圈的形狀包括但不限于:圓柱齒輪狀氟橡膠圈、錐齒輪狀氟橡膠圈或非圓齒輪狀氟橡膠圈。
[0029]采用本實(shí)用新型提供的濕法刻蝕裝置,可以使硅片與腐蝕性溶液更充分地發(fā)生反應(yīng);水洗硅片更徹底;經(jīng)濕法刻蝕后的硅片在PECVD工藝處理后出現(xiàn)小白點(diǎn)外觀問題的硅片可有效降低90%以上。
[0030]雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說明,應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本實(shí)用新型的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下,可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí),工藝步驟的次序可以變化。
[0031]此外,本實(shí)用新型的應(yīng)用范圍不局限于說明書中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本實(shí)用新型的公開內(nèi)容,作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解,對(duì)于目前已存在或者以后即將開發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟,其中它們執(zhí)行與本實(shí)用新型描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果,依照本實(shí)用新型可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此,本實(shí)用新型所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種制備晶硅太陽(yáng)能電池的濕法刻蝕裝置,所述裝置依次包括相鄰設(shè)置的刻蝕槽(I)、第一水洗槽(2)、堿洗槽(3)、第二水洗槽(4)、酸洗槽(5)、第三水洗槽(6)和風(fēng)干槽(7); 其特征在于, 所述第一水洗槽(2)、所述堿洗槽(3)、所述第二水洗槽(4)、所述酸洗槽(5)、所述第三水洗槽(6)和所述風(fēng)干槽(7)內(nèi)均設(shè)置有硅片輸送裝置; 所述硅片輸送裝置包括多組上壓輥輪(20)和運(yùn)行輥輪(10); 所述上壓輥輪上套有齒輪狀橡膠圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述齒輪狀橡膠圈為齒輪狀氟橡膠圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕裝置,其特征在于,所述齒輪狀氟橡膠圈包括:圓柱齒輪狀氟橡膠圈、錐齒輪狀氟橡膠圈或非圓齒輪狀氟橡膠圈。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK203536374SQ201320690263
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年11月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月1日
【發(fā)明者】權(quán)微娟, 韓瑋智, 牛新偉, 仇展煒 申請(qǐng)人:浙江正泰太陽(yáng)能科技有限公司
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