一種箔式精密電阻及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種箔式精密電阻及其制造方法，所述電阻芯片包括基板、粘貼層和電阻圖形，電阻圖形通過粘貼層與基板粘接在一起；所述電阻圖形采用經(jīng)過400～600℃，3～6小時的真空退火或氣氛爐退火處理的金屬合金箔材料，所述粘貼層為填充有填充物的環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂；在基板上成型一層粘貼層，通過粘貼層將金屬合金箔與基板牢固粘貼在一起，然后將金屬合金箔經(jīng)過化學蝕刻或激光蝕刻進行機械或激光切割方式調(diào)整到標稱阻值，即成為電阻柵，在電阻柵正面附著一層防潮膜，電阻柵的兩個焊點上各焊接一根管腳，該管腳從基板引出，形成精密電阻芯片，在精密電阻芯片外包裹緩沖層，緩沖層外部直接封裝形成封裝外殼。
【專利說明】一種箔式精密電阻及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電阻及其制造方法，特別涉及一種箔式精密電阻及其制造方法?！颈尘凹夹g】
[0002]眾所周知，電阻器作為一種無源器件，是電路設計中不可或缺的基本元件。影響電路性能的主要因素之一就是電阻器的質(zhì)量。而普通電阻器的質(zhì)量，尤其是電阻器的電阻值隨著環(huán)境溫度、濕度變化而變化，也會隨流經(jīng)電阻器的電流自發(fā)熱而變化，這些因素給電路的穩(wěn)定性、可靠性方面帶來很大影響。為了消除或減小這些影響，電路設計對電阻器的質(zhì)量提出了更高要求。
[0003]目前，精密電阻器的種類有繞線電阻、金屬膜電阻和厚膜電阻。
[0004]繞線電阻采用電阻絲繞制在絕緣骨架上而形成。雖然可以通過選用不同電阻溫度系數(shù)的電阻絲材料的匹配，通過改變電阻器阻值和溫度性能，但其固有的骨架結(jié)構(gòu)，決定了其特點，存在機械應力、電感電容、電阻溫度系數(shù)較難匹配和控制等問題，從而影響電阻器的穩(wěn)定性、可靠性和規(guī)?；a(chǎn)。
[0005]金屬膜電阻采用真空蒸鍍類方法在陶瓷板上形成電阻器的核心區(qū)域-金屬膜電阻層。由于受金屬膜厚度、金屬膜合金元素配比分散等因素影響，金屬膜易氧化、電阻溫度系數(shù)不易控制，電阻器穩(wěn)定性降低，且易受靜電影響。
[0006]厚膜電阻采用電阻油墨或電阻料漿印刷、燒結(jié)技術而制成，電阻溫度系數(shù)相對較大，熱穩(wěn)定性很差，阻值精度低，噪聲干擾大。
[0007]目前，市場上這三類電阻器，質(zhì)量最好的電阻器其電阻溫度系數(shù)都在±25ppm/°C以上，負載穩(wěn)定性大于800ppm，已不能滿足高精度電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術進步的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為了克服普通電阻器電阻溫度系數(shù)偏大、負載穩(wěn)定性較差等不足，本發(fā)明提供一種電阻溫度系數(shù)低、穩(wěn)定性極高的箔式精密電阻及其制造方法。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案:
[0010]一種箔式精密電阻的制造方法，包括以下步驟:(1)電阻芯片的制造:所述電阻芯片包括基板、粘貼層和電阻圖形，所述電阻圖形通過粘貼層與基板粘接在一起；所述電阻圖形采用金屬合金箔材料，該金屬合金箔材料經(jīng)過400?600°C,3?6小時的真空退火或氣氛爐退火處理而得；所述粘貼層為環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂制成，所述粘貼層內(nèi)添加有填充物；(2)箔式精密電阻的制造:在基板上成型一層粘貼層，通過粘貼層將金屬合金箔與基板牢固粘貼在一起，然后將金屬合金箔經(jīng)過化學蝕刻或激光蝕刻進行機械或激光切割方式調(diào)整到標稱阻值，即成為電阻柵，在電阻柵正面附著一層防潮膜，電阻柵的兩個焊點上各焊接一根管腳，該管腳從基板的正面或背部引出，即形成精密電阻芯片，在精密電阻芯片外包裹緩沖層，緩沖層外部直接封裝形成封裝外殼。
[0011]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述金屬合金箔的厚度為I?25 μ m，采用具有較低電阻溫度系數(shù)的康銅或白銅45、卡瑪合金、銅鎳合金、錳銅合金、伊文合金或鎳鉻合金箔。
[0012]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述康銅或白銅45的組成為:Cu51%?54%、Ni45%?48%，其它為Mn、Si微量元素；所述鎳鉻合金箔的組成為:Ni76%?79%、Cr21%?24% ;所述卡瑪合金箔的組成為:Ni73%?75%、Cr20%?22%、A12%?3%、Fel%，其它為微量元素；所述伊文合金箔的組成為:Ni73%?76%、Cr20%?23%、All.6%?8%、Cul%，其它微量元素。
[0013]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述基板為陶瓷基板。
[0014]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述基板為機電性能為96?99%氧化鋁陶瓷板或石英陶瓷或金屬板。
[0015]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述粘貼層的厚度為2?5μπι，粘貼劑的膠粘度為50 ?IOOCPa.S。
[0016]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述填充物為通過表面活化處理的納米級無機填料，包括 Si02、Al2O3' Si3N4 和 TiO20
[0017]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，所述緩沖層為具有中等韌性和邵氏硬度在20?50的橡膠或聚酯類材料，采用涂覆或浸覆或灌封方式。
[0018]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，封裝外殼采用灌封或塑封或陶瓷封裝或金屬封裝。
[0019]作為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，述封裝外殼采用灌封或塑封或陶瓷封裝或金屬封裝。
[0020]一種利用上述方法制造的箔式精密電阻，所述精密電阻的電阻溫度系數(shù)可達
0.0 lppm/°C,電阻精度可達0.001 %,負載穩(wěn)定性達lOOppm。
[0021]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明箔式精密電阻的制造方法至少具有以下有益效果:首先，本發(fā)明箔式精密電阻的金屬合金箔經(jīng)過處理，改變其內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)，使得其在一定溫度范圍內(nèi)的電阻溫度系數(shù)呈線性分布，在一定的溫度段內(nèi)，與陶瓷的基板的線膨脹系數(shù)達到匹配，如此將精密電阻的電阻溫度系數(shù)控制在很低的范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明粘貼層采用的粘貼劑內(nèi)添加有填充物，使其在要求的溫度范圍內(nèi)具有穩(wěn)定的性能，對金屬合金箔與基板材料穩(wěn)定粘貼及電阻溫度系數(shù)良好的匹配提供了保障。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明的電阻芯片實施例的立體分解示意圖。
[0023]圖2是本發(fā)明的防潮膜、引腳和焊盤的分布結(jié)構(gòu)圖。
[0024]圖3是本發(fā)明的電阻芯片的正視圖。
[0025]圖4是本發(fā)明利用不同熱處理方法對不同金屬合金箔調(diào)整電阻溫度系數(shù)與基板匹配制作的精密電阻測試曲線圖。
[0026]圖5是本發(fā)明的箔式精密電阻的局部剖視的主視圖。
[0027]圖6是圖5的左視剖面圖。
[0028]圖中:1.基板，2.粘貼層，3.金屬合金箔，4.防潮膜，5.引腳，6.焊盤，7.緩沖層，
8.封裝外殼。
【具體實施方式】
[0029]考慮到影響箔式電阻器電阻溫度系數(shù)及負載穩(wěn)定性等參數(shù)，主要來自于電阻芯片，包括基板、粘貼膠及金屬電阻柵的材料選擇以及后續(xù)對特定材料的電性能、熱穩(wěn)定性以及不同材料之間線膨脹系數(shù)相互作用、相互匹配，才能達到較好的性能參數(shù)，本發(fā)明設計一種精密電阻，其結(jié)構(gòu)類同于一般箔式精密電阻結(jié)構(gòu)，包括電阻芯片、緩沖層7和封裝外殼8:所述電阻芯片主要由基板1，粘貼層2，電阻圖形組成；基板I通過粘貼層2與電阻圖形粘接在一起，電阻圖形的正面附著防潮膜4，分別焊接在電阻圖形焊盤上的引腳從基板I的正面或底部引出，所述緩沖層7包裹在所述電阻芯片的外部，所述封裝外殼8封裝在緩沖層7的外部。
[0030]首先，電阻圖形所用金屬合金箔3的材料，厚度為I?25 μ m，采用具有較低電阻溫度系數(shù)的康銅或白銅45、卡瑪合金、銅鎳合金、錳銅合金、伊文合金或鎳鉻合金箔，并通過調(diào)整不同金屬箔合金材料的合金成分比例、調(diào)整金屬箔材的熱處理參數(shù)，改變其內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)，使得其在一定溫度范圍內(nèi)的電阻溫度系數(shù)呈線性分布，且在一定的溫度段內(nèi)，做到與陶瓷基板的線膨脹系數(shù)達到匹配，便可將精密電阻的電阻溫度系數(shù)控制在很低的范圍內(nèi)。
[0031]其次，金屬合金箔的電阻溫度系數(shù)與基板材料的線膨脹系數(shù)之間的良好匹配以及牢固粘貼，也依賴與粘貼膠層的穩(wěn)定，通常意義下的環(huán)氧類以及酚醛-環(huán)氧類膠粘劑無法滿足這種特殊的需求，主要表現(xiàn)在耐溫性能差、極限溫度范圍內(nèi)容易出現(xiàn)測試拐點以及其他特性一致性差等問題，通過相關研究，在膠液配方、制作工藝確定基礎上添加少量填充物提高其耐溫性能，制成環(huán)氧膠粘劑，使其能夠在要求的溫度范圍內(nèi)有著穩(wěn)定的性能，對金屬合金箔與基板材料穩(wěn)定粘貼及電阻溫度系數(shù)良好的匹配提供保障。固化后的粘貼層具有特定的線膨脹系數(shù)，并且該膠粘度控制在50?IOOCPa.S，涂層厚度控制在2?5um，涂覆后具有B-stage半固化狀態(tài),實現(xiàn)金屬合金箔與基板材料的完美粘貼。
[0032]本發(fā)明提供的箔式精密電阻制造用金屬合金箔材料采用冷軋成型的銅鎳合金或猛銅合金或鎳鉻合金等金屬箔材料:①Constantan或Super,中文名稱為康銅或白銅45,其中Cu51%?54%、Ni45%?48%，Mn、Si微量；②錳銅合金NiCr合金，其中Ni76%?79%、Cr21% ?24% ；@ Karma,中文名稱卡瑪，其中 Ni73% ?75%、Cr20% ?22%,Al2% ?3%、Fel%，其它微量元素?、軪vanohm，中文名稱伊文，其中Ni73%?76%、Cr20%?23%、Al 1.6%?8%、Cul%，其它微量元素；?改性鎳鉻合金；厚度為I?25 μ m，金屬箔材料經(jīng)過400°C?600°C、3?6小時的真空退火或氣氛爐退火處理，改變其內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)，使得其在一定溫度范圍內(nèi)的電阻溫度系數(shù)呈線性分布。
[0033]本發(fā)明提供的金屬合金箔具有穩(wěn)定的電阻溫度系數(shù)，同時粘貼膠及基板材料具有特定的線膨脹系數(shù)，通過研究所述三種材料的特性，并在滿足所述箔式精密電阻特性要求的條件下，首先在基板上成型具有B-stage半固化狀態(tài)的粘接膠層，再采用平板疊壓、軟硬結(jié)合的恒溫恒壓工裝設備，將金屬合金箔、粘貼膠層及基板牢固、平展的結(jié)合，再按照電阻成型工藝方法加工制作形成的電阻芯片，基板材料的線膨脹系數(shù)穩(wěn)定且較小，金屬合金箔材的電阻溫度系數(shù)相對較大，但可通過熱處理工藝參數(shù)改變進行任意調(diào)整，同時粘接膠層的線膨脹系數(shù)也相對較小，甚至可調(diào)整為負值，而三者牢固結(jié)合后，在溫度變化的情況下，三者感受溫度的變化量各不相同，但會相互約束和制約，使得電阻芯片整體的電阻溫度系數(shù)變得較小或趨于零，實現(xiàn)了電阻芯片整體具有穩(wěn)定的電阻溫度系數(shù)及負載穩(wěn)定性。
[0034]制造時，首先，按照工藝方法制備滿足要求的金屬合金箔以及粘貼膠，然后，在基板上成型一層粘貼層，通過粘貼層將金屬合金箔與基板牢固粘貼在一起，然后將金屬合金箔經(jīng)過化學蝕刻或激光蝕刻進行機械或激光切割方式調(diào)整到標稱阻值，即成為電阻柵，在電阻柵正面附著一層防潮膜4，電阻柵的兩個焊點上各焊接一根管腳，該管腳從基板的正面或背部引出，即形成精密電阻芯片，在精密電阻芯片外包裹緩沖層，緩沖層外部直接封裝形成外殼。
[0035]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明精密電阻制造方法至少具有以下有益效果:制造方法可靠，易于實現(xiàn)，加工成本低，精密電阻可靠性更好，電阻溫度系數(shù)最低可達0.01ppm/°C，電阻精度可達0.001%，負載穩(wěn)定性達lOOppm。
[0036]本發(fā)明通過選擇金屬合金箔3材料或改變其合金配比或改變其冷軋率或通過熱處理調(diào)整金屬合金箔3電阻溫度系數(shù)，同時設計粘貼層2與基板I線膨脹系數(shù)相互作用、相互匹配，獲得極低電阻溫度系數(shù)的電阻芯片。電阻芯片的電阻溫度系數(shù)可控，在理想的情況下等于或接近于Oppm/°C，負載穩(wěn)定性甚至優(yōu)于lOOppm。同時配合電阻圖形設計和后續(xù)加工，實現(xiàn)電阻芯片平面電阻無容、無感和0.001%的阻值精度。
[0037]本發(fā)明提供的箔式精密電阻器的制造方法:首先配置匹配的膠粘劑、熱處理的金屬合金箔3、表面處理的基板1，然后通過熱壓合技術將金屬合金箔3、膠粘劑、基板I粘合到一起。再通過平面化學蝕刻、激光刻蝕等工藝形成電阻圖形，電阻圖形至少包括電阻柵條、電阻值調(diào)節(jié)柵、焊盤三部分。電阻圖形、粘接劑與基板I 一起構(gòu)成電阻芯片。然后在電阻圖形表面涂覆防潮膜4，通過激光刻蝕電阻圖形中的電阻值調(diào)節(jié)柵，調(diào)節(jié)電阻芯片的阻值。然后通過焊接、包封緩沖層7、封裝外殼8、切筋形成引腳5完成本發(fā)明制造。
[0038]所述膠粘劑材料為具有特定線膨脹系數(shù)及溫度特性的環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂類。
[0039]本發(fā)明的有益效果是:制造方法可靠，易于實現(xiàn)，加工成本低，精密電阻可靠性更好，電阻溫度系數(shù)最低可達0.0 lppm/°C,電阻精度可達0.001%,負載穩(wěn)定性達lOOppm。
[0040]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做出進一步的說明。
[0041]圖1中，陶瓷基板I為機電性能為96?99%氧化鋁陶瓷板，形狀為方形或長方形，當然也可以采用石英陶瓷、金屬板等材料，具有穩(wěn)定的物理、化學、電學、機械性能，通過設計、壓制、焙燒、研磨成型等得到合適的基板，本發(fā)明采用基板厚度0.1?0.7_。圖1中金屬合金箔3為康銅合金箔(英文名Constantan Foil)或伊文合金箔(英文名Evanohm Foil),其中康銅合金箔成分為Cu51%?54%、Ni45%?48%，Mn,Si微量，伊文合金箔成分為Ni73%?76%、Cr20% ?23%、All.6% ?8%、Cul%,其它微量元素。
[0042]本實施例通過氣氛爐或真空爐或激光對康銅、伊文合金箔進行熱處理，調(diào)整其電阻溫度系數(shù)到合適值。圖1中粘接膠按照酚醛環(huán)氧樹脂10?25%，雙酚A環(huán)氧10?30%，改性胺類固化劑0.5?1%，促進劑0.1?0.5%，其它助劑0.1?1%，稀釋劑50?70%,納米級填料I?5%進行配比，并采取以下特殊處理工藝達到提高合金箔與陶瓷基板粘接力的目的，將環(huán)氧樹脂與改性胺類固化劑在60?80°C條件下恒溫反應2?4小時關閉反應，添加稀釋劑混合溶解，再依次溶解促進劑和助劑，最后添加納米填料高速混合攪拌2?4小時出料，依次進行研磨分散、超聲分散等方式達到分散均勻。具體反應原理是:1、合成改性大分子、高官能團環(huán)氧樹脂，增長固化劑分子鏈段，使用納米粒子填料表面缺陷和非配對原子多等特點，形成與環(huán)氧聚合物發(fā)生物理或化學結(jié)合，增強與聚合物基體的界面結(jié)合，提高聚合物的承載能力，從而達到增強增韌聚合物，達到提高粘接力。2、納米級填料通過表面活化處理方式，在固態(tài)納米級添加劑表面形成大量羥基，提高添加劑反應活性，減小界面浸潤角，從而提高粘接力；粘貼膠采取以下處理工藝達到提高耐溫性，具體方式:合成胺類樹脂添加劑，使固化物形成具有“海島結(jié)構(gòu)”狀的環(huán)氧樹脂合金，從而數(shù)倍提高斷裂韌性(GIC)，而保持較高的耐熱性能。此外，環(huán)氧樹脂中環(huán)氧基與固化劑分子結(jié)構(gòu)中的活潑氫進行聚合反應，形成空間網(wǎng)絡狀大分子交聯(lián)結(jié)構(gòu)，在分子空間結(jié)構(gòu)中摻雜固態(tài)耐高溫添加劑，對分子運動形成空間位阻效應，從而增大固化物彈性模量，提高耐溫性。按照如上所述工藝及配方合成的環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂，具有全溫范圍內(nèi)穩(wěn)定的物理、化學、電學、機械性能，能夠?qū)⒔饘俸辖鸩吞沾苫謇喂炭煽空辰樱穸确秶鶬?25um。通過對特種粘接膠的研究、粘貼工藝研究及層壓固化工藝的研究、陶瓷基板表面處理工藝、陶瓷基板與金屬箔粘貼工藝等，利用平板疊壓，軟硬結(jié)合的恒溫恒壓工裝設備實現(xiàn)金屬箔、粘接膠、陶瓷基板緊密穩(wěn)定結(jié)合形成箔式精密電阻芯片基體。
[0043]圖4是本發(fā)明利用熱處理方法對不同金屬合金箔調(diào)整電阻溫度系數(shù)與特殊陶瓷板匹配制作的箔式精密電阻器測試曲線圖。圖4中曲線是不同合金配比、冷軋率的康銅合金箔、伊文合金箔利用不同的熱處理工藝調(diào)整電阻溫度系數(shù)與陶瓷基板匹配實驗測試得來。同時，利用不同的配比、冷軋率、熱處理參數(shù)調(diào)整合金箔內(nèi)部的晶體分布，實現(xiàn)電阻溫度系數(shù)呈線性分布，具有更好的穩(wěn)定性和匹配性。
[0044]圖3利用本發(fā)明制造方法制作的箔式精密電阻器封裝正視圖。
[0045]本發(fā)明箔式精密電阻器主要由電阻芯片、緩沖層7和外殼8組成，電阻芯片主要由陶瓷基板1、粘貼層2、電阻柵、緩沖膜4、引腳5組成?；錓是一種具有穩(wěn)定的理化性能和優(yōu)異的機電性能的96?99%氧化鋁陶瓷板或氮化鋁陶瓷板，厚度范圍0.1?0.7mm，在基板I上通過離心式涂膠或涂覆或滾筒涂膠或壓力噴膠的方式成型一層厚度均勻、質(zhì)密的環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂粘貼層2，通過粘貼層2將熱處理獲得較低電阻溫度系數(shù)的銅鎳合金或鎳鉻合金或錳銅合金的金屬合金箔與基板I牢固粘貼在一起，然后將金屬合金箔3經(jīng)過平面化學蝕刻或激光蝕刻，進行機械或激光等切割方式調(diào)整到標稱阻值，即成為電阻柵，此時電阻柵的厚度為2.0?5 μ m范圍；電阻柵正面附著有一層以涂膠成型的聚酰亞胺類膠粘劑防潮膜或聚酰亞胺薄膜材料直接粘貼的防潮膜或環(huán)氧樹脂或酚醛樹脂或聚酯樹脂；電阻柵上的兩個焊點6上各焊接著一根管腳5或引腳，管腳5的前端為倒鉤形狀，管腳5的主體部分從基板I的正面或背部引出，這樣即形成箔式精密電阻芯片；芯片主體包裹有緩沖層7，該緩沖層7為具有中等韌性和邵氏硬度在20?50的橡膠或聚酯類材料，它是采用涂覆或浸覆或灌封等方式成型的；緩沖層7的外部是直接封裝形成封裝外殼8，該封裝外殼8是采用灌封或塑封或陶瓷封裝或金屬封裝等形式。
【權(quán)利要求】
1.一種箔式精密電阻的制造方法，其特征在于:包括以下步驟: (1)電阻芯片的制造:所述電阻芯片包括基板、粘貼層和電阻圖形，所述電阻圖形通過粘貼層與基板粘接在一起；所述電阻圖形采用金屬合金箔材料，該金屬合金箔材料經(jīng)過400?600°C，3?6小時的真空退火或氣氛爐退火處理而得；所述粘貼層為環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂制成，所述粘貼層內(nèi)添加有填充物； (2)箔式精密電阻的制造:在基板上成型一層粘貼層，通過粘貼層將金屬合金箔與基板牢固粘貼在一起，然后將金屬合金箔經(jīng)過化學蝕刻或激光蝕刻進行機械或激光切割方式調(diào)整到標稱阻值，即成為電阻柵，在電阻柵正面附著一層防潮膜，電阻柵的兩個焊點上各焊接一根管腳，該管腳從基板的正面或背部引出，即形成精密電阻芯片，在精密電阻芯片外包裹緩沖層，緩沖層外部直接封裝形成封裝外殼。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述金屬合金箔的厚度為I?25 μ m，采用具有較低電阻溫度系數(shù)的康銅或白銅45、卡瑪合金、銅鎳合金、錳銅合金、伊文合金或鎳鉻合金箔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于:所述康銅或白銅45的組成為:Cu51%?54%、Ni45%?48%，其他為Mn、Si ;所述鎳鉻合金箔的組成為:Ni76%?79%、Cr21%?24% ;所述卡瑪合金箔的組成為:Ni73%?75%、Cr20%?22%、Al2%?3%、Fel%，其他為微量元素；所述伊文合金箔的組成為:Ni73%?76%、Cr20%?23%、A11.6%?8%、Cul%，其它微量元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述基板為陶瓷基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于:所述基板為機電性能為96?99%氧化鋁陶瓷板或石英陶瓷或金屬板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述粘貼層的厚度為2?5μπι，粘貼劑的膠粘度為50?IOOCPa.S。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述填充物為通過表面活化處理的納米級無機填料，包括Si02、A1203、Si3N4和Ti02。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述緩沖層為具有中等韌性和邵氏硬度在20?50的橡膠或聚酯類材料，采用涂覆或浸覆或灌封方式。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述封裝外殼采用灌封或塑封或陶瓷封裝或金屬封裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一種方法制得的箔式精密電阻，其特征在于:所述精密電阻的電阻溫度系數(shù)可達0.0lppm/°C,電阻精度可達0.001 %,負載穩(wěn)定性達lOOppm。
【文檔編號】H01C17/07GK103714926SQ201310751886
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】晏志鵬, 張勛, 劉鵬, 熊英, 趙家輝, 任博哲, 雒平華, 李永江, 田刊, 楊秀森 申請人:中航電測儀器股份有限公司