優(yōu)化tco太陽能電池膜中的電阻和透明度的方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于在制造工具的一個室中沉積TCO(透明導(dǎo)電氧化物)膜，然后在同一工具的另一室中用光能量照射TCO膜的方法和系統(tǒng)。在一些實施例中，在太陽能電池中使用TCO膜并且在太陽能電池基板上形成TCO膜。該方法包括以一定時間和能量照射TCO膜，以降低TCO膜的電阻而沒有降低透明度。在光照射室中使用一個或多個光源。獨立地或共同地使用紅外光范圍、可見光范圍和紫外光范圍內(nèi)的光。本發(fā)明還提供了優(yōu)化TCO太陽能電池膜中的電阻和透明度的方法和裝置。
【專利說明】優(yōu)化TCO太陽能電池膜中的電阻和透明度的方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上涉及太陽能電池器件，更具體而言，涉及用于形成透明導(dǎo)電氧化物(TCO)和其他膜以及優(yōu)化這些膜中的電阻和透明度的裝置和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是用于通過陽光直接生成電流的光伏元件。由于對清潔能源的需求不斷增加，最近幾年太陽能電池的制造已經(jīng)大幅擴(kuò)大并且還在持續(xù)擴(kuò)大。由于透明導(dǎo)電氧化物(TCO)膜作為透明涂層和電極的多功能性，其在太陽能電池中得到廣泛使用。同樣地，TCO膜具有高透明度和低電阻以用于其多種目的。致力于同時優(yōu)化透明度和電阻而不引入污染或?qū)е鲁杀敬罅吭黾拥默F(xiàn)有方法和技術(shù)還未完全成功。在許多情況下，通過增加摻雜物降低電阻導(dǎo)致不期望的透明度的降低。
[0003]為了降低電阻，一種方法是在太陽能電池的表面上提供金屬網(wǎng)格，但是因為這種網(wǎng)格中使用的金屬不是透明的，所以這會損害透明度。透明度的降低使通過陽光所生成的電量減少，通過陽光所生成的電量與可用于陽光浸潤的太陽能電池面積成正比。為了降低電阻而嘗試作為添加物加入TCO的摻雜物通常降低了 TCO的透明度(尤其是在長波長區(qū)域內(nèi))。
[0004]用于優(yōu)化TCO膜有效性(即，降低電阻的同時使透明度最大化)的其他嘗試也還未完全成功。
[0005]因此，本領(lǐng)域需要解決現(xiàn)有方法和技術(shù)的傳統(tǒng)缺點和限制并且提供具有合適的低電阻和高透明度的透明導(dǎo)電氧化膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括:提供太陽能電池基板；在多室制造裝置的第一室中的所述太陽能電池基板上沉積至少一種膜；以及在所述多室制造裝置的第二室中將上面具有所述至少一種膜的所述太陽能電池基板暴露在光能量中。
[0007]在該方法中，沉積所述至少一種膜包括沉積TCO(透明導(dǎo)電氧化物)膜。
[0008]在該方法中，所述TCO膜包括ITO (氧化銦錫)，并且所述太陽能電池基板包括設(shè)置在基底板上的太陽能電池膜層。
[0009]在該方法中，所述TCO膜包括Ζη0、ΑΖ0 (摻鋁氧化鋅)、ΒΖ0 (摻硼氧化鋅)、GZ0 (摻鎵氧化鋅)和摻銦氧化鎘中的一種。
[0010]在該方法中，沉積包括CVD (化學(xué)汽相沉積)>APCVD (常壓化學(xué)汽相沉積)、ALD (原子層沉積)、PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)、M0CVD (金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)和濺射中的一種，并且所述太陽能電池基板包括玻璃、塑料和柔性材料中的一種，而且沉積還包括在所述多室制造裝置的內(nèi)部將所述太陽能電池基板從所述第一室自動轉(zhuǎn)移至所述第二室。[0011]在該方法中，暴露包括將所述太陽能電池基板暴露于具有約380nm至740nm的波長的光的光能量中約15分鐘至30分鐘的時間。
[0012]在該方法中，沉積所述至少一種膜包括以下兩種方法中的一種:a)在所述太陽能電池基板上沉積TCO膜，然后在所述TCO膜上方沉積太陽能電池膜，其中，所述太陽能電池基板是透明的；和b)在所述太陽能電池基板上沉積太陽能電池膜，然后在所述太陽能電池膜上方沉積TCO膜。
[0013]在該方法中，所述光能量由提供紫外光、紅外光和可見光中的至少一種的光源來提供。
[0014]在該方法中,所述光能量在約0.9eV和5eV之間，并且暴露包括暴露于來自第一光源的具有第一波長范圍的光和暴露于來自第二光源的具有第二波長范圍的第二種光。
[0015]在該方法中，暴露包括將所述基板的第一面暴露給第一光源，以及將所述基板的相對面暴露給第二光源。
[0016]在該方法中，暴露包括接連地將所述太陽能電池基板暴露于多個范圍的光能量。
[0017]在該方法中，所述至少一種膜包括TCO膜，并且暴露的時間足以降低所述TCO膜的電阻而不降低其透明度。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括:提供太陽能電池基板；在多室制造裝置的第一室中的所述太陽能電池基板上至少沉積TCO膜(透明導(dǎo)電氧化物)；以及在所述多室制造裝置的第二室中將在其上至少具有所述TCO膜的所述太陽能電池基板暴露給至少一個光源，所述暴露包括暴露于多種波長的光。
[0019]在該方法中，沉積所述TCO膜包括沉積ITO(氧化銦錫)膜，并且暴露于多種波長的光包括暴露于來自第一光源的第一波長范圍的光和暴露于來自第二光源的第二波長范圍的光，所述第一光源和所述第二光源設(shè)置在所述第二室中的所述太陽能電池基板的相對側(cè)。
[0020]在該方法中，暴露于所述多種波長的光包括暴露于約250nm至約1240nm范圍內(nèi)的多種波長的光。
[0021]在該方法中，至少沉積所述TCO膜包括在CIGS太陽能電池膜子結(jié)構(gòu)上沉積ΙΤ0、ZnO> AZO> BZO、GZO和摻銦氧化鎘中的一種，而且所述多種波長的光是可見光。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造裝置，包括:多個室和在所述室之間轉(zhuǎn)移太陽能電池基板的內(nèi)部轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，所述多個室至少包括用于在基板上沉積薄膜的沉積室和其中具有兩個或多個光源的光能量浸潤室，所述兩個或多個光源朝著所述基板將光能量引導(dǎo)至所述基板的兩側(cè)。
[0023]在該制造裝置中，所述兩個或多個光源在約250nm至約1240nm范圍內(nèi)產(chǎn)生多個波長范圍的光。
[0024]在該制造裝置中，所述兩個或多個光源包括紅外光源、紫外光源和可見光源中的至少兩種。
[0025]在該制造裝置中，所述沉積室是CVD (化學(xué)汽相沉積)室、ALD (原子層沉積)室、PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)室、MOCVD (金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)室和濺射室中的一種?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0026]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)實踐，附圖的各種部件沒必要按照規(guī)定比例。相反，為了清楚，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。在整個說明書和附圖中，相同的參考標(biāo)號用于指定相同的部件。
[0027]圖1是示出包括多個室的制造工具并且示出使用光能量照射沉積的TCO膜的方法的一個方面的局部截面?zhèn)纫晥D。
[0028]圖2是示出包括多個室的制造工具并且示出使用光能量照射沉積的TCO膜的方法的另一方面的局部截面?zhèn)纫晥D。
[0029]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的方法的實施例的流程圖。
[0030]圖4是示出TCO膜的歸一化方塊電阻與光浸潤(light soaking)時間的曲線圖。
[0031]圖5是示出作為光浸潤時間的函數(shù)的TCO膜的歸一化平均透明度的曲線圖。
[0032]圖6A和6B不出光浸潤操作之前和之后的TCO膜的光致發(fā)光。
【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明提供了在太陽能電池或其他基板上制造透明導(dǎo)電氧化物(TCO)膜的裝置和方法，然后在裝置的第一室中處理包括TCO膜的太陽能電池基板，在同一裝置的另一室中暴露于光能量。在另一室中沉積膜或以其他方式形成膜之后，暴露于光能量。應(yīng)該發(fā)現(xiàn)，暴露于光能量降低了 TCO膜的電阻而沒有降低TCO膜的透明度。根據(jù)TCO膜的性質(zhì)和被照射的結(jié)構(gòu)的性質(zhì)使用不同的光能量。所使用的光的波長可以取決于TCO膜和其他材料(諸如玻璃或柔性基板)之間形成的界面或多個界面，或TCO膜和太陽能電池膜的疊層(S卩，組合在一起形成光伏太陽能電池)之間的界面。在膜形成之后暴露于光能量降低了 TCO膜的電阻而沒有降低透明度。由于這些操作在分開的室中發(fā)生，所以降低了交叉污染問題。在不限于特定理論的情況下， 申請人:相信在TCO層和太陽能電池的其他層中(尤其在相鄰層中)形成光誘導(dǎo)的亞穩(wěn)定性，從而降低了電阻。
[0034]圖1是示出裝置I的側(cè)視圖，裝置I是在制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池或其他產(chǎn)品中所使用的制造裝置或工具。裝置I包括內(nèi)部室3和5并且也可以包括其他室。室3是沉積室。在一個實施例中，室3是化學(xué)汽相沉積(CVD)室。在另一個實施例中，室3是常壓化學(xué)汽相沉積(APCVD)室。在另一個實施例中，沉積室3是原子層沉積(ALD)室。在另一個實施例中，沉積室3是等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)室、金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積(MOCVD)室或濺射室。沉積室3可以是各種尺寸。在一個實施例中，沉積室3是在一個工件11上沉積的單個基板沉積室而在另一個實施例中，沉積室3是容納同時進(jìn)行沉積的多個基板的批處理系統(tǒng)。
[0035]沉積室3用于沉積各種類型的膜。在各個實施例中，沉積室3用于制造一個以上的膜。
[0036]在一個實施例中，沉積室3用于在半導(dǎo)體或太陽能電池基板上沉積膜而在另一個實施例中，沉積室3用于在其他基板上沉積膜。在一些實施例中，沉積室3用于在諸如太陽能電池中使用的玻璃、塑料或柔性材料的基底基板上直接沉積透明導(dǎo)電氧化物(TCO)膜。在其他實施例中，沉積室3在形成在基底板上的一系列太陽能電池膜的上方沉積TCO膜。在一些實施例中，太陽能電池器件是CIGS、(Cu(In,Ga)Se2)型太陽能電池。在其他實施例中使用其他太陽能電池。在一些實施例中，沉積室3用于在基底板上直接沉積TCO(透明導(dǎo)電氧化物)膜，然后在TCO膜上方沉積一系列太陽能電池膜。
[0037]在一個實施例中，沉積的TCO膜是氧化銦錫(ITO)。在另一個實施例中，沉積的TCO膜是ZnO。根據(jù)其他實施例，TCO膜是AZO (摻鋁氧化鋅)、BZO (摻硼氧化鋅)、GZO (摻鎵氧化鋅)或摻銦氧化鎘或其他合適的TCO膜。
[0038]選擇和控制沉積條件和參數(shù)以制造具有各種厚度或其他膜特征的期望的膜或多個膜。在沉積室3中的工件11上形成膜或多個膜之后，內(nèi)部轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)通過閥7將工件11轉(zhuǎn)移至光照射室5。在所示的實施例中，滾筒9組合在一起形成軌道，工件11沿著該軌道滾動或滑動并且工件11沿著該軌道在沉積室3和光照射室5之間轉(zhuǎn)移。在其他實施例中，使用其他內(nèi)部運送機(jī)構(gòu)。在一些實施例中，在真空條件下進(jìn)行內(nèi)部運送，從而防止顆粒污染。
[0039]光照射室5包括上光源13、下光源15和用于其中的太陽能電池基板的支撐件。光照射室5包括用于在其上保持太陽能電池17的支撐件(未示出)或用于保持太陽能電池17的其他器件。
[0040]太陽能電池17包括基底板19。在各個實施例中，基底板19由玻璃、塑料、柔性材料或其他合適的材料形成。太陽能電池膜21設(shè)置在基底板19上并且包括諸如一個或多個吸收層的各種膜。在一個實施例中，太陽能電池膜21形成CIGS型太陽能電池。在其他實施例中，太陽能電池膜21形成另一種類型的太陽能電池。在圖1所示的實施例中，TCO層23設(shè)置在太陽能電池膜21上。在一個實施例中，TCO層23是ITO而在其他實施例中，TCO層23是ZnO、AZO、BZO、GZO或摻銦氧化鎘中的一種。TCO層23形成為各種合適的厚度。
[0041]上光源13和下光源15中的每一個都可以照射太陽能電池17。上光源13和下光源15中的每一個都由合適的電源(未示出)供電。在其他實施例中，使用兩個以上的光源。在一些實施例中，使用多個上光源和/或多個下光源并且不同的光源可以產(chǎn)生不同類型的光。在圖1所示的實施例中，箭頭27表示來自上光源13的光能量照射具有TCO層23作為頂層的太陽能電池17。在其他實施例中，僅啟動下光源15以產(chǎn)生光能量。在另一個實施例中，對上光源13和下光源15兩者供電以產(chǎn)生光能量。在一個實施例中，上光源13和下光源15同時產(chǎn)生光能量而在另一個實施例中，上光源13和下光源15順序運轉(zhuǎn)，使得每個光源都打開和關(guān)閉多次。
[0042]在各個實施例中，使用各種光能量和波長范圍的光。在一個實施例中，使用的光包括約0.9eV至約5.0eV能量。在一些實施例中，用于照射工件(即，在所示的實施例中的太陽能電池17)的光能量的波長在約250nm至約1240nm的范圍內(nèi)或在約300nm至約IlOOnm的范圍內(nèi)。換言之，使用的整個能量范圍包括可見光(通常，約1.7eV至3.3eV或380nm至740nm)、紅外光(通常，約1.7eV或者小于或大于740nm)和紫外光(通常約3至124eV或約IOnm至400nm)。同樣地，在各個實施例中，上光源13和下光源15中的任一個或這兩者產(chǎn)生可見光能量、紅外光能量和/或紫外光能量。根據(jù)其中使用多個上光源的實施例(未示出)，在一個實施例中，上光源中的一個產(chǎn)生一種類型的光(即紅外光、可見光或紫外光)，而其他上光源產(chǎn)生另一種類型的光。對于其中存在多個下光源的實施例也是如此。在一些實施例中，上光源13比下光源15產(chǎn)生更高能量的光(更短波長)。例如，上光源13可以是UV光源而下光源15可以是可見光源。
[0043]用于浸潤或照射沉積的TCO或其他膜的光的類型取決于TCO或其他膜的性質(zhì)以及太陽能電池的膜與其他元件的關(guān)系。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，能量大于約2.5eV的光(藍(lán)光至紫外光，λ< 500nm)改進(jìn)TCO膜、TCO與玻璃基底板的界面以及TCO膜和太陽能電池膜之間的界面的質(zhì)量。還發(fā)現(xiàn)，能量小于約1.9eV的光(紅光至近紅外光，λ > 650nm)改進(jìn)整個太陽能電池的質(zhì)量。同樣地，使用在約0.9eV至約5eV的整個能量范圍內(nèi)和約250nm至1240nm的波長范圍內(nèi)的光的各種組合和順序，但是在其他實施例中使用其他能量和波長。在一個實施例中，在第一時間周期內(nèi)使用具有第一波長范圍的第一種光，然后，在第二時間周期內(nèi)使用具有第二波長范圍的第二種光，并且可以在各種實施例中重復(fù)該順序。根據(jù)一個實施例，由上光源13和下光源15中的一個產(chǎn)生第一波長范圍的光，而由上光源13和下光源15中的另一個產(chǎn)生第二波長范圍的光。該光能量可以以交替的和/或重復(fù)的方式引導(dǎo)至太陽能電池17。在一些實施例中，使用一系列順序照射的光能量。
[0044]圖2示出用于在第一室中形成TCO或其他膜之后在第二室中照射TCO或其他膜的裝置I的另一方面和另一方法。如上所述，裝置I包括沉積室3和光照射室5。太陽能電池27包括基底板19、形成在基底板上方的TCO層23和形成在TCO層23上方的太陽能電池膜21。根據(jù)該實施例，基底板19由玻璃或另一透明基板形成。按照這種方式，根據(jù)僅使用下光源15的實施例，箭頭31表不來自下光源15的光福射向上照射太陽能電池27并且該光輻射通過透明基底板19傳播和從下方照射TCO層23。雖然提供的圖2明確地示出來自下光源15的光輻射從下方通過透明的基底板19到達(dá)TCO層23，應(yīng)該理解，以上結(jié)合圖1描述的每個光照射實施例也都適用于照射太陽能電池27，即，在圖2示出的實施例中，在太陽能電池27位于光照射室5中的情況下，可以使用多種波長的光、多種能量的光和多種類型的光?？梢酝瑫r或順序等使用上光源13和下光源15。
[0045]選擇光輻射的綜合時間和能量進(jìn)行以充分地降低TCO層23的電阻而沒有對其透明度產(chǎn)生不利影響。根據(jù)TCO層的性質(zhì)、太陽能電池的類型、基底板的性質(zhì)和TCO層23和太陽能電池的其他元件之間的關(guān)系使用各種光能量、光能量的各種組合和各種時間。
[0046]盡管結(jié)合TCO膜進(jìn)行描述，但是在獲益于在一個室中制造TCO膜并且隨后在另一個室中照射該膜以降低電阻而沒有降低透明度的各種應(yīng)用中，本發(fā)明的方法和裝置結(jié)構(gòu)用于形成各種其他膜和膜復(fù)合物，然后照射形成在太陽能電池、半導(dǎo)體和其他基板上的各種其他膜和膜復(fù)合物。
[0047]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。在步驟100中，提供基板。在步驟102中，提供具有多個加工室的裝置。在步驟104中，基板在具有多個加工室的制造裝置的第一室中進(jìn)行沉積操作。根據(jù)一些實施例，沉積操作可以是在太陽能電池基板上沉積TCO層。如上所述，在各種實施例中使用各種沉積方法。在步驟106中，將基板移動至第二室內(nèi)，根據(jù)上述的實施例，在第二室中執(zhí)行光照射操作。在各個實施例中，自動進(jìn)行基板的內(nèi)部轉(zhuǎn)移(即，工件從一個室至另一個室)并且可以在真空下進(jìn)行基板的內(nèi)部轉(zhuǎn)移以防止顆粒污染。
[0048]圖4是示出BZO (摻硼氧化鋅TCO膜)的歸一化方塊電阻(sheet resistance)的圖示。圖4示出沉積時、光浸潤(“LS”) 15分鐘之后、光浸潤30分鐘之后和30分鐘光浸潤工藝之后的兩周時的BZO膜的方塊電阻。圖4示出作為光浸潤的結(jié)果，BZO膜的方塊電阻顯著改進(jìn)。在圖4的實施例中，在1000W/m2照明光下進(jìn)行光浸潤工藝，但是在其他實施例中使用其他強(qiáng)度。測量方塊電阻直到溫度冷卻至室溫(25°C )。
[0049]圖5示出對BZO膜的透明度的影響并且示出在光浸潤工藝之前和之后的BZO膜的透明度無明顯變化。圖5示出透明度保持基本上相同，透明度在約0.995至1.0O的范圍內(nèi)。
[0050]圖6A和圖6B通過曲線示出BZO膜的一次光浸潤試驗的結(jié)果。圖6A和圖6B通過曲線示出光致發(fā)光強(qiáng)度。圖6A和圖6B通過曲線示出作為光浸潤的結(jié)果BZO膜中的光致發(fā)光(PL)增強(qiáng)。圖6A和圖6B通過曲線示出在各種光波長下的光致發(fā)光強(qiáng)度(以任意單位(a.u)計)。圖6A示出沉積時(即光浸潤之前)示例性BZO膜的變化的溫度光致發(fā)光分析。圖6B示出暴露于1000W/m2照明光30分鐘之后的同一 BZO膜。圖6B示出測量BZO膜吸收和隨后再輻射光子的光致發(fā)光的增加。不限于特定理論， 申請人:相信光致發(fā)光的增加歸因于光浸潤所導(dǎo)致的BZO層的增強(qiáng)，而且該增強(qiáng)尤其歸因于在BZO層中形成的并且產(chǎn)生由光致發(fā)光強(qiáng)度方面的增加所證實的高輻射再結(jié)合率的光誘導(dǎo)亞穩(wěn)定性。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種形成太陽能電池的方法。該方法包括:提供太陽能電池基板；在多室制造裝置的第一室中在太陽能電池基板上沉積至少一種膜；以及在多室制造裝置的第二室中將在其上具有至少一種膜的太陽能電池基板暴露于光能量。
[0052]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成太陽能電池的方法。該方法包括:提供太陽能電池基板；在多室制造裝置的第一室中在太陽能電池基板上沉積至少TCO膜(透明導(dǎo)電氧化物)；以及在多室制造裝置的第二室中將在其上具有至少TCO膜的太陽能電池基板暴露給至少一種光源，該暴露包括暴露于多種波長光。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造裝置。該制造裝置包括:多個室和在制造裝置內(nèi)和室之間轉(zhuǎn)移基板的內(nèi)部轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)，該多個室至少包括用于在太陽能電池基板上沉積薄膜的沉積室和其中具有至少一個光源的光能量浸潤室，該光源在光能量浸潤室中將光能量引導(dǎo)至太陽能電池基板。
[0054]前面僅示出了本發(fā)明的原理。因此，應(yīng)該理解，盡管在本文中沒有明確描述或示出，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠設(shè)計出實現(xiàn)本發(fā)明的原理并包括在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種布置。此外，本文引用的所有實例和條件語言都主要明確預(yù)期僅是為了教導(dǎo)的目的且旨在幫助讀者理解本發(fā)明的原理和發(fā)明人促進(jìn)本領(lǐng)域所貢獻(xiàn)的概念，并且被解釋為不限于這些具體引用的實例和條件。此外，本文中引用本發(fā)明的原理、方面和實施例以及其具體實例的所有陳述都預(yù)期包涵其結(jié)構(gòu)和功能兩種等效物。此外，預(yù)期這些等效物包括當(dāng)前已知的等效物以及將來開發(fā)的等效物，即，不管其結(jié)構(gòu)如何，開發(fā)的執(zhí)行相同功能的任何元件。
[0055]預(yù)期結(jié)合附圖一起閱讀示例性實施例的這種描述，所述附圖被認(rèn)為是整個書面說明書的一部分。在說明書中，空間相對位置的術(shù)語諸如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“上方”、“下方”、“向上”、“向下”、“頂部”和“底部”及其派生詞(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)應(yīng)該被解釋為是指如隨后所述的或者如論述中的附圖所示的定向。這些空間相對位置的術(shù)語是為了便于描述，并不要求在具體定向上構(gòu)造或操作裝置。除非另有明確描述，否則關(guān)于附接、連接等的術(shù)語(諸如“連接”和“互連”)是指結(jié)構(gòu)彼此直接固定或附接或通過中間結(jié)構(gòu)彼此間接地固定或附接的關(guān)系以及兩者都是可移動的或剛性的附接或關(guān)系。
[0056]盡管通過示例性實施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。相反，所附權(quán)利要求應(yīng)按廣義進(jìn)行解釋，以包括由本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的等效物的精神和范圍的情況下可以做出的本發(fā)明的其他變型例和實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括: 提供太陽能電池基板； 在多室制造裝置的第一室中的所述太陽能電池基板上沉積至少一種膜；以及 在所述多室制造裝置的第二室中將上面具有所述至少一種膜的所述太陽能電池基板暴露在光能量中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述至少一種膜包括沉積TCO(透明導(dǎo)電氧化物)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述TCO膜包括ITO(氧化銦錫)，并且所述太陽能電池基板包括設(shè)置在基底板上的太陽能電池膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述TCO膜包括Ζη0、ΑΖ0(摻鋁氧化鋅),BZO (摻硼氧化鋅)、GZO (摻鎵氧化鋅)和摻銦氧化鎘中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，沉積包括CVD(化學(xué)汽相沉積)、APCVD(常壓化學(xué)汽相沉積)、ALD (原子層沉積)、PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)、MOCVD (金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積)和濺射中的一種，并且所述太陽能電池基板包括玻璃、塑料和柔性材料中的一種，而且 沉積還包括在所述多室制造裝置的內(nèi)部將所述太陽能電池基板從所述第一室自動轉(zhuǎn)移至所述第二室。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，暴露包括將所述太陽能電池基板暴露于具有約380nm至740nm的波長的光的光能量中約15分鐘至30分鐘的時間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述至少一種膜包括以下兩種方法中的一種:a)在所述太陽能電池基板上沉積TCO膜，然后在所述TCO膜上方沉積太陽能電池膜，其中，所述太陽能電池基板是透明的；和b)在所述太陽能電池基板上沉積太陽能電池膜，然后在所述太陽能電池膜上方沉積TCO膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光能量由提供紫外光、紅外光和可見光中的至少一種的光源來提供。
9.一種形成太陽能電池的方法，所述方法包括: 提供太陽能電池基板； 在多室制造裝置的第一室中的所述太陽能電池基板上至少沉積TCO膜(透明導(dǎo)電氧化物)；以及 在所述多室制造裝置的第二室中將在其上至少具有所述TCO膜的所述太陽能電池基板暴露給至少一個光源，所述暴露包括暴露于多種波長的光。
10.一種制造裝置，包括: 多個室和在所述室之間轉(zhuǎn)移太陽能電池基板的內(nèi)部轉(zhuǎn)移機(jī)構(gòu)， 所述多個室至少包括用于在基板上沉積薄膜的沉積室和其中具有兩個或多個光源的光能量浸潤室，所述兩個或多個光源朝著所述基板將光能量引導(dǎo)至所述基板的兩側(cè)。
【文檔編號】H01L31/18GK103872175SQ201310052019
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年2月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】邱永升, 陳俊衡, 程子桓, 黃乾燿 申請人:臺積太陽能股份有限公司