一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層和封裝層，所述封裝層包括絕緣層、金屬層和平板玻璃，所述絕緣層延所述陽極導(dǎo)電基板上表面邊緣環(huán)繞設(shè)置，所述絕緣層環(huán)繞結(jié)構(gòu)圍成一凹槽，所述陽極導(dǎo)電基板上表面向凹槽依次延伸設(shè)置有所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層，所述絕緣層上表面設(shè)置有所述金屬層，所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，所述絕緣層與所述金屬層的高度之和大于功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層的高度之和，所述金屬層上表面設(shè)置有平板玻璃；本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效地減少水汽、氧對器件的侵蝕，顯著地提高器件的壽命。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]傳統(tǒng)的OLED器件封裝是在基板上制備電極和有機(jī)薄膜功能層后，在器件上加一個后蓋板，環(huán)氧樹脂在經(jīng)過紫外固化后將基板和蓋板粘接成一個整體，把器件的各個功能層和空氣隔開。由于蓋板封裝技術(shù)具有工藝成熟，成本低的優(yōu)點(diǎn)，因此OLED器件產(chǎn)業(yè)多采用此封裝技術(shù)進(jìn)行封裝。
[0005]目前對OLED進(jìn)行封裝所用的蓋板通常為玻璃和金屬。金屬蓋板封裝既可以有效阻擋水汽、氧氣等成分滲透到器件內(nèi)部而保護(hù)0LED，又可以使器件堅(jiān)固，但其不透光性限制了這種封裝方法在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用。玻璃蓋板具有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、電絕緣性和致密性，但其散熱性差，容易導(dǎo)致器件溫度急速上升，器件中的有機(jī)材料會產(chǎn)生結(jié)晶現(xiàn)象，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件壽命縮短。同時，使用密封膠將基板和玻璃蓋板粘接時，由于封裝不夠嚴(yán)密，空氣中的水分容易滲透而進(jìn)入器件內(nèi)部，產(chǎn)生墨點(diǎn)。因此，在這種封裝方法中，一般都會在器件內(nèi)部加入氧化鈣或氧化鋇作為干燥劑來吸收水分，但是加入干燥劑使得器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本提高、制備繁瑣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地減少水汽、氧對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，且可以提高器件的散熱性，可顯著地提高OLED器件的壽命，同時提高器件透光率，滿足透明有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝要求。
[0007]—方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層和封裝層，所述封裝層包括絕緣層、金屬層和平板玻璃，所述絕緣層延所述陽極導(dǎo)電基板上表面邊緣環(huán)繞設(shè)置，所述絕緣層環(huán)繞結(jié)構(gòu)圍成一凹槽，所述陽極導(dǎo)電基板上表面向凹槽依次延伸設(shè)置有所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層，所述絕緣層上表面設(shè)置有所述金屬層，所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，所述絕緣層與所述金屬層的高度之和大于功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層的高度之和，所述金屬層上表面設(shè)置有平板玻璃；
[0008]所述金屬層自絕緣層表面向上依次包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，第二金屬層和第三金屬層通過封裝膠粘接密封；
[0009]所述第一金屬層和所述第四金屬層材質(zhì)相同，均為鈦(Ti)、鋯(Zr)或鉿(Hf)；
[0010]所述第二金屬層和所述第三金屬層材質(zhì)相同，均為銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鋁(Al)或銀(Ag)；
[0011]所述絕緣層材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)或氧化鎂(MgO)。
[0012]金屬層可以提高器件散熱能力，延長器件壽命，同時提高封裝結(jié)構(gòu)的堅(jiān)固性，提高封裝效果。
[0013]所述第一金屬層和第四金屬層厚度、徑向?qū)挾认嗤?br> [0014]優(yōu)選地，第一金屬層和第四金屬層厚度為100?200nm,徑向?qū)挾葹??3mm。
[0015]所述第二金屬層和第三金屬層厚度、徑向?qū)挾认嗤?br> [0016]優(yōu)選地，第二金屬層和第三金屬層厚度為100?200nm,徑向?qū)挾葹??3mm。
[0017]第一金屬層和第二金屬層中的金屬為性質(zhì)不同的金屬，第一金屬層的金屬粗糙度小，在絕緣層表面上蒸鍍第一金屬層可以形成一層平坦的金屬表面，使第二金屬層容易在第一金屬層表面上進(jìn)行蒸鍍；第二金屬層中的金屬粘接強(qiáng)度高，第二金屬層和第三金屬層為相同材質(zhì)的金屬層，兩層相同材質(zhì)的金屬層通過封裝膠粘接密封后，密封嚴(yán)密，能有效阻擋水、氧對有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部的侵蝕；同時，第一金屬層和第二金屬層的組合可以起到良好的散熱作用，達(dá)到良好的封裝效果。
[0018]在所述陽極導(dǎo)電基板上表面邊緣環(huán)繞設(shè)置絕緣層，絕緣層可以很好地阻隔水、氧對有機(jī)電致發(fā)器件的侵蝕。
[0019]優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度為200?300nm。
[0020]優(yōu)選地，所述絕緣層的徑向?qū)挾葹??4_。
[0021]所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，以防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。
[0022]通過真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極和功能層。
[0023]保護(hù)層材料選自有機(jī)小分子材料、無機(jī)材料或金屬材料中的一種，優(yōu)選自酞菁銅(CuPc), N, N，- (1_萘基)州，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化娃(SiO)或氟化鎂(MgF2)。
[0024]優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200?300nm。
[0025]在第三金屬層上表面涂布封裝膠，加熱固化，將第二金屬層和第三金屬層粘接密封，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述平板玻璃和基板內(nèi)。
[0026]將第二金屬層和第三金屬層粘接密封，可以將陰極層、功能層、發(fā)光層和保護(hù)層封裝在封閉空間內(nèi)，由于金屬層之間的粘接是同類材料之間的粘接，密封性要優(yōu)于傳統(tǒng)玻璃蓋板封裝中玻璃蓋板和基板之間粘接的密封性，可有效地減少水汽、氧對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，且可以提高器件的散熱性，同時滿足透明有機(jī)電致發(fā)光器件的透光率要求。[0027]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板可以為導(dǎo)電玻璃基板，選自銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FTO)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0028]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0029]采用真空蒸鍍方法制備陰極層。
[0030]優(yōu)選地，陰極層為透明陰極層。
[0031]更優(yōu)選地，陰極層為依次蒸鍍ZnS、Ag和ZnS形成的ZnS/Ag/ZnS。
[0032]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0033](I)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板；通過覆蓋掩模板的方式在陽極導(dǎo)電基板上蒸鍍功能層、發(fā)光層和保護(hù)層，再通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞功能層、發(fā)光層和保護(hù)層的絕緣層；
[0034](2)通過真空蒸鍍的方法在絕緣層表面設(shè)置第一金屬層，同時采用相同的方法在平板玻璃下表面設(shè)置第四金屬層，再通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面設(shè)置第二金屬層，同時采用相同的方法在第四金屬層下表面設(shè)置第三金屬層；所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，所述絕緣層與所述金屬層的高度之和大于功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層的高度之和；
[0035](3)在第三金屬層上表面涂布封裝膠，加熱固化后，使第二金屬層和第三金屬層粘接密封，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述平板玻璃和基板內(nèi)。
[0036]優(yōu)選地，步驟(1)磁控濺 射時濺射靶材為二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)或氧化鎂(MgO)，本底真空度1X10—5~I X 10_3Pa，通入氬氣(Ar)，流量為5~lOsccm。
[0037]優(yōu)選地，步驟(2)中所述第一金屬層和所述第四金屬層真空蒸鍍過程的真空度為IX 10_5 ~IX 10?,蒸發(fā)速度0.5 ~ 5A/s O
[0038]優(yōu)選地，步驟(2)中所述第二金屬層和所述第三金屬層真空蒸鍍過程的真空度為IX 10_5 ~IX 10?,蒸發(fā)速度0.5 ~ 5A/s。
[0039]優(yōu)選地，所述步驟(3)加熱固化時，固化溫度55~65°C，固化時間60~80min。
[0040]第一金屬層和第二金屬層中的金屬為性質(zhì)不同的金屬，第一金屬層的金屬粗糙度小，在絕緣層表面上蒸鍍第一金屬層可以形成一層平坦的金屬表面，使第二金屬層容易在第一金屬層表面上進(jìn)行蒸鍍；第二金屬層中的金屬粘接強(qiáng)度高，第二金屬層和第三金屬層為相同材質(zhì)的金屬層，兩層相同材質(zhì)的金屬層通過封裝膠粘接密封后，密封嚴(yán)密，能有效阻擋水、氧對有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部的侵蝕；同時，第一金屬層和第二金屬層的組合可以起到良好的散熱作用，達(dá)到良好的封裝效果。
[0041]步驟(1)通過真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極和功能層。
[0042]優(yōu)選地，保護(hù)層的材質(zhì)為CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF2 ;優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200 ~300nmo
[0043]優(yōu)選地，保護(hù)層真空蒸鍍過程的真空度I X 10_5~I X 10?,蒸發(fā)速度O 5 ~ 5,4/s.,
[0044]優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板可以為導(dǎo)電玻璃基板，選自銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FTO)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0045]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0046]采用蒸鍍方法制備陰極層。
[0047]將第二金屬層和第三金屬層粘接，可以將陰極層、功能層、發(fā)光層和保護(hù)層封裝在封閉空間內(nèi)，由于金屬層之間的粘接是同類材料之間的粘接，密封性要優(yōu)于傳統(tǒng)玻璃蓋板封裝中玻璃蓋板和基板之間粘接的密封性，可有效地減少水汽、氧對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，且可以提高器件的散熱性，同時滿足透明有機(jī)電致發(fā)光器件的透光率要求。
[0048]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0049](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件可以有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命，金屬層的存在提高了器件的散熱性和堅(jiān)固性，平板玻璃的覆蓋提高了器件的透光性，滿足透明有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝要求；
[0050](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件封裝層的防水性能(WVTR)達(dá)到10_6g/m2.day，壽命達(dá)10，000小時以上(T70@1000cd/m2)，透光率達(dá)到77% ；
[0051](3)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價，封裝方法工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0053]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和調(diào)整，這些改進(jìn)和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0054]實(shí)施例1:
[0055]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0056](I)陽極導(dǎo)電基板I前處理:陽極導(dǎo)電基板I為銦錫氧化物(ITO)玻璃基板，丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；對洗凈后的陽極導(dǎo)電基板I還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；陽極導(dǎo)電基板I厚度為IOOnm ；
[0057](2)功能層及發(fā)光層的制備:
[0058]空穴注入層2:通過覆蓋掩模板的方式在陽極導(dǎo)電基板I表面真空蒸鍍空穴注入層2,掩模板延陽極導(dǎo)電基板I上表面邊緣環(huán)繞設(shè)置,在陽極導(dǎo)電基板I上未掩蓋掩模板的區(qū)域內(nèi)向上真空蒸鍍產(chǎn)生空穴注入層2，移除掩模板，空穴注入層2延徑向?qū)挾葹?mm，厚度為10nm，空穴注入層2的材質(zhì)為MoO3摻雜NPB得到的混合材料，MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30 %，蒸鍍均采用高真空鍍膜設(shè)備進(jìn)行，蒸鍍時真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1A/S；
[0059]空穴傳輸層3:采用4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，在空穴注入層2表面通過真空蒸鍍的方式制備與空穴注入層2大小相同的空穴傳輸層3，蒸鍍真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度為0.1 A/S,蒸發(fā)厚度為30nm ；
[0060]發(fā)光層4:在空穴傳輸層3表面通過真空蒸鍍的方式制備與空穴傳輸層3大小相同的發(fā)光層4，發(fā)光層4主體材料采用1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，客體材料質(zhì)量占主體材料質(zhì)量的5%，蒸鍍真空度為1\10_^，蒸發(fā)速度為0.2人/5，蒸發(fā)厚度為20nm ；
[0061]電子傳輸層5的制備:在發(fā)光層4表面通過真空蒸鍍的方式制備與發(fā)光層4大小相同的電子傳輸層5,電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),蒸鍍真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S,蒸發(fā)厚度為IOnm ；
[0062]電子注入層6的制備:在電子傳輸層5表面通過真空蒸鍍的方式制備與電子傳輸層5大小相同的電子注入層6，電子注入層6材質(zhì)為CsN3摻雜Bphen，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸鍍真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度為0.2A/S，蒸發(fā)厚度為20nm ；
[0063](3)陰極層7的制備:在電子注入層6表面通過真空蒸鍍的方式制備與電子注入層6大小相同的陰極層7，通過依次蒸鍍ZnS、Ag和ZnS形成陰極層ZnS/Ag/ZnS，ZnS厚度30nm, Ag厚度為10nm，蒸鍍真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為I A/s；
[0064](4)保護(hù)層8的制備:在陰極層7表面通過真空蒸鍍的方式制備與陰極層7大小相同的保護(hù)層8，保護(hù)層8的材質(zhì)為CuPc， 真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度為0.5人/5,厚度為200nm ；
[0065](5)絕緣層91的制備:通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板I上設(shè)置環(huán)繞空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7和保護(hù)層8的絕緣層91，絕緣層91材質(zhì)為SiO2，靶材為SiO2，本底真空度為lX10_5Pa，通入Ar，流量為lOsccm，絕緣層91徑向?qū)挾葹?mm，厚度為300nm ；
[0066](6)第一金屬層92和第四金屬層95制備:通過真空蒸鍍的方法在絕緣層91上表面制備第一金屬層92,第一金屬層92材質(zhì)為Ti,真空度為I X 10 5Pa,蒸發(fā)速度為5A_/s,徑向?qū)挾葹?mm,厚度為200nm ;同時在平板玻璃下表面設(shè)置第四金屬層95,第四金屬層95的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷谝唤饘賹?2相同。
[0067](7)第二金屬層93和第三金屬層94的制備:通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層92上表面制備第二金屬層93，第二金屬層93材質(zhì)為In，真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/s，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為200nm ;同時在第四金屬層95下表面制備第三金屬層94,第三金94屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷诙饘賹酉嗤?br> [0068](8)平板玻璃96的覆蓋:在第三金屬層94下表面涂布封裝膠,加熱固化，固化溫度為65°C，固化時間為60min，將第二金屬層93和第三金屬層94粘接，將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在平板玻璃96及基板I內(nèi)。
[0069]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為5.6X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為10，515h (T70@1000cd/m2)，透光率為85%。
[0070]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的化學(xué)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7、保護(hù)層8和封裝層9，封裝層9包括絕緣層91、第一金屬層92、第二金屬層93、第三金屬層94、第四金屬層95和平板玻璃96,在第三金屬層94下表面表面涂布封裝膠，將第二金屬層93和第三金屬層94粘接，將空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7、保護(hù)層8容置在封閉空間內(nèi)。
[0071]實(shí)施例2:
[0072]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0073](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0074](4)保護(hù)層的制備:在陰極層表面通過真空蒸鍍的方式制備與陰極層大小相同的保護(hù)層，保護(hù)層的材質(zhì)為NPB，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S，厚度300nm ；
[0075](5)絕緣層的制備:通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和保護(hù)層的絕緣層，絕緣層材質(zhì)為Al2O3，靶材為Al2O3,本底真空度為5X10_5Pa，通入Ar，流量為5sCCm，絕緣層徑向?qū)挾葹?mm,厚度為 200nm ；
[0076](6)第一金屬層和第四金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在絕緣層上表面制備第一金屬層，材質(zhì)為Zr,真空度為5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為lA/s，徑向?qū)挾葹?.5mm,厚度為150nm;同時在平板玻璃下表面制備第四金屬層，第四金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷谝唤饘賹酉嗤?br> [0077](7)第二金屬層和第三金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面制備第二金屬層，材質(zhì)為Sn,真空度5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度0.5A/S，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為IOOnm ;同時在第四金屬層下表面制備第三金屬層,第三金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷诙饘賹酉嗤?br> [0078](8)平板玻璃的覆蓋:在第三金屬層下表面涂布封裝膠，加熱固化，固化溫度為55°C，固化時間為80min，將第二金屬層和第三金屬層粘接，將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在平板玻璃及基板內(nèi)。
[0079]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為5.9X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為10，314h (T70@1000cd/m2)，透光率為83%。
[0080]實(shí)施例3:
[0081]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0082](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0083](4)保護(hù)層的制備:在陰極層表面通過真空蒸鍍的方式制備與陰極層大小相同的保護(hù)層，保護(hù)層的材質(zhì)為Alq3，真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度為21/8，厚度為250nm ；
[0084](5)絕緣層的制備:通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和保護(hù)層的絕緣層，絕緣層材質(zhì)為Si3N4，靶材為Si3N4，本底真空度為5X10_5Pa，通入Ar，流量為5sCCm，絕緣層徑向?qū)挾葹?mm,厚度為 200nm ；
[0085](6)第一金屬層和第四金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在絕緣層上表面制備第一金屬層，第一金屬層材質(zhì)為Hf,真空度為5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為I A,'s，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為150nm;同時在平板玻璃下表面制備第四金屬層，第四金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷谝唤饘賹酉嗤0086](7)第二金屬層和第三金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面制備第二金屬層，第二金屬層材質(zhì)為Au,真空度為5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度為lA/s，徑向?qū)挾葹?br> 2.5mm,厚度為150nm ;同時在第四金屬層下表面制備第三金屬層,第三金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷诙饘賹酉嗤?br> [0087](8)平板玻璃的覆蓋:在第三金屬層下表面涂布封裝膠，加熱固化，固化溫度為60°C，固化時間為70min，將第二金屬層和第三金屬層粘接，將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在平板玻璃及基板內(nèi)。
[0088]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為6.1X10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為10，206h (T70@1000cd/m2)，透光率為77%。
[0089]實(shí)施例4:
[0090]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0091](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0092](4)保護(hù)層的制備:在陰極層表面通過真空蒸鍍的方式制備與陰極層大小相同的保護(hù)層，保護(hù)層的材質(zhì)為SiO，真空度為5父10_^，蒸發(fā)速度為0.5入./8，厚度為200nm ；
[0093]( 5 )絕緣層的制備:通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和保護(hù)層的絕緣層，絕緣層材質(zhì)為AlN,靶材為A1N，本底真空度為5 X 10_5Pa，通入Ar，流量為7sccm，絕緣層徑向?qū)挾葹?.5mm,厚度為250nm ；
[0094](6)第一金屬層和第四金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在絕緣層上表面制備第一金屬層，第一金屬層材質(zhì)為Ti,真空度為5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為0.5人/s,徑向?qū)挾葹?mm,厚度為IOOnm ;同時在平板玻璃下表面制備第四金屬層,第四金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷谝唤饘賹酉嗤?br> [0095](7)第二金屬層和第三金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面制備第二金屬層，第二金屬層材質(zhì)為Al,真空度為5X l(T5Pa,蒸發(fā)速度為2A/S，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為150nm ;同時在第四金屬層下表面制備第三金屬層,第三金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷诙饘賹酉嗤?br> [0096](8)平板玻璃的覆蓋:在第三金屬層下表面涂布封裝膠，加熱固化，固化溫度為60°C，固化時間為70min，將第二金屬層和第三金屬層粘接，將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在平板玻璃及基板內(nèi)。
[0097]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為6.7X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為10，118h (T70@1000cd/m2)，透光率為80%。
[0098]實(shí)施例5:
[0099]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0100](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0101](4)保護(hù)層的制備:在陰極層表面通過真空蒸鍍的方式制備與陰極層大小相同的保護(hù)層，保護(hù)層的材質(zhì)為MgF2，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S，厚度為300nm ；
[0102](5)絕緣層的制備:通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和保護(hù)層的絕緣層，絕緣層材質(zhì)為MgO，靶材為MgO，本底真空度為lX10_3Pa，通入Ar，流量為7sccm，絕緣層徑向?qū)挾葹?mm，厚度為250nm ；
[0103](6)第一金屬層和第四金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在絕緣層上表面制備第一金屬層，第一金屬層材質(zhì)為Zr,真空度為I X 10_3Pa,蒸發(fā)速度為2A/S，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為160nm;同時在后蓋平板玻璃下表面制備第四金屬層，第四金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷谝唤饘賹酉嗤?br> [0104](7)第二金屬層和第三金屬層的制備:通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面制備第二金屬層，第二金屬層材質(zhì)為Ag,真空度為I X 10_3Pa,蒸發(fā)速度為lA/s，徑向?qū)挾葹?mm,厚度為150nm ;同時在第四金屬層下表面制備第三金屬層,第三金屬層的制備方法、材質(zhì)、徑向?qū)挾群秃穸群偷诙饘賹酉嗤?br> [0105](8)平板玻璃的覆蓋:在第三金屬層下表面涂布封裝膠，加熱固化，固化溫度為60°C，固化時間為70min，將第二金屬層和第三金屬層粘接，將有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在平板玻璃及基板內(nèi)。
[0106]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為7.2X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為10，021h (T70@1000cd/m2)，透光率為79%。
[0107]效果實(shí)施例
[0108]為有效證明本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，提供相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下。
[0109]表1.實(shí)施例1飛有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率
[0110]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括絕緣層、金屬層和平板玻璃，所述絕緣層延所述陽極導(dǎo)電基板上表面邊緣環(huán)繞設(shè)置，所述絕緣層環(huán)繞結(jié)構(gòu)圍成一凹槽，所述陽極導(dǎo)電基板上表面向凹槽依次延伸設(shè)置有所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層，所述絕緣層上表面設(shè)置有所述金屬層，所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，所述絕緣層與所述金屬層的高度之和大于功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層的高度之和，所述金屬層上表面設(shè)置有平板玻璃； 所述金屬層自絕緣層表面向上依次包括第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層，第二金屬層和第三金屬層通過封裝膠粘接密封； 所述第一金屬層和所述第四金屬層材質(zhì)相同，均為鈦、鋯或鉿； 所述第二金屬層和所述第三金屬層材質(zhì)相同，均為銦、錫、金、鋁或銀； 所述絕緣層材質(zhì)為二氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁或氧化鎂。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述絕緣層的厚度為200~300nm，徑向?qū)挾葹?~4mm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一金屬層和第四金屬層厚度、徑向?qū)挾认嗤?，厚度?00~200nm，徑向?qū)挾葹?~3mm。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二金屬層和第三金屬層厚度、徑向?qū)挾认嗤穸葹?00~200nm，徑向?qū)挾葹?~3mm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護(hù)層材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅或氟化鎂，保護(hù)層的厚度為200~300nm。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極圖形形成陽極導(dǎo)電基板；通過覆蓋掩模板的方式在陽極導(dǎo)電基板上蒸鍍功能層、發(fā)光層和保護(hù)層，再通過磁控濺射的方法在陽極導(dǎo)電基板上設(shè)置環(huán)繞功能層、發(fā)光層和保護(hù)層的絕緣層； (2)通過真空蒸鍍的方法在絕緣層表面設(shè)置第一金屬層，同時采用相同的方法在平板玻璃下表面設(shè)置第四金屬層，再通過真空蒸鍍的方法在第一金屬層上表面設(shè)置第二金屬層，同時采用相同的方法在第四金屬層下表面設(shè)置第三金屬層；所述金屬層與所述功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層之間設(shè)有間隙，所述絕緣層與所述金屬層的高度之和大于功能層、發(fā)光層、陰極層和保護(hù)層的高度之和； (3)在第三金屬層上表面涂布封裝膠，加熱固化后，使第二金屬層和第三金屬層粘接密封，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述平板玻璃和基板內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(1)磁控濺射時濺射靶材為二氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鋁或氧化鎂，本底真空度為1X10_5~IX ICT3Pa,通入気氣，流量為5~lOsccm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述第一金屬層和所述第四金屬層真空蒸鍍過程的真空度為1X10_5~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.5 ~ 5A/s。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述第二金屬層和所述第三金屬層真空蒸鍍過程的真空度為1X 10_5~1 X 10-3Pa,蒸發(fā)速度為.0.5 ~ 5A/s ο
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)加熱固化時，固化溫度為55~65°C，固化時間為60~80min。
【文檔編號】H01L51/56GK103811668SQ201210438963
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月7日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司