檢測方法
【專利摘要】一種檢測方法，適用于量測膠膜上已彼此劈裂的數(shù)個晶粒，包含以下步驟：提供一個標(biāo)準(zhǔn)間距范圍與一個臨界間距范圍，并量測及記錄所述晶粒彼此間的間距，再將所記錄的所述晶粒的間距與所提供的間距范圍比較，以判斷是否依序?qū)λ鼍Я＿M(jìn)行檢測。本發(fā)明在檢測前，預(yù)先量測并記錄所述晶粒彼此間的間距，并利用標(biāo)準(zhǔn)間距范圍與臨界間距范圍而可選擇對間距差異過大的相鄰晶粒不檢測或整片晶粒不檢測，以減少檢測誤差，若要檢測，也能考慮相鄰晶粒之間的間距，而能對晶粒的光性檢測結(jié)果進(jìn)行補正以提高檢測結(jié)果的正確性，因此，本發(fā)明有助于獲得更正確的檢測數(shù)據(jù)。
【專利說明】檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，特別是涉及一種晶粒(die)的檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往的一種晶粒的檢測方法，適用于量測黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個晶粒，由于以往在檢測晶粒時，并不考慮到晶粒之間彼此的間距所造成的影響，也就是說，以往皆將晶粒間的間距視為相同，但實際上的情況為，在劈裂擴張后，晶粒彼此間的間距并不相同。而且晶粒之間不同的間距在進(jìn)行光性檢測(optics measurement)時,會對檢測結(jié)果
產(chǎn)生一定的誤差影響。
[0003]因此，一種可以將晶粒的間距納入晶粒檢測標(biāo)準(zhǔn)以減少誤差影響，及晶粒依據(jù)晶粒間距而加入光性檢測補正的檢測方法，已成為目前相關(guān)業(yè)者的研發(fā)目標(biāo)之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可以將晶粒的間距作為是否要對晶粒進(jìn)行檢測的標(biāo)準(zhǔn)，及晶粒依據(jù)晶粒彼此間的間距而加入光性檢測補正的檢測方法。
[0005]本發(fā)明檢測方法，適用于量測黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個晶粒，該檢測方法包含以下步驟:
[0006](A)提供一個針對晶粒間距的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍；
[0007](B)量測并記錄所述晶粒彼此間的間距；
[0008](C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較；及
[0009](D)依比較結(jié)果判斷是否對所述晶粒進(jìn)行檢測；
[0010]其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
[0011]本發(fā)明的檢測方法，包含一個實施于該步驟(B)后的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據(jù)該步驟(B)所測得的晶粒彼此間的間距關(guān)系繪制出一個對應(yīng)圖面。
[0012]本發(fā)明的檢測方法，包含一個實施于該步驟(D)后的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對間距超過該臨界間距范圍的晶粒省略檢測。
[0013]本發(fā)明的檢測方法，包含一個實施于該步驟(D)后的步驟(G)，在該步驟(G)中，對間距未超出該臨界間距范圍的晶粒進(jìn)行檢測。
[0014]本發(fā)明的檢測方法，包含一個實施于該步驟(G)后的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據(jù)已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對間距超過該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒的檢測結(jié)果進(jìn)行換算補正。
[0015]本發(fā)明的檢測方法，該步驟(G)所進(jìn)行的檢測為光性檢測。
[0016]本發(fā)明檢測方法的有益效果在于:在進(jìn)行檢測以前，就先量測并記錄所述晶粒彼此間的間距，因此，可以在檢測前就先判斷相鄰晶粒的間距是否超出標(biāo)準(zhǔn)間距范圍或臨界間距范圍，作為晶粒是否檢測的判斷依據(jù)。接著，依判斷結(jié)果依序?qū)λ鼍Я＿M(jìn)行檢測，并根據(jù)所述晶粒彼此間的間距對晶粒的光性檢測結(jié)果進(jìn)行補正，因而能提高檢測結(jié)果的準(zhǔn)確度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是一個流程圖，說明本發(fā)明檢測方法的一個較佳實施例；
[0018]圖2是一個示意圖，說明本較佳實施例的數(shù)個晶粒；
[0019]圖3是一個示意圖，說明本較佳實施例依據(jù)所記錄的晶粒的間距關(guān)系繪制出的對應(yīng)圖面，本圖由計算機軟件繪制，僅為說明本發(fā)明一種對應(yīng)圖面的繪制態(tài)樣，因此對于權(quán)利要求的保護(hù)范圍并無影響，僅起到說明功效的作用。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0021]參閱圖1與圖2，本發(fā)明檢測方法的一個較佳實施例，適用于量測黏著于膠膜I上且已彼此劈裂的數(shù)個晶粒2，由于間距大小對晶粒的光性檢測數(shù)據(jù)影響較大，以下的檢測方法是以光性檢測為例進(jìn)行說明，需要進(jìn)行光性檢測的晶粒主要是應(yīng)用于LED等發(fā)光元件上。該檢測方法包含以下步驟:
[0022]首先，進(jìn)行一步驟101，針對晶粒2間距，提供一個標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍。該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍可依據(jù)所用的晶粒類型、晶粒的用途或設(shè)計需求分別設(shè)定，并使標(biāo)準(zhǔn)間距范圍被涵蓋在臨界間距范圍內(nèi)。
[0023]再進(jìn)行一步驟100，量測并記錄所述晶粒2彼此間的間距。其中，步驟101與步驟100的順序不受限，即使互換，仍然能夠獲得預(yù)定的效果。
[0024]接續(xù)地，進(jìn)行一步驟200，依據(jù)該步驟100所測得的晶粒2彼此間的間距關(guān)系繪制成對應(yīng)圖面，以讓使用者可以觀看對應(yīng)圖面掌控檢測流程。
[0025]而后，進(jìn)行一步驟300，將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較。
[0026]步驟400是依比較結(jié)果判斷是否對所述晶粒進(jìn)行檢測。在本實施例中，將出現(xiàn)兩種判斷結(jié)果，當(dāng)所述晶粒的間距超出該臨界間距范圍時，表示間距差異過大，進(jìn)行檢測將增加檢測時間而影響制程效率，此時將選擇進(jìn)行步驟401，對間距超出該臨界間距范圍的相鄰晶粒省略檢測。當(dāng)所述晶粒的間距未超出該臨界間距范圍時，則進(jìn)行步驟500，依序?qū)﹂g距符合檢測標(biāo)準(zhǔn)的所述晶粒進(jìn)行光性檢測。
[0027]步驟600，是依據(jù)步驟100所測得并記錄的所述晶粒2彼此間的間距，對步驟500所量測的所述晶粒2的光性檢測結(jié)果進(jìn)行換算補正，以提高所述晶粒2檢測結(jié)果的準(zhǔn)確度。其中，換算補正主要依晶粒的類型或客戶設(shè)計需求不同而設(shè)定不同的補正因子。例如，可以設(shè)定對間距在該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒乘以100%的補正因子(相當(dāng)于不進(jìn)行補正)，對間距小于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限的晶粒乘以一數(shù)值大于100%的補正因子，并對間距大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限的晶粒乘以一數(shù)值小于100%的補正因子。另外，也可以再將間距小于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限及大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限的間距進(jìn)一步細(xì)分為不同的次間距范圍，并對每一個次間距范圍分別規(guī)定補正因子，通常距離該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍越遠(yuǎn)的次間距范圍所指定的補正因子與標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)所對應(yīng)的補正因子的差值也會越大。借由增加標(biāo)準(zhǔn)間距范圍外的次間距范圍的數(shù)目，可以再提升檢測數(shù)據(jù)的正確性等級，并能適用于對質(zhì)量要求更高的廣品的晶粒的檢測。
[0028]值得說明的是，步驟200可與步驟300結(jié)合，也就是在繪制所述晶粒2彼此間的間距關(guān)系的對應(yīng)圖面時，可依所述間距與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍的比較結(jié)果，以不同的符號分別標(biāo)示間距在該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)的相鄰晶粒2、間距超過(包含大于上限與小于下限)該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的相鄰晶粒2，及間距超過該臨界間距范圍的相鄰晶粒2，借此，可依間距好(位于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)或接近該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍)或壞(超出該臨界間距范圍或遠(yuǎn)離該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍)，繪制成與間距好壞有關(guān)的對應(yīng)圖面，讓使用者可以再依據(jù)圖面快速地判定是否對特定晶粒2繼續(xù)后續(xù)的量測。
[0029]參閱圖2與圖3，其中圖3是根據(jù)步驟200與步驟300所述方式，針對一檢測區(qū)域10內(nèi)的晶粒2量測間距后，依所記錄的晶粒2的間距繪制的對應(yīng)圖面的一示意圖，該圓形的檢測區(qū)域10中的每一個檢測點2'分別對應(yīng)一個晶粒2，在圖3中雖然只是以灰階方式呈現(xiàn)所述檢測點2'，但實際繪制時是根據(jù)該檢測點2'所對應(yīng)的晶粒2與其相鄰晶粒2的間距范圍，而以不同顏色的彩色點標(biāo)示該檢測點2'，借此，使用者可根據(jù)所述檢測點2'的顏色，快速辨識出與該檢測點2，對應(yīng)的晶粒2與相鄰晶粒2之間的間距范圍，而能快速判斷是否對該晶粒2進(jìn)行檢測，而且進(jìn)行檢測后也能依顏色提供的區(qū)別效果而能較快速地對晶粒2的檢測結(jié)果進(jìn)行相應(yīng)的換算補正，除了能獲得較正確的檢測結(jié)果外，也有助于快速完成檢測作業(yè)。另外，圖3中左側(cè)的長條形圖標(biāo)主要以不同顏色的方格對應(yīng)不同間距范圍，并記錄了不同間距范圍分別對應(yīng)的晶粒數(shù)量，例如，第5個方格對應(yīng)間距范圍0.6?0.8μπι的晶粒2，其顏色為藍(lán)色，方格中的數(shù)字表示該間距范圍的晶粒2數(shù)量有20個，也就是說在該圓形的檢測區(qū)域10中的藍(lán)色檢測點2'所對應(yīng)的晶粒2與相鄰晶粒2的間距落在0.6?0.8 μ m的范圍，且量測結(jié)果顯示該檢測區(qū)域10中共有20個呈現(xiàn)該種藍(lán)色的檢測點2'，余此類推。當(dāng)然，本發(fā)明較佳實施例繪制的對應(yīng)圖面也可不以不同顏色的彩色點標(biāo)示檢測點，而以不同的符號標(biāo)示檢測點說明晶粒彼此間距關(guān)系，對應(yīng)圖面中晶粒的態(tài)樣不以本實施例為限。
[0030]需要補充說明的是，圖3中左側(cè)的長條形圖標(biāo)是以間距范圍對應(yīng)不同顏色的方格來呈現(xiàn)分別對應(yīng)不同間距范圍的晶粒數(shù)量及其在檢測區(qū)域10中的分布情形，但實務(wù)上也可以直接以距離百分比或補正因子取代該間距范圍的標(biāo)示。例如，假設(shè)將間距2.4?
2.6 μ m設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)間距范圍時，可以經(jīng)由計算機程序的設(shè)計將該間距的標(biāo)示改為距離百分t匕，并將與2.4?2.6對應(yīng)的方格旁的2.4與2.6之?dāng)?shù)字標(biāo)示改為100，及將位于上方的「間距(ym)」的標(biāo)示改為「距離百分比(%)」，并以2.4?2.6之間距為100的基準(zhǔn)，運算其他間距對應(yīng)的距離百分比數(shù)值并將此結(jié)果制成類似圖3的對應(yīng)圖，如此即可由該對應(yīng)圖看出距離百分比低于100或高于100的晶粒數(shù)量與其分布情形，此外，也可以通過計算機程序運算對不同間距分別要求的補正因子，并以標(biāo)示補正因子的方式取代原來圖3中的間距標(biāo)示，如此即可看出搭配不同補正因子的晶粒數(shù)量與其分布情形，并快速得知該檢測區(qū)域10整體的補正幅度。
[0031]以下以一個具體例說明依據(jù)對特定類型的晶粒進(jìn)行間距量測，以及依所記錄的所述晶粒2間距進(jìn)行換算補正的情形:[0032]本具體例是針對一個產(chǎn)品編號為LED 1023的晶粒進(jìn)行檢測，該類型晶粒的平均尺寸大小為長23 μ m，寬10 μ m。進(jìn)行檢測時依客戶需求設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍為3?4 μ m，且所設(shè)定的臨界間距范圍為9 μ m，由于臨界間距范圍設(shè)定為9 μ m，因此，對超過間距范圍9μπι的晶粒省略檢測，只針對間距范圍g 9μπι的所述晶粒進(jìn)行換算補正，補正規(guī)則如下:
[0033](I)與相鄰晶粒的間距在標(biāo)準(zhǔn)間距范圍(3?4 μ m)的晶粒，不補正，其最終檢測數(shù)據(jù)為檢測原始值X 100%。
[0034](2)與相鄰晶粒的間距在O?3μπι的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測數(shù)據(jù)為檢測原始值 X101%。
[0035](3)與相鄰晶粒的間距在4?6 μ m的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測數(shù)據(jù)為檢測原始值 X 99%ο
[0036](4)與相鄰晶粒的間距在6?9 μ m的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測數(shù)據(jù)為檢測原始值 X 98%ο
[0037]經(jīng)由上述的補正處理后，可以讓檢測過程中在相鄰晶粒干擾下測得的檢測原始值獲得補正，并能獲得較接近被檢測晶粒的真實性能的數(shù)據(jù)，正確地反應(yīng)所述晶粒的性能標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而能夠?qū)ζ涮峁└_有效的應(yīng)用。
[0038]需要補充說明的是，可以依晶粒的類型不同，以及客戶所訂的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)與對準(zhǔn)確的檢測結(jié)果的要求，分別調(diào)整標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的補正因子的數(shù)值、每一補正因子所對應(yīng)間距范圍、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及臨界間距范圍等參數(shù)。因此，上述具體例當(dāng)用于不同晶?；虿煌瑧?yīng)用需求時，也有可能對與相鄰晶粒的間距在標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)的晶粒的原始檢測值乘以一大于100%的補正因子或乘以一小于100%的補正因子進(jìn)行補正，并對應(yīng)地調(diào)整其他間距范圍的補正值，而補正間距范圍的分組方式也可依實際需求調(diào)整，例如，也可分別針對間距在O?I μ m> I?2μηι、2?3μηι、...、8?9μηι的范圍分別設(shè)定不同的補正因子，以進(jìn)行更高規(guī)格的換算補正，對規(guī)格要求相對較低的產(chǎn)品，也可以只針對標(biāo)準(zhǔn)間距范圍、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限與O之間、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限與臨界間距之間的三組范圍分別設(shè)定相應(yīng)的補正因子，以在符合產(chǎn)品規(guī)格的條件下加快檢測效率。此外，臨界間距范圍的設(shè)定也不受限，以上述具體例來說，也可以設(shè)定6 μ m為臨界間距范圍，當(dāng)相鄰晶粒的間距大于6 μ m就省略檢測，當(dāng)然，也可以設(shè)定12 μ m為臨界間距范圍，并于相鄰晶粒的間距大于12 μ m時才省略檢測。
[0039]綜上所述，由于在進(jìn)行檢測之前，即先量測并記錄所述晶粒2彼此間的間距，作為晶粒是否檢測的標(biāo)準(zhǔn)。其后，在檢測時還能夠考慮相鄰晶粒2的間距，作為光性檢測結(jié)果的補正標(biāo)準(zhǔn)，因而能提高所述晶粒2檢測結(jié)果的準(zhǔn)確度，確實能達(dá)到本發(fā)明的目的。
[0040]以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，即凡依權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測方法，適用于量測黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個晶粒，其特征在于:該檢測方法包含以下步驟: (A)提供一個針對晶粒間距的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍； (B)量測并記錄所述晶粒彼此間的間距； (C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較；及 (D)依比較結(jié)果判斷是否對所述晶粒進(jìn)行檢測； 其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于:所述檢測方法還包含一個實施于該步驟(B)后的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據(jù)該步驟(B)所測得的晶粒彼此間的間距關(guān)系繪制出一個對應(yīng)圖面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于:所述檢測方法還包含一個實施于該步驟(D)后的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對間距超過該臨界間距范圍的晶粒省略檢測。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測方法，其特征在于:所述檢測方法還包含一個實施于該步驟(D)后的步驟(G)，在該步驟(G)中，對間距未超出該臨界間距范圍的晶粒進(jìn)行檢測。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測方法，其特征在于:所述檢測方法還包含一個實施于該步驟(G)后的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據(jù)已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對間距超過該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒的檢測結(jié)果進(jìn)行換算補正。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測方法，其特征在于:該步驟(G)所進(jìn)行的檢測為光性檢測。
【文檔編號】H01L21/66GK103681394SQ201210352665
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】賴允晉, 徐秋田, 謝宜昇 申請人:惠特科技股份有限公司