專(zhuān)利名稱(chēng)：高速、寬光學(xué)帶寬和高效諧振腔增強(qiáng)的光電檢測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及光電檢測(cè)器領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于單個(gè)光電檢測(cè)器的裝置和系統(tǒng)，其具有寬光學(xué)帶寬和在寬光學(xué)帶寬內(nèi)的高效率。
背景技術(shù)：
隨著對(duì)高速數(shù)據(jù)傳送(例如，每個(gè)信道25Gb/s)的需求在增大，將具有光電檢測(cè)器的光學(xué)系統(tǒng)用于接收高速數(shù)據(jù)。這種光電檢測(cè)器被設(shè)計(jì)為在用于特定范圍的電信波長(zhǎng)的光學(xué)接收機(jī)中有效地工作。例如，一組光電檢測(cè)器被設(shè)計(jì)為檢測(cè)短通信距離波長(zhǎng)(short haulwavelength)(例如，850nm)的入射光。另一 組光電檢測(cè)器被設(shè)計(jì)為檢測(cè)O-波段波長(zhǎng)(例如，1260nm到1380nm)的入射光。另一組光電檢測(cè)器被設(shè)計(jì)為檢測(cè)用于洲際通信(例如，1550nm)的長(zhǎng)通信距尚波長(zhǎng)的入射光。因此，取決于將入射光的哪個(gè)頻率(或波長(zhǎng))范圍用于光學(xué)系統(tǒng)中，設(shè)計(jì)了具有特定光電檢測(cè)器的特定(或定制)光學(xué)接收機(jī)，用于操作以檢測(cè)該波長(zhǎng)范圍的入射光。因此，定制的光學(xué)接收機(jī)在仍提供每信道25Gb/s的數(shù)據(jù)速率傳送的同時(shí)，不能用于檢測(cè)寬波長(zhǎng)范圍的光，例如用于檢測(cè)小于900nm的波長(zhǎng)和在1260nm到1380nm范圍中的波長(zhǎng)。結(jié)果，在光學(xué)系統(tǒng)中使用多個(gè)定制的接收機(jī)來(lái)接收/檢測(cè)寬波長(zhǎng)范圍的光，從而有可能使得光學(xué)系統(tǒng)的成本高。


依據(jù)以下給出的本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明和附圖會(huì)更充分地理解本發(fā)明的實(shí)施例，但不應(yīng)將本發(fā)明的實(shí)施例理解為將本發(fā)明局限于特定實(shí)施例，而僅是用于解釋和理解。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光電檢測(cè)器的橫截面，其可操作以吸收波長(zhǎng)小于900nm和波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的光電檢測(cè)器的頂視圖。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基于圖1和圖2的光電檢測(cè)器的光電檢測(cè)器陣列。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在光學(xué)接收機(jī)中具有圖1的光電檢測(cè)器的光學(xué)系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例描述了一種用于具有一個(gè)或多個(gè)諧振腔增強(qiáng)的(RCE )光電檢測(cè)器的單個(gè)光學(xué)接收機(jī)的裝置和系統(tǒng)，所述光電檢測(cè)器具有寬光學(xué)帶寬和高效率，并被配置為允許每個(gè)信道的高數(shù)據(jù)速率。術(shù)語(yǔ)每個(gè)信道的高數(shù)據(jù)速率表示每個(gè)信道大約25Gb/s的數(shù)據(jù)速率。本文的術(shù)語(yǔ)寬光學(xué)帶寬指代吸收波長(zhǎng)小于900nm和波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光的能力。
在一個(gè)實(shí)施例中，RCE光電檢測(cè)器中的層的厚度被配置為吸收波長(zhǎng)小于900nm和波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。在這個(gè)實(shí)施例中，具有RCE光電檢測(cè)器的單個(gè)光學(xué)接收機(jī)能夠在無(wú)需特定/定制的光學(xué)接收機(jī)的情況下操作用于入射光的寬波長(zhǎng)范圍，以檢測(cè)波長(zhǎng)小于900nm的光或者波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光，同時(shí)保持每個(gè)信道大約25Gb/s的高數(shù)據(jù)速率。在以下說(shuō)明中，論述了多個(gè)細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的更透徹的解釋。但對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，顯然可以在無(wú)需這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例。在其它情況下，以方框圖的形式而非詳細(xì)地顯示了公知的結(jié)構(gòu)和設(shè)備，以便避免使得本發(fā)明的實(shí)施例模糊不清。在以下說(shuō)明中，將RCE光電檢測(cè)器可互換地稱(chēng)為光電檢測(cè)器。圖1不出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的檢測(cè)入射光101的光電檢測(cè)器100的橫截 面。在一個(gè)實(shí)施例中，光電檢測(cè)器100包括第一摻雜類(lèi)型的第一二極管區(qū)106，用于接收入射光101。在一個(gè)實(shí)施例中，第一二極管區(qū)106由鍺(Ge)或硅(Si)構(gòu)成，在此，第一摻雜類(lèi)型是N或P摻雜類(lèi)型。在一個(gè)實(shí)施例中，將磷用于N摻雜類(lèi)型，而將硼用于P型摻雜類(lèi)型。在其它實(shí)施例中，其它化學(xué)制品(元素和/或化合物)可以用于產(chǎn)生用于Ge或Si的N型摻雜和P型摻雜。光電檢測(cè)器100進(jìn)一步包括第二摻雜類(lèi)型的第二二極管區(qū)108。在一個(gè)實(shí)施例中，第二二極管區(qū)108由Si構(gòu)成，第二摻雜類(lèi)型與第一二極管區(qū)的第一摻雜類(lèi)型極性相反。例如，如果第一摻雜類(lèi)型是N摻雜類(lèi)型，那么第二摻雜類(lèi)型就是P摻雜類(lèi)型，反之亦然。在一個(gè)實(shí)施例中，第二二極管區(qū)108的厚度范圍為從529nm到551nm。在一個(gè)實(shí)施例中，第二二極管區(qū)108的厚度是540nm。光電檢測(cè)器100進(jìn)一步包括活性區(qū)105，用于將接收的光轉(zhuǎn)換為電子信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，活性區(qū)105被配置為位于第一二極管區(qū)106與第二二極管區(qū)108之間。在一個(gè)實(shí)施例中，活性區(qū)由Ge構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，活性區(qū)105的厚度范圍為從1078nm到1122nm,以便以高光學(xué)響應(yīng)吸收波長(zhǎng)小于900nm的光。在一個(gè)實(shí)施例中，活性區(qū)105的厚度是llOOnm，以便以高光學(xué)響應(yīng)吸收波長(zhǎng)小于900nm的光。本文的術(shù)語(yǔ)光學(xué)響應(yīng)也稱(chēng)為量子效率(η )，指代光電檢測(cè)器對(duì)入射光的吸收的百分比。本文的術(shù)語(yǔ)高n指代光電檢測(cè)器對(duì)入射光的80%或更多的吸收。圖1中的箭頭112表示單程的對(duì)波長(zhǎng)小于900nm的光的吸收，即很少有或無(wú)入射光的反射，活性區(qū)105吸收了幾乎全部的(80%及更多)入射光101。在一個(gè)實(shí)施例中，活性區(qū)105的厚度約為設(shè)計(jì)為吸收波長(zhǎng)為1310nm的光的典型的基于Ge的法線入射光電檢測(cè)器中使用的厚度的一半。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到，在接收到入射光時(shí)，在活性區(qū)中產(chǎn)生了電子和空穴。這些電子/空穴產(chǎn)生表示入射光的電信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，反射器109耦合到第二二極管區(qū)108和襯底110。在一個(gè)實(shí)施例中，反射器109包括分別夾置在氧化硅(SiO2)層113與115之間的Si層114的雙框?qū)?double box layer)。在一個(gè)實(shí)施例中，Si層114具有276nm到288nm的厚度,而SiO2層113與115具有范圍為223nm到233nm的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，Si層114的厚度是282nm。在一個(gè)實(shí)施例中，SiO2層的厚度是228nm。在一個(gè)實(shí)施例中，反射器109的層的厚度被配置為通過(guò)創(chuàng)建用于入射光101的多程光路來(lái)有效地增大Ge活性區(qū)105的厚度(實(shí)際上沒(méi)有增大厚度)。在這個(gè)實(shí)施例中，較薄的Ge活性區(qū)105 —比典型的光電檢測(cè)器薄一導(dǎo)致相比于典型的光電檢測(cè)器的較高的速度，同時(shí)保持了高量子效率。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到，活性區(qū)越厚，量子效率越高，且光電檢測(cè)器越慢。對(duì)于較薄的活性區(qū)而言情況相反。較厚的活性區(qū)導(dǎo)致較慢的光電檢測(cè)器，因?yàn)橛糜诠怆姍z測(cè)器的渡越時(shí)間較長(zhǎng)。本文的術(shù)語(yǔ)渡越時(shí)間指代最慢的載流子從活性區(qū)105的一端傳播到活性區(qū)105的另一端所花費(fèi)的時(shí)間，即一旦活性區(qū)105接收到入射光101，活性區(qū)105中最慢的載流子到達(dá)金屬觸點(diǎn)107所花費(fèi)的時(shí)間。如上所述，相比于典型的Ge活性區(qū)，本發(fā)明的實(shí)施例以較薄的Ge活性區(qū)105實(shí)現(xiàn)了較高的量子效率，從而實(shí)現(xiàn)了每個(gè)信道25Gb/s的數(shù)據(jù)傳送所需的高渡越時(shí)間。 在一個(gè)實(shí)施例中，反射器109被配置為反射波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。該反射光由箭頭111示出。在一個(gè)實(shí)施例中，由反射器109反射的光還部分地由界面層103反射，導(dǎo)致波長(zhǎng)為1260nm到1380nm的入射光的較大百分比在活性區(qū)105內(nèi)通過(guò)多次反射而被吸收。在一個(gè)實(shí)施例中，反射器109是雙絕緣體上硅(DSOI)反射器。在另一個(gè)實(shí)施例中，反射器109是分布式布拉格反射器(DBR)。在一個(gè)實(shí)施例中，Si層114的厚度是由Si折射率歸一化的光波長(zhǎng)的四分之一的奇數(shù)倍，而第二二極管區(qū)108的厚度不必是四分之一光波長(zhǎng)的奇數(shù)倍，如在典型DBR結(jié)構(gòu)中所見(jiàn)到的。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第二二極管區(qū)108的厚度被配置為使得光電檢測(cè)器100的量子效率最大化，并且不是四分之一光波長(zhǎng)的倍數(shù)。在這個(gè)實(shí)施例中，這個(gè)諧振腔光電檢測(cè)器100的總體量子效率在1260nm到1380nm的寬波長(zhǎng)范圍上比典型的諧振器光電檢測(cè)器的聞。如上所述，光電檢測(cè)器100進(jìn)一步包括界面層103，具有抗反射涂層(ARC)，并耦合到鈍化層104。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104圍繞一部分活性區(qū)105和第一二極管區(qū)106。在一個(gè)實(shí)施例中，ARC由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成。在另一個(gè)實(shí)施例中，ARC由氧化硅(SiO2)構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，具有由Si3N4構(gòu)成的ARC的界面層103的厚度范圍為從500nm到521nm。在一個(gè)實(shí)施例中，由Si3N4構(gòu)成的ARC層的厚度是511nm。在一個(gè)實(shí)施例中，耦合到界面層103和第一二極管區(qū)106的鈍化層104的部分是第一摻雜類(lèi)型的。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104由Si構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104由非晶硅構(gòu)成。在另一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104由多晶硅構(gòu)成。鈍化層104的厚度是使得器件光學(xué)/光吸收最大化，同時(shí)有助于抑制暗電流的值。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104的厚度或者小于30nm或者范圍為從184nm到192nm。在一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層104的厚度是188nm。光電檢測(cè)器100進(jìn)一步包括襯底110，其由高阻抗Si構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底的高電阻率約為lOOohm-cm，這使得對(duì)光電檢測(cè)器的速度有不利影響的寄生效應(yīng)最小化。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，經(jīng)由電觸點(diǎn)102和107收集由入射光產(chǎn)生的電流。在一個(gè)實(shí)施例中，觸點(diǎn)102耦合到第一二極管區(qū)，而觸點(diǎn)107耦合到第二二極管區(qū)。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的光電檢測(cè)器100的頂視圖200。參考圖1來(lái)說(shuō)明圖2。頂視圖200的中心中的圓圈103是光電檢測(cè)器100的界面層103。金屬觸點(diǎn)102和107向光電檢測(cè)器100提供電連接，以傳送由光電檢測(cè)器100從入射光101產(chǎn)生的電流。圓圈103具有直徑201,其表不光電檢測(cè)器的尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，光電檢測(cè)器的直徑201是30 μ m或更小。較大的直徑意味著用以接收入射光的較大的界面。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基于圖1和圖2的光電檢測(cè)器的光電檢測(cè)器200η的陣列300。在一個(gè)實(shí)施例中，N是2。在另一個(gè)實(shí)施例中，N是6。在其它實(shí)施例中，N可以是除2和6以外的不同數(shù)量。在一個(gè)實(shí)施例中，陣列300位于圖4所示的光學(xué)接收機(jī)中。圖4不出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)系統(tǒng)400,其具有在光學(xué)接收機(jī)300中的圖1的光電檢測(cè)器。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)400包括一個(gè)或多個(gè)光學(xué)發(fā)射機(jī)401^光學(xué)發(fā)射機(jī)401^,中的每一個(gè)光學(xué)發(fā)射機(jī)都包括稱(chēng)合到發(fā)射機(jī)407的電光轉(zhuǎn)換單兀406。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)射機(jī)407經(jīng)由多路復(fù)用器405、光學(xué)波導(dǎo)403和解復(fù)用器404向光學(xué)接收機(jī)402i_N發(fā)送具有小于900nm的波長(zhǎng)或1260nm到1380nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光學(xué)信號(hào)。
在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)接收機(jī)402^中的每一個(gè)光學(xué)接收機(jī)都包括接收機(jī)300，其耦合到光電轉(zhuǎn)換單元408。在一個(gè)實(shí)施例中，接收機(jī)300包括光電檢測(cè)器的陣列300。在一個(gè)實(shí)施例中，解復(fù)用器404將光學(xué)發(fā)射機(jī)4011,中的光學(xué)發(fā)射機(jī)耦合到光學(xué)接收機(jī)402^中相應(yīng)的光學(xué)接收機(jī)。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)波導(dǎo)是光學(xué)通用串行總線(USB)線纜。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)發(fā)射機(jī)401^和接收機(jī)401^位于它們各自的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(未示出)中。在一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)發(fā)射機(jī)406都向光學(xué)接收機(jī)402^發(fā)送以特定波長(zhǎng)為中心的窄帶光學(xué)信號(hào)。傳統(tǒng)上，需要定制的接收機(jī)來(lái)接收/吸收由發(fā)射機(jī)發(fā)送的以該特定波長(zhǎng)為中心的光。然而，在本文所述的實(shí)施例中，接收機(jī)300被配置為吸收寬范圍的波長(zhǎng)，SP小于900nm的波長(zhǎng)和1260nm到1380nm范圍的波長(zhǎng)，所以就不再需要定制的接收機(jī)。說(shuō)明書(shū)中對(duì)“一實(shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”或“其它實(shí)施例”的提及表示結(jié)合實(shí)施例說(shuō)明的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在至少一些實(shí)施例中，但不必是全部實(shí)施例?！耙粚?shí)施例”、“一個(gè)實(shí)施例”或“一些實(shí)施例”的多次出現(xiàn)不必全部指代相同的實(shí)施例。如果說(shuō)明書(shū)表述部件、特征、結(jié)構(gòu)或特性“可以”、“或許”或“能夠”被包含，那么該特定部件、特征、結(jié)構(gòu)或特性不是必須被包含的。如果說(shuō)明書(shū)或權(quán)利要求提及“一”要素，其并非表示僅存在一個(gè)要素。如果說(shuō)明書(shū)或權(quán)利要求提及“一另外的”要素，其并不排除存在多于一個(gè)另外的要素。盡管結(jié)合其特定實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但根據(jù)前面的說(shuō)明，這些實(shí)施例的許多替換、修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的。本發(fā)明的實(shí)施例旨在包含所有落入所附權(quán)利要求書(shū)的寬泛范圍內(nèi)的這種替換、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種光電檢測(cè)器，包括 第一摻雜類(lèi)型的第一二極管區(qū)，用以接收光； 第二摻雜類(lèi)型的第二二極管區(qū)，具有第二厚度； 活性區(qū)，用于將接收的光轉(zhuǎn)換為電子信號(hào)，所述活性區(qū)具有第三厚度，并被配置為位于所述第一二極管區(qū)與所述第二二極管區(qū)之間；以及 反射器，耦合到所述第二二極管區(qū)，且具有第四厚度的硅層，所述硅層位于第五厚度的氧化硅層之間，其中，所述活性區(qū)的第三厚度被配置為吸收波長(zhǎng)小于900nm的光，并且其中，所述反射器的第四和第五厚度被配置為反射波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，進(jìn)一步包括 第六厚度的鈍化層，圍繞一部分所述活性區(qū)和所述第一二極管區(qū)；以及界面層，具有第一厚度的抗反射涂層(ARC)，并耦合到所述鈍化層，其中，一部分所述鈍化層具有第一摻雜類(lèi)型，并耦合到所述界面層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電檢測(cè)器，其中，所述鈍化層包括硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電檢測(cè)器，其中 所述第一厚度的范圍為從500nm到521nm，并且 所述第六厚度的范圍為從184nm到192nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中，所述第五厚度是由氧化硅(SiO2)的折射率歸一化的光的波長(zhǎng)的四分之一的奇數(shù)倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中 所述第二厚度的范圍為從529nm到551nm， 所述第三厚度的范圍為從1078nm到1122nm， 所述第四厚度的范圍為從276nm到288nm，并且 所述第五厚度的范圍為從223nm到233nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，進(jìn)一步包括耦合到所述第一二極管區(qū)和所述第二二極管區(qū)的電觸點(diǎn)，所述電觸點(diǎn)用于提供由所接收的光產(chǎn)生的所述電子信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中，所述第一二極管區(qū)包括鍺，其中，所述第二二極管區(qū)包括硅，并且其中，所述第一和第二摻雜類(lèi)型極性相反，一個(gè)是N-摻雜類(lèi)型摻雜，另一個(gè)是P-摻雜類(lèi)型摻雜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中，所述反射器是雙絕緣體上硅(DSOI)反射器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中，所述反射器是分布式布拉格反射器(DBR)0
11.一種系統(tǒng),包括 發(fā)射機(jī)，用以通過(guò)光學(xué)波導(dǎo)發(fā)送光學(xué)信號(hào)；以及 接收機(jī)，用以接收所述光學(xué)信號(hào)，并具有光電檢測(cè)器，該光電檢測(cè)器包括 第一摻雜類(lèi)型的第一二極管區(qū)； 第二摻雜類(lèi)型的第二二極管區(qū)，具有第二厚度； 活性區(qū)，用于將所接收的光學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換為電子信號(hào)，所述活性區(qū)具有第三厚度，并被配置為位于所述第一二極管區(qū)與所述第二二極管區(qū)之間；以及反射器，耦合到所述第二二極管區(qū)，具有第四厚度的硅層，所述硅層位于第五厚度的氧化硅層之間，其中，所述活性區(qū)的第三厚度被配置為吸收波長(zhǎng)小于900nm的光，并且其中，所述反射器的第四和第五厚度被配置為反射波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括 第六厚度的鈍化層，圍繞一部分所述活性區(qū)和所述第一二極管區(qū)；以及 界面層，具有第一厚度的抗反射涂層(ARC)，并耦合到所述鈍化層，其中，一部分所述鈍化層具有第一摻雜類(lèi)型，并耦合到所述界面層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述鈍化層包括硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中 所述第一厚度的范圍為從500nm到521nm，并且 所述第六厚度的范圍為從184nm到192nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述第五厚度是由氧化硅(SiO2)的折射率歸一化的光的波長(zhǎng)的四分之一的奇數(shù)倍。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中 所述第二厚度的范圍為從529nm到551nm， 所述第三厚度的范圍為從1078nm到1122nm， 所述第四厚度的范圍為從276nm到288nm，并且 所述第五厚度的范圍為從223nm到233nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括耦合到所述第一二極管區(qū)和所述第二二極管區(qū)的電觸點(diǎn)，其中所述電觸點(diǎn)用于提供由所接收的光產(chǎn)生的所述電子信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述第一二極管區(qū)包括鍺，其中，所述第二二極管區(qū)包括硅，并且其中，所述第一和第二摻雜類(lèi)型極性相反，一個(gè)是N-摻雜類(lèi)型摻雜，另一個(gè)是P-摻雜類(lèi)型摻雜。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述反射器是雙絕緣體上硅(DSOI)反射器。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述光電檢測(cè)器是光電檢測(cè)器的陣列。
全文摘要
單個(gè)光學(xué)接收機(jī)具有光電檢測(cè)器，其具有寬光學(xué)帶寬和在寬光學(xué)帶寬內(nèi)的高效率，所述光電檢測(cè)器包括第一摻雜類(lèi)型的第一二極管區(qū)，用以接收光；第二摻雜類(lèi)型的第二二極管區(qū)，具有第二厚度；活性區(qū)，用于將所接收的光轉(zhuǎn)換為電子信號(hào)，所述活性區(qū)具有第三厚度，并被配置為位于所述第一二極管區(qū)與所述第二二極管區(qū)之間；以及反射器，耦合到所述第二二極管區(qū)，具有第四厚度的硅層，所述硅層位于第五厚度的氧化硅層之間，其中，所述活性區(qū)被配置為吸收波長(zhǎng)小于900nm的光，并且其中，所述反射器被配置為反射波長(zhǎng)范圍為1260nm到1380nm的光。
文檔編號(hào)H01L31/103GK103026504SQ201180036050
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者O·I·多孫穆, A·劉 申請(qǐng)人:英特爾公司