專利名稱：半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種散熱導(dǎo)通孔及雙面重布線層的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝構(gòu)造，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package, SIP)設(shè)計概念常用于架構(gòu)高密度封裝構(gòu)造，上述系統(tǒng)封裝又可再分為多芯片模塊(multi chip module,MCM)、封裝體上堆疊封裝體(package on package,POP)及封裝體內(nèi)堆疊封裝體(package in package,PIP)等。此外，也有為了縮小封裝構(gòu)造體積而產(chǎn)生的設(shè)計概念，例如晶圓級封裝構(gòu)造(waferlevel package, WLP)、芯片尺寸封裝構(gòu)造(chip scale package, CSP)以及無外引腳封裝構(gòu)造(quad-flat no-lead package, QFN)等。舉例來說，請參照圖I所示，其揭示一種現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造(WLP)，其包含一芯片 11、一絕緣層 12、一重布線層(re-distributed layer, RDL) 13、數(shù)顆凸塊(bumps) 14、一絕緣基礎(chǔ)層15及一銅箔層16。所述絕緣層12圍繞位于所述芯片11的四周，且通常由環(huán)氧樹脂等絕緣材料制成。所述芯片11及絕緣層12的一表面(如上表面)交替堆疊有數(shù)層的絕緣層及線路層，以共同構(gòu)成所述重布線層13。所述重布線層13具有數(shù)個重分布焊墊131，所述重分布焊墊131的目的是用以重新安排所述芯片11的一有源表面的數(shù)個接墊位置以及擴大其接墊間距。所述凸塊14形成在所述重分布焊墊131上，以做為信號、電源或接地的輸入/輸出端。所述絕緣基礎(chǔ)層15是包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維等絕緣材料的半固化壓合片(prepreg)。在組裝時,所述銅箔層16是預(yù)先貼合在所述絕緣基礎(chǔ)層15外側(cè),接著再通過一粘著層17將所述絕緣基礎(chǔ)層15及銅箔層16結(jié)合在所述芯片11及絕緣層12的另一表面(如上表面)上。在上述現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造中，所述絕緣基礎(chǔ)層15用以增加所述芯片11及絕緣層12的結(jié)構(gòu)強度，及所述銅箔層16用以對所述芯片11的背面進行散熱。然而，由于所述銅箔層16是通過所述絕緣基礎(chǔ)層15間接的對所述芯片11的背面進行散熱，因此不但其散熱效率不佳，而且所述絕緣基礎(chǔ)層15長期受熱后也容易翹曲(warpage)變形。結(jié)果，可能造成所述絕緣基礎(chǔ)層15、粘著層17及芯片11之間產(chǎn)生中空的間隙，因而導(dǎo)致所述芯片11背面的熱能無法有效向外排除，進而燒毀所述芯片11，并大幅影響封裝產(chǎn)品的可靠度及使用壽命。另外，所述銅箔層16僅用于散熱，使得所述晶圓級封裝構(gòu)造在具有所述銅箔層16的這一側(cè)無法再堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以應(yīng)用做為系統(tǒng)封裝(SIP)。故，有必要提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的散熱效率不佳及無法進行堆疊應(yīng)用的技術(shù)問題。[0007]本實用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中在制作絕緣基礎(chǔ)層的期間，在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對應(yīng)芯片的區(qū)域進一步制作散熱導(dǎo)通孔，以及在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對應(yīng)絕緣層的區(qū)域進一步制作電性導(dǎo)通孔，同時使電性導(dǎo)通孔電性連接到絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層，如此不但能利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來大幅提高對芯片的散熱效率及其工作可靠度，而且也能利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。為達(dá)成本實用新型的前述目的，本實用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個接墊；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具 有數(shù)個第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊；一絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個第二電性導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面，所述第二電性導(dǎo)通孔對應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔；及一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，且具有一散熱墊及數(shù)個第二重分布焊墊，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔，所述第二重分布焊墊連接所述第二電性導(dǎo)通孔。在本實用新型的一實施例中，所述第一電性導(dǎo)通孔是預(yù)先形成在所述絕緣基礎(chǔ)層上的數(shù)根柱狀凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面是通過一黏著層結(jié)合所述絕緣基礎(chǔ)層。在本實用新型的一實施例中，所述絕緣層是由包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維的一半固化壓合片(prepreg)烘烤固化后形成的。在本實用新型的一實施例中，所述絕緣基礎(chǔ)層是由包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維的一半固化壓合片烘烤固化后形成的。在本實用新型的一實施例中，所述第一重分布焊墊上另結(jié)合有數(shù)顆凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有一附加封裝構(gòu)造，例如晶圓級封裝體(wafer level package, WLP)、打線芯片封裝體或倒裝芯片封裝體。在本實用新型的一實施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加芯片，例如倒裝芯片(flip chip) ο在本實用新型的一實施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加無源元件(passive element)，例如電阻元件、電感元件或電容元件等。在本實用新型的一實施例中，所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少一附加有源元件(active element)，例如晶體管(transistor)、二極管(diode)或振蕩器(oscillator)等。另外，本實用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個接墊；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊；—絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面；及一散熱墊，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔。

圖I是一現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造(WLP)的不意圖。圖2A、2B、2C及2D是本實用新型第一實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的流程示意圖。圖3A、3B、3C及3D是本實用新型第二實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的流程示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖2A、2B、2C及2D所示，其揭示本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的示意圖，本實用新型將于下文利用圖2A至2D逐一詳細(xì)說明第一實施例各步驟的詳細(xì)加工處理過程，及各元件的細(xì)部構(gòu)造、組裝關(guān)系及其運作原理。請參照圖2A所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法首先是分別預(yù)制及準(zhǔn)備一芯片21、一絕緣層22、一絕緣基礎(chǔ)層23及一鈍化層(passivation) 24,并接著進行堆疊組裝。在本步驟中，所述芯片21是由一硅晶圓切割而成的，所述芯片21具有一朝上的有源表面及一朝下的背面，所述有源表面并設(shè)有數(shù)個接墊211。所述絕緣層22是包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維的一半固化壓合片(prepreg)或其他有機介電材料層,例如ABF,且必要時，所述絕緣層22的上、下表面可以具有銅箔。所述絕緣層22預(yù)先開鑿有一開口221及數(shù)個通孔222，所述開口 221對應(yīng)于所述芯片21的位置。再者，所述絕緣基礎(chǔ)層23是由一標(biāo)準(zhǔn)銅箔基板對其兩表面的銅箔進行蝕刻圖案化出線路后的一種復(fù)合層，其包含數(shù)個散熱導(dǎo)通孔231、數(shù)個第二電性導(dǎo)通孔232、一散熱墊233、數(shù)個第二重分布焊墊234、數(shù)個焊墊235及數(shù)根柱狀凸塊236。所述散熱導(dǎo)通孔231及第二電性導(dǎo)通孔232形成在所述絕緣基礎(chǔ)層23內(nèi)部，其兩者可以是預(yù)先對所述絕緣基礎(chǔ)層23進行機械或激光鉆孔再對鉆孔進行電鍍而加工制成的。所述散熱導(dǎo)通孔231的位置對應(yīng)于所述芯片21，所述第二電性導(dǎo)通孔232的位置對應(yīng)于所述絕緣層22的通孔222。所述散熱墊233及第二重分布焊墊234是由所述絕緣基礎(chǔ)層23的外表面(下表面)的銅箔進行蝕刻圖案化而加工制成的，所述散熱墊233連接所述散熱導(dǎo)通孔231的底端，所述第二重分布焊墊234連接所述第二電性導(dǎo)通孔232的底端。所述散熱墊233及第二重分布焊墊234可以合稱為一第二重布線層(RDL) 237。另外，所述焊墊235是由所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)的銅箔進行蝕刻圖案化而加工制成的，所述絕緣基礎(chǔ)層23可以利用光刻膠曝光顯影蝕刻出窗口裸露所述焊墊235，接著先蒸鍍上厚度極薄的一鎳層及一銅層，隨后再電鍍形成所述柱狀凸塊236，所述柱狀凸塊236可以是銅柱凸塊或鎳柱凸塊。所述柱狀凸塊236的位置對應(yīng)于所述絕緣層22的通孔222。在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)的銅箔進行蝕刻圖案化期間，也會形成所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端，因此所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端也可以凸出于所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)。此外，所述鈍化層24可以選自光刻膠(photo-resist)制成的干膜(dry film)或其他絕緣材料層。在堆疊組裝所述芯片21、絕緣層22、絕緣基礎(chǔ)層23及鈍化層24時，首先在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)涂上一粘著層25，接著將所述芯片21放在所述粘著層25及所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端上，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端優(yōu)選直接的接觸所述芯片21 的背面。接著，將所述絕緣層22及鈍化層24堆疊在所述絕緣基礎(chǔ)層23的內(nèi)表面(上表面)上。此時，所述芯片21嵌入所述絕緣層22的開口 221內(nèi)，所述柱狀凸塊236則插入所述絕緣層22的通孔222內(nèi)，其中所述柱狀凸塊及通孔222可以合稱為第一電性導(dǎo)通孔223 (如圖2B所示)。所述鈍化層24則貼合在所述絕緣層22的上表面及所述芯片21的有源表面上。在另一實施方式中，所述鈍化層24也可以是用液態(tài)絕緣材料(如光刻膠)涂布的方式形成在所述絕緣層22的上表面及所述芯片21的有源表面上。請參照圖2B及2C所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是對所述鈍化層24進行激光或機械鉆孔，并進行增層形成一重分布線路26及一阻焊層27，接著再形成數(shù)顆凸塊28。在本步驟中，所述鈍化層24在激光或機械鉆孔后形成數(shù)個窗口 241，所述窗口 241裸露所述第一電性導(dǎo)通孔223的頂端及所述芯片21的接墊211。所述重分布線路26可以是利用光刻膠曝光顯影蝕刻出窗口，再進行電鍍后移除光刻膠而加工形成的。所述重分布線路26具有數(shù)個數(shù)個第一重分布焊墊261，所述第一重分布焊墊261通過所述重分布線路26間接的電性連接所述芯片21的接墊211。所述第一重分布焊墊261的目的是用以重新安排所述芯片21的接墊位置以及擴大其接墊間距。所述阻焊層27可以是光刻膠或油墨，其具有數(shù)個開口 271，以裸露所述第一重分布焊墊261。所述凸塊28則可以是錫凸塊、金凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊，所述凸塊28結(jié)合在所述第一重分布焊墊261上，以做為信號、電源或接地的輸入/輸出端。所述鈍化層24、重分布線路26及阻焊層27可以合稱為一第一重布線層(RDL) 29。在完成上述步驟后，基本上即可完成一晶圓級的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200。如圖2C所示，所述晶圓級的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200包含一芯片21、一絕緣層22、一第一重布線層29、數(shù)顆凸塊28、一絕緣基礎(chǔ)層23、一第二重布線層237。所述芯片21具有一朝上的有源表面及一朝下的背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個接墊211。所述絕緣層22位于所述芯片21的周邊，并具有一朝上的第一表面及一朝下的第二表面，且所述絕緣層22內(nèi)具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔223。所述第一重布線層29形成在所述芯片21的有源表面及所述絕緣層22的第一表面上，且具有數(shù)個第一重分布焊墊261通過所述重分布線路26連接所述芯片21的接墊211。所述第一重分布焊墊261上另結(jié)合有所述凸塊28。所述絕緣基礎(chǔ)層23結(jié)合在所述芯片21的背面及所述絕緣層22的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層23內(nèi)具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔231及數(shù)個第二電性導(dǎo)通孔232，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，所述第二電性導(dǎo)通孔232對應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔223。所述第二重布線層237形成在所述絕緣基礎(chǔ)層23的一朝下的外表面上，且具有一散熱墊233及數(shù)個第二重分布焊墊234，所述散熱墊233連接所述散熱導(dǎo)通孔231，所述第二重分布焊墊234連接所述第二電性導(dǎo)通孔232。請參照圖2D所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是將所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200倒置，并由所述第二重分布焊墊234來堆疊結(jié)合另一附加封裝構(gòu)造300，以構(gòu)成一系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。在本步驟中，所述附加封裝構(gòu)造300例如選自另一晶圓級封裝體(wafer level package,WLP)、打線芯片封裝體或倒裝芯片封裝體,但并不限于此。所述附加封裝構(gòu)造300本身具有數(shù)顆凸塊301，可供焊接結(jié)合于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234。在實際使用時，所述凸塊301、第二重分布焊墊234、第二電性導(dǎo)通孔232、第一電性導(dǎo)通孔223、重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28共 同構(gòu)成一電性導(dǎo)通路徑，可對所述附加封裝構(gòu)造300進行傳輸電源、信號或做為接地用途。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的芯片21也通過所述接墊211以及不同的重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28進行傳輸電源、信號或做為接地用途。再者，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，且所述散熱導(dǎo)通孔231的底端連接所述散熱墊233，故可直接將所述芯片21產(chǎn)生的熱能快速的送到所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的外表面(圖2D的上表面)進行散熱。請參照圖3A、3B、3C及3D所示，本實用新型第二實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及制造方法相似于本實用新型第一實施例，并大致沿用相同元件名稱及圖號，但第二實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法的差異特征在于所述第二實施例在圖3A的步驟中分別預(yù)制及準(zhǔn)備一芯片21、一絕緣層22、一絕緣基礎(chǔ)層23及一鈍化層24，并接著進行堆疊組裝，但所述絕緣基礎(chǔ)層23并未形成圖2A的焊墊235及柱狀凸塊236，同時所述絕緣層22并未形成圖2A的通孔222。再者，所述第二實施例在圖3B的步驟中，是在所述芯片21、絕緣層22、絕緣基礎(chǔ)層23及鈍化層24完成堆疊組裝之后才對堆疊結(jié)構(gòu)一并進行機械鉆孔的，以形成一貫穿孔201。隨后，所述第二實施例在圖3C的步驟中，才對所述貫穿孔201進行電鍍，以分別在所述絕緣層22及絕緣基礎(chǔ)層23中形成所述第一電性導(dǎo)通孔223及第二電性導(dǎo)通孔232。圖3A至3C未揭示的其他加工制造流程細(xì)節(jié)部份則基本相同于圖2A至2C，故于此不再另予詳細(xì)說明。在圖3C制得一晶圓級的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200后，最后，所述第二實施例在圖3D的步驟中，可以將所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200倒置，并由所述第二重分布焊墊234來堆疊結(jié)合至少一附加芯片400、500，例如倒裝芯片(flip chip)，以構(gòu)成一系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。在本步驟中，所述附加芯片400、500例如選自倒裝芯片(flip chip)，但并不限于此。所述附加芯片400、500本身具有數(shù)顆凸塊401、501，可供焊接結(jié)合于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234。在實際使用時，所述凸塊401或501、第二重分布焊墊234、第二電性導(dǎo)通孔232、第一電性導(dǎo)通孔223、重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28共同構(gòu)成一電性導(dǎo)通路徑，可對所述附加芯片400、500進行傳輸電源、信號或做為接地用途。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的芯片21也通過所述接墊211以及不同的重分布線路26、第一重分布焊墊261及凸塊28進行傳輸電源、信號或做為接地用途。再者，所述散熱導(dǎo)通孔231的頂端接觸所述芯片21的背面，且所述散熱導(dǎo)通孔231的底端連接所述散熱墊233，故可直接將所述芯片21產(chǎn)生的熱能快速的送到所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的外表面(圖3D的上表面)進行散熱。另一方面，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234也可以另外用來堆疊結(jié)合至少一附加無源元件(passive element)或至少一附加有源元件(active element)。所述附加無源元件例如為電阻元件、電感元件或電容元件等。所述附加有源元件例如為晶體管(transistor)、二極管(diode)或振蕩器(oscillator)等。必要時,所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的第二重分布焊墊234也可以另外用來選擇同時堆疊結(jié)合所述附加封裝構(gòu)造300、附加芯片400、500、附加無源元件及附加有源元件中的至少兩種，以構(gòu)成更復(fù)雜的系統(tǒng)封裝(SIP)的架構(gòu)。如上所述，相較于現(xiàn)有晶圓級封裝構(gòu)造技術(shù)所存在的散熱效率不佳及無法進行堆疊應(yīng)用的技術(shù)問題，圖2C、2D、3C及3D的本實用新型的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造通過在制作絕緣基礎(chǔ)層的期間，在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對應(yīng)芯片的區(qū)域進一步制作散熱導(dǎo)通孔，以及在絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)部對應(yīng)絕緣層的區(qū)域進一步制作電性導(dǎo)通孔，同時使電性導(dǎo)通孔電性連接到絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層，如此不但能利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來大幅提高對芯片的散熱效率及其工作可靠度，而且也能利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 ー芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個接墊； 一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔； 一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊； ー絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個第二電性導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面， 所述第二電性導(dǎo)通孔對應(yīng)連接所述第一電性導(dǎo)通孔；及 一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，且具有一散熱墊及數(shù)個第二重分布焊墊，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔，所述第二重分布焊墊連接所述第二電性導(dǎo)通孔。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一電性導(dǎo)通孔是預(yù)先形成在所述絕緣基礎(chǔ)層上的數(shù)根柱狀凸塊。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面是通過一黏著層結(jié)合所述絕緣基礎(chǔ)層。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述絕緣層是包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維的ー壓合片。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述絕緣基礎(chǔ)層是包含環(huán)氧樹脂及玻璃纖維的ー壓合片。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一重分布焊墊上另結(jié)合有數(shù)顆凸塊。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有ー附加封裝構(gòu)造。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少ー附加芯片。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二重分布焊墊上結(jié)合有至少ー附加無源元件或至少ー附加有源元件。
10.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 ー芯片，具有一有源表面及一背面，所述有源表面設(shè)有數(shù)個接墊； 一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有一第一表面及一第二表面，且所述絕緣層內(nèi)具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔； 一第一重布線層，形成在所述芯片的有源表面及所述絕緣層的第一表面上，且具有數(shù)個第一重分布焊墊連接所述芯片的接墊； ー絕緣基礎(chǔ)層，結(jié)合在所述芯片的背面及所述絕緣層的第二表面上，且所述絕緣基礎(chǔ)層內(nèi)具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔，所述散熱導(dǎo)通孔接觸所述芯片的背面；及 一散熱墊，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層的一外表面上，所述散熱墊連接所述散熱導(dǎo)通孔。
專利摘要本實用新型公開一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一芯片；一絕緣層，位于所述芯片的周邊，并具有數(shù)個第一電性導(dǎo)通孔；一第一重布線層，具有數(shù)個第一重分布焊墊連接所述芯片的數(shù)個接墊；一絕緣基礎(chǔ)層，具有數(shù)個散熱導(dǎo)通孔及數(shù)個第二電性導(dǎo)通孔；及一第二重布線層，形成在所述絕緣基礎(chǔ)層外，且具有一散熱墊及數(shù)個第二重分布焊墊。本實用新型利用散熱導(dǎo)通孔直接的接觸芯片背面來提高對芯片的散熱效率，而且也可利用絕緣基礎(chǔ)層外側(cè)的第二重布線層來堆疊結(jié)合其他封裝構(gòu)造，以增加晶圓級封裝構(gòu)造的堆疊應(yīng)用性。
文檔編號H01L23/488GK202384323SQ201120522328
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月14日
發(fā)明者李志成 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司