專(zhuān)利名稱(chēng)：垂直腔表面發(fā)射激光器、裝置、光學(xué)掃描設(shè)備和成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及表面發(fā)射激光器，更具體地，涉及垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)、 VCSEL陣列裝置、結(jié)合有該VCSEL陣列裝置的光學(xué)掃描 設(shè)備和結(jié)合有該光學(xué)掃描設(shè)備的成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)是在垂直于激光器形成在其上的襯底 的方向發(fā)光的半導(dǎo)體激光器。VCSEL比邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器成本更低且 性能更好。由于該原因，VCSEL越來(lái)越多地用作用于光通信、光學(xué)互連、 光學(xué)拾取器和成像設(shè)備例如激光打印機(jī)的光源。例如，正EE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 1999， Vol. 11,No.12， pp.l539-1541("非專(zhuān)利文獻(xiàn)") 公開(kāi)一種采用AlGaAs材料的VCSEL，其中激光器具有3mW或以上的單模 輸出。用于上述應(yīng)用的VCSEL要求具有這樣的特征，如高有源層增益、低閾 值電流、高輸出、高可靠性和受控偏振方向。典型地，VCSEL是通過(guò)在GaAs襯底上形成半導(dǎo)體薄膜層而形成。具 體地，VCSEL包括形成在GaAs量子阱有源層的任一側(cè)上的AlGaAs覆層和 由AlGaAs和AlAs薄膜的交替半導(dǎo)體層制成的反射鏡(分布布拉格(Bragg) 反射器(DBR))。電流限制層形成在光發(fā)射側(cè)面上的覆層和反射鏡之間用于 提高性能。但是，在具有上面的結(jié)構(gòu)的VCSEL中，與邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器相比， 偏振控制是困難的。在許多情形中，偏振控制取決于制造過(guò)程中的不可預(yù) 知的變化。偏振甚至在相同的襯底上也會(huì)不同，從而使得其難以穩(wěn)定地獲 得具有恒定偏振方向的VCSEL。因?yàn)閂CSEL具有比邊緣發(fā)射激光器更短 的腔長(zhǎng)度和更大的開(kāi)口用于光發(fā)射，所以難以獲得偏振穩(wěn)定性。當(dāng)VCSEL用作光源用于通過(guò)成像設(shè)備例如激光打印機(jī)形成圖像時(shí)，在偏振方向的變化導(dǎo)致在用于光學(xué)掃描的多角鏡上不同的反射率。結(jié)果，光利用效率降低或者不能穩(wěn)定地寫(xiě)入圖像。已經(jīng)進(jìn)行各種手段以穩(wěn)定VCSEL 中的偏振方向，如下面所討論的。IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 1998， Vol.10, No. 12， pp.l676-1678("非專(zhuān)利文獻(xiàn)2")公開(kāi)一種用于控制VCSEL中的偏振方向的方 法，由此利用例如襯底的各向異性。具體地，該方法包括通過(guò)利用傾斜(311 )B 襯底控制偏振方向到(-233)方向。曰本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)第2008-28424號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)l")公開(kāi)一種通過(guò) 提供各向異性給VCSEL中的臺(tái)面(mesa)結(jié)構(gòu)控制偏振的方法。日本專(zhuān)利第 3791193號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)2")公開(kāi)一種利用其中金屬絲引線(xiàn)被抽出的方向的偏 振控制方法。日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)第2008-16824號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)3")公開(kāi) 一種偏振控制方法，其通過(guò)在VCSEL內(nèi)部局部地提供氧化區(qū)域使得應(yīng)力施 加到有源層。日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)第11-340570號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)4")和11-354888 號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)5")公開(kāi)一種多束半導(dǎo)體激光器，其中為了滿(mǎn)足對(duì)成像設(shè)備例 如激光打印機(jī)中的更高速度的要求，在單個(gè)芯片上設(shè)置多個(gè)光源。曰本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)第2002-217492號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)6")公開(kāi)一種用 于在襯底上形成有源層的方法，其中在有源層和襯底之間設(shè)置松弛層，該 松弛層具有在有源層和襯底之間的中等晶格常數(shù)，以使得可以形成高質(zhì)量 的有源層。曰本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)說(shuō)明書(shū)第2003-347582號(hào)("專(zhuān)利文獻(xiàn)7")公開(kāi)一種使 用AlInP/GalnP在襯底上形成DBR以使得晶格常數(shù)逐漸改變以便形成高質(zhì) 量的有源層的方法。在根據(jù)非專(zhuān)利文獻(xiàn)2的方法中，襯底傾斜25。。隨著襯底傾斜增大，當(dāng) 形成氧化限制層時(shí)，各向同性的氧化變得越來(lái)越困難，從而導(dǎo)致增大制造 難度。再者，這樣的襯底是專(zhuān)門(mén)的襯底，非常昂貴，從而使得難以以低的 成本制造VCSEL。在專(zhuān)利文獻(xiàn)l的方法中，臺(tái)面結(jié)構(gòu)的各向異性反映在電流限制區(qū)域中。 在這種情形下，電流注入均一性會(huì)失去，或者不能從制造的激光器獲得期 望的光斑形狀。此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的方法中，臺(tái)面結(jié)構(gòu)各向異性還影響 在VCSEL中形成電流限制區(qū)域的過(guò)程，使得均勻的電流注入是困難的。在根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)2的方法中，當(dāng)VCSEL高密度地集成在單一芯片內(nèi)時(shí)， 單個(gè)元件的間隔變得更窄，從而使得難以自由地形成金屬絲。如果單個(gè)元 件之間的間隔由于布線(xiàn)的原因而增大，單個(gè)芯片的區(qū)域增大，從而導(dǎo)致制 造成本增大。在根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)3的方法中，VCSEL的結(jié)構(gòu)要求額外的制造步驟，使 得制造過(guò)程變得更加復(fù)雜并需要更長(zhǎng)的制造時(shí)間，從而導(dǎo)致制造成本增大。 再者，電流限制層是由通過(guò)氧化AlAs獲得的AlOx制成，其在限制層周?chē)?產(chǎn)生應(yīng)變。結(jié)果，在通電時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)位，從而導(dǎo)致可靠性可能降低。這樣， 并不優(yōu)選提供多個(gè)這樣的電流限制層。根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)4和5的多束半導(dǎo)體激光器是邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器， 其中當(dāng)元件一維地排列時(shí)，存在單個(gè)部件之間熱干涉的問(wèn)題，并且難以在 該結(jié)構(gòu)上獲得數(shù)pm或更小的窄的節(jié)距。在專(zhuān)利文獻(xiàn)6公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中，有源層具有與襯底非常不同的晶格常數(shù)。 盡管在襯底和有源層之間提供有中等晶格常數(shù)的松弛層，但是在有源層附 近具有大應(yīng)變的層的存在拉緊有源層，從而使得難以獲得高的質(zhì)量。在根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)7的結(jié)構(gòu)中，襯底和有源層之間的DBR的晶格常數(shù)逐 漸變化以為了允許形成具有與襯底非常不同的晶格常數(shù)的有源層。這樣， 在有源層附近的DBR之間的晶格常數(shù)與有源層的晶格常數(shù)的差異小于專(zhuān)利 文獻(xiàn)6中的。但是，由于典型地在數(shù)iim數(shù)量級(jí)的DBR厚度，施加到有源 層的應(yīng)力是大的。這樣，難以獲得高質(zhì)量的有源層，如在專(zhuān)利文獻(xiàn)6的情 形中。這樣，傳統(tǒng)的激光源不能足以應(yīng)付在成像設(shè)備例如激光打印機(jī)中的提 高的速度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)，其在一方面是VCSEL,其包括半導(dǎo)體村底；下反射鏡，該下反射鏡通過(guò)在半導(dǎo)體襯底表面上形成具有不同折射率的半導(dǎo)體薄膜層而形成在半導(dǎo)體襯底表面上；臺(tái)面結(jié)構(gòu)，該臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括在下反射鏡上由半導(dǎo)體材料形成的有源層、形成在部分氧化的有源層上從而形成電流限制結(jié)構(gòu)的選擇性的氧化層以及上通過(guò)交替地形 成具有不同折射率的半導(dǎo)體薄膜而在選擇性的氧化層上形成的反射鏡；下電極，該下電極連接到半導(dǎo)體襯底；和上電極，該上電極連接到上反射鏡。 當(dāng)電流在上電極和下電極之間流動(dòng)時(shí)，VCSEL發(fā)射垂直于半導(dǎo)體襯底 平面的激光。根據(jù)這方面的VCSEL的特征在于，半導(dǎo)體襯底相對(duì)于特定平 面傾斜，并且所述有源層包括具有相對(duì)于襯底的壓縮應(yīng)變的量子阱層和間 隔層。間隔層具有相對(duì)于半導(dǎo)體襯底的特定的應(yīng)變。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，VCSEL陣列裝置的特征在于，在半導(dǎo)體襯底 上安置有多個(gè)上述VCSEL。根據(jù)本發(fā)明的另 一方方面，用于通過(guò)光束掃描被掃描表面的光學(xué)掃描 設(shè)備包括光源單元；偏轉(zhuǎn)單元，其配置成偏轉(zhuǎn)通過(guò)光源單元發(fā)出的光束； 和掃描光學(xué)系統(tǒng)，該掃描光學(xué)系統(tǒng)被配置成將通過(guò)偏轉(zhuǎn)單元偏轉(zhuǎn)的光束聚 焦在掃描表面上。光學(xué)掃描設(shè)備的特征在于，光源單元包括上述VCSEL陣 列裝置。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，用于在介質(zhì)上形成圖像的成像設(shè)備包括用 于承載待形成在介質(zhì)上的圖像的圖像載體；和用于根據(jù)有關(guān)待形成在介質(zhì) 上的圖像的圖像信息用光掃描圖像載體的光學(xué)掃描設(shè)備。成像設(shè)備的特征 在于，光學(xué)掃描設(shè)備包括上述光學(xué)掃描設(shè)備。


結(jié)合附圖描述本發(fā)明的這些以及其它目的、優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖1A是沒(méi)有傾斜的n-GaAs襯底的平面視圖；圖1B是沿著圖1A的虛線(xiàn)Al-A2剖開(kāi)的n-GaAs襯底的截面；圖1C是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的傾斜的n-GaAs襯底的截面；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的VCSEL的截面；圖3示出偏振角相對(duì)于間隔層中關(guān)于半導(dǎo)體襯底的應(yīng)變的圖形；圖4是#4居本發(fā)明的第二實(shí)施例的VCSEL的有源層的截面；圖5是根據(jù)第二實(shí)施例的VCSEL的有源層的另一例子的截面；圖6示出圖5所示的有源層的帶結(jié)構(gòu)；圖7示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的VCSEL陣列裝置； 圖8示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)掃描設(shè)備； 圖9示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的成像設(shè)備； 圖10示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的彩色激光打印機(jī)；圖11示出根據(jù)例子1的VCSEL中的有源層的帶結(jié)構(gòu)； 圖12示出根據(jù)例子4的VCSEL中的有源層的帶結(jié)構(gòu)； 圖13示出根據(jù)本發(fā)明的不同例子的VCSEL的平面視圖； 圖14示出根據(jù)例子2的VCSEL的有源層的帶結(jié)構(gòu)；以及 圖15示出根據(jù)例子3的VCSEL的有源層的帶結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
在此及后，參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中在整個(gè)的若干視圖中 相同的標(biāo)號(hào)表示相同的或者相應(yīng)的部分。 (第一實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例的垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)包括電流 限制結(jié)構(gòu)。圖1A示出沒(méi)有傾斜的n-GaAs村底IO的平面視圖。圖IB示出 沿著圖1A的虛線(xiàn)Al-A2剖開(kāi)的截面。如圖1A和IB所示，n-GaAs襯底10 的表面是沒(méi)有傾斜的主表面(IOO)。圖1C示出相對(duì)于(100)平面向著(011)方向傾斜15°的a角的n-GaAs半 導(dǎo)體襯底11。傾斜角度通?？梢詾?°-20°。通過(guò)這樣利用傾斜的襯底，在 傾斜方向和垂直于傾斜方向的方向之間的有源層中產(chǎn)生增益差異，從而使得更易于控制偏振方向到某一方向。參照?qǐng)D2，描述根據(jù)第一實(shí)施例的VCSEL的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實(shí)施例的 VCSEL包括傾斜的n-GaAs半導(dǎo)體襯底11。在傾斜的n-GaAs半導(dǎo)體襯底 11上，通過(guò)交替地形成具有高和低折射率的半導(dǎo)體薄膜層而形成下反射鏡 12。在下反射鏡12頂上，形成有下間隔層13，在下間隔層13上進(jìn)一步形 成多量子阱層14。在多量子阱層14上，形成上間隔層15。在上間隔層l5 上，形成可選擇的氧化層16，在氧化層16上進(jìn)一步形成上反射鏡17。上 反射鏡17通過(guò)交替形成具有高和低折射率的半導(dǎo)體薄膜層而形成。接觸層 18進(jìn)一步形成在上反射鏡17上。根據(jù)本實(shí)施例，下間隔層13、多量子阱層14和上間隔層15組成有源 層31。多量子阱層14相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有壓縮應(yīng)變。在如此形成各個(gè)層后，臺(tái)面結(jié)構(gòu)形成為下間隔層13、多量子阱層14、 上間隔層15、可選擇氧化層16、上反射鏡17和接觸層18的堆疊。其后， 可選擇氧化層16選擇性地氧化以形成周邊的氧化區(qū)域(氧化區(qū)域)32和中心的非氧化區(qū)域(電流限制區(qū)域)33。特別地，在氧化區(qū)域32中，形成AlxOy 的絕緣體，從而形成電流限制結(jié)構(gòu)，以使得當(dāng)電流流動(dòng)通過(guò)元件時(shí)電流以 集中的方式流動(dòng)通過(guò)限制區(qū)域33。其后，形成防護(hù)薄膜19以覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)，然后是形成連接到接觸層18 的上電極20和在半導(dǎo)體襯底11的背面上的下電極21。在該VCSEL中，當(dāng)電流在上電極20和下電極21之間流動(dòng)時(shí)，電流被 注入到有源層31中，由此形成反向(inverted)分布的狀態(tài)，從而發(fā)光。在有 源層31中產(chǎn)生的光在下反射鏡12和上反射鏡17之間被放大，然后垂直于 半導(dǎo)體襯底11發(fā)出。這樣發(fā)出的激光的偏振方向由于例如制造過(guò)程中的上述變化而容易改 變。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以通過(guò)利用具有傾斜主表面的半導(dǎo)體襯底11，提供相對(duì) 于半導(dǎo)體襯底ll具有壓縮應(yīng)變的多量子阱層14,以及在下間隔層13和上 間隔層15的每一個(gè)中提供一定應(yīng)變，來(lái)穩(wěn)定偏振方向。具體地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)上間隔層13和下間隔層15是由AlGalnPAs 材料形成時(shí)，該AlGalnPAs材料至少包括In和P，也就是InP， Al、 Ga和 As的一種或多種加入到其中，通過(guò)在上間隔層13和下間隔層15中提供相 對(duì)于半導(dǎo)體襯底11壓縮的應(yīng)變，偏振角度變成90。，其中圖3中的間隔層 的應(yīng)變值為正。這樣，可以獲得恒定的偏振方向，而不管壓縮應(yīng)變量如何。"應(yīng)變，，在此意在指各個(gè)薄膜材料的晶格常數(shù)與半導(dǎo)體襯底的晶格常數(shù) 的比率。具有比半導(dǎo)體襯底的晶格常數(shù)更大的晶格常數(shù)的薄膜具有壓縮應(yīng) 變，以使得圖3中的間隔層的應(yīng)變值為正。具有比半導(dǎo)體襯底的晶格常數(shù) 更小的晶格常數(shù)的薄膜具有拉伸應(yīng)變，其中圖3中間隔層的應(yīng)變值為負(fù)。 根據(jù)本實(shí)施例，多量子阱層14具有+0.7%的壓縮應(yīng)變。盡管本實(shí)施例中半導(dǎo)體襯底11關(guān)于(IOO)平面傾斜，但是通過(guò)關(guān)于(OIO) 或者(001)平面傾斜的半導(dǎo)體襯底也可以獲得相同的效果。在另一實(shí)施例中， 可以采用單量子阱層，而非多量子阱層14。才艮據(jù)本實(shí)施例，當(dāng)下間隔層13和上間隔層15每個(gè)都具有壓縮應(yīng)變時(shí)， 如圖3所示，偏振角是90。。但是，例如，當(dāng)多量子阱層14中的壓縮應(yīng)變 是大的時(shí)，偏振角可以是180。。這可假定是由于以下事實(shí)的原因隨著壓 縮應(yīng)變?cè)龃?，半?dǎo)體襯底11的晶格常數(shù)和多量子阱層14的晶格常數(shù)之間 的差異變大，從而導(dǎo)致晶格匹配的不同狀態(tài)。在這種情形中，同樣地，也可以獲得穩(wěn)定的偏振角，盡管是180。，只要多量子阱層14相對(duì)于半導(dǎo)體襯 底ll具有壓縮應(yīng)變，并且下間隔層13和上間隔層15是由Al、 Ga和As的 一種或多種加入到其中的InP制成，并且每一個(gè)相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有壓縮應(yīng)變。根據(jù)本實(shí)施例，盡管半導(dǎo)體襯底的傾斜角是15。，偏振方向不僅基于襯 底的傾斜角而且基于間隔層和多量子阱層中的應(yīng)變量的組合而受控。這樣， 處理難度與例如非專(zhuān)利文獻(xiàn)2中的傾斜角較高的情形相比可以得以降低。 而且，因?yàn)?5。傾斜的襯底廣泛用作用于DVD的激光二極管的襯底，該襯 底相對(duì)1更宜。當(dāng)使用具有小于15。的傾斜角的襯底時(shí)，通過(guò)將間隔層和多量子阱層中 的應(yīng)變值設(shè)置得更高，可以獲得等同效果。反過(guò)來(lái)，如果通過(guò)改進(jìn)VCSEL 制造過(guò)程有可能制造超過(guò)15。的傾斜，通過(guò)利用具有更高傾斜角的襯底可以 獲得極高的偏振穩(wěn)定性。根據(jù)本實(shí)施例的偏振控制方法，包括襯底傾斜角和間隔層/量子阱應(yīng)變 的組合，可以與根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1的基于臺(tái)面結(jié)構(gòu)的各向異性的偏振控制方 法組合使用。這樣，可以獲得本實(shí)施例的效果，同時(shí)減少單個(gè)方法的缺點(diǎn)。盡管在專(zhuān)利文獻(xiàn)6中在襯底和量子阱之間設(shè)置有應(yīng)變松馳層，但是由 于襯底和量子阱之間的晶格常數(shù)的大的差異難以獲得高質(zhì)量的有源層。根 據(jù)本實(shí)施例，襯底和間隔層之間的晶格常數(shù)的差異小，以使得可以形成高 質(zhì)量的有源層，而并不施加大的應(yīng)變到有源層。在專(zhuān)利文獻(xiàn)7的情形中，襯底和有源層之間的DBR的晶格常數(shù)逐漸變 化。這樣，盡管有源層和與有源層相鄰的層之間的晶格常數(shù)的差異是輕微 的，但是由于應(yīng)變層的厚度在幾個(gè)^m數(shù)量級(jí)，大的應(yīng)力施加到有源層，從 而使得難以獲得高質(zhì)量的有源層。但是，根據(jù)本實(shí)施例，襯底和間隔層之 間的晶格常數(shù)的差異小，間隔層的薄膜厚度在幾百nm數(shù)量級(jí)。這樣，可以 形成高質(zhì)量的有源層，而并不使有源層受制于大應(yīng)變。根據(jù)本實(shí)施例的VCSEL允許形成二維陣列，其中元件間隔可以根據(jù)期 望地進(jìn)行設(shè)置。這樣，與邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器相比，可以集成在單一芯 片上的光發(fā)射元件的數(shù)量可以增大。(第二實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，VCSEL包括偏振控制層。參照?qǐng)D2和4描 述該VCSEL 。根據(jù)本實(shí)施例的VCSEL具有如圖2所示的結(jié)構(gòu)，其中有源層31具有 如圖4所示的結(jié)構(gòu)。具體地，VCSEL包括具有傾斜主表面的半導(dǎo)體襯底 11;相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有壓縮應(yīng)變的多量子阱層14;下間隔層13和 上間隔層15，在其中每一個(gè)中設(shè)置有偏振控制層41。根據(jù)第二實(shí)施例，滿(mǎn) 足以下表達(dá)式(eaxta+ebxtb)/(ta+tb)〉0 (1) 其中，ea是下間隔層13和上間隔層15中的晶格應(yīng)變；ta是下間隔層 13和上間隔層15的總薄膜厚度；eb是每個(gè)偏振控制層41中的晶格應(yīng)變； tb是各個(gè)偏振控制層41的總薄膜厚度。表達(dá)式(l)的左側(cè)部分，也就是， (eaxta+ebxtb)/(ta+tb)在此及后可以簡(jiǎn)單稱(chēng)作E。當(dāng)滿(mǎn)足表達(dá)式(l)時(shí)，偏振角穩(wěn)定在相對(duì)于半導(dǎo)體襯底的(0-ll)表面大約 90。，如圖3中的情形，以使得VCSEL具有恒定偏振角。盡管圖4示出偏 振控制層41設(shè)置在下間隔層13和上間隔層15的每個(gè)中，但是偏振控制層 41也可形成在下間隔層13或者上間隔層15中，如圖5所示，只要滿(mǎn)足表 達(dá)式(l)。盡管下間隔層13和上間隔層15是由GalnPAs制成，但是偏振控制層 41是由AlGalnP材料制成，該材料至少包括In和P，也就是InP, Al、 Ga 和As的一種或多種加入到其中。以這種方法，可以在偏振控制層41中獲 得更高的帶隙。這樣，當(dāng)下間隔層13和上間隔層15是由具有低帶隙的材 料制成時(shí)，可以獲得提高的電子限制效率。圖6示出圖5所示的有源層31的帶結(jié)構(gòu)。多量子阱層14是由具有+0.7% 應(yīng)變的Gao.7lno.3Po.5Aso.5和具有0%的應(yīng)變的Gao.516Ino.484P阻擋層形成。下間 隔層13和上間隔層15是由具有0。/。應(yīng)變的(Alo.,Gao.9)o.5wIno.484P形成。偏振 控制層41是由具有+0.04。/。應(yīng)變的(Alo.5Gao.5)o.5^n,P形成。在這種情形下， 表達(dá)式(1)的左側(cè)部分的值為+0.03%。因?yàn)槠窨刂茖?1是由具有寬的帶隙 的(Al。.5Ga。.5)o.Mlno.49P形成，可以獲得改善的光和電子限制效率。(第三實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，VCSEL陣列裝置包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的VCSEL陣列。參照?qǐng)D7， VCSEL陣列裝置50包括沿著第一基線(xiàn)和第二基線(xiàn)的二維排 列的VCSEL 50。沿著每一第二基線(xiàn)，VCSEL 50垂直于第一基線(xiàn)以間隔d 排列。當(dāng)VCSEL 50的位置投影在第一基線(xiàn)上時(shí)，VCSEL 50以間隔h排列。當(dāng)根據(jù)第三實(shí)施例的VCSEL陣列裝置用于成像設(shè)備例如激光打印機(jī) 時(shí)，光垂直于第一基線(xiàn)發(fā)出，以使得可以形成非常優(yōu)良的圖像。(第四實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例，光學(xué)掃描設(shè)備100包括根據(jù)第三實(shí)施例的 作為光源的VCSEL陣列裝置。參照?qǐng)D8描述光學(xué)掃描設(shè)備100。光學(xué)掃描設(shè)備100包括光源單元121、準(zhǔn)直透鏡122、多角鏡125和fB 透4竟126。在圖8中，圖紙的水平方向?qū)?yīng)主掃描方向，垂直方向?qū)?yīng)副掃 描方向。光源單元121包括根據(jù)第三實(shí)施例的VCSEL陣列。準(zhǔn)直透鏡122配置 的以使得從光源單元121發(fā)出的光束成為大致平行的光。來(lái)自準(zhǔn)直透鏡122 的光束通過(guò)旋轉(zhuǎn)多角鏡125反射，然后由份透鏡126作為光斑匯集在感光 鼓101的表面上。多角鏡125通過(guò)電機(jī)(未示出)以恒定速度旋轉(zhuǎn)。這樣，光 束以恒定角速度偏轉(zhuǎn)，感光鼓101的表面上的光斑在主掃描方向以恒定速 度移動(dòng)。根據(jù)本實(shí)施例，光源單元121中的VCSEL陣列裝置中單個(gè)VCSEL的 偏振角對(duì)齊，以使得多角鏡125具有均一反射率地反射。這樣，結(jié)合本實(shí) 施例的光學(xué)掃描設(shè)備的成像設(shè)備能夠形成優(yōu)良的圖像。(第五實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，作為成像設(shè)備的激光打印機(jī)包括根據(jù)第四 實(shí)施例的光學(xué)掃描設(shè)備。參照?qǐng)D9，描述根據(jù)第五實(shí)施例的激光打印機(jī)。激光打印機(jī)包括光學(xué)掃 描設(shè)備100、感光鼓101、充電裝置102、顯影單元103、色粉盒104、清潔 單元105、轉(zhuǎn)印單元111和中和單元114。在感光鼓101的表面上，形成感光層。感光鼓101在順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)， 如圖9所示。充電單元102配置成對(duì)感光鼓101的表面均勻充電。光學(xué)掃描設(shè)備100通過(guò)光照射已經(jīng)通過(guò)充電單元102充電的感光鼓101 的表面。光照在感光鼓101的表面上產(chǎn)生潛象，其對(duì)應(yīng)期望的圖像信息。 然后形成潛象的感光鼓表面區(qū)域隨著感光鼓101旋轉(zhuǎn)向著顯影單元103移 動(dòng)。色粉盒104包含提供給顯影單元103的色粉。顯影單元103使得色粉 附著到感光鼓101表面上的潛象，從而顯影潛象。其后，感光鼓101進(jìn)一 步旋轉(zhuǎn)并且將在感光鼓101的表面上顯影的潛象傳遞到轉(zhuǎn)印單元111。轉(zhuǎn)印單元111被供給與感光鼓101的表面上的色粉的極性相反的極性 的電荷，以使得感光鼓101的表面上的色粉可以向著記錄片材113電吸引。 也就是，電荷使得感光鼓101表面上的色粉轉(zhuǎn)印到記錄片材113上，從而 將顯影圖像轉(zhuǎn)印到記錄片材113上。中和單元114配置的以在圖像形成之后中和感光鼓101表面。在圖像 形成后，清潔單元105移除感光鼓101表面上剩余的色粉(殘余色粉)。移除 的殘余色粉可以循環(huán)使用。殘余色粉已經(jīng)從其上移除的感光鼓101的表面 再次向著充電單元102移動(dòng)。(第六實(shí)施例) (彩色成像設(shè)備)根據(jù)第六實(shí)施例，本發(fā)明提供彩色激光打印機(jī)作為用于形成彩色圖像 的成像設(shè)備。參照?qǐng)DIO描述彩色激光打印機(jī)。根據(jù)本實(shí)施例的彩色激光打印機(jī)是具有多個(gè)用于打印彩色圖像的感光 鼓的串列式彩色設(shè)備。具體地，彩色激光打印機(jī)包括用于黑色(K)的感光 鼓K1、充電器K2、顯影器K4、清潔單元K5和轉(zhuǎn)印充電單元K6;用于青 色(C)的感光鼓C1、充電器C2、顯影器C4、清潔單元C5和轉(zhuǎn)印充電單元 C6;用于品紅色(M)的感光鼓M1、充電器M2、顯影器M4、清潔單元M5 和轉(zhuǎn)印充電單元M6;和用于黃色(Y)的感光鼓Y1、充電器Y2、顯影器Y4、 清潔單元Y5和轉(zhuǎn)印充電單元Y6。彩色激光打印機(jī)還包括根據(jù)第五實(shí)施例 的光學(xué)掃描設(shè)備100、轉(zhuǎn)印帶201和定影單元202。彩色激光打印機(jī)中的光學(xué)掃描設(shè)備100包括用于黑色、青色、品紅色 和黃色的半導(dǎo)體激光器。這些半導(dǎo)體激光器的每一個(gè)包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例的VCSEL。用于黑色的感光鼓Kl通過(guò)來(lái)自用于黑色的半導(dǎo)體激光器的光束進(jìn)行 照射。用于青色的感光鼓Cl通過(guò)來(lái)自用于青色的半導(dǎo)體激光器的光束進(jìn)行照射。類(lèi)似地，感光鼓M1通過(guò)來(lái)自用于品紅色的半導(dǎo)體激光器的光束進(jìn)行感光鼓Kl, Cl， Ml和Yl的每一個(gè)在箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，沿著箭頭 方向排列充電器K2， C2， M2或Y2、顯影器K4， C4， M4或Y4、轉(zhuǎn)印充 電單元K6, C6， M6或Y6、清潔單元K5， C5， M5或Y5。充電器K2, C2， M2或者Y2對(duì)相應(yīng)的感光鼓K1， Cl， M1或者Y1均勻充電。每個(gè)感 光鼓Kl, Cl, Ml和Yl的充電后的表面用光學(xué)掃描設(shè)備100發(fā)出的光束 進(jìn)行照射，由此在每個(gè)感光鼓Kl, Cl， Ml和Yl的表面上形成靜電潛象。其后，色粉圖像通過(guò)各自的顯影器K4， C4， M4或者Y4形成在每個(gè) 感光鼓Kl, Cl， Ml和Yl的表面上。單個(gè)顏色的色粉圖像然后通過(guò)相應(yīng) 的轉(zhuǎn)印充電單元K6， C6， M6和Y6轉(zhuǎn)印到記錄片材上，然后通過(guò)定影單 元202將圖像定影在記錄片材上。保留在感光鼓K1， Cl, Ml或者Yl的 表面上的殘余色粉通過(guò)相應(yīng)的清潔單元K5， C5， M5或者Y5移除。盡管本實(shí)施例采用感光鼓作為圖像載體，但是面化銀薄膜也可用作圖 像載體。在這種情形下，潛象可以通過(guò)光學(xué)掃描形成在卣化銀薄膜上，然 后以傳統(tǒng)的卣化銀攝影術(shù)工藝中熟知的方式顯影。顯影后的潛象然后可以 通過(guò)類(lèi)似于傳統(tǒng)的鹵化銀攝影術(shù)工藝中的印刷工藝的工藝轉(zhuǎn)印到印刷紙 上。根據(jù)第六實(shí)施例的成像設(shè)備可以用作光盤(pán)制造設(shè)備，或者用于產(chǎn)生圖 像例如CT掃描圖像的光學(xué)影象產(chǎn)生設(shè)備。圖像載體還可包括顏色產(chǎn)生介質(zhì)(例如正片印刷紙張)，其通過(guò)應(yīng)用來(lái)自 光束斑的熱能顯影顏色。在這種情形下，可見(jiàn)圖像通過(guò)光學(xué)掃描直接形成 在圖像載體上。(第七實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例，垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)結(jié)構(gòu)包括電 流限制結(jié)構(gòu)。^^據(jù)第七實(shí)施例的VCSEL結(jié)構(gòu)基本與圖2的第一實(shí)施例相同。具體地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)上間隔層13和下間隔層15由AlGalnPAs材 料形成時(shí)，其中AlGalnPAs也就是Al、 Ga和As的一種或多種加入到其中的InP,通過(guò)在上間隔層13和下間隔層15中提供相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11的 拉伸應(yīng)變，偏振角度變成180。，其中圖3中的間隔層的應(yīng)變值為負(fù)。這樣， 可以獲得恒定的偏振方向，而不管拉伸應(yīng)變量如4可。"應(yīng)變，，在此意在指各個(gè)薄膜材料的晶格常數(shù)與半導(dǎo)體襯底的晶格常數(shù) 的比率。具有比半導(dǎo)體襯底的晶格常數(shù)更大的晶格常數(shù)的薄膜具有大的壓 縮應(yīng)變，以使得圖3中的間隔層的應(yīng)變值是正的。具有比半導(dǎo)體襯底的晶 格常數(shù)更小晶格常數(shù)的薄膜具有拉伸應(yīng)變，其中圖3中的間隔層的應(yīng)變值 是負(fù)的。根據(jù)本實(shí)施例，多量子阱層14具有+0.7%的壓縮應(yīng)變。盡管本實(shí)施例采用相對(duì)于(100)平面傾斜的半導(dǎo)體襯底11,但是利用相根據(jù)本實(shí)施例，半導(dǎo)體襯底的傾斜角，也就是15。，不僅基于襯底的傾 斜角還基于間隔層和多量子阱層中的應(yīng)變量的組合進(jìn)行控制。這樣，與例 如非專(zhuān)利文獻(xiàn)2中的傾斜角較高的情形相比，可以降低處理難度。而且， 因?yàn)?5。傾斜的襯底廣泛用于用作DVD的激光二極管的襯底，該襯底相對(duì) 便宜。當(dāng)使用具有小于15。的傾斜角的襯底時(shí)，可以通過(guò)將間隔層和多量子阱 層中的應(yīng)變值設(shè)置得更高而獲得同等效果。相反，如果通過(guò)對(duì)VCSEL的制 造過(guò)程的改善可能制造超過(guò)15。的傾斜，可以獲得極高的偏振穩(wěn)定性。根據(jù)本實(shí)施例的包括襯底傾斜角和間隔層/量子阱應(yīng)變的組合的偏振控 制方法可以與根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1的基于臺(tái)面結(jié)構(gòu)各向異性的偏振控制方法組 合使用。這樣，可以獲得本實(shí)施例的效果，同時(shí)減少單個(gè)方法的缺點(diǎn)。盡管專(zhuān)利文獻(xiàn)6中在襯底和量子阱之間設(shè)置有應(yīng)變松馳層，但是由于 襯底和量子阱之間的晶格常數(shù)的大的差異難以獲得高質(zhì)量的有源層。根據(jù) 本實(shí)施例，襯底和間隔層之間的晶格常數(shù)的差異是小的，以使得可以形成 高質(zhì)量的有源層，且不會(huì)施加大的應(yīng)變到有源層。而且，根據(jù)本實(shí)施例， 襯底和量子阱層每一個(gè)形成為具有壓縮應(yīng)變，以使得與間隔層中的拉伸應(yīng) 變一起，可以預(yù)期應(yīng)變補(bǔ)償效果。在專(zhuān)利文獻(xiàn)7的情形中，襯底和有源層之間的DBR的晶格常數(shù)逐漸變 化。這樣，盡管在有源層和與有源層相鄰的層之間的晶格常數(shù)的差異是輕 微的，但是由于應(yīng)變層的厚度在數(shù)pm數(shù)量級(jí)，大的應(yīng)力施加到有源層，使 得難以獲得高質(zhì)量的有源層。但是，根據(jù)本實(shí)施例，襯底和間隔層之間的晶格常數(shù)的差異是小的，間隔層的薄膜厚度是在幾百nm數(shù)量級(jí)。這樣，可 以形成高質(zhì)量的有源層，而不會(huì)施加大的應(yīng)變到有源層。而且，根據(jù)本實(shí) 施例，襯底和量子阱層每一個(gè)形成為具有壓縮應(yīng)變，以使得與間隔層中的 拉伸應(yīng)變一起，應(yīng)變補(bǔ)償?shù)男Ч梢灶A(yù)期。才艮據(jù)本實(shí)施例，在VCSEL中的單個(gè)元件可以二維布置，其中元件的間 隔可以如期望地設(shè)定。這樣，與邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器相比，可以集成在 單 一 芯片上的光發(fā)射部件的數(shù)量可以增大。(第八實(shí)施例)才艮據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例，VCSEL包括偏振控制層。參照?qǐng)D2和4描 述VCSEL。根據(jù)本實(shí)施例的VCSEL具有如圖2所示的結(jié)構(gòu)，其中有源層31具有 如圖4所示的結(jié)構(gòu)。具體地，VCSEL包括具有傾斜主表面的半導(dǎo)體襯底 11;相對(duì)于半導(dǎo)體村底11具有壓縮應(yīng)變的多量子阱層14;和下間隔層13 和上間隔層15,在其每個(gè)中設(shè)置偏振控制層41。根據(jù)第八實(shí)施例，滿(mǎn)足以 下表達(dá)式(eaxta+ebxtb)/(ta+tb)<0 (2) 其中ea是下間隔層13和上間隔層15中的晶格應(yīng)變；ta是下間隔層13 和上間隔層15的總薄膜厚度；eb是每個(gè)偏振控制層41中的晶格應(yīng)變；tb 是單個(gè)偏振控制層41的總薄膜厚度。表達(dá)式(2)的左側(cè)部分，也就是， (eaxta+ebxtb)/(ta+tb),在此及后可以簡(jiǎn)單稱(chēng)作E。當(dāng)滿(mǎn)足表達(dá)式(2)時(shí)，偏振角在相對(duì)于如圖3所示的半導(dǎo)體襯底的(O-ll) 表面大約180。處穩(wěn)定，以使得具有恒定偏振角的VCSEL可以得以提供。盡 管圖4示出設(shè)置在下間隔層13和上間隔層15的每一個(gè)中的偏振控制層41 ， 偏振控制層41也可形成在下間隔層13中或者上間隔層15中，如圖5所示， 只要滿(mǎn)足表達(dá)式(l)。盡管下間隔層13和上間隔層15是由GalnPAs制成，但是偏振控制層 41是由AlGalnP材料制成，也就是Al、 Ga和As的一種或者多種加入到其 中的InP。以這種方式，可以在偏振控制層41中獲得更高的帶隙。這樣， 當(dāng)下間隔層13和上間隔層15是由具有低帶隙的材料制成時(shí)，可以獲得提 高的電子限制效率。如在圖7所示的第三實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的第七或者第八實(shí)施例的 VCSEL可以安置成構(gòu)建VCSEL陣列裝置。如在圖8所示的第四實(shí)施例中， 這樣的VCSEL陣列裝置可用于構(gòu)建光學(xué)掃描設(shè)備。再者，如在圖9所示的 第五實(shí)施例中，可以提供具有這樣的光學(xué)掃描設(shè)備的成像設(shè)備。如在圖10 所示的第六實(shí)施例中，這樣的成像設(shè)備可用于構(gòu)建用于形成彩色圖像的彩 色成像設(shè)備。例子在此及后，描述本發(fā)明的各實(shí)施例的例子。 (例子1)根據(jù)例子1的VCSEL具有780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。參照?qǐng)D2和11描述該 VCSEL。圖11示出VCSEL的有源層31的帶結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2, #^居例子1的VCSEL包括由在(lll)平面方向傾斜15°的 n-GaAs襯底形成的半導(dǎo)體襯底11。在半導(dǎo)體襯底11上，形成下反射鏡12， 其是通過(guò)層疊50交替對(duì)的n-Al。.9Ga(uAs薄膜和n-Ala3Ga。.7As薄膜形成的分 布布拉格反射器(DBR)。在下反射鏡12頂上，由(Al(uGao.9)o.M6ln。.484P形成有下間隔層13，隨后 形成多量子阱層14。在多量子阱層14上，由(Alo.,Gao.9)o.5,6lno.484P形成上間 隔層15，然后形成AlAs的可選擇氧化層16。在可選擇的氧化層16上，形 成上反射鏡17,其是由30對(duì)交替的p-AV9Gao.!As和n-Alo.3Gao.7As薄膜形 成的DBR。在上反射鏡17頂上，由P-GaAs形成接觸層18。各個(gè)層具有預(yù)定膜厚度以使得可以獲得780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。半導(dǎo)體襯 底11的傾斜角可為是2°-20°。然后，臺(tái)面結(jié)構(gòu)形成為所述各層的合成堆疊，可選擇氧化層16在水蒸 汽環(huán)境中部分氧化以形成氧化區(qū)域32和電流限制區(qū)域33。其后，防護(hù)薄膜 19形成以覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)。然后，連接到接觸層18的上電極20由Au/AuZn 形成，下電極21由Au/Ni/AuGe形成在半導(dǎo)體襯底11的后表面上。在上間隔層15內(nèi)，由(Alo.5Ga。.5)o.5lno.5P形成偏振控制層41 ，其具有20nm 的厚度。偏振控制層41相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有+0.12%的應(yīng)變。下間隔 層13和上間隔層15每個(gè)相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有0%的應(yīng)變。多量子阱 層14包括具有5.5nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有+0.71%應(yīng)變的 Gaa7Ina3Pai4As().59量子阱層和具有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體村底11具有-0.6%應(yīng)變的GaG.6In。.4P的阻擋層的交替層。在堆疊層的任一側(cè)上，形成具 有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11零應(yīng)變的Ga。.516In().484P層。在該VCSEL中，E值為+0.023。這樣，如圖13所示，通過(guò)根據(jù)例子1 的VCSEL發(fā)出的光在關(guān)于半導(dǎo)體襯底11的(0-ll)表面90。的偏振方向是穩(wěn) 定的。(例子2)才艮據(jù)例子2的VCSEL具有780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。參照?qǐng)D2和14描述該 VCSEL。圖14示出根據(jù)例子2的有源層31的帶結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2， VCSEL包括半導(dǎo)體襯底11,該半導(dǎo)體4于底11包括在(lll) 平面方向傾斜15°的n-GaAs襯底。下反射鏡12由包括50對(duì)交替的 n-Ala9GaaiAs薄膜和n-Al。.3Gao.7As薄膜的DBR形成。在下反射鏡12的頂 上，由(Alo.sGao.5)(^Ino.49P形成下間隔層13，然后形成多量子阱層14。在多 量子阱層14上，由(Alo.5Gao.5)(^Ino.49P形成上間隔層15，在上間隔層頂上 由AlAs形成可選擇的氧化層16。在可選擇的氧化層16的頂上，形成上反 射鏡17,其是包括30對(duì)交替的p-Al。.9Ga(uAs薄膜和n-Alo.3Ga。.7As薄膜的 DBR。接觸層18由p-GaAs形成在上反射鏡17上。各個(gè)層具有預(yù)定膜厚度 以使得可以獲得780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。半導(dǎo)體襯底11的傾斜角可以是2°-20。。臺(tái)面結(jié)構(gòu)然后由所述各層的合成堆疊形成，然后可選擇的氧化層16在 水蒸氣環(huán)境中部分氧化以形成氧化區(qū)域32和電流限制區(qū)域33。其后，防護(hù) 薄膜19形成以覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)，連接到接觸層18的上電極20由Au/AuZn制 成，下電極21由Au/Ni/AuGe形成在半導(dǎo)體村底11的后表面上。下間隔層13和上間隔層15每個(gè)相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有+0.04%的 應(yīng)變。多量子阱層14包括具有5.5nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體村底11具有 +0.71%的應(yīng)變的Gao.7lno.3P,Asc.59量子阱層和具有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo) 體襯底11具有-0.6%的應(yīng)變的阻擋層的交替層。在堆疊的任一側(cè)上，形成具 有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11零應(yīng)變的Gaa516In。.484P層。根據(jù)例子2的VCSEL沒(méi)有偏振控制層。這樣，在下間隔層13和上間 隔層15的每個(gè)中相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11的應(yīng)變?yōu)?0.04。這樣，如圖13所示， 通過(guò)根據(jù)例子2的VCSEL發(fā)出的光在關(guān)于半導(dǎo)體襯底11的(0-ll)表面90° 的偏振方向是穩(wěn)定的。19(例子3)
才艮據(jù)例子3的VCSEL具有780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。參照?qǐng)D2和15描述 VCSEL。圖15示出根據(jù)例子3的有源層31的帶結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D2，根據(jù)例子3的VCSEL包括由在(lll)平面方向傾斜15。的 n-GaAs村底制成的半導(dǎo)體襯底11。在半導(dǎo)體襯底11頂上，形成下反射4竟 12，該下反射鏡12是由50對(duì)n-Al0.9GaaiAs薄膜和n-Alo.3Ga0.7As薄膜交替 層制成。在下反射鏡12的頂上，由(Alo.5Gao.5)o.48ln。.52P形成下間隔層13, 隨后是多量子阱層14。在多量子阱層14頂上，由(Alo.5Gao.59)o.48lno.52P形成 上間隔層15?？蛇x擇的氧化層16由AlAs進(jìn)一步形成在多量子阱層14頂上。 在可選擇的氧化層16頂上，由包括30對(duì)p-Alo.9Ga(nAs薄膜和n-Alo.3Gao.7As 薄膜的交替層的DBR形成上反射鏡17。在上反射鏡17的頂上，由p-GaAs 形成4妄觸層18。
各個(gè)層具有預(yù)定的膜厚度以使得可以獲得780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。半導(dǎo)體 襯底11的傾斜角可以是2°-20°。
臺(tái)面結(jié)構(gòu)然后通過(guò)所述各層的堆疊形成，然后可選擇的氧化層16在水 蒸氣環(huán)境中部分氧化以形成氧化區(qū)域32和電流限制區(qū)域33。其后，防護(hù)薄 膜19形成以覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)，連接到接觸層18的上電極20由Au/AuZn形成， 下電極21由Au/Ni/AuGe形成在半導(dǎo)體襯底11的后表面上。
下間隔層13和上間隔層15每個(gè)相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有+0.27%的應(yīng)變。
多量子阱層14包括具有5.5nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有 +0.71%的應(yīng)變的Ga。.7lno.3P。.4!As。.59的量子阱層和具有8nm厚度和相對(duì)于半 導(dǎo)體襯底ll具有-0.6%的應(yīng)變的阻擋層的交替層。在該堆疊的任一側(cè)上， 形成具有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11零應(yīng)變的Gao^6lno.484P層。
這樣，根據(jù)例子3的VCSEL沒(méi)有偏振控制層。這樣在下間隔層13和 上間隔層15的每個(gè)中相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11的應(yīng)變?yōu)?0.27。這樣，如圖13
表面90。的偏振方向是穩(wěn)定的。 (例子4)
參照?qǐng)D2和12描述根據(jù)例子4的VCSEL。 VCSEL具有780nm的發(fā)射 波長(zhǎng)。圖12示出VCSEL的有源層31的帶結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2, VCSEL包括由在(lll)平面方向傾斜15。的n-GaAs村底形成 的半導(dǎo)體襯底11。在半導(dǎo)體襯底11頂上，形成包括50對(duì)n-Alo.9GacnAs薄 膜和n-AlG.3Ga。.7As薄膜的交替層的DBR的下反射鏡12。在下反射鏡12頂 上，由(Alo.sGao.5)o.525lno.475P形成下間隔層13,隨后是多量子阱層14。在多
量子阱層14頂上，由(Alo.5Gao.5)o.525lno.475P形成上間隔層15,在上間隔層15
上由AlAs進(jìn)一步形成可選擇的氧化層16。在可選擇的氧化層16頂上，由 包括30對(duì)的p-Alo.9Ga。.,As薄膜和n-A^Ga^As薄膜的交替層的DBR形成 上反射鏡17。在上反射鏡17頂上，由p-GaAs形成接觸層18。
各個(gè)層具有預(yù)定的膜厚度以使得可以獲得780nm的發(fā)射波長(zhǎng)。半導(dǎo)體 襯底11的傾斜角可以是2。到20°。
臺(tái)面結(jié)構(gòu)然后通過(guò)所述層的堆疊形成，可選擇的氧化層16在水蒸氣環(huán) 境中部分氧化以形成氧化區(qū)域32和電流限制區(qū)域33。其后，防護(hù)薄膜19 形成以覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其后由Au/AuZn形成連接到接觸層18的上電極20, 由Au/Ni/AuGe在半導(dǎo)體襯底11的后表面上形成下電極21 。
下間隔層13和上間隔層15每個(gè)相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有-0.05%的應(yīng)變。
多量子阱層14包括具有5.5nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11具有 +0.71%的應(yīng)變的Gao.7lno.3Po.^As().59的量子阱層和具有8nm的厚度和相對(duì)于 半導(dǎo)體襯底11具有-0.6%的應(yīng)變的阻擋層的交替層。在該堆疊的任一側(cè)上， 形成具有8nm厚度和相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11零應(yīng)變的Gao.5i6lno.484P層。
在該VCSEL中，在下間隔層13和上間隔層15中相對(duì)于半導(dǎo)體襯底11 的應(yīng)變是-0.05。這樣，如圖13所示，通過(guò)根據(jù)例子4的VCSEL50發(fā)出的 光在關(guān)于半導(dǎo)體襯底11中的(0-ll)表面180。的偏振方向是穩(wěn)定的。
盡管已經(jīng)參照某些實(shí)施例和例子詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是可以在本發(fā) 明的權(quán)利要求所描述和限定的范圍和精神內(nèi)進(jìn)行變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種垂直腔表面發(fā)射激光器，包括半導(dǎo)體襯底；下反射鏡，該下反射鏡通過(guò)在所述半導(dǎo)體襯底的表面上交替地形成具有不同折射率的半導(dǎo)體薄膜層而形成在所述半導(dǎo)體襯底表面上；臺(tái)面結(jié)構(gòu)，該臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括由半導(dǎo)體材料形成在所述下反射鏡上的有源層；形成在所述有源層上的可選擇的氧化層，該可選擇的氧化曾部分氧化從而形成電流限制結(jié)構(gòu)；和上反射鏡，該上反射鏡通過(guò)交替地形成具有不同折射率的半導(dǎo)體薄膜而形成在所述可選擇的氧化層上；下電極，該下電極連接到所述半導(dǎo)體襯底；和上電極，該上電極連接到所述上反射鏡，當(dāng)電流在所述上電極和所述下電極之間流動(dòng)時(shí)，所述垂直腔表面發(fā)射激光器發(fā)射垂直于所述半導(dǎo)體襯底的平面的激光，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底表面相對(duì)于特定平面傾斜，所述有源層包括相對(duì)于所述襯底具有壓縮應(yīng)變的量子阱層和間隔層，其中所述間隔層相對(duì)于所述半導(dǎo)體襯底具有特定應(yīng)變。
2. 如權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述間隔層由 Al、 Ga和As的一種或多種加入到其中的InP形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述間隔層相 對(duì)于所述半導(dǎo)體村底具有壓縮應(yīng)變。
4. 如權(quán)利要求1所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述間隔層相 對(duì)于所述半導(dǎo)體襯底具有拉伸應(yīng)變。
5. 如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所 述半導(dǎo)體襯底相對(duì)于(100)平面傾斜。
6. 如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所 述半導(dǎo)體襯底相對(duì)于(010)或者(001)平面傾斜。
7. 如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所 述半導(dǎo)體襯底相對(duì)于(l 1 l)平面方向傾斜。
8. 如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述半導(dǎo)體襯底的傾斜角不超過(guò)20°。
9. 如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所 述量子阱層包括單一量子阱層或者包括多個(gè)量子阱層和阻擋層的多量子阱層。
10. 如權(quán)利要求3所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述間隔層包 括偏振控制層，其中所述偏振控制層滿(mǎn)足以下表達(dá)式(eaxta+ebxtb)/(ta+tb)>0 (1) 其中ea是所述間隔層中的晶格應(yīng)變，ta是所述間隔層的薄膜厚度，eb 是在所述偏振控制層中的晶格應(yīng)變，tb是所述偏振控制層的薄膜厚度。
11. 如權(quán)利要求4所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述間隔層包 括偏振控制層，其中所述偏振控制層滿(mǎn)足以下表達(dá)式(eaxta+ebxtb)/(ta+tb)<0 (2) 其中ea是所述間隔層中的晶格應(yīng)變，ta是所述間隔層的薄膜厚度，eb 是在所述偏振控制層中的晶格應(yīng)變，tb是所述偏振控制層的薄膜厚度。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的垂直腔表面發(fā)射激光器，其中，所述偏 振控制層由Al、 Ga和As的一種或多種加入到其中的InP形成。
13. —種用于發(fā)射激光的垂直腔表面發(fā)射激光器陣列裝置，其特征在 于，在半導(dǎo)體襯底上布置多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的垂直腔表 面發(fā)射激光器。
14. 一種用于通過(guò)光束掃描被掃描表面的光學(xué)掃描設(shè)備，包括 光源單元；偏轉(zhuǎn)單元，該偏轉(zhuǎn)單元用以偏轉(zhuǎn)所述光源單元發(fā)出的光束；和 掃描光學(xué)系統(tǒng)，該掃描光學(xué)系統(tǒng)用以將通過(guò)所述偏轉(zhuǎn)單元偏轉(zhuǎn)的光束聚焦在所述被掃描表面上，其特征在于，所述光源單元包括如權(quán)利要求13所述的垂直腔表面發(fā)射激光器陣列裝置。
15. —種用于在介質(zhì)上形成圖像的成像設(shè)備，包括用于承載待形成在所 述介質(zhì)上的圖像的圖像載體，和用于根據(jù)待形成在所述介質(zhì)上的圖像的圖 像信息通過(guò)光掃描所述圖像載體的光學(xué)掃描設(shè)備，其特征在于，所述光學(xué)掃描設(shè)備包括如權(quán)利要求M所示的光學(xué)掃描設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)，VCSEL陣列裝置，光學(xué)掃描設(shè)備和成像設(shè)備，其中VCSEL包括半導(dǎo)體襯底、形成在半導(dǎo)體襯底上的下反射鏡和臺(tái)結(jié)構(gòu)。臺(tái)結(jié)構(gòu)包括有源層、包括電流限制結(jié)構(gòu)的可選擇的氧化層和上反射鏡。下電極連接到半導(dǎo)體襯底，上電極連接到上反射鏡。當(dāng)電流在上電極和下電極之間流動(dòng)時(shí)，VCSEL發(fā)射垂直于半導(dǎo)體襯底的平面的激光。半導(dǎo)體襯底關(guān)于(100)平面傾斜。有源層包括相對(duì)于襯底具有壓縮應(yīng)變的量子阱層和間隔層。間隔層相對(duì)于半導(dǎo)體襯底具有壓縮應(yīng)變或者拉伸應(yīng)變。
文檔編號(hào)H01S5/02GK101599616SQ20091014133
公開(kāi)日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2009年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月3日
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