專利名稱：具有阻抗轉(zhuǎn)換部的集成微波波導(dǎo)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微波波導(dǎo)。
背景技術(shù)：
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種用于在各種襯底上沉積薄膜的非常 公知的工藝。從玻璃制造到半導(dǎo)體制造、再到等離子體顯示面板制造的多個(gè)行業(yè)都依賴 PECVD系統(tǒng)以在襯底上沉積薄膜。PECVD系統(tǒng)在其應(yīng)用上變化很大，正如它們所沉積的膜在 它們的化學(xué)特性和質(zhì)量上變化很大一樣。典型的PECVD工藝可通過(guò)改變工藝參數(shù)來(lái)控制，所述工藝參數(shù)諸如氣壓、功率、功 率脈沖頻率、功率占空比、脈沖形狀以及多個(gè)其它參數(shù)。盡管PECVD工藝中具有高度可用的 定制化，但是該行業(yè)仍在繼續(xù)尋找用于改進(jìn)PECVD工藝并且獲得對(duì)該工藝更多控制的新方 法。特別是，PECVD行業(yè)尋求在更寬范圍的工藝參數(shù)內(nèi)利用PECVD。目前，PECVD僅能在有限組的條件下使用。對(duì)于其它條件，必須使用替代的沉積工 藝。這些替代的沉積工藝，諸如電子回旋共振(ECR)和濺射，對(duì)于很多應(yīng)用來(lái)說(shuō)并非總是最 優(yōu)的。因此，該行業(yè)在尋求將PECVD的應(yīng)用擴(kuò)展到傳統(tǒng)使用這些替代沉積方法的領(lǐng)域。此外，對(duì)于離子或其它等離子體物種來(lái)說(shuō)，PECVD微波等離子體源通常已是一受限 源或者不適當(dāng)源。離子源具有很多與PECVD工藝相關(guān)的有利使用。例如，在準(zhǔn)備薄膜的沉 積時(shí)，通常利用離子源來(lái)預(yù)處理諸如聚合物襯底這樣的表面。還利用離子源在等離子體沉 積工藝期間來(lái)改變薄膜的化學(xué)特性和結(jié)構(gòu)。此外，可利用離子源從膜去除電荷堆積或者用 于清潔表面。盡管在PECVD中替代的離子源能與微波等離子體源組合在一起，但是PECVD 工藝本身在其自身的離子源的情況下已經(jīng)不足夠。離子源可從很多銷售商購(gòu)得且是本領(lǐng)域公知的。但是這些離子源通常具有幾大缺 陷。一個(gè)缺陷是線性離子源過(guò)于昂貴且對(duì)于很多使用都很復(fù)雜。事實(shí)上，由于高成本，可受 益于離子源的很多應(yīng)用都先行放棄了其使用。另一個(gè)缺陷是目前的離子源傾向于產(chǎn)生具有 過(guò)多能量的離子。很多離子源都產(chǎn)生具有超過(guò)120eV能量的離子。很多應(yīng)用中，具有如此 多能量的離子可能損傷正進(jìn)行處理的表面或損傷正進(jìn)行沉積的膜。雖然目前的裝置和方法是可行的，但是它們并非足夠精確或令人滿意。因此，需要 一種系統(tǒng)和方法以克服目前技術(shù)缺陷并提供其它新的和創(chuàng)造性的特征。

發(fā)明內(nèi)容
以下概述附圖中所示的本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。這些或其它實(shí)施方式在詳細(xì)描 述部分更加全面地描述。然而，應(yīng)該理解，在此并未有將本發(fā)明限定在發(fā)明內(nèi)容或詳細(xì)描述 中所述的形式的意圖。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可認(rèn)識(shí)到存在落入如由權(quán)利要求書表述的的本發(fā) 明的構(gòu)思和范圍內(nèi)的多種修改、等同物和替代結(jié)構(gòu)。本發(fā)明涉及微波波導(dǎo)。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，本發(fā)明可包括一種集成微波波 導(dǎo)，該集成微波波導(dǎo)包括波導(dǎo)區(qū)塊，在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第一波導(dǎo)部分，在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第 二波導(dǎo)部分，與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第一波導(dǎo)部分集成的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分，以及與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第二波導(dǎo)部分集成的阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第一阻抗部分包括具有第一端和第 二端的第一導(dǎo)管，其中該第一導(dǎo)管從第一端到第二端逐漸變細(xì)(tapered)，其中該第二阻抗 部分包括具有第三端和第四端的第二導(dǎo)管，其中該第二導(dǎo)管從第三端到第四端逐漸變細(xì)， 并且其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第二端與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的第四端相連接。如上所述，前述實(shí)施方式和實(shí)施僅用于說(shuō)明目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以下描述 和權(quán)利要求容易認(rèn)識(shí)到本發(fā)明很多其它的實(shí)施方式、實(shí)施和細(xì)節(jié)。附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明通過(guò)結(jié)合附圖參照以下具體描述部分以及所附權(quán)利要求書，對(duì)于本發(fā)明的各種目 的和優(yōu)點(diǎn)以及更全面的理解將更加顯而易見(jiàn)并且更加容易認(rèn)識(shí)。其中

圖1是現(xiàn)有PECVD系統(tǒng)的圖示；圖2是與現(xiàn)有技術(shù)一致的進(jìn)入到微波天線中的功率脈沖波形和產(chǎn)生的總等離子 體光發(fā)射的示意圖；圖3是與本發(fā)明一致的進(jìn)入到微波天線中的功率脈沖波形和產(chǎn)生的總等離子體 光發(fā)射的示意圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的用于產(chǎn)生等離子體游離基的系統(tǒng)，用 于表面處理、薄膜沉積、和/或膜化學(xué)特性或結(jié)構(gòu)改變；圖5是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的包覆護(hù)罩的圖示；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的用于產(chǎn)生等離子體游離基的系統(tǒng)，用 于表面處理、薄膜沉積、和/或膜化學(xué)特性或結(jié)構(gòu)改變；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的包覆護(hù)罩剖面(profile)的截面圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的PECVD陣列的截面圖；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的PECVD陣列的截面圖；圖10是具有級(jí)聯(lián)天線(cascaded antenna)的微波波導(dǎo)的圖示；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的具有阻抗轉(zhuǎn)換部 (impedancetransition)的微波波導(dǎo)；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式構(gòu)造的天線。詳細(xì)描述現(xiàn)在參考附圖，其中相同或相似元件在多個(gè)附圖中使用相同附圖標(biāo)記來(lái)表示，且 具體參考圖1，其示出了用于大規(guī)模沉積和蝕刻工藝的典型PECVD系統(tǒng)100的剖視圖。該系 統(tǒng)包括僅示出兩個(gè)壁的真空室105。該真空室容納放電管110。該放電管110由天線115 構(gòu)成，該天線115被構(gòu)造用于傳送微波信號(hào)或其它信號(hào)到該真空室105中。該微波功率從 天線115向外輻射且點(diǎn)燃通過(guò)輔助氣體管120引入的環(huán)境輔助氣體并使其分裂。該被點(diǎn)燃 氣體是等離子體且通常與放電管110相鄰。由等離子體所產(chǎn)生的游離基物種和電磁輻射 分解(disassociate)通過(guò)原料氣體管125引入的原料氣體(130)，由此使該原料氣體裂解 (breaking up)而形成新的分子。在分解工藝期間形成的某些分子被沉積在襯底135上。 通過(guò)分裂(fractionalization)和分解(disassociation)工藝所形成的其它分子是廢物 且通過(guò)排氣端(未示出)去除-盡管這些分子傾向于自身偶爾沉積在襯底上。已經(jīng)利用多種類型的功率源和系統(tǒng)構(gòu)造實(shí)現(xiàn)了利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相源沉 積非導(dǎo)電膜和導(dǎo)電膜。這些源大多數(shù)都利用微波、HF、VHF能量來(lái)產(chǎn)生等離子體和受激等離子體物種。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，施加到天線和從天線放電的平均功率是對(duì)所產(chǎn)生的游離基化 (radicalized)等離子體物種密度的主要影響因素。通過(guò)改變沉積期間的工藝條件來(lái)實(shí)現(xiàn)膜特性要求，工藝條件包括源的功率等級(jí)、 脈沖頻率和占空比。為了實(shí)現(xiàn)所需的膜特性，必須控制被沉積膜的結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)含量?？赏?過(guò)改變游離基物種含量(除了其他重要的工藝參數(shù)外)來(lái)控制膜特性，且如上所述，主要通 過(guò)進(jìn)入到等離子體放電的平均功率等級(jí)和峰值功率等級(jí)來(lái)控制游離基密度。為了實(shí)現(xiàn)幾個(gè)重要的膜特性，并提升對(duì)一些類型襯底的粘附性(adhesion)，必須 精確地控制膜有機(jī)含量，或者有可能的話該含量必須跨整個(gè)膜厚度呈梯度形式。在典型的PECVD工藝中，實(shí)際上僅分裂小部分輔助氣體。例如，通常僅分裂2%的 少量輔助氣體。被分裂的氣體量由輔助氣體壓力以及施加到放電管內(nèi)天線上的功率量來(lái)確 定。對(duì)于任一特定輔助氣體，壓力、功率和構(gòu)造之間的關(guān)系由Paschen曲線限定。輔助氣體的大多數(shù)分裂是由通過(guò)施加到放電管內(nèi)天線上的功率所產(chǎn)生的電子引 起的。離子和其它等離子體游離基也會(huì)引起一些分裂。分裂輔助氣體時(shí)電子的有效性與電 子密度直接相關(guān)。對(duì)于相同輔助氣體壓力而言，在較高電子密度的區(qū)域內(nèi)，分裂速率較高。對(duì)于典型的PECVD工藝，由等離子體所產(chǎn)生的游離基物種的所需密度必須大于完 全轉(zhuǎn)化所需原料氣體量而需要的密度。這是因?yàn)閬?lái)自等離子體的一些游離基物種不僅在膜 沉積工藝和原料氣體的等離子體分解工藝中被消耗，也在沉積工藝的不相關(guān)部分諸如重組 機(jī)構(gòu)和抽氣(pumping)中被消耗。根據(jù)功率類型、等級(jí)和/或構(gòu)造和所使用的材料，所需功率等級(jí)能過(guò)度加熱襯底 超出其物理限制，并且可能導(dǎo)致膜和襯底不可用。由于聚合物材料的低熔點(diǎn)，這主要發(fā)生在 聚合物材料基襯底中。為了降低襯底熱負(fù)荷量，已使用一種在脈沖之間具有空閑時(shí)間(off time)的高功 率脈沖發(fā)送給等離子體的方法。該方法允許在短的高能量脈沖期間等離子體達(dá)到膜沉積工 藝所需的游離基物種飽和并允許發(fā)生損耗，同時(shí)通過(guò)減少其它形式電磁輻射來(lái)減少瞬時(shí)和 連續(xù)地加熱襯底。但是，雖然已經(jīng)證明脈沖式微波通過(guò)降低襯底熱負(fù)載而對(duì)工藝有益，但是一般的 沉積速率通常低于連續(xù)波(CW)功率源的沉積速率。這部分是由于對(duì)放電自身的擊穿過(guò)程 (breakdown process)白勺能量損耗。于圖2中示出的是進(jìn)入到微波天線的功率脈沖200的典型波形和產(chǎn)生的總等離子 體光發(fā)射210的示意圖。如本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的，功率脈沖200和等離子體光發(fā)射210 的垂直標(biāo)度(vertical scale)是不同的，并在此僅為說(shuō)明目的進(jìn)行描述。在典型PECVD工 藝中，能量損耗約為總功率的20%。該能量損耗的大部分是由于點(diǎn)燃等離子體放電所需的 能量。圖2示出了點(diǎn)燃和穩(wěn)定放電用掉的大部分功率損耗。通過(guò)維持等離子體離子化的最小背景等級(jí)并防止等離子體熄火 (extinguishing)，明顯降低了最初點(diǎn)燃和穩(wěn)定等離子體放電所需的進(jìn)入到等離子體中的 功率損耗。例如，可通過(guò)調(diào)制微波功率源、定相脈沖源，或者通過(guò)增加諸如AC或RF輝光放電 之類的外部源，來(lái)維持等離子體離子化的最小背景等級(jí)。這些方法僅是示例性的且不意味 著限制本發(fā)明。微波功率源的調(diào)制例如可包括脈沖發(fā)送自最初功率振幅上至全脈沖振幅， 和之后返回至最初功率振幅的功率源。在一個(gè)實(shí)施方式中，最初功率振幅可以是足以維持等離子體離子化的最小背景等級(jí)的低功率等級(jí)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到與本發(fā)明一致的 替代方法和系統(tǒng)。圖3描述了與本發(fā)明一致的功率脈沖200和等離子體光發(fā)射310。如本領(lǐng)域技術(shù) 人員認(rèn)識(shí)到的，功率脈沖200和等離子體光發(fā)射310的垂直標(biāo)度是不同的，且在此僅為說(shuō)明 目的描述。但是，還應(yīng)認(rèn)識(shí)到，已經(jīng)測(cè)試出使用背景能量的等離子體光發(fā)射310的峰值大約 是當(dāng)不使用背景能量時(shí)等離子體光發(fā)射210峰值的四倍。使用小量背景能量保持等離子體 是持續(xù)的，使得當(dāng)施加功率脈沖200時(shí)，進(jìn)入到等離子體放電中的能量較大。由于使用較少 能量來(lái)激發(fā)等離子體，因此允許更多能量來(lái)激發(fā)游離基物種。通過(guò)保持等離子體離子化的最小背景等級(jí)，由于不需要能量點(diǎn)燃放電而獲得了離 子化效率增加，因此進(jìn)入到等離子體中的功率通常從75%增加到95%的等級(jí)?；氐綀D1，可 通過(guò)將功率施加到輔助氣體管120或原料氣體管125來(lái)維持等離子體離子化的該最小背景 等級(jí)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，施加到任一個(gè)管的功率可以是RF或AC輝光放電。在 本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中，可將偏置施加到襯底135本身用于預(yù)離子化的目的。在此公 開(kāi)了其它實(shí)施方式，但僅是示例性的，如本領(lǐng)域技術(shù)人員知道的與本發(fā)明一致的修改。通過(guò)利用放電管附近的包覆護(hù)罩也能極大提高分裂效率。在名稱為“SYSTEM AND METHOD FOR CONTAINMENT SHIELDING DURINGPECVD DEPOSITION PROCESSES”，共同擁有 和指定的代理案號(hào)(APPL-012/00US)中討論了利用包覆護(hù)罩的益處，在此通過(guò)參考將其并 入。圖4中示出可用在PECVD工藝中的包覆護(hù)罩400的示例性設(shè)計(jì)的截面圖。包覆護(hù)罩 400 一般由諸如石英之類的介電材料形成，并提供放電管110周圍的容積(volume)，可將輔 助氣體泵入該容積中。該包覆護(hù)罩400的精確容積以及放電管110和包覆護(hù)罩400內(nèi)表面 之間的距離可基于所需的膜化學(xué)特性、PECVD系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)以及所需的氣體壓力來(lái)改變。包覆護(hù)罩400用于容納否則可能逃逸的電子和其它游離基化等離子體物種。通過(guò) 容納電子，放電管110周圍的電子密度可在離該放電管110更遠(yuǎn)的距離處而增加。且通過(guò) 增加電子密度，在相同工藝參數(shù)情況下等離子體可進(jìn)一步擴(kuò)展(extended)-這意味著在不 改變其它工藝參數(shù)的情況下增加了分裂速率。包覆護(hù)罩400也有助于防止游離基和離子逃逸。這能利于分裂效率并防止所產(chǎn)生 的游離基和離子被浪費(fèi)。并且，通過(guò)保持這些粒子，PECVD系統(tǒng)能在較大操作參數(shù)范圍內(nèi)操 作并能更有效地操作。應(yīng)當(dāng)注意，這些實(shí)施方式不限于PECVD系統(tǒng)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可擴(kuò)展本發(fā)明的構(gòu) 思以涵蓋任一類型等離子體系統(tǒng)。包覆護(hù)罩也有利地提供了對(duì)放電管110周圍輔助氣體壓力的更好控制。首先，包 覆護(hù)罩有助于提供較沒(méi)有包覆護(hù)罩時(shí)可能的輔助氣體壓力更均勻的輔助氣體壓力。這更均 勻的壓力使得分裂速率受到更好地控制且由此增加了分裂速率。第二，包覆護(hù)罩能夠在包覆護(hù)罩內(nèi)提供有與處理室的其它部分不同的壓力。由于 能夠在包覆護(hù)罩內(nèi)保持較高壓力并且在處理室的其它部分中保持較低壓力，因此這是有利 的。該可變壓力的結(jié)果允許在整體較低的處理室壓力下產(chǎn)生更多游離基。這種類型的控制 允許PECVD工藝在較之前可能情況明顯低的處理室壓力下運(yùn)行。圖4中進(jìn)一步示出的是處理室105、襯底135、襯底支架410、放電管110、天線115、
包覆護(hù)罩400、微波反射器430和輔助氣體管120。該描述中，輔助氣體管120位于包覆護(hù)罩400內(nèi)部。包覆護(hù)罩400包括最接近襯底135的孔420。游離基是通過(guò)該孔420逃逸且與原 料氣體相碰撞。孔420的尺寸可手動(dòng)或電子地改變以控制逃逸出包覆護(hù)罩400的游離基的 數(shù)量。該孔也可為固定尺寸的孔。在一些實(shí)施方式中，包覆護(hù)罩400內(nèi)的壓力可高于包覆護(hù)罩400外部的壓力。由 此，一般PECVD工藝可在較低壓力下操作，而等離子體增強(qiáng)工藝和游離基產(chǎn)生工藝可在較 高的壓力下操作。如前所述，壓力是輔助氣體分裂效率的關(guān)鍵因素。上至特定的點(diǎn)，更高的 壓力能實(shí)現(xiàn)更高的分裂效率。因而，包覆護(hù)罩內(nèi)部所容許的更高壓力提高分裂效率。包覆護(hù)罩的效率至少部分依賴于護(hù)罩適當(dāng)引導(dǎo)(channeling)并防止電子、離子 和游離基的逃逸的有效性。為此，包覆護(hù)罩通常由如石英之類的介電材料形成。但是諸如 石英之類的介電材料的昂貴價(jià)格、脆性以及可加工性限制對(duì)包覆護(hù)罩提出一定約束。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的包覆護(hù)罩500。圖5描述了已經(jīng)預(yù)涂覆有 介電涂層520并設(shè)置在放電管110附近的管510，以使在該管510內(nèi)的氣體體積容量可更完 全地被離子化以實(shí)現(xiàn)更多的分裂。在該實(shí)施方式中，放電管110是具有單個(gè)天線115的線 性放電管。在另一實(shí)施方式中，包覆護(hù)罩500由包覆有導(dǎo)體(未示出)的石英管構(gòu)成。代 替預(yù)涂覆有介電涂層的導(dǎo)體，現(xiàn)在使用包覆或涂覆有導(dǎo)電層的介電基體材料。此處對(duì)基體 材料510上的介電涂層520的所有參考都僅用于說(shuō)明，且在本申請(qǐng)中也理解使用涂覆有導(dǎo) 電層的介電材料的包覆護(hù)罩的結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道與本發(fā)明是一致的很多修改， 這些修改包括非線性放電管和隙縫天線。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，管(tube) 510可涂覆有氧化鋁以形成介電涂層520。 根據(jù)系統(tǒng)要求可使用其它介電材料來(lái)形成介電涂層520。本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道與本發(fā)明
一致的變型。圖5中的實(shí)施方式也示出了具有可變槽孔540的狹槽(slot) 530。該狹槽530的 改變能用于控制諸如UV輻射的密度、內(nèi)部和外部壓力差以及進(jìn)入管或從管出來(lái)的流量這 樣的工藝參數(shù)。狹槽530也可以是固定尺寸。護(hù)罩的構(gòu)造可以多種方式變化，包括尺寸、形 狀、材料、護(hù)罩?jǐn)?shù)目、狹槽數(shù)目、增加外部金屬護(hù)罩以將損耗的電磁輻射反射回等離子體輸 送管(pipe)空間內(nèi)，等等。例如，管510可由金屬以外的材料構(gòu)成。雖然金屬本身不會(huì)產(chǎn) 生所需的包覆效果，但是通過(guò)用介電材料來(lái)預(yù)涂覆金屬能產(chǎn)生有效的包覆護(hù)罩500。而且， 金屬也能將電磁輻射反射回放電管110用于增加離子化效率。在另一實(shí)施方式中，諸如石 英管這樣的介電體包覆有諸如金屬這樣的導(dǎo)電層，以獲得所需的包覆效果和對(duì)電磁輻射的 反射。通過(guò)利用包覆護(hù)罩，且通過(guò)在將包覆護(hù)罩用在PECVD工藝中之前用介電涂層預(yù)涂 覆基體材料，將明顯減少系統(tǒng)將必須脫機(jī)以清洗的時(shí)間。這是因?yàn)榻殡姴牧夏茉赑ECVD工 藝期間維持高溫。對(duì)于大多數(shù)工藝，在200-300°C左右的溫度下，介電涂層將排斥(resist) 包圍放電管的表面上的沉積物并最終剝落。此外，利用包覆護(hù)罩且用介電涂層預(yù)涂覆任一 基體材料將極大減少PECVD系統(tǒng)的任一預(yù)啟動(dòng)時(shí)間。通常，PECVD系統(tǒng)必須被預(yù)啟動(dòng)以允 許在包圍放電管的表面上形成沉積層。這允許在開(kāi)始沉積工藝之前使等離子體密度穩(wěn)定。 本發(fā)明允許立即穩(wěn)定等離子體密度，因此減少了預(yù)啟動(dòng)時(shí)間。圖5的示例性包覆護(hù)罩500也可用作維持離子化最小背景等級(jí)的功率源。通過(guò)用
8介電涂層520預(yù)涂覆管510，該管510由電導(dǎo)體構(gòu)成，保留了包覆護(hù)罩的所有益處，并且增加 的益處是包覆護(hù)罩500能充當(dāng)預(yù)離子化等離子體的功率源。在一個(gè)實(shí)施方式中，可將功率 源施加到包覆護(hù)罩500的導(dǎo)電部分上以維持等離子體離子化的最小背景等級(jí)并增加離子 化效率。在另一實(shí)施方式中，可將導(dǎo)電材料(未示出)增加到管510上，然后該管510和該 導(dǎo)電材料(未示出)都用介電涂層520預(yù)涂覆。本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道與本發(fā)明一致的替 代系統(tǒng)和方法。圖6示出了與本發(fā)明一致的包覆護(hù)罩600的另一實(shí)施方式。圖6中，示出了可用 在PECVD工藝中的包覆護(hù)罩600的截面視圖。該實(shí)施方式中，示出放電管110和輔助氣體 管120由包覆護(hù)罩600部分包圍。使用介電涂層520在諸如金屬這樣的基體材料610上形 成該包覆護(hù)罩600。在此，示出包覆護(hù)罩600具有圓形剖面，這里，該包覆護(hù)罩中的孔420最 接近襯底135。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可使用任一剖面，并且此處示出的圓形剖面僅 是示例性的?？墒褂锰娲拭鎭?lái)控制某些工藝參數(shù)。例如，可使用增加輔助氣體共振時(shí)間 的剖面以進(jìn)一步增加離子化效率。如前所討論的，預(yù)涂覆在基體材料610上的介電涂層520在微波脈沖期間將加熱。 之前已經(jīng)討論了允許介電涂層520加熱的益處。但是加熱可能導(dǎo)致保持固定到基體材料 610上的介電涂層520的問(wèn)題。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，可使用溫度控制系統(tǒng)(未示 出)來(lái)幫助控制基體材料610的溫度?？稍诮殡娡繉?20附近加熱和進(jìn)一步冷卻基體材料 610?？衫美鋮s來(lái)保持基體材料610不影響系統(tǒng)的外部并防止變形(warping)。通過(guò)控制 跨介電涂層520和通過(guò)基體材料610的熱梯度，能夠在不損失介電涂層520自身粘附性的 情況下保持高溫介電涂層520的益處。圖6中進(jìn)一步示出了設(shè)置在包覆護(hù)罩600中的孔420之上的等離子體物種引出柵 620 (plasma species extraction grid)。該等離子體物種引出柵620可用于激勵(lì)和從在 放電管110附近產(chǎn)生的等離子體引出離子、電子或其它等離子體物種。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí) 施方式中，DC、RF或AC電勢(shì)可施加到等離子體物種引出柵620，以加速并控制包覆護(hù)罩600 外部的離子或其它等離子體物種的方向。在另一實(shí)施方式中，施加到該等離子體物種引出 柵620的電勢(shì)也可用于維持功率脈沖之間等離子體離子化的最小背景等級(jí)。在與本發(fā)明一致的實(shí)施方式中，通過(guò)圖6中的輔助氣體管120引入輔助氣體。輔 助氣體的激發(fā)通過(guò)對(duì)該氣體施加來(lái)自天線115的微波功率而實(shí)現(xiàn)。自由電子從施加的微波 場(chǎng)獲得能量并與中性氣體原子相碰撞，由此離子化這些原子，包括分裂輔助氣體來(lái)形成等 離子體。該等離子體含有部分離子化的氣體，其由大濃度受激原子、分子、離子和自由游離 基物種組成。這些粒子撞擊襯底135，并根據(jù)所采用的工藝清洗襯底135，改善表面或者去 除多余的電荷。這些受激物種和設(shè)置在等離子體當(dāng)中或附近的固體表面之間的相互作用導(dǎo) 致材料表面的化學(xué)和物理改性(modification)。但是在大部分微波基工藝中，離子不能獲得能到達(dá)襯底135的足夠能量。通過(guò)將 等離子體物種引出柵620設(shè)置在孔420之上并施加電勢(shì)，能加速并導(dǎo)向離子或其它等離子 體物種使得它們撞擊襯底135。在一個(gè)實(shí)施方式中，微波功率等離子體源可被用作離子源。 根據(jù)施加到等離子體物種引出柵620的電勢(shì)，在不同的電子電壓下這種離子源可能產(chǎn)生高 離子密度。盡管等離子體物種引出柵620可由與本發(fā)明一致的很多材料構(gòu)成，但是使用諸如鎢之類的蝕刻阻擋材料有助于防止來(lái)自等離子體物種引出柵620自身的任何濺射效應(yīng)。而 且，通過(guò)允許等離子體物種引出柵620加熱，也能防止于等離子體物種引出柵620上的沉積 以及任何隨后的剝落。根據(jù)本發(fā)明，可將等離子體物種引出柵620添加到很多微波功率源系統(tǒng)中。通過(guò) 當(dāng)前實(shí)施方式對(duì)等離子體物種引出柵620的描述是實(shí)例，且并非意圖限制本發(fā)明。例如，在 另一實(shí)施方式中，等離子體物種引出柵620可添加到圖5的孔540之上。本領(lǐng)域技術(shù)人員 知道與本發(fā)明一致的很多系統(tǒng)和方法?，F(xiàn)在往回參考圖4，示出將等離子體物種引出柵620設(shè)置在包覆護(hù)罩400的孔420 之上。在示例性系統(tǒng)的操作期間，等離子體630形成在放電管110周圍。在該實(shí)施方式中， 包覆護(hù)罩400的形狀和孔420的尺寸能幫助將任何逃逸的離子或其它等離子體物種向下導(dǎo) 向襯底。與本發(fā)明的實(shí)施方式一致，等離子體物種引出柵620也能用于進(jìn)一步控制、加速和 激勵(lì)離子或其它等離子體物種。示出將這些引出的等離子體物種640正被導(dǎo)向襯底135。圖7示出了與本發(fā)明一致的具有替代剖面的包覆護(hù)罩700?？筛淖儼沧o(hù)罩700 的形狀以控制表面處理特性。例如，對(duì)于特定能量物種和游離基/亞穩(wěn)定條件可在各種應(yīng) 用中優(yōu)化包覆護(hù)罩的形狀，以實(shí)現(xiàn)特定的沉積或蝕刻材料特性。該實(shí)施方式中，構(gòu)造具有更 多三角形剖面的包覆護(hù)罩700。示例性剖面為從輔助氣體管120供應(yīng)的輔助氣體形成增加 的擋板(baffle)。該增加的擋板延長(zhǎng)輔助氣體的共振時(shí)間。由于至少一些氣體以從輔助氣 體管120流出來(lái)通過(guò)包覆護(hù)罩700中的孔420并向下流向襯底135花費(fèi)的時(shí)間增加，因此 共振時(shí)間較長(zhǎng)。增加的共振時(shí)間允許增加的離子化效率和輔助氣體的較強(qiáng)分裂。本領(lǐng)域技 術(shù)人員知道與本發(fā)明一致的其它剖面?？筛鶕?jù)特定應(yīng)用來(lái)構(gòu)造各種剖面。本發(fā)明在構(gòu)造這種剖面中允許更大靈活性?？?使用與介電材料相比具有更好加工性和更低成本的基體材料來(lái)用于形成任何形狀的剖面。 與本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式一致，然后用介電涂層預(yù)涂覆這些剖面來(lái)形成包覆護(hù)罩。本領(lǐng)域 技術(shù)人員能夠構(gòu)造與本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式一致的很多剖面。圖8中，是用于放電管110靜態(tài)陣列的包覆護(hù)罩800的示例性實(shí)施方式的圖示。 圖8示出了與本發(fā)明一致的可在PECVD工藝中使用的包覆護(hù)罩800的截面視圖。在該示 例性實(shí)施方式中，示出了被包覆護(hù)罩800部分包圍的放電管110和輔助氣體管120的靜態(tài) 陣列。使用諸如金屬之類的基體材料610上的介電涂層520形成的包覆護(hù)罩800被設(shè)置 成使得孔420將從輔助氣體管120出來(lái)的氣體通過(guò)孔420向下導(dǎo)向襯底135。該示例性實(shí) 施方式中，包覆護(hù)罩800具有稍橢圓的剖面。如前所討論的，可使用與本發(fā)明一致的其它 剖面。本實(shí)施方式也使用沿著放電管110的靜態(tài)陣列的一致剖面。這只是示例性的。本 領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到與本發(fā)明一致的很多變化和修改。而且，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí) 到，等離子體物種引出柵620能設(shè)置在孔420之上，以獲得在此描述的等離子體物種定向 (directionalization)禾口力口速的益處。根據(jù)圖8中的基體材料，包覆護(hù)罩800也能用于阻擋在天線115之間能量傳輸或 者允許在天線115之間能量傳輸。能量阻擋基體材料610的益處參考圖5進(jìn)行了討論，而 允許在天線之間能量傳輸?shù)囊嫣帉⒖紙D9進(jìn)行討論。從本發(fā)明中不能理解出限制可用作 基體材料610的材料類型?，F(xiàn)在參考圖9，是與本發(fā)明一致的另一實(shí)施方式的圖示。在該實(shí)施方式中，示出由包覆護(hù)罩900部分包圍的放電管110和輔助氣體管120的靜態(tài)陣列。使用介電分壓器 910 (dielectric divider)放置在放電管110之間而構(gòu)成包覆護(hù)罩900。通過(guò)使用定位在 放電管110之間的介電分壓器910，允許在天線115之間能量傳輸。該能量傳輸能夠用于產(chǎn) 生維持每個(gè)放電管UO周圍等離子體所需的預(yù)離子化效應(yīng)，同時(shí)天線115處于其功率周期 的空閑相位。例如，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，相鄰天線110可通過(guò)定相(phasing)脈沖 源的時(shí)序控制來(lái)控制?？蓪?shí)施該定相使得由于從相鄰天線115傳輸?shù)哪芰慷虼司S持等離 子體離子化的最小背景等級(jí)。然后，將介電分壓器910連接至諸如金屬之類的基體材料610。用介電涂層520在 至少任何暴露至放電管110并幫助部分圍繞放電管110的表面上預(yù)涂覆基體材料610。圖 9還示出了使用預(yù)涂覆在諸如金屬之類的擋板材料920上的介電涂層520形成的擋板。已 經(jīng)增加擋板來(lái)幫助增加來(lái)自輔助氣體管120的氣體的共振時(shí)間?？墒褂闷渌螤詈驮O(shè)計(jì)來(lái) 控制其它工藝參數(shù)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，可用微波反射材料如金屬構(gòu)造擋板材料920，使得通 過(guò)天線115發(fā)射出的一些能量將被反射回放電管110周圍的等離子體。本領(lǐng)域技術(shù)人員將 認(rèn)識(shí)到能對(duì)尺寸、形狀、物質(zhì)組成等進(jìn)行與本發(fā)明一致的很多修改。例如，可去除該實(shí)施方 式中的擋板?；蛘?，可改變介電分壓器910的形狀和/和取向以形成擋板。往回參考圖8和9，每一個(gè)都含有放電管110的靜態(tài)陣列。在每一個(gè)放電管內(nèi)是天 線115。該天線115可是線性天線、隙縫天線、非線性天線等。使用介電涂層520以形成包覆 護(hù)罩能幫助減小包覆護(hù)罩的尺寸并由此減小靜態(tài)陣列內(nèi)天線115所需的間隔(spacing)。 在減小的天線115之間的間隔的情況下，能實(shí)現(xiàn)更均勻的膜特性。在小的系統(tǒng)中，天線 115可如圖10中所示的多次級(jí)聯(lián)且可以是每一個(gè)級(jí)聯(lián)天線1060之間的功率開(kāi)縫(power split)。但是，如果當(dāng)前使用的發(fā)生器存在功率限制，則對(duì)于較大系統(tǒng)該構(gòu)造將不會(huì)產(chǎn)生有 效的功率密度。而且，在同軸微波的典型應(yīng)用中，微波發(fā)生器1010盡可能接近天線接頭(antenna stub) 1040和天線1050設(shè)置以最小化功率損耗。圖10示出了與現(xiàn)有技術(shù)一致的微波波導(dǎo) 1020、阻抗轉(zhuǎn)換部1030、彎管(elbow) 1070、和可移動(dòng)活塞(plunger) 1080。如圖10中可見(jiàn)， 波導(dǎo)1020和阻抗轉(zhuǎn)換部1030的長(zhǎng)度保持微波發(fā)生器1010遠(yuǎn)離天線接頭1040和天線1050。 除由于微波發(fā)生器1010和天線接頭1040之間的較大距離導(dǎo)致的增加的功率損耗之外，波 導(dǎo)1020和阻抗轉(zhuǎn)換部1030的尺寸已使得構(gòu)造和容納PECVD系統(tǒng)不易操作且很困難。利用 現(xiàn)有技術(shù)，PECVD系統(tǒng)的制造已受單個(gè)波導(dǎo)部件可用性的限制。集成波導(dǎo)1020和阻抗轉(zhuǎn)換 部1030能夠減小波導(dǎo)尺寸，以利于可利用性和功率效率。圖11和12示出了與本發(fā)明一致的具有阻抗轉(zhuǎn)換部1100的集成微波波導(dǎo)。如圖 11中可見(jiàn)的，通過(guò)將波導(dǎo)和阻抗轉(zhuǎn)換部1110集成到波導(dǎo)區(qū)塊(waveguideblock) 1120中，微 波發(fā)生器1010能被設(shè)置成較接近天線接頭1040和1050，以增加功率密度。雖然圖11和 12中描述了波導(dǎo)區(qū)塊1120作為單片材料，但是其內(nèi)部是具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)， 該描述決沒(méi)有限制本發(fā)明的意圖。在另一實(shí)施方式中，波導(dǎo)區(qū)塊1120可包括兩片材料，這 里，具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)在天線接頭1040處連接。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到 可作出很多與本發(fā)明一致的修改。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)可被加工成由鋁、銅、黃銅或銀構(gòu)成的波導(dǎo)區(qū)塊1120。這可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)，將兩個(gè)減縮導(dǎo)管(tapered conduit)適當(dāng)加工成波導(dǎo)區(qū)塊1120使得減縮導(dǎo)管始于波導(dǎo)區(qū)塊表面并終于天線接頭 1040。在該實(shí)施方式中，微波信號(hào)能在整個(gè)波導(dǎo)部分傳輸(transition)，完全集成了波導(dǎo) 1020和阻抗轉(zhuǎn)換部1030。在這種實(shí)施方式中，具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)實(shí)質(zhì)上消 除了任何分離的波導(dǎo)部分。這允許建立較必須使用分離的波導(dǎo)部分1020、彎管1070和阻抗 轉(zhuǎn)換部分1030的波導(dǎo)小很多的具有集成微波波導(dǎo)的波導(dǎo)區(qū)。在另一實(shí)施方式中，兩個(gè)導(dǎo)管可被加工成波導(dǎo)區(qū)1020以形成波導(dǎo)部分。這些導(dǎo)管 可形成自波導(dǎo)區(qū)塊(waveguide block) 1120表面到波導(dǎo)區(qū)1120中的通路(channel)。然后 這些通路可與阻抗轉(zhuǎn)換部分連接以形成具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)。在該實(shí)施方式 中，波導(dǎo)部分和轉(zhuǎn)換部分被部分地集成從而形成具有阻抗轉(zhuǎn)換部1110的集成波導(dǎo)。本領(lǐng)域 技術(shù)人員將知道與本發(fā)明一致的各種修改和變型。圖11和12中還示出了與本發(fā)明一致的設(shè)置在與微波發(fā)生器1010相對(duì)的集成波 導(dǎo)1100 —側(cè)上的可移動(dòng)活塞1080。該可移動(dòng)活塞1080可移動(dòng)以便調(diào)諧波導(dǎo)。圖11和12 中，該可移動(dòng)活塞1080能向上和向下移動(dòng)從而將微波節(jié)點(diǎn)移向天線接頭1040。除了使部件的空間減至最小程度之外，還發(fā)現(xiàn)，如圖12中所示，與天線1050相比， 通過(guò)使集成微波波導(dǎo)1100改變90度，進(jìn)一步增加了功率密度。在一個(gè)實(shí)施方式中，單個(gè)級(jí) 聯(lián)功率隙縫天線(single cascade power split antenna) 1210可與本發(fā)明一起使用。如 圖11和12中所示，本發(fā)明中的天線接頭1040可設(shè)置成比圖10中的天線接頭1040更接近。 由于天線接頭1040更接近地設(shè)置在一起，因此天線1050不必是多次功率開(kāi)縫以便達(dá)到所 需間隙。對(duì)于較大系統(tǒng)，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)之前不可能實(shí)現(xiàn)的有效功率密度。本領(lǐng)域技術(shù)人 員將認(rèn)識(shí)到能作出與本發(fā)明一致的很多修改?？傊似渌?，本發(fā)明提供一種用于制造電子、離子和游離基原子和分子的系 統(tǒng)和方法，用于表面處理和膜化學(xué)特性以及膜結(jié)構(gòu)、形成和改變。本領(lǐng)域技術(shù)人員能容易認(rèn) 識(shí)到，在本發(fā)明中可作出很多變型和替換、其使用以及其構(gòu)造，以實(shí)現(xiàn)與在此描述的實(shí)施方 式所實(shí)現(xiàn)的結(jié)果基本相同的結(jié)果。因此，并不意圖將本發(fā)明限于所公開(kāi)的示例性形式。很 多變型、修改和替換結(jié)構(gòu)都落入到在權(quán)利要求中所表達(dá)的已公開(kāi)發(fā)明的范圍和構(gòu)思內(nèi)。
權(quán)利要求
一種集成微波波導(dǎo)包括波導(dǎo)區(qū)塊；在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第一波導(dǎo)部分；在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第二波導(dǎo)部分；與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第一波導(dǎo)部分集成的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第一阻抗部分包括具有第一端和第二端的第一導(dǎo)管，其中該第一導(dǎo)管從該第一端到該第二端逐漸變細(xì)；和與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第二波導(dǎo)部分集成的第二阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第二阻抗部分包括具有第三端和第四端的第二導(dǎo)管，其中該第二導(dǎo)管從該第三端到該第四端逐漸變細(xì)，并且其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的該第二端與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的該第四端相連接。
2.如權(quán)利要求1的集成微波波導(dǎo)，其該第一波導(dǎo)部分包括具有第五端和第六端的第三 導(dǎo)管，其中該第一波導(dǎo)部分的第五端連接至該波導(dǎo)區(qū)塊的表面。
3.如權(quán)利要求2的集成微波波導(dǎo)，其中該第二波導(dǎo)部分包括具有第七端和第八端的第 四導(dǎo)管，其中該第二波導(dǎo)部分的第七端連接至該波導(dǎo)區(qū)塊的表面。
4.如權(quán)利要求2的集成微波波導(dǎo)，其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第一端是該第一波導(dǎo)部 分的第五端，并且該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第二端是該第一波導(dǎo)部分的第六端。
5.如權(quán)利要求2的集成微波波導(dǎo)，其中該第一波導(dǎo)部分的第六端與該第一阻抗轉(zhuǎn)換部 分的第一端相連接。
6.如權(quán)利要求3的集成微波波導(dǎo)，其中該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的第三端是該第二波導(dǎo)部 分的第七端，并且該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的第四端是該第二波導(dǎo)部分的第八端。
7.如權(quán)利要求3的集成微波波導(dǎo)，其中該第二波導(dǎo)部分的第八端與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部 分的第三端連接。
8.如權(quán)利要求1的集成微波波導(dǎo)，其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第二端與該第二阻抗轉(zhuǎn) 換部分的第四端在天線接頭處連接。
9.如權(quán)利要求8的集成微波波導(dǎo)，其中該天線接頭被配置用于與該第一波導(dǎo)部分和該 第一阻抗轉(zhuǎn)換部分成約90度角定向的天線。
10.如權(quán)利要求1的集成微波波導(dǎo)，進(jìn)一步包括連接至該第一波導(dǎo)部分的微波發(fā)生器；和連接至該第二波導(dǎo)部分的可移動(dòng)活塞。
11.如權(quán)利要求1的集成微波波導(dǎo)，其中該波導(dǎo)區(qū)塊由鋁、銅、區(qū)塊(block)、黃銅和銀 中至少一種構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求1的集成微波波導(dǎo)，其中該波導(dǎo)區(qū)塊是雙片波導(dǎo)區(qū)塊。
13.一種集成微波波導(dǎo)包括波導(dǎo)區(qū)塊；在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第一阻抗部分包括具有第一端和第二端 的第一導(dǎo)管，其中該第一導(dǎo)管從該第一端到該第二端逐漸變細(xì)，并且其中該第一端連接至 該波導(dǎo)區(qū)塊的表面；以及在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第二阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第二阻抗部分包括具有第三端和第四端 的第二導(dǎo)管，其中該第二導(dǎo)管從該第三端到該第四端逐漸變細(xì)，其中該第三端連接至該波 導(dǎo)區(qū)塊的表面，并且其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的該第二端與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的該第四端相連接。
14.一種用于處理襯底表面的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括 處理室；放置在該處理室內(nèi)部的襯底支架，該襯底支架構(gòu)造為支撐襯底； 設(shè)置在該處理室內(nèi)部的天線； 連接至該天線的集成微波波導(dǎo)； 連接至該集成微波波導(dǎo)的微波發(fā)生器；和 連接至該集成微波波導(dǎo)的可移動(dòng)活塞。
15.如權(quán)利要求14的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括 部分圍繞該天線的至少一個(gè)包覆護(hù)罩。
16.如權(quán)利要求14的系統(tǒng)，其中該天線是功率隙縫天線。
17.如權(quán)利要求14的系統(tǒng)，其中該集成微波波導(dǎo)由鋁、銅、黃銅和銀中至少一種構(gòu)成。
18.一種用于處理襯底表面的方法，該方法包括 建立集成微波波導(dǎo)，其中該建立包括將第一波導(dǎo)部分與波導(dǎo)區(qū)塊中的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分集成；將第二波導(dǎo)部分與波導(dǎo)區(qū)塊中的第二阻抗轉(zhuǎn)換部分集成；以及將該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分在波導(dǎo)區(qū)塊中的天線接頭處相連接；將微波發(fā)生器連接至該集成微波波導(dǎo)的該第一波導(dǎo)部分；將可移動(dòng)活塞連接至該集成微波波導(dǎo)的該第二波導(dǎo)部分；將天線與該集成微波波導(dǎo)在該天線接頭處相連接；使用該微波發(fā)生器來(lái)產(chǎn)生微波功率信號(hào)；使用該集成微波波導(dǎo)來(lái)引導(dǎo)該微波功率信號(hào)至天線中；使用該微波功率來(lái)產(chǎn)生圍繞該天線的等離子體；使用該等離子體來(lái)產(chǎn)生至少一種等離子體物種；以及使用由該等離子體所產(chǎn)生的該至少一種等離子體物種來(lái)處理襯底表面。
19.如權(quán)利要求18的方法，其中將該第一波導(dǎo)部分與波導(dǎo)區(qū)塊中的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分 集成包括將該第一波導(dǎo)部分的第二端與該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第三端相連接，其中該第一波導(dǎo) 部分由具有第一端和第二端的第一導(dǎo)管構(gòu)成，其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分由具有第三端和第 四端的第二導(dǎo)管構(gòu)成，其中該第二導(dǎo)管從該第三端到該第四端逐漸變細(xì)。
20.如權(quán)利要求18的方法，其中將該第一波導(dǎo)部分與波導(dǎo)區(qū)塊中的該第一阻抗轉(zhuǎn)換部 分集成包括將該第一波導(dǎo)部分與該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分集成使得該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第三端是 該第一波導(dǎo)部分的第一端并且該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第四端是該第二波導(dǎo)部分的第二端。
21.如權(quán)利要求18的方法，進(jìn)一步包括使用該可移動(dòng)活塞來(lái)控制該微波功率信號(hào)的節(jié)點(diǎn)位置。
全文摘要
描述了一種微波波導(dǎo)和一種關(guān)于微波波導(dǎo)的系統(tǒng)和方法。一個(gè)實(shí)施方式包括一集成微波波導(dǎo)，該集成微波波導(dǎo)包括波導(dǎo)區(qū)塊，在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第一波導(dǎo)部分，在該波導(dǎo)區(qū)塊中的第二波導(dǎo)部分，與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第一波導(dǎo)部分集成的第一阻抗轉(zhuǎn)換部分，以及與該波導(dǎo)區(qū)塊中的該第二波導(dǎo)部分集成的第二阻抗轉(zhuǎn)換部分，其中該第一阻抗部分包括具有第一端和第二端的第一導(dǎo)管，其中該第一導(dǎo)管從第一端到第二端逐漸變細(xì)(tapered)，其中該第二阻抗部分包括具有第三端和第四端的第二導(dǎo)管，其中該第二導(dǎo)管從第三端到第四端逐漸變細(xì)，并且其中該第一阻抗轉(zhuǎn)換部分的第二端與該第二阻抗轉(zhuǎn)換部分的第四端相連接。
文檔編號(hào)H01Q13/00GK101946366SQ200880127027
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2008年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月30日
發(fā)明者邁克爾·W·斯托厄爾 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司