專利名稱：片式陶瓷基電子元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷基片式電子元件的制造方法，特別是應(yīng)用越來越廣泛的片式PTC、片式NTC、片式壓敏電阻的制造方法。
背景技術(shù)：
熱敏電阻、壓敏電阻由于其特殊的電熱性能而廣泛的應(yīng)用于電子線路的過流、過壓、過溫保護(hù)領(lǐng)域以及溫度傳感領(lǐng)域。隨著集成電路的高速發(fā)展，對(duì)表面貼裝熱敏電阻的需求越來越廣。目前對(duì)片式熱敏電阻和壓敏電阻的應(yīng)用以0805、0603為主，并有向0402發(fā)展的趨勢(shì)。如果以多層陶瓷電容器的生產(chǎn)為參考來生產(chǎn)這些電子元件，需要流延機(jī)、疊片機(jī)、內(nèi)電極工藝、等靜壓機(jī)、劃片機(jī)、封端機(jī)、氣氛燒結(jié)爐等一套設(shè)備，還需在流延工藝上摸索以制得適合流延的配方，總投資在三百萬元以上。投資規(guī)模較大，其需求量也遠(yuǎn)達(dá)不到片式電阻和片式電容那么大，投資的風(fēng)險(xiǎn)相對(duì)也就較大。
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于提供一種用現(xiàn)有傳統(tǒng)設(shè)備來生產(chǎn)這幾種表面貼裝片式元件，用較小的投資來生產(chǎn)片式PTC、片式NTC、片式壓敏電阻。
本發(fā)明可以通過以下工藝過程來實(shí)現(xiàn)先由傳統(tǒng)陶瓷工藝制得塊體陶瓷材料，可制得較大尺寸的塊體，通過磨片的方式得到一定厚度的瓷片，瓷片表面被上玻璃釉料，再經(jīng)切割機(jī)得到所需尺寸，切割后得到的是長(zhǎng)條狀瓷片。具體說片式陶瓷基電子元件的制造方法，第一步，通過傳統(tǒng)陶瓷制造方法先制得塊狀陶瓷基體，再經(jīng)磨片；第二步，在磨片的兩個(gè)表面被覆玻璃釉料，再切割成長(zhǎng)條狀；第三步，在長(zhǎng)條狀產(chǎn)品兩個(gè)側(cè)面通過覆蓋歐姆電極和表面電極或者通過化學(xué)鍍鎳的方式產(chǎn)生歐姆接觸；第四步，再經(jīng)過電鍍鎳和電鍍錫形成表面焊接良好的兩層電鍍層；最后，經(jīng)過第二次切割制得所需尺寸片式元件。
所述片式陶瓷基電子元件包括片式PTC、片式NTC和片式壓敏電阻。
其中，所述被覆玻璃釉料作為防電鍍絕緣層，燒結(jié)溫度為500～600℃。
在上述方案基礎(chǔ)上，所述歐姆電極加表面電極或化學(xué)鍍鎳電極構(gòu)成內(nèi)電極，再在其上電鍍鎳層和電鍍錫層。
本發(fā)明切割瓷片用精密劃片機(jī)切割即可。
方案一在長(zhǎng)條兩個(gè)側(cè)面被覆歐姆電極和表面電極，而在被覆了玻璃釉料的上下兩個(gè)表面，再在其表面被兩個(gè)所需長(zhǎng)條的表面銀漿。將制得的長(zhǎng)條經(jīng)電鍍鎳和電鍍錫后，再經(jīng)過切割，即可制得所需尺寸的片式熱敏電阻。
方案二在長(zhǎng)條兩個(gè)側(cè)面化學(xué)鍍鎳，經(jīng)熱處理后得到歐姆接觸，再在被覆了玻璃釉料的上下兩個(gè)表面，再在其表面被兩個(gè)所需長(zhǎng)條的表面銀漿。將制得的長(zhǎng)條經(jīng)電鍍鎳和電鍍錫后，再經(jīng)過切割，即可制得所需尺寸的片式熱敏電阻。
本發(fā)明在投資較小規(guī)模設(shè)備的同時(shí)，可制得片式熱敏電阻，也可用同樣的方法制得壓敏電阻。


本發(fā)明實(shí)施例工藝流程圖。
具體實(shí)施例方式
如附圖本發(fā)明實(shí)施例工藝流程圖所示，片式陶瓷基電子元件的制造方法，第一步，通過傳統(tǒng)陶瓷制造方法先制得塊狀陶瓷基體，再經(jīng)磨片；其中，塊狀陶瓷基體依序經(jīng)配料、球磨、造粒、壓制、燒結(jié)而成。
第二步，在磨片的兩個(gè)表面被覆玻璃釉料，再切割成長(zhǎng)條狀，即玻璃釉層切割；第三步，在長(zhǎng)條狀產(chǎn)品兩個(gè)側(cè)面通過覆蓋歐姆電極和表面電極或者通過化學(xué)鍍鎳的方式產(chǎn)生歐姆接觸，形成端面電極；第四步，再經(jīng)過電鍍鎳和電鍍錫形成表面焊接良好的兩層電鍍層；最后，經(jīng)過第二次切割制得所需尺寸片式元件，即經(jīng)過再切割、分選、編帶、入庫。
實(shí)施例1將PTC熱敏電阻粉體壓制燒結(jié)，得到瓷體30*30*2mm，磨至1.0mm，再經(jīng)被玻璃釉料經(jīng)500～600℃后、切割成寬度為2.0mm的長(zhǎng)條。在切割后的新表面上被上歐姆電極和表面電極，而在玻璃釉料的兩個(gè)表面的兩側(cè)各被上0.4mm的長(zhǎng)條。再經(jīng)電鍍鎳和電鍍錫后，切割成寬度為1.25mm的小元件，此元件即為片式PTC熱敏電阻，尺寸為0805。電阻值約為470歐姆。
實(shí)施例2將NTC熱敏電阻粉體壓制燒結(jié)，得到瓷體30*30*2mm，磨至0.8mm，再經(jīng)被玻璃釉料經(jīng)500～600℃后、切割成寬度為1.6mm的長(zhǎng)條。在切割后的新表面上被上NTC銀漿的電極，而在玻璃釉料的兩個(gè)表面的兩側(cè)各被上0.4mm的長(zhǎng)條電極。經(jīng)電鍍鎳和電鍍錫后，切割成寬度為0.8mm的小元件，此元件即為片式NTC熱敏電阻，尺寸為0603。電阻值約為470歐姆。
從以上結(jié)果可以看出，本發(fā)明能通過較小規(guī)模的投資制得小尺寸的片式NTC熱敏電阻和片式PTC熱敏電阻。也可由同樣的工藝制得片式壓敏電阻。
權(quán)利要求
1.片式陶瓷基電子元件的制造方法，第一步，通過傳統(tǒng)陶瓷制造方法先制得塊狀陶瓷基體，再經(jīng)磨片；第二步，在磨片的兩個(gè)表面被覆玻璃釉料，再切割成長(zhǎng)條狀；第三步，在長(zhǎng)條狀產(chǎn)品兩個(gè)側(cè)面通過覆蓋歐姆電極和表面電極或者通過化學(xué)鍍鎳的方式產(chǎn)生歐姆接觸；第四步，再經(jīng)過電鍍鎳和電鍍錫形成表面焊接良好的兩層電鍍層；最后，經(jīng)過第二次切割制得所需尺寸片式元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式陶瓷基電子元件的制造方法，其特征在于所述片式陶瓷基電子元件包括片式PTC、片式NTC和片式壓敏電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式陶瓷基電子元件的制造方法，其特征在于所述被覆玻璃釉料作為防電鍍絕緣層，燒結(jié)溫度為500～600℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式陶瓷基電子元件的制造方法，其特征在于所述歐姆電極加表面電極或化學(xué)鍍鎳電極構(gòu)成內(nèi)電極，再在其上電鍍鎳層和電鍍錫層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述片式陶瓷基電子元件的制造方法，其特征在于所述切割瓷片用精密劃片機(jī)切割。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陶瓷基片式電子元件的制造方法，特別是應(yīng)用越來越廣泛的片式PTC、片式NTC、片式壓敏電阻的制造方法。片式陶瓷基電子元件的制造方法，第一步，通過傳統(tǒng)陶瓷制造方法先制得塊狀陶瓷基體，再經(jīng)磨片；第二步，在磨片的兩個(gè)表面被覆玻璃釉料，再切割成長(zhǎng)條狀；第三步，在長(zhǎng)條狀產(chǎn)品兩個(gè)側(cè)面通過覆蓋歐姆電極和表面電極或者通過化學(xué)鍍鎳的方式產(chǎn)生歐姆接觸；第四步，再經(jīng)過電鍍鎳和電鍍錫形成表面焊接良好的兩層電鍍層；最后，經(jīng)過第二次切割制得所需尺寸片式元件。本發(fā)明在投資較小規(guī)模設(shè)備的同時(shí)，可制得片式熱敏電阻，也可用同樣的方法制得壓敏電阻。
文檔編號(hào)H01C7/02GK1624816SQ20041009332
公開日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2004年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月21日
發(fā)明者錢朝勇, 沈十林, 周欣山 申請(qǐng)人:上海維安熱電材料股份有限公司