專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件、基片、液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括結(jié)晶度彼此不同的薄膜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體器件、一種該器件的基片、以及一種制造該器件和基片的方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，在薄膜半導(dǎo)體器件例如晶狀薄膜半導(dǎo)體晶體管(TFT)中，半導(dǎo)體材料例如硅的絕緣薄膜在基片上彼此間隔形成，該基片由絕緣材料例如堿玻璃、非堿玻璃或石英玻璃形成。源極區(qū)、漏極區(qū)以及布置于該源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)形成于各絕緣半導(dǎo)體薄膜上，且柵電極通過(guò)柵極絕緣膜布置在各溝道區(qū)上，以便構(gòu)成TFT。
如圖11A至11E所示，上述薄膜半導(dǎo)體器件通常以如下方式制造。
由非單晶半導(dǎo)體(例如非晶或多晶硅)形成的薄膜202通過(guò)底層而形成于絕緣材料(例如玻璃)基片201上(圖11A)。薄膜202的整個(gè)表面用能量射束(例如準(zhǔn)分子激光)203照射，以便使該薄膜202進(jìn)行退火(anneal)/處理，在薄膜202中的半導(dǎo)體進(jìn)行結(jié)晶或再結(jié)晶。也就是，半導(dǎo)體薄膜202的結(jié)晶度提高(該退火/處理的半導(dǎo)體薄膜由圖11B中的參考標(biāo)號(hào)204表示)。其中，結(jié)晶度的意思是“包括晶體部分和非晶部分的結(jié)構(gòu)中的晶體部分的質(zhì)量與整個(gè)樣品的質(zhì)量的比例(百分?jǐn)?shù))。另外，非晶部分可以通過(guò)蝕刻而除去或分離，或者在照射結(jié)構(gòu)中通過(guò)拉曼(Raman)光譜測(cè)量等來(lái)對(duì)微觀上以混合方式存在的晶體部分和非晶部分來(lái)進(jìn)行估計(jì)。也就是，單晶結(jié)構(gòu)的結(jié)晶度為1，而非晶結(jié)構(gòu)的結(jié)晶度為0”。結(jié)晶或再結(jié)晶(也就是提高結(jié)晶度)的半導(dǎo)體薄膜204通過(guò)光刻、蝕刻等而處理成多個(gè)彼此分離的絕緣半導(dǎo)體薄膜205。圖11C只表示了一個(gè)絕緣半導(dǎo)體薄膜205。因此，由材料例如氧化硅(SiO2)形成的柵極絕緣膜206形成于包括絕緣半導(dǎo)體薄膜205表面的基片201上(圖11C)。而且，柵電極207形成于柵極絕緣膜206上，然后，柵電極207用作掩模(mask)，以便可選擇地將雜質(zhì)離子例如磷植入絕緣半導(dǎo)體薄膜205(圖11D)上。因此，在該半導(dǎo)體薄膜中形成摻雜有雜質(zhì)的源極區(qū)209和漏極區(qū)210以及在該源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)211。然后，在源極區(qū)209和漏極區(qū)210上的柵極絕緣膜206部分中形成接觸孔。源電極212和漏電極213形成為通過(guò)在柵極絕緣膜206中的接觸孔與源極區(qū)209和漏極區(qū)210電連接(圖11E)。這樣就完成TFT。
在TFT的制造處理中，用于使非單晶半導(dǎo)體結(jié)晶或再結(jié)晶的上述退火處理是特別重要的處理，因?yàn)橛稍撎幚砩傻陌雽?dǎo)體的結(jié)晶狀態(tài)將影響TFT的特性。下面將參考圖12介紹退火處理的典型實(shí)例。
在圖12中，參考標(biāo)號(hào)301表示準(zhǔn)分子激光源，從該激光源發(fā)射的激光301a入射到射束均化器302上。因此，射束均化器302定形成激光301a，從而獲得均勻的光強(qiáng)度，并獲得矩形截面(例如150mm×200μm)，該光入射到基片201上的非單晶半導(dǎo)體薄膜202上。因此，由激光照射的矩形區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶。在該操作中，當(dāng)基片201沿箭頭所示方向(也就是沿與激光的狹槽形區(qū)域的縱向方向成直角的方向)間歇運(yùn)動(dòng)時(shí)，該半導(dǎo)體薄膜202的基本整個(gè)表面都由該激光均勻照射并結(jié)晶。
在隨后的處理中，如參考圖11B至11E所示，結(jié)晶的半導(dǎo)體薄膜分成絕緣部分。對(duì)于顯示器裝置例如液晶顯示器，相對(duì)于像素起到轉(zhuǎn)換裝置作用的多個(gè)TFT形成于相同基片上，以便形成有源矩陣型電路。
當(dāng)構(gòu)成實(shí)際液晶顯示器時(shí)，用于像素的TFT用于各像素，因此需要形成于基片201的中心部分(由圖13中的201a表示的區(qū)域)。另一方面，用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT布置在基片201的空閑區(qū)域中，也就是布置在基片201的外周部分上(由圖13中的201b表示的區(qū)域)，該驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成驅(qū)動(dòng)液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)器電路。而且，因?yàn)橛糜谙袼氐腡FT與用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT所需的特征不同，因此通常以不同方法來(lái)形成晶體管。例如，因?yàn)橛糜谙袼氐腡FT需要相對(duì)較高的承受電壓，因此希望形成非晶半導(dǎo)體薄膜或多晶半導(dǎo)體薄膜來(lái)作為基礎(chǔ)(溝道)。因?yàn)橛糜隍?qū)動(dòng)電路的TFT需要快速轉(zhuǎn)換特征，因此希望形成活動(dòng)性較大的多晶或單晶半導(dǎo)體薄膜來(lái)作為基礎(chǔ)。因此，兩種類(lèi)型的TFT需要以不同方法制造，這樣的缺點(diǎn)是制造很費(fèi)力。
而且，當(dāng)用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT布置在基片的外周部分中時(shí)，用于像素的TFT必須通過(guò)較長(zhǎng)數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，因此也有產(chǎn)生信號(hào)損失和延遲操作速度的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜半導(dǎo)體器件，它容易制造，并且具有良好的特性例如操作速度；本發(fā)明還提供了可用于該器件的基片陣列(array)、制造它們的方法、液晶顯示器裝置、以及制造該裝置的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片上形成非單晶半導(dǎo)體薄膜的步驟；以及用能量射束照射該非單晶半導(dǎo)體薄膜的退火步驟，以便提高構(gòu)成該非單晶半導(dǎo)體薄膜的非單晶半導(dǎo)體的結(jié)晶度。
其中，退火步驟進(jìn)行為用多個(gè)能量射束同時(shí)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜，從而形成多個(gè)單元區(qū)域，每個(gè)單元區(qū)域包括至少一個(gè)由能量射束照射的照射區(qū)域以及至少一個(gè)并不由能量射束照射的非照射區(qū)域。


圖1A至1E是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的、制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法的解釋圖；圖2A是該方法的退火步驟的解釋圖，而圖2B是用于該步驟的掩模部分的平面圖，該掩模包括通孔；圖3是退火步驟的變化實(shí)例的解釋圖；圖4是表示用于圖3中所示的退火步驟的鏡子陣列的平面圖；圖5是表示圖4中所示的鏡子陣列的變化實(shí)例的平面圖；圖6A是表示圖4中所示的鏡陣列的變化實(shí)例的平面圖，圖6B是示意表示鏡陣列的一個(gè)微鏡的透視圖，而圖6C是表示圖6B中所示的微鏡的變化實(shí)例的透視圖；圖7A是LCD基片的一個(gè)實(shí)例的示意圖，該LCD基片是由本發(fā)明的方法制造的薄膜半導(dǎo)體器件，而圖7B是一個(gè)像素區(qū)域的放大圖，該像素區(qū)域是圖7A的單元區(qū)域；圖8A是示意表示LCD基片的另一實(shí)例的一部分的視圖，該LCD基片是通過(guò)本發(fā)明方法制造的薄膜半導(dǎo)體器件，而圖8B是表示在圖8A所示器件中形成的SRAM電路的一個(gè)實(shí)例的視圖；圖9A是表示相移掩模的一個(gè)實(shí)例的平面圖；圖9B和9C是表示相移掩模的另一實(shí)例的透視圖和平面圖；圖9D是入射在利用相移掩模獲得的基片上的激光的光強(qiáng)度分布；圖10A和10B是表示通過(guò)本發(fā)明方法制造的液晶顯示器的LCD基片單元的平面圖以及該液晶顯示器的剖視圖；圖11A至11E是在相關(guān)技術(shù)中制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法的各步驟的解釋圖；圖12是該普通方法的退火步驟的解釋圖；以及圖13是表示用于像素的TFT的布置范圍以及用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT的布置范圍的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考圖1A至1E介紹根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)薄膜半導(dǎo)體器件和制造該器件的方法。
如圖1A所示，底層102和非晶半導(dǎo)體薄膜103利用已知膜形成技術(shù)(例如化學(xué)氣相形成方法和濺射方法)連續(xù)形成于透明矩形基片101(圖1A中只表示了一部分)的一個(gè)平表面上，該基片101由絕緣材料(例如堿玻璃、石英玻璃、塑料或聚酰亞胺)形成。底層102由層疊的膜形成，該層疊膜例如包括厚度為50nm的SiN膜102a以及厚度為100nm的SiO2膜102b。SiN膜102a防止雜質(zhì)從由玻璃等形成的基片101中擴(kuò)散到非晶半導(dǎo)體薄膜103中。該SiO2膜102b防止氮從SiN膜102a擴(kuò)散到非晶半導(dǎo)體薄膜103中。非晶半導(dǎo)體薄膜103由厚度為大約50nm至200nm的半導(dǎo)體例如Si、Ge或SiGe形成，在本實(shí)施例中為Si。
然后，如圖1B和1C所示，利用準(zhǔn)分子激光104(該準(zhǔn)分子激光104為例如KrF或XeCl準(zhǔn)分子激光的能量射束)選擇性地照射該非晶半導(dǎo)體薄膜103的表面，以便形成多個(gè)單元區(qū)域，各單元區(qū)域包括已經(jīng)照射的區(qū)域105(下文中稱(chēng)為照射區(qū)域)，該區(qū)域105布置成靠近未照射的區(qū)域106(下文中稱(chēng)為非照射區(qū)域)(為了容易理解，圖1B只表示了包括照射區(qū)域和非照射區(qū)域的一個(gè)單元區(qū)域)。通過(guò)該激光照射，照射區(qū)域105將退火處理和熔化，非晶半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變成多晶或單晶半導(dǎo)體，也就是提高結(jié)晶度。因此，非照射區(qū)域106保持非晶半導(dǎo)體。在液晶顯示器的制造方法中，照射區(qū)域105是用于形成用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT的區(qū)域，該TFT需要有快速轉(zhuǎn)換特征。非照射區(qū)域106是用于形成用于像素的TFT的區(qū)域，該TFT能承受高電壓。
然后，光刻技術(shù)用于選擇性地蝕刻照射區(qū)域105和底層102，并形成兩個(gè)第一絕緣區(qū)域105a和一個(gè)第二絕緣區(qū)域106a。由SiO2形成且厚度為20nm至100nm的柵極絕緣膜107利用類(lèi)似于上述技術(shù)的膜形成技術(shù)而形成在包括絕緣區(qū)域105a、105b的基片上(準(zhǔn)確地說(shuō)在底層102上)。柵電極108形成于該柵極絕緣膜107的、與絕緣區(qū)域105a、106a的中部相對(duì)的部分上。這些柵電極108通過(guò)對(duì)硅化物或MoW層構(gòu)圖而形成。
然后，如圖1D所示，柵電極108用作掩模，以便將雜質(zhì)離子109植入絕緣區(qū)域105a、106a中，并通過(guò)溝道區(qū)域而形成源極區(qū)和漏極區(qū)。該雜質(zhì)離子包括用于形成N溝道MOS晶體管的N型雜質(zhì)(例如磷)以及用于形成P溝道MOS晶體管的P型雜質(zhì)(例如硼)。所形成的器件在氮?dú)庵型嘶?在450℃下一小時(shí))，并激活植入的雜質(zhì)。
然后，由SiO2形成的中間層絕緣膜110形成于包括柵電極108的柵極絕緣膜107上。中間層絕緣膜110和柵極絕緣膜107的、在摻雜有雜質(zhì)的絕緣區(qū)域105a、106a部分(源極區(qū)和漏極區(qū))上的部分進(jìn)行局部蝕刻并除去，以便形成接觸孔。
然后，如圖1E所示，通過(guò)接觸孔與源極區(qū)和漏極區(qū)電連接的源電極111a和漏電極111b形成于柵極絕緣膜107上，以便完成該薄膜半導(dǎo)體器件。
然后，下面將參考圖2A和2B詳細(xì)介紹參考圖1B和1C所述的、通過(guò)準(zhǔn)分子激光進(jìn)行的退火步驟。
在圖2A中，參考標(biāo)號(hào)401表示準(zhǔn)分子激光源，它是能量射束的發(fā)射裝置。準(zhǔn)分子激光源可以為已知源，例如KrF、ArF或XeCl。而且，可以采用使半導(dǎo)體薄膜結(jié)晶所需的任意激光源功率。例如，當(dāng)非晶硅形成于微晶硅中時(shí)，可以使用低功率。而且，當(dāng)非晶硅形成于單晶中時(shí)，可以使用高功率。由準(zhǔn)分子激光源發(fā)出的激光401a由鏡子400反射，并入射到射束均化器402上。因此，射束均化器402使激光401a定形成強(qiáng)度均勻，且截面形狀為矩形(例如150mm×200μm)，并使光能夠入射到固定于該射束均化器402和基片101之間的掩模404上。如圖2B所示，掩模404由基本正方形金屬板404b形成，其中，多個(gè)寬度為大約5至10μ的正方形通孔(也就是微孔404a)形成為矩陣形式，也就是，微孔404a形成為沿X和Y方向?qū)R。掩模404設(shè)置成這樣，即入射在掩模404上的入射光的一部分將入射到微孔404a、通過(guò)微孔404a、并通過(guò)布置在基片101的前表面附近的相移掩模450(后面將介紹)入射到基片101上。而且，入射在除微孔404a之外的其它部分的表面上(也就是板404b表面)的光部分將被反射，并防止它們?nèi)肷涞交?01上。金屬板404b也可以以與反射該入射光不同的方法構(gòu)成，例如吸收該光，以便防止光入射到基片101上。在本實(shí)施例中，微孔404a的形狀為正方形，但是也可以采用其它形狀，例如矩形、圓形、三角形或六邊形。而且，微孔404a需要規(guī)則布置，如圖2B所示，也可以不規(guī)則布置。也可選擇，規(guī)則和不規(guī)則布置的微孔和/或有不同形狀的微孔也可以以混合方式布置。掩模404有基本正方形形狀，但并不是必須有這樣的形狀，而是可以有與入射的能量射束的截面相同的形狀和尺寸，但形狀和尺寸不能與基片101基本相同。例如，在本實(shí)施例中，因?yàn)槿肷涞臏?zhǔn)分子激光為具有150mm×200μm的截面的狹槽狀光，掩模可以有相同或更小的尺寸。在本實(shí)施例中，因?yàn)榛?01沿X和Y方向運(yùn)動(dòng)，掩模的尺寸可以大大小于該基片的尺寸。
當(dāng)激光403入射到基片101上時(shí)，準(zhǔn)確地說(shuō)通過(guò)如上述構(gòu)成的掩模404入射到基片101上的半導(dǎo)體薄膜103上時(shí)，半導(dǎo)體薄膜103由具有與掩模404的微孔404a相對(duì)應(yīng)構(gòu)圖的激光照射。也就是，半導(dǎo)體薄膜103由通過(guò)多個(gè)相互獨(dú)立的微孔404a的多個(gè)激光束照射，以便形成多個(gè)矩形照射區(qū)域以及與由掩模404反射的激光部分相對(duì)應(yīng)的非照射區(qū)域。如上所述，照射區(qū)域的半導(dǎo)體薄膜的非晶半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變成多晶或單晶半導(dǎo)體，而非照射區(qū)域的半導(dǎo)體仍然為非晶狀態(tài)。在本發(fā)明中，在各掩模中，至少一個(gè)照射區(qū)域和布置在該照射區(qū)域附近的至少一個(gè)非照射區(qū)域形成一個(gè)單元區(qū)域。也就是，像素區(qū)域(嚴(yán)格地說(shuō)形成像素和用于該像素的半導(dǎo)體器件的區(qū)域)形成于LCD中，且多個(gè)這樣的單元區(qū)域規(guī)則或不規(guī)則地布置在基片上。
在上述退火步驟中形成的各單元區(qū)域的多晶區(qū)域(照射區(qū)域)和非晶區(qū)域(非照射區(qū)域)中的一個(gè)或兩個(gè)被構(gòu)圖，也就是，進(jìn)行所謂的島切處理，以便形成至少一個(gè)單晶絕緣薄膜和至少一個(gè)非晶絕緣薄膜。也就是，對(duì)半導(dǎo)體薄膜構(gòu)圖，以便在各單元區(qū)域中的非晶絕緣薄膜附近形成單晶絕緣薄膜。然后，如上面參考圖1D和1E所述，各絕緣半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成為基底，以便形成TFT，從而完成薄膜半導(dǎo)體器件。
對(duì)于這樣制造的薄膜半導(dǎo)體器件，優(yōu)選是多個(gè)單元區(qū)域相互接近地形成于基層上(單獨(dú)的基片或者普通意義上的基片，即如本實(shí)施例中包括形成于基片上的某些層)。在各單元中，至少一個(gè)第一半導(dǎo)體器件由通過(guò)能量射束進(jìn)行了退火處理的半導(dǎo)體薄膜形成，且至少一個(gè)第二半導(dǎo)體器件由未退火處理的半導(dǎo)體薄膜形成。因此，因?yàn)榈谝缓偷诙雽?dǎo)體器件在由具有不同結(jié)晶度的相同材料形成的半導(dǎo)體薄膜基礎(chǔ)上形成，因此這些器件的特征不同。例如，第一半導(dǎo)體器件有很高的轉(zhuǎn)換速度，因?yàn)槠骷亩嗑О雽?dǎo)體薄膜具有高活動(dòng)性電子或空穴。對(duì)于第二半導(dǎo)體器件，非晶半導(dǎo)體有很高的電場(chǎng)阻。因此，當(dāng)半導(dǎo)體器件用作LCD基片陣列時(shí)，第一半導(dǎo)體器件用作用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT，而第二半導(dǎo)體器件用作用于像素的TFT。這樣，可以滿(mǎn)足液晶顯示器(LCD)所需的特征。這樣，因?yàn)橛糜隍?qū)動(dòng)電路的TFT明顯可以布置在用于像素的TFT附近，使兩個(gè)晶體管彼此電連接的線(xiàn)路的長(zhǎng)度可以減小，并提高響應(yīng)。使用掩模404的照射區(qū)域也有效用于在制造第一半導(dǎo)體器件中的定位。
在上述實(shí)施例中，其中形成有微孔404a的掩模404用作將能量射束分成多個(gè)射束的裝置，以便選擇地照射半導(dǎo)體薄膜，但是本發(fā)明并不局限于此。下面將介紹一個(gè)實(shí)例，但是，與上述實(shí)施例實(shí)際上相同的部件以相同參考標(biāo)號(hào)表示，并省略對(duì)它們的說(shuō)明。
圖3是退火步驟的解釋圖，其中，圖4中所示的鏡子陣列402代替掩模404布置在射束均化器302和基片101之間。該鏡子陣列402由在第一和第二組中角度彼此不同的第一和第二正方形微鏡401a、401b構(gòu)成，它們以矩陣形式布置在相同平面內(nèi)。這些微鏡401a、401b可以通過(guò)使用精細(xì)處理技術(shù)形成，以便對(duì)相同基片的一個(gè)表面進(jìn)行處理，或者可以使預(yù)先獨(dú)立形成的各微鏡401a、401b彼此粘接而形成。對(duì)于第一微鏡401a(為了清楚，在圖4中以陰影部分表示)，激光的入射角設(shè)置成使入射激光303部分沿朝著基片101的方向反射。對(duì)于第二微鏡401b(圖4中以白色表示)，激光的入射角設(shè)置成使入射激光303部分沿偏離基片101(相移掩模450)的方向反射。因此，由各第一微鏡401a反射的激光部分303a通過(guò)相移裝置450，并彼此分開(kāi)地入射到基片101上的半導(dǎo)體薄膜103上，以便形成相應(yīng)的照射區(qū)域。因?yàn)橛筛鞯诙㈢R401b反射的激光部分303b并不入射到基片101的半導(dǎo)體薄膜103上，因此形成非照射區(qū)域。因此，照射區(qū)域和非照射區(qū)域根據(jù)在半導(dǎo)體薄膜103上的、如圖4所示的微鏡401a、401b的布置方式而進(jìn)行布置和形成。在本發(fā)明中，至少一個(gè)照射區(qū)域和非照射區(qū)域形成于單元區(qū)域中。例如，沿X或Y方向布置在一個(gè)非照射區(qū)域附近的一個(gè)照射區(qū)域也可以形成一個(gè)單元區(qū)域。如圖4中粗線(xiàn)所示，兩個(gè)照射區(qū)域和兩個(gè)非照射區(qū)域也可以形成于一個(gè)單元區(qū)域中。不同數(shù)目的照射區(qū)域和非照射區(qū)域也可以形成于一個(gè)單元區(qū)域中。在本實(shí)施例中，第一組的微鏡401a和第二組的微鏡401b形成為這樣，即鏡子沿X方向和Y方向交替和規(guī)則布置，具有相同尺寸的照射區(qū)域和非照射區(qū)域也交替布置。不過(guò)，這些微鏡401a、401b并不必須有相同尺寸，也不必須規(guī)則布置。因此，當(dāng)選擇微鏡401a、401b的尺寸和結(jié)構(gòu)時(shí)，可以在半導(dǎo)體薄膜上形成包括相應(yīng)照射區(qū)域和非照射區(qū)域的單元區(qū)域，該照射區(qū)域和非照射區(qū)域有合適布置的合適形狀。因此，尺寸與照射區(qū)域相同的晶體區(qū)域以及尺寸與非照射區(qū)域相同的非晶區(qū)域可以在半導(dǎo)體薄膜上形成合適圖形。
應(yīng)當(dāng)知道，為了使基片101沿圖3中箭頭所示的X方向運(yùn)動(dòng)，并不必須如圖4所示使多個(gè)微鏡401a、401b沿X和Y方向布置，可以沿X方向布置至少一個(gè)第一鏡子401a和第二鏡子401b。
構(gòu)成鏡子陣列402的微鏡401a、401b的形狀并不需要限制為如圖4所示的正方形，也可以使用任意形狀。例如，如圖5所示，也可以使用三角形或六邊形形狀(在本例中，例如一個(gè)六邊形微鏡可以布置成這樣，在該微鏡區(qū)域中布置有如圖5所示的六個(gè)三角形微鏡)。在該例中，照射區(qū)域和非照射區(qū)域形成為三角形或六邊形形狀。
鏡子陣列402由反射角度固定的微鏡401a、401b構(gòu)成，但是也可使用可旋轉(zhuǎn)鏡子來(lái)代替第一鏡子401a和第二鏡子401b中的至少一個(gè)。這樣反射角度即可被可選擇地調(diào)節(jié)。以下將參照?qǐng)D6A到6C來(lái)描述該鏡子陣列的一個(gè)例子。在這些圖中，第一微鏡401a和第二微鏡401b都用參考標(biāo)號(hào)401總體表示。
如圖6A所示，多個(gè)正方形微鏡401(圖6C中的三角形微鏡401)在CMOS基片405的一表面上形成矩陣。各微鏡401由反射性良好的金屬(例如鋁)薄板形成。如圖6B和6C所示，一對(duì)支承桿406彼此間隔地從CMOS基片405的一個(gè)表面上凸出，并相對(duì)于各微鏡間隔預(yù)定間距。這些支承桿406支承旋轉(zhuǎn)桿407的端部，該旋轉(zhuǎn)桿407以可旋轉(zhuǎn)預(yù)定旋轉(zhuǎn)角度的方式支承微鏡401。多個(gè)鏡電極408布置成與微鏡401相對(duì)，以便在CMOS基片405的表面上旋轉(zhuǎn)。這些鏡電極408與由電源和控制電路(未示出)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)源連接。因此，當(dāng)選定電平的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(驅(qū)動(dòng)電流)供給選定鏡電極408時(shí)，相應(yīng)的選定微鏡401由于電磁力而旋轉(zhuǎn)，以便獲得選定角度。也就是，可以調(diào)節(jié)所希望的微鏡的反射角度。該鏡子的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)利用TexasInstruments Inc的DLP(商標(biāo)名；數(shù)字光處理)技術(shù)形成。
如上所述，包括反射角度可調(diào)的微鏡401的鏡子陣列402可以用于形成單元區(qū)域，該單元區(qū)域包括在一個(gè)半導(dǎo)體薄膜或多個(gè)半導(dǎo)體薄膜中具有合適構(gòu)圖和合適形狀的照射區(qū)域和非照射區(qū)域。因此，即使形成不同的單元區(qū)域，鏡子陣列402也不必改變。
圖7A和7B表示了液晶顯示器的LCD基片陣列500的半成品，它能夠通過(guò)本發(fā)明的薄膜半導(dǎo)體器件制造方法來(lái)制造。該陣列包括均勻厚度的半導(dǎo)體薄膜501，該半導(dǎo)體薄膜501形成于底層膜上，在某些情況下，該底層膜形成于透明和矩形基片上。該半導(dǎo)體薄膜501通過(guò)將具有完全均勻厚度的非晶半導(dǎo)體(例如硅)沉積在底層膜上而構(gòu)成。然后，上面詳細(xì)介紹的退火技術(shù)用于選擇性地利用激光照射預(yù)定區(qū)域，以便在各單元區(qū)域即像素區(qū)域503中形成第一和第二結(jié)晶區(qū)域(照射區(qū)域)502a、502b以及非晶區(qū)域(非照射區(qū)域)502C。
形成于各單元區(qū)域503中的第一和第二結(jié)晶區(qū)域502a、502b可以為多晶或單晶，或者一個(gè)可以是多晶，而另一個(gè)可以是單晶。由非晶半導(dǎo)體結(jié)晶成多晶和單晶半導(dǎo)體也可選擇通過(guò)將能量射束的功率設(shè)置為較高或通過(guò)重復(fù)退火步驟多次來(lái)進(jìn)行。例如，第一掩?；蜱R子陣列可以用于只利用較低功率的激光來(lái)照射單元區(qū)域503的照射區(qū)域502a，并形成多晶。然后，具有不同開(kāi)口圖形或不同微鏡圖形的掩?；蜱R子陣列可以用于只利用較高功率的激光來(lái)照射照射區(qū)域502b，并形成單晶。這里將介紹由非晶形成多晶區(qū)域和單晶晶體，但是這只是為了便于說(shuō)明。并不必須結(jié)晶成多晶或單晶，在本發(fā)明中，可以在各單元區(qū)域中形成多個(gè)具有不同結(jié)晶度的照射區(qū)域。
下面將參考圖8A和8B介紹可通過(guò)本發(fā)明方法形成的LCD基片陣列。
多個(gè)像素電極603和TFT 604在底層602上布置成矩陣形式，該底層602形成于玻璃基片上。各TFT 604包括溝道區(qū)以及位于該溝道區(qū)相對(duì)端的漏極區(qū)和源極區(qū)。漏電極605和源電極606形成于漏極區(qū)和源極區(qū)上。源電極606與像素電極603電連接。柵電極607通過(guò)柵極絕緣膜形成于溝道區(qū)上。TFT 604的柵電極607布置成行，它們通過(guò)柵極線(xiàn)路608而彼此電連接。TFT 604的漏電極605布置成列，它們通過(guò)信號(hào)線(xiàn)路609而彼此電連接。
用于暫時(shí)儲(chǔ)存信號(hào)的SRAM電路610與源電極606電連接，并形成為與在底層102上的各TFT 604相對(duì)。如圖8B所示，SRAM電路610包括其中使用4個(gè)TFT 611的已知結(jié)構(gòu)。在如上述構(gòu)成的LCD基片陣列中，用于像素的TFT 604和用于SRAM610的TFT 611可以通過(guò)參考圖1A至1E所述的制造方法而在相同處理中同時(shí)形成。也就是，在圖1B中所述的退火步驟中，包括用準(zhǔn)分子激光照射并轉(zhuǎn)變成多晶的半導(dǎo)體薄膜的TFT形成為SRAM電路610的TFT 611，而包括沒(méi)有用準(zhǔn)分子激光照射并保持非晶的半導(dǎo)體薄膜的TFT可用作用于像素604的TFT。這樣，具有不同的半導(dǎo)體薄膜(溝道區(qū))結(jié)晶度的兩種或更多種TFT可以在同一步驟中形成為(在各單元區(qū)域中)彼此接近。
不同于SRAM電路610的、其它使用半導(dǎo)體器件的電路例如DRAM電路也可以利用本發(fā)明的方法形成。對(duì)于構(gòu)成DRAM電路的TFT，優(yōu)選是單晶硅薄膜形成溝道區(qū)。因此，在參考圖1B所述的退火步驟中，可以使用具有較大功率的光源，或者可以照射多次，以便使非晶硅轉(zhuǎn)變成單晶硅。
下面將參考圖9A介紹相移掩模450。
對(duì)于相移掩模450，具有不同厚度的區(qū)域彼此相鄰地布置在透明介質(zhì)例如石英基材料上，且入射的激光在區(qū)域之間的臺(tái)階的邊界處(相移部分450a)進(jìn)行衍射和干涉，以便使入射激光的強(qiáng)度有周期性的空間分布。相移掩模450包括第一條形區(qū)域(相區(qū)域)450b和第二條形區(qū)域(相區(qū)域)450b，該第二條形區(qū)域450b的相為0。第一和第二區(qū)域交替布置成這樣，即相鄰區(qū)域構(gòu)圖為反相(相位偏差180°)，即偏差π。這些條形區(qū)域(相移線(xiàn)區(qū)域)的寬度為10μm。具體地說(shuō)，通過(guò)對(duì)矩形石英基片(折射率為1.5)蝕刻使其在深度上的構(gòu)圖相對(duì)于248nm的光的相位為π(即深度為248nm)。通過(guò)蝕刻形成為較薄的區(qū)域形成第一條形區(qū)域450b，沒(méi)有蝕刻的區(qū)域形成為第二條形區(qū)域450c。
在這樣構(gòu)成的相移掩模450中，通過(guò)較厚的第二相區(qū)域450c的激光與通過(guò)較薄的第一相區(qū)域450b的激光相比延遲180°。因此，在激光流之間產(chǎn)生干涉和衍射，獲得的激光分布強(qiáng)度如圖9D所示。也就是，因?yàn)橥ㄟ^(guò)相移部分的相鄰光有相反相位，因此，光強(qiáng)減小，例如在區(qū)域之間的相應(yīng)位置處變成0。在結(jié)晶過(guò)程中，強(qiáng)度最小的區(qū)域或附近的區(qū)域形成晶核。在具體實(shí)例中，使用了包括多個(gè)相移部分450a的相移掩模450，這些相移部分450a彼此平行地線(xiàn)性延伸，如圖9A所示，但并不局限于這樣。
例如，相移線(xiàn)能夠彼此以直角交叉，且0相和π相也可以布置成棋盤(pán)格的形式。這時(shí)，具有柵格形且光強(qiáng)為0的區(qū)域沿相移線(xiàn)形成。這樣，因?yàn)榫w的晶核產(chǎn)生于線(xiàn)上的選定位置，因此有難以控制晶粒的位置/形狀的問(wèn)題。因此，強(qiáng)度為0的區(qū)域優(yōu)選是為點(diǎn)形，以便控制晶核的產(chǎn)生。因此，彼此以直角交叉的相移線(xiàn)的相移量設(shè)置成小于180°。因此，在與相移線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的位置處，強(qiáng)度并不完全變成0(盡管減小)。而且，在交叉點(diǎn)周?chē)膹?fù)合透射率的總和設(shè)置為0，因此，在與交叉點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的位置處的強(qiáng)度可以設(shè)置為0。
下面將參考圖9B和9C介紹一個(gè)實(shí)例。該掩模450包括多組正方形構(gòu)圖，每個(gè)正方形構(gòu)圖都由具有不同厚度的四個(gè)正方形區(qū)域450e、450f、450g、450h構(gòu)成，如圖9B所示。在各組中，如圖9B所示，第一區(qū)域450e最薄，相位為0。第四區(qū)域450h最厚，相位相當(dāng)于第一區(qū)域偏移3π/2。第二和第三區(qū)域450f、450g的厚度在區(qū)域450e、450h的厚度之間，它們的相位相當(dāng)于第一區(qū)域偏移π/2、π。
在這樣的掩模中，第一至第四區(qū)域布置成彼此靠近的部分，例如正方形構(gòu)圖的中心點(diǎn)是強(qiáng)度為0的區(qū)域。因此，因?yàn)樵擖c(diǎn)形成晶核，晶粒的位置/形狀可以很容易控制。采用該相移掩模的技術(shù)在本申請(qǐng)人在2003年3月19日申請(qǐng)的國(guó)際申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)中介紹，它的基本申請(qǐng)是日本申請(qǐng)(日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2002-120312)。
圖10A和10B表示了使用本發(fā)明的技術(shù)制造的液晶顯示器的一個(gè)實(shí)例。
液晶顯示器700包括一對(duì)前后透明基底材料(基層)721、722；液晶層723；像素電極724；掃描線(xiàn)路725；信號(hào)線(xiàn)路726；相對(duì)電極727；TFT 730等。
例如，一對(duì)玻璃板可以用作一對(duì)透明基底材料721、722。該透明基底材料721、722通過(guò)框架形密封材料而彼此粘接。液晶層723布置在由一對(duì)透明基底材料721、722之間的密封材料所包圍的區(qū)域中。
在一對(duì)透明基底材料721、722中的一個(gè)透明基底材料、例如后側(cè)透明基底材料722的內(nèi)表面上，多個(gè)像素電極724沿行和列的方向布置成矩陣，多個(gè)TFT 730與該多個(gè)像素電極724電連接，且掃描線(xiàn)路725和信號(hào)線(xiàn)路726與該多個(gè)TFT 730電連接。
掃描線(xiàn)路725沿像素電極724的行方向布置。這些掃描線(xiàn)路725的一端與布置在后側(cè)透明基底材料722的一側(cè)邊緣中的多個(gè)掃描線(xiàn)路端子(未示出)連接。該多個(gè)掃描線(xiàn)路端子與掃描線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)電路741連接。
信號(hào)線(xiàn)路726沿像素電極724的列方向布置。這些信號(hào)線(xiàn)路726的一端與布置在后側(cè)透明基底材料722的一側(cè)邊緣中的多個(gè)信號(hào)線(xiàn)路726的端子(未示出)連接。多個(gè)信號(hào)線(xiàn)路726端子與信號(hào)線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)電路742連接。
掃描線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)電路741和信號(hào)線(xiàn)路驅(qū)動(dòng)電路742分別與液晶控制器743連接。該液晶控制器743例如接收由外部供給的圖像信號(hào)和同步信號(hào)，以便產(chǎn)生像素視頻信號(hào)Vpix、垂直掃描控制信號(hào)YCT以及水平掃描控制信號(hào)XCT。
一個(gè)膜狀的透明相對(duì)電極727布置在作為另一透明基底材料的前側(cè)透明基底材料721的內(nèi)表面上，并對(duì)著多個(gè)像素電極724。在前側(cè)透明基底材料721的內(nèi)表面上，濾色器可以布置成對(duì)著多個(gè)像素部分，其中，多個(gè)像素電極724布置成對(duì)著相對(duì)電極727。而且，遮光膜還可以布置成對(duì)著在像素部分之間的區(qū)域。
偏振板(未示出)布置在一對(duì)透明基底材料721、722的外部。在透射類(lèi)型的液晶顯示器700中，平面光源(未示出)布置在后側(cè)透明基底材料722的后面。應(yīng)當(dāng)知道，液晶顯示器700可以為反射類(lèi)型或半透射反射類(lèi)型。
在上述實(shí)施例中，TFT介紹為半導(dǎo)體器件，但是本發(fā)明也可以用于基于半導(dǎo)體薄膜的其它半導(dǎo)體器件，例如二極管。而且，準(zhǔn)分子激光用作能量射束，但是照射光并不局限于準(zhǔn)分子激光，只要通過(guò)照射能夠提高半導(dǎo)體的結(jié)晶度。而且，在本發(fā)明中，包括通孔的掩?；蜱R子陣列用于形成多個(gè)能量射束，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以使用多個(gè)通過(guò)其它技術(shù)獲得的能量射束。
液晶顯示器介紹為使用該半導(dǎo)體器件的顯示器，但是本發(fā)明并不局限于此，也可以用于有機(jī)EL顯示器。
工業(yè)實(shí)用性根據(jù)制造薄膜半導(dǎo)體器件的本發(fā)明的方法，基于至少兩種結(jié)晶度彼此不同的半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體器件可以布置成在各單元區(qū)域中彼此接近，以便容易形成該器件。因此，需要有不同性能的至少兩種半導(dǎo)體器件形成于各個(gè)單元區(qū)域中，且它們的使用根據(jù)各個(gè)性能來(lái)定位。因?yàn)榫哂胁煌卣鞯陌雽?dǎo)體器件彼此鄰近地布置在各單元中，在這些器件之間的布線(xiàn)可以縮小，操作速度可以提高，且可以抑制信號(hào)損失。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，包括在基層上形成非單晶半導(dǎo)體薄膜的步驟；以及用能量射束照射該非單晶半導(dǎo)體薄膜的退火步驟，以便提高構(gòu)成該非單晶半導(dǎo)體薄膜的非單晶半導(dǎo)體的結(jié)晶度，其中，退火步驟包括用多個(gè)能量射束同時(shí)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜，以便形成多個(gè)單元區(qū)域，各單元區(qū)域包括至少一個(gè)由能量射束照射的照射區(qū)域以及至少一個(gè)并不由能量射束照射的非照射區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的、制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，其中該非單晶半導(dǎo)體薄膜是非晶半導(dǎo)體薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的、制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，其中該非單晶半導(dǎo)體薄膜是多晶半導(dǎo)體薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的、制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，其中還包括用規(guī)則布置的多個(gè)能量射束來(lái)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一個(gè)所述的、制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，其中，該退火步驟包括使一個(gè)能量射束入射到掩模上，該掩模包括板和形成于該板中的多個(gè)通孔；以及用通過(guò)這些通孔的能量射束來(lái)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的、制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，其中多個(gè)通孔規(guī)則布置在板中。
7.一種制造薄膜半導(dǎo)體器件基片的方法，包括在基層上形成非單晶半導(dǎo)體薄膜的步驟；以及用準(zhǔn)分子激光照射該非單晶半導(dǎo)體薄膜的退火步驟，以便使非單晶半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變成多晶半導(dǎo)體或單晶半導(dǎo)體，其中，退火步驟包括將一個(gè)準(zhǔn)分子激光分成多個(gè)彼此間隔的準(zhǔn)分子激光部分；以及用這些準(zhǔn)分子激光部分來(lái)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜，以便形成多個(gè)單元區(qū)域，這些單元區(qū)域包括至少一個(gè)由準(zhǔn)分子激光部分照射的照射區(qū)域以及至少一個(gè)并不由能量射束照射的非照射區(qū)域，這些單元區(qū)域布置成彼此相鄰。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述非單晶半導(dǎo)體為非晶硅，并且所述多晶半導(dǎo)體為多晶硅，以及所述單晶半導(dǎo)體為單晶硅。
9.一種薄膜半導(dǎo)體器件基片，包括基層；以及半導(dǎo)體薄膜，該半導(dǎo)體薄膜形成于該基層上；該半導(dǎo)體薄膜包括多個(gè)單元區(qū)域，各單元區(qū)域包括至少一個(gè)第一區(qū)域和至少一個(gè)第二區(qū)域，這些單元區(qū)域布置成彼此相鄰，且該第一區(qū)域與第二區(qū)域的結(jié)晶度不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜半導(dǎo)體器件基片，其中第一區(qū)域由晶狀半導(dǎo)體形成，第二區(qū)域由非晶半導(dǎo)體形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的薄膜半導(dǎo)體器件基片，其中單元區(qū)域的第一和第二區(qū)域有相同的布置。
12.如權(quán)利要求8所述的薄膜半導(dǎo)體器件基片，其中每個(gè)所述單元區(qū)域僅包括一個(gè)第一島區(qū)和一個(gè)第二島區(qū)，作為所述第一區(qū)域和第二區(qū)域。
13.一種薄膜半導(dǎo)體器件，包括基層；以及形成于該基層上的多個(gè)第一和第二晶體管；其中，該第一和第二晶體管包括具有不同結(jié)晶度的半導(dǎo)體薄膜，且多個(gè)單元區(qū)域的每一個(gè)中形成至少一個(gè)第一晶體管和至少一個(gè)第二晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其中單元區(qū)域的第一和第二晶體管有相同的結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的薄膜半導(dǎo)體器件，其中第一晶體管的半導(dǎo)體薄膜由晶狀半導(dǎo)體形成，第二晶體管的半導(dǎo)體薄膜由非晶半導(dǎo)體形成。
16.一種薄膜半導(dǎo)體器件，包括透明基層；以及多個(gè)第一半導(dǎo)體器件，這些第一半導(dǎo)體器件在該基層上布置成矩陣形式，并包括第一半導(dǎo)體薄膜；以及多個(gè)第二半導(dǎo)體器件，這些第二半導(dǎo)體器件布置在相應(yīng)第一半導(dǎo)體器件附近，并包括第二半導(dǎo)體薄膜；其中，第一半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶度與第二半導(dǎo)體薄膜不同，且多個(gè)單元區(qū)域的每一個(gè)中形成至少一個(gè)第一半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)第二半導(dǎo)體器件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜半導(dǎo)體器件，還包括多個(gè)第三半導(dǎo)體器件，該第三半導(dǎo)體器件布置在單元區(qū)域中，并在相應(yīng)第一半導(dǎo)體器件附近，且包括第三半導(dǎo)體薄膜，其中，該第三半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶度與第一和第二半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶度不同。
18.一種液晶顯示器，包括第一和第二基層，該第一和第二基層包括布置成彼此間隔開(kāi)并彼此相對(duì)的表面；液晶，該液晶布置在該彼此相對(duì)布置的表面之間；多個(gè)第一和第二電極，它們布置在該彼此相對(duì)布置的表面上；以及像素電極和半導(dǎo)體薄膜，該像素電極和半導(dǎo)體薄膜布置在其中一個(gè)基層的相對(duì)表面上，其中，至少二個(gè)半導(dǎo)體薄膜布置在彼此相鄰布置的多個(gè)單元區(qū)域的每一個(gè)中，以便在每個(gè)所述單元區(qū)域內(nèi)形成至少一個(gè)第一半導(dǎo)體器件的第一溝道區(qū)以及至少一個(gè)第二半導(dǎo)體器件的第二溝道區(qū)，且該第一溝道區(qū)的結(jié)晶度與第二溝道區(qū)不同。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中第一半導(dǎo)體器件包括一用于像素的薄膜晶體管，其中至少第一溝道區(qū)由非晶半導(dǎo)體部分形成，第二半導(dǎo)體器件包括用于驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管，其中第二溝道區(qū)由多晶半導(dǎo)體部分或單晶半導(dǎo)體部分形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的液晶顯示器，其中第一和第二電極確定了多個(gè)像素區(qū)域，這些像素區(qū)域彼此以直角交叉，并布置成矩陣形式，該第一和第二半導(dǎo)體器件布置在每一像素區(qū)域中。
21.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中在每個(gè)單元區(qū)域內(nèi)的該第一和第二溝道區(qū)彼此電連接。
22.一種制造液晶顯示器的方法，包括在第一基層的一個(gè)表面上形成非單晶半導(dǎo)體薄膜的布驟；用多個(gè)能量射束同時(shí)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜的步驟，以便提高由能量射束照射的照射區(qū)域的半導(dǎo)體的結(jié)晶度；形成多個(gè)彼此分離的第一和第二半導(dǎo)體器件的步驟，這些第一和第二半導(dǎo)體器件是根據(jù)結(jié)晶度提高的照射區(qū)域的半導(dǎo)體以及使沒(méi)有用能量射束照射的非照射區(qū)域的半導(dǎo)體而形成的；在第一基層的表面上形成第一電極的步驟；制備第二基層的步驟，在第二基層的一個(gè)表面上形成第二電極；以及將液晶層布置在第一和第二基層之間，并將第一和第二基層組合、以便使第一電極布置成對(duì)著第二電極的步驟。
23.一種半導(dǎo)體器件，包括基片；以及設(shè)置在所述基片上的多個(gè)單元區(qū)域，每個(gè)單元區(qū)域包括多個(gè)島狀半導(dǎo)體膜，其中由每個(gè)所述島狀半導(dǎo)體膜僅形成一個(gè)薄膜晶體管。
全文摘要
一種制造薄膜半導(dǎo)體器件的方法包括在基層上形成非單晶半導(dǎo)體薄膜的步驟；以及用能量射束照射該非單晶半導(dǎo)體薄膜的退火步驟，以便提高構(gòu)成該非單晶半導(dǎo)體薄膜的非單晶半導(dǎo)體的結(jié)晶度。該退火步驟包括用多個(gè)能量射束同時(shí)照射非單晶半導(dǎo)體薄膜，以便形成多個(gè)單元區(qū)域，每個(gè)單元區(qū)域包括至少一個(gè)由能量射束照射的照射區(qū)域以及至少一個(gè)并不由能量射束照射的非照射區(qū)域。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1963998SQ20061012808
公開(kāi)日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2003年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者木村嘉伸, 松村正清, 山元良高, 西谷干彥, 平松雅人, 十文字正之, 中野文樹(shù) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社液晶先端技術(shù)開(kāi)發(fā)中心