專利名稱：半導(dǎo)體激光器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)半導(dǎo)體激光器的半導(dǎo)體激光器件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，光盤(pán)已經(jīng)被廣泛使用，并且它們的記錄格式有很多差異。當(dāng)光學(xué)讀取不同標(biāo)準(zhǔn)的光盤(pán)時(shí)，需要不同標(biāo)準(zhǔn)的激光器。例如，為了讀取CD(壓縮光盤(pán))和DVD(數(shù)字化視頻光盤(pán))兩種類型的光盤(pán)，需要發(fā)射波長(zhǎng)在780nm附近的紅外線激光器和發(fā)射波長(zhǎng)在650nm附近的紅光激光器。
在上述情況下，需要提供一種能在一個(gè)封裝中發(fā)射兩個(gè)波長(zhǎng)的激光光束的半導(dǎo)體激光器件，以便減小拾取裝置的尺寸和降低其成本。
而且，除了光盤(pán)之外，還需要提供一種能在一個(gè)封裝中發(fā)射兩個(gè)波長(zhǎng)的激光光束的半導(dǎo)體激光器件或即使在相同波長(zhǎng)下也能用于低輸出用途和高輸出用途的兩種激光器，用于激光光束打印機(jī)和可再寫(xiě)光盤(pán)。此外，可考慮相同波長(zhǎng)和相同輸出的雙光束激光器件。
為了滿足這些要求，發(fā)展了一種在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上集成兩個(gè)半導(dǎo)體激光器的技術(shù)。然而，當(dāng)在單個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成兩個(gè)不同特性的激光器時(shí)，通過(guò)一次晶體生長(zhǎng)通常不可能實(shí)現(xiàn)這種器件。因此，采用在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行多次晶體生長(zhǎng)的方法。就是說(shuō)，首先在半導(dǎo)體襯底上結(jié)晶生長(zhǎng)一個(gè)激光器結(jié)構(gòu)，在其上疊加生長(zhǎng)的同時(shí)形成另一個(gè)激光器結(jié)構(gòu)，并且從先前生長(zhǎng)的激光器結(jié)構(gòu)除去連續(xù)形成的激光器結(jié)構(gòu)。
然而，在單個(gè)半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行多次晶體生長(zhǎng)的前述傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器件的制造方法具有如下問(wèn)題。即，當(dāng)在先前生長(zhǎng)在半導(dǎo)體襯底上的激光器結(jié)構(gòu)上疊加生長(zhǎng)的同時(shí)形成另一激光器結(jié)構(gòu)時(shí)，不能充分實(shí)現(xiàn)電極與先前生長(zhǎng)的激光器結(jié)構(gòu)的接觸。而且，產(chǎn)生了這樣的問(wèn)題，即后來(lái)生長(zhǎng)的激光器結(jié)構(gòu)的電流-電壓特性中發(fā)生異常。
具體地說(shuō)，為了實(shí)現(xiàn)低電阻的電極接觸，接觸層形成有高載流子密度。然后，為了提供這種載流子密度，向構(gòu)成接觸層的晶體層中添加雜質(zhì)。因此，在其中已經(jīng)形成接觸層的激光器結(jié)構(gòu)上疊加生長(zhǎng)另一激光器結(jié)構(gòu)時(shí)產(chǎn)生的高溫使雜質(zhì)脫離接觸層，并減少了載流子密度，使金屬電極與半導(dǎo)體層之間的接觸特性下降。
此外，已經(jīng)脫離接觸層的雜質(zhì)再次附著到為生長(zhǎng)另一激光器露出的晶體表面上，并在其上進(jìn)行另一激光器的晶體生長(zhǎng)。因此形成了與不希望的雜質(zhì)混合的無(wú)用層，這影響了該層的電阻率和導(dǎo)電類型，進(jìn)而使電流-電壓特性呈現(xiàn)異常。
圖5A和5B表示當(dāng)在GaAs襯底1上生長(zhǎng)AlGaAs基半導(dǎo)體激光器和AlGaInP基半導(dǎo)體激光器兩個(gè)半導(dǎo)體激光器時(shí)器件的剖面圖。首先，如圖5A所示，在n型GaAs襯底1上生長(zhǎng)由n型GaAs緩沖層2、n型AlGaAs覆層3、AlGaAs引導(dǎo)層4、多量子阱有源層5、p型AlGaAs引導(dǎo)層6、p型AlGaAs覆層7、以及p型GaAs接觸層(以5×1018cm-3的濃度摻雜Zn)8構(gòu)成的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器9。然后，通過(guò)刻蝕部分地除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器9，直到露出GaAs襯底1。
然后，在生長(zhǎng)爐中接著放入該層狀結(jié)構(gòu)以生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器。隨后，如圖5A中示意示出的，由于爐子中的高溫使雜質(zhì)鋅Zn從最上層的p型GaAs接觸層8蒸發(fā)出來(lái)并再次附著到露出的GaAs襯底1上。
之后，如圖5B所示，在整個(gè)表面上生長(zhǎng)由n型GaAs緩沖層11、n型AlGaInP覆層12、AlGaInP引導(dǎo)層13、多量子阱有源層14、AlGaInP引導(dǎo)層15、p型AlGaInP覆層16、以及p型GaAs接觸層17構(gòu)成的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18。
圖6示出了在剛剛生長(zhǎng)了位于AlGaAs基半導(dǎo)體激光器9一側(cè)上的p型GaAs接觸層8之后的載流子密度和生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18之后的載流子密度。根據(jù)該圖，應(yīng)該理解到在剛剛形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器9之后為5×1018cm-3的載流子密度在生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18之后在最外表面上減少到7×1017cm-3。
而且，圖7表示連續(xù)生長(zhǎng)的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18的電流-電壓特性曲線。應(yīng)注意到該圖還附加地示出了在GaAs襯底上單獨(dú)生長(zhǎng)組成與AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18的組成相同的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器時(shí)的電流-電壓特性曲線。圖7表明在100mA的電流下，在一個(gè)單元中為1.82V的驅(qū)動(dòng)電壓在連續(xù)生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18的情況下增加了0.1V，為1.92V。這意味著在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器18的最下層GaAs緩沖層11與GaAs襯底1之間的界面上形成GaAs襯底1與再次附著的雜質(zhì)Zn混合在其中的層，并增加了內(nèi)部電阻，導(dǎo)致增加的熱量值。在上述情況下，關(guān)于長(zhǎng)期操作的可靠性方面產(chǎn)生問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體激光器件的制造方法，該方法通過(guò)在單個(gè)半導(dǎo)體襯底上連續(xù)生長(zhǎng)多個(gè)半導(dǎo)體激光器而可以形成具有滿意特性的半導(dǎo)體激光器件。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種用于形成具有多個(gè)發(fā)光區(qū)的半導(dǎo)體激光器件的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，該方法包括以下步驟通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)，在一半導(dǎo)體襯底上形成包括位于最上層位置的一接觸層的一第一半導(dǎo)體激光器層；在該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成一非摻雜半導(dǎo)體層；通過(guò)除去除了成為在其上形成了該非摻雜半導(dǎo)體層的該第一半導(dǎo)體激光器層的發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域，露出該半導(dǎo)體襯底；通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)形成一第二半導(dǎo)體激光器層；以及通過(guò)除去除了成為發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的該第二半導(dǎo)體激光器的區(qū)域以及該非摻雜半導(dǎo)體層，露出該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層。
根據(jù)這個(gè)半導(dǎo)體激光器件的制造方法，第一半導(dǎo)體激光器層通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)形成在半導(dǎo)體襯底上，之后，在第一半導(dǎo)體激光器層的最上層接觸層上形成非摻雜半導(dǎo)體層。因此，當(dāng)在通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)形成第二半導(dǎo)體激光器層之前，通過(guò)除去除了成為第一半導(dǎo)體激光器層的發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域而露出半導(dǎo)體襯底時(shí)，該非摻雜半導(dǎo)體層用作接觸層的保護(hù)層。
結(jié)果是，當(dāng)該器件放在生長(zhǎng)爐中以進(jìn)行第二次晶體生長(zhǎng)時(shí)，可防止由于爐內(nèi)的高溫使雜質(zhì)從接觸層蒸發(fā)出來(lái)。因而，不可能由于接觸層中的載流子密度的降低而使與金屬電極的接觸特性下降。
此外，從接觸層蒸發(fā)出來(lái)的雜質(zhì)不會(huì)再次附著在露出的半導(dǎo)體襯的表面上。因而，當(dāng)通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)在露出的半導(dǎo)體襯底上形成第二半導(dǎo)體激光器層時(shí)，不可能在第二半導(dǎo)體激光器層的最下層與半導(dǎo)體襯底之間的界面形成其中半導(dǎo)體襯底與再次附著的雜質(zhì)混合的層。因此，提高了長(zhǎng)期操作的可靠性。
而且，在一個(gè)實(shí)施例中，至少重復(fù)進(jìn)行形成非摻雜半導(dǎo)體層的步驟、露出半導(dǎo)體襯的步驟以及形成第二半導(dǎo)體激光器層的步驟。因此，通過(guò)將由第二次晶體生長(zhǎng)形成的第二半導(dǎo)體激光器層看作是由第一次晶體生長(zhǎng)形成的第一半導(dǎo)體激光器層，在該第一半導(dǎo)體激光器層(原始的第二半導(dǎo)體激光器層)上形成非摻雜半導(dǎo)體層，露出半導(dǎo)體襯底和之后形成第二半導(dǎo)體激光器層(原始的第三半導(dǎo)體激光器層)，可以在相同半導(dǎo)體襯底上形成具有高性能和高可靠性的三個(gè)半導(dǎo)體激光器。
而且，在一個(gè)實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層與非摻雜半導(dǎo)體層之間形成晶體成分不同于接觸層和非摻雜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，當(dāng)在形成第二半導(dǎo)體激光器層之后露出接觸層時(shí)，通過(guò)利用具有相對(duì)于接觸層的選擇性的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去該不同晶體成分的半導(dǎo)體層，可以在接觸層的表面上可靠地停止刻蝕。因此，嚴(yán)格控制接觸層的厚度，并且可以獲得規(guī)定的接觸特性。
而且，在一個(gè)實(shí)施例中，AlGaAs基半導(dǎo)體層形成為第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層與非摻雜半導(dǎo)體層之間的不同晶體成分的半導(dǎo)體層。因此，假設(shè)接觸層例如是GaAs基接觸層，則在通過(guò)刻蝕除去該不同晶體成分的半導(dǎo)體層時(shí)，通過(guò)采用具有相對(duì)于GaAs基接觸層的選擇性的HF系或鹽酸系的刻蝕劑，可嚴(yán)格控制GaAs基接觸層的厚度。
此外，在一個(gè)實(shí)施例中，GaAs基半導(dǎo)體層形成為非摻雜半導(dǎo)體層。因此，在對(duì)于在第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成不同晶體成分的半導(dǎo)體層和在接觸層上形成非摻雜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體激光器件制造方法的情況下，假設(shè)接觸層是GaAs基接觸層且不同晶體成分的半導(dǎo)體層是AlGaAs基半導(dǎo)體層，則在通過(guò)刻蝕除去不同晶體成分的半導(dǎo)體層時(shí)，通過(guò)采用具有相對(duì)于GaAs基接觸層的選擇性的HF系或鹽酸系的刻蝕劑，可嚴(yán)格控制GaAs基接觸層的厚度。
而且，在一個(gè)實(shí)施例中，GaAs基非摻雜半導(dǎo)體層的層厚不小于0.2μm。因此，在通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)形成第二半導(dǎo)體激光器層之前，GaAs基非摻雜半導(dǎo)體層不會(huì)由于高溫而蒸發(fā)?？煽康胤乐沽擞捎诟邷囟闺s質(zhì)從第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層蒸發(fā)，并在露出第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層時(shí)，通過(guò)刻蝕很容易除去非摻雜半導(dǎo)體層。而且，AlGaAs基半導(dǎo)體層的層厚不小于0.1μm。因此，當(dāng)通過(guò)刻蝕除去GaAs基非摻雜半導(dǎo)體層時(shí)的刻蝕停止層的功能充分起作用，并在露出第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層時(shí)，通過(guò)刻蝕很容易除去刻蝕停止層。
而且，在一個(gè)實(shí)施例中，GaAs基接觸層形成為第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層。因此，在用于在接觸層上形成不同晶體成分的半導(dǎo)體層和在不同晶體成分的半導(dǎo)體層上形成非摻雜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體激光器件制造方法的情況下，假設(shè)不同晶體成分的半導(dǎo)體層例如是AlGaAs基半導(dǎo)體層，則在通過(guò)刻蝕除去不同晶體成分的半導(dǎo)體層時(shí)，通過(guò)采用具有相對(duì)于GaAs基接觸層的選擇性的HF系或鹽酸系的刻蝕劑，可嚴(yán)格控制GaAs基接觸層的厚度。


通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和示意性給出、并不限制本發(fā)明的附圖使本發(fā)明更全面地被理解，其中圖1A至1C表示在器件的制造工藝中通過(guò)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件制造方法形成的半導(dǎo)體激光器件的剖面圖；圖2D至2F是表示與圖1C連續(xù)的制造工藝中的剖面圖；圖3A至3C是表示在器件的制造工藝中利用不同于圖1A至1C和圖2D至2F所示的半導(dǎo)體激光器制造方法形成的半導(dǎo)體激光器件的剖面圖；圖4D至4F是表示與圖3C連續(xù)的制造工藝的剖面圖；圖5A至5B是通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)在襯底上生長(zhǎng)兩個(gè)半導(dǎo)體激光器情況下的器件的剖面圖；圖6是表示在先前形成的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器一側(cè)上剛剛生長(zhǎng)p型GaAs接觸層之后的載流子密度和在生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器之后的載流子密度的曲線；以及圖7是表示依次生長(zhǎng)的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的電流-電壓特性的曲線。
具體實(shí)施例方式
下面在附圖中所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
(第一實(shí)施例)圖1A至1C和圖2D至2F表示制造工藝中的半導(dǎo)體激光器件的剖面，該器件是通過(guò)本實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件制造方法形成的。首先，如圖1A所示，通過(guò)MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積)在n型GaAs襯底21上依次形成n型GaAs緩沖層22、n型AlGaAs覆層23、AlGaAs引導(dǎo)層24、多量子阱有源層25、p型AlGaAs引導(dǎo)層26、p型AlGaAs覆層27、以及p型GaAs接觸層28，形成作為第一半導(dǎo)體激光器層的一個(gè)例子的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29。在上述情況下，最上層p型GaAs接觸層28用Zn摻雜，使得載流子密度為5×1018cm-3。
此外，在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的p型GaAs接觸層28上形成膜厚為0.2μm的用作非摻雜半導(dǎo)體層的一個(gè)例子的非摻雜GaAs保護(hù)層30。由此進(jìn)行第一次晶體生長(zhǎng)。
接著，如圖1B所示，通過(guò)刻蝕除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的部分區(qū)域，從而露出n型GaAs襯底21。具體而言，首先利用硫酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到n型AlGaAs覆層23為止。隨后，通過(guò)HF系或鹽酸系的刻蝕劑刻蝕除去剩余的n型AlGaAs覆層23。由于不能用上述刻蝕劑刻蝕GaAs，因此刻蝕在n型GaAs緩沖層22的表面上停止。相應(yīng)地，通過(guò)利用硫酸系或NH3系的刻蝕劑隨后除去n型GaAs緩沖層22，以露出n型GaAs襯底21。
在這種情況下，在保留在n型GaAs襯底21上的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的p型GaAs接觸層28上形成非摻雜GaAs保護(hù)層30。因此，在將n型GaAs襯底21放在用于生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)高溫使雜質(zhì)Zn從p型GaAs接觸層28蒸發(fā)。此外，在非摻雜GaAs保護(hù)層30中不含摻雜劑。結(jié)果是，可防止雜質(zhì)，如從p型GaAs接觸層28蒸發(fā)的雜質(zhì)Zn，再次附著到露出的GaAs襯底21的表面上。
接著，如圖1C所示，通過(guò)MOCVD在整個(gè)表面上依次形成n型GaAs緩沖層31、n型AlGaInP覆層32、AlGaInP引導(dǎo)層33、多量子阱有源層34、AlGaInP引導(dǎo)層35、p型AlGaInP覆層36、以及p型GaAs接觸層37，形成作為第二半導(dǎo)體激光器層的一個(gè)例子的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38。由此，進(jìn)行第二次晶體生長(zhǎng)。在圖1C中，示出了這樣的層，該層以直角彎曲并在生長(zhǎng)在GaAs襯底21上的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38與生長(zhǎng)在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29上的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38之間的邊界垂直延伸。然而，這些層實(shí)際上形成為平緩彎曲的形狀。
接著，如圖2D所示，通過(guò)刻蝕除去屬于連續(xù)形成的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38并疊加在先前形成的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29上形成的區(qū)域、以及非摻雜GaAs保護(hù)層30。
具體而言，首先利用硫酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38的n型AlGaInP覆層32為止。接著，利用鹽酸系或磷酸系的刻蝕劑將剩余的n型AlGaInP覆層32刻蝕到n型GaAs緩沖層31。在這種情況下，由于采用具有選擇性的刻蝕劑，在n型GaAs緩沖層31上停止刻蝕。接下來(lái)，通過(guò)利用硫酸系的刻蝕劑或NH3系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去n型GaAs緩沖層31和非摻雜GaAs保護(hù)層30，從而露出AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的p型GaAs接觸層28。
此外，除去位于n型GaAs襯底21上的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29與AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38之間的邊界的區(qū)域，形成半導(dǎo)體激光器件，其中AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29和AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38平行設(shè)置在n型GaAs襯底21上，如圖2E所示。
接著，如圖2F所示，分別通過(guò)完全和部分刻蝕，除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的p型GaAs接觸層28和p型AlGaAs覆層27，在垂直于附圖的紙面的方向留下中心部分，在中心部分形成條形隆起部。同時(shí)，分別通過(guò)完全和部分刻蝕，除去AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38的p型GaAs接觸層37和p型AlGaInP覆層36，在中心部分形成條形隆起部。然后，在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的隆起部上和在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38的隆起部上形成p型AuZn/Au/Mo/Au電極39和40。此外，在n型GaAs襯底21的表面上形成n型AuGe/Ni/Mo/Au電極41。這樣，形成了具有兩個(gè)發(fā)光部分的半導(dǎo)體激光器件。
在如此形成的半導(dǎo)體激光器件中，雜質(zhì)Zn不會(huì)從AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的p型GaAs接觸層28蒸發(fā)出來(lái)。因此，p型GaAs接觸層28的表面載流子密度保持在5×1018cm-3，并且可得到滿意的電極接觸。此外，雜質(zhì)Zn不會(huì)再附著到n型GaAs襯底21上。因此，后來(lái)生長(zhǎng)的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38的I-V特性與單獨(dú)生長(zhǎng)的相同組成的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器沒(méi)有差別。
如上所述，在本實(shí)施例中，在n型GaAs襯底21上形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29，然后在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的最上層p型GaAs接觸層28上形成非摻雜GaAs保護(hù)層30。因此，在通過(guò)刻蝕AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的部分區(qū)域進(jìn)行除去，露出n型GaAs襯底21，然后將n型GaAs襯底21放入用于生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)的高溫使雜質(zhì)Zn從p型GaAs接觸層28蒸發(fā)。因此，可防止由于p型GaAs接觸層28的載流子密度的減少造成的與p型AuZn/Au/Mo/Au電極39的接觸特性下降。
此外，可防止從p型GaAs接觸層28蒸發(fā)的雜質(zhì)Zn再次附著到露出的GaAs襯底21的表面上。相應(yīng)地，在GaAs襯底21上在除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的區(qū)域中形成AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38時(shí)，不可能在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38的最下層n型GaAs緩沖層31與GaAs襯底21之間的界面上形成其中再次附著的Zn與GaAs襯底21混合的層。相應(yīng)地，不可能由于內(nèi)部電阻的增加而使熱量值增加，并且可提高長(zhǎng)期操作的可靠性。
在上述情況下，非摻雜GaAs保護(hù)層30的膜厚設(shè)置為0.2μm。因此，可以可靠地防止由于生長(zhǎng)爐內(nèi)的高溫產(chǎn)生的雜質(zhì)Zn從AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的GaAs接觸層28蒸發(fā)出來(lái)，并且在露出GaAs接觸層28時(shí)可以很容易地通過(guò)刻蝕除去非摻雜GaAs保護(hù)層。
雖然在第一實(shí)施例中非摻雜GaAs保護(hù)層30的膜厚設(shè)置為0.2μm，但本發(fā)明不限于此。主要是只要求在通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)生長(zhǎng)AlGaAs基半導(dǎo)體激光器38之前該膜厚不會(huì)由于高溫而蒸發(fā)和要求其不小于0.2μm。雖然，對(duì)上限沒(méi)有特殊限制，但是適當(dāng)?shù)暮穸葘?shí)際上不大于2μm。
(第二實(shí)施例)本實(shí)施例涉及具有AlGaAs基半導(dǎo)體激光器和AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的兩個(gè)發(fā)光部分的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，該實(shí)施例不同于第一實(shí)施例。
圖3A至3C和圖4D至4F表示在器件的制造工藝中通過(guò)本實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件制造方法形成的半導(dǎo)體激光器件的剖面。首先，如圖3A所示，通過(guò)MOCVD在n型GaAs襯底51上依次形成n型GaAs緩沖層52、n型AlGaAs覆層53、AlGaAs引導(dǎo)層54、多量子阱有源層55、p型AlGaAs引導(dǎo)層56、p型AlGaAs覆層57、以及p型GaAs接觸層58，形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59。在上述情況下，p型GaAs接觸層58用Zn摻雜，使得載流子密度為5×1018cm-3。
此外，在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的p型GaAs接觸層58上生長(zhǎng)膜厚為0.1μm的非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60、以及膜厚為0.2μm的非摻雜GaAs保護(hù)層61，其中非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60用作晶體成分不同于接觸層和非摻雜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層的一個(gè)例子。由此，進(jìn)行第一次晶體生長(zhǎng)。
接著，如圖3B所示，通過(guò)刻蝕除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的部分區(qū)域，從而露出n型GaAs襯底51。具體而言，首先利用硫酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到n型AlGaAs覆層53為止。接著，通過(guò)利用HF系或鹽酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去剩余的n型AlGaAs覆層53。由于利用上述刻蝕劑不能刻蝕GaAs，因此在n型GaAs緩沖層52的表面上停止刻蝕。相應(yīng)地，通過(guò)隨后利用硫酸系或NH3系的刻蝕劑刻蝕n型GaAs緩沖層52，進(jìn)行除去，由此露出n型GaAs襯底51。
在這種情況下，非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60和非摻雜GaAs保護(hù)層61生長(zhǎng)在屬于AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59并留在n型GaAs襯底51上的p型GaAs接觸層58上。因此，在將n型GaAs襯底放入用于生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)高溫造成的雜質(zhì)Zn從p型GaAs接觸層58蒸發(fā)出來(lái)。此外，在非摻雜GaAs保護(hù)層61中不含摻雜劑。結(jié)果是，可防止雜質(zhì)，如從p型GaAs接觸層58蒸發(fā)的雜質(zhì)Zn，再次附著在露出的GaAs襯底51的表面上。
接下來(lái)，如圖3C所示，通過(guò)MOCVD在整個(gè)表面上依次生長(zhǎng)n型GaAs緩沖層62、n型AlGaInP覆層63、AlGaInP引導(dǎo)層64、多量子阱有源層65、AlGaInP引導(dǎo)層66、p型AlGaInP覆層67、以及p型GaAs接觸層68，形成AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69。由此，進(jìn)行了第二次晶體生長(zhǎng)。
接著，如圖4D所示，通過(guò)刻蝕除去屬于AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69并疊加在先前形成的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59上形成的區(qū)域、非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60以及非摻雜GaAs保護(hù)層61。
具體而言，首先利用硫酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69的n型AlGaInP覆層63為止。接著，利用鹽酸系或磷酸系的刻蝕劑將剩余的n型AlGaInP覆層63刻蝕到n型GaAs緩沖層62。在這種情況下，由于采用具有選擇性的刻蝕劑，在n型GaAs緩沖層62上停止刻蝕。接下來(lái)，通過(guò)利用硫酸系的刻蝕劑或NH3系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去n型GaAs緩沖層62和非摻雜GaAs保護(hù)層61。在這種情況下，由于采用硫酸系或NH3系的刻蝕劑，因此在露出非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60時(shí)刻蝕停止。接著，利用HF系或鹽酸系的刻蝕劑除去非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60。這樣，露出了AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的p型GaAs接觸層58。
此外，除去位于n型GaAs襯底51上的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59與AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69之間的邊界上的區(qū)域，形成半導(dǎo)體激光器件，其中AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59和AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69平行設(shè)置在n型GaAs襯底51上，如圖4E所示。
接著，如圖4F所示，分別通過(guò)完全和部分刻蝕，除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的p型GaAs接觸層58和p型AlGaAs覆層57，與第一實(shí)施例的情況相同地形成隆起部。同時(shí)，分別通過(guò)完全和部分刻蝕，除去AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69的p型GaAs接觸層68和p型AlGaInP覆層67，形成隆起部。然后，在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的隆起部上和在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69的隆起部上形成p型AuZn/Au/Mo/Au電極70和71。此外，在n型GaAs襯底51的表面上形成n型AuGe/Ni/Mo/Au電極72。這樣，形成了具有兩個(gè)發(fā)光部分的半導(dǎo)體激光器件。
如上所述，在本例中，在n型GaAs襯底51上形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59，然后在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的最上層p型GaAs接觸層58上形成膜厚為0.1μm的非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60以及膜厚為0.2μm的非摻雜GaAs保護(hù)層61。因此，在通過(guò)刻蝕AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的部分區(qū)域進(jìn)行除去，露出n型GaAs襯底51，然后將n型GaAs襯底放入用于生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)的高溫使雜質(zhì)Zn從p型GaAs接觸層58蒸發(fā)。因此，可防止由于p型GaAs接觸層58的載流子密度的減少造成的與p型AuZn/Au/Mo/Au電極70的接觸特性下降。
此外，從p型GaAs接觸層58蒸發(fā)的雜質(zhì)Zn不會(huì)再次附著到露出的GaAs襯底51的表面上。相應(yīng)地，在GaAs襯底51上在除去AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的區(qū)域中形成AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69時(shí)，不可能在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器69的最下層n型GaAs緩沖層62與GaAs襯底51之間的界面上形成其中GaAs襯底51與再次附著的Zn混合的層。因此，不可能由于內(nèi)部電阻的增加而使熱量值增加，并且可提高長(zhǎng)期操作的可靠性。
此外，在本例中，在作為AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的最上層的p型GaAs接觸層58與相同GaAs體系的非摻雜GaAs保護(hù)層61之間提供不同成分的AlGaAs基非摻雜刻蝕停止層60。因此，在除去非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60時(shí)通過(guò)采用具有相對(duì)于GaAs層的選擇性的HF系或鹽酸系的刻蝕劑，在露出p型GaAs接觸層58時(shí)可停止刻蝕。即，可嚴(yán)格控制p型GaAs接觸層58的厚度，并可以獲得規(guī)定的接觸特性。
在上述情況下，非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60的膜厚設(shè)置為0.1μm。因此，在通過(guò)刻蝕除去非摻雜GaAs保護(hù)層61時(shí)，可以可靠地停止刻蝕，并且在露出AlGaAs基半導(dǎo)體激光器59的GaAs接觸層58時(shí)，可通過(guò)刻蝕很容易地除去該刻蝕停止層。
雖然在本實(shí)施例中非摻雜GaAs保護(hù)層61的膜厚設(shè)置為0.2μm，但只要求該膜厚不小于0.2μm，這與第一實(shí)施例的情況相同。雖然對(duì)上限沒(méi)有特殊限制，但是適當(dāng)?shù)暮穸葘?shí)際上不大于2μm。此外，雖然本例中非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60的膜厚設(shè)置為0.1μm，但是本發(fā)明不限于此。主要是只要求在利用例如NH3系的刻蝕劑刻蝕非摻雜GaAs保護(hù)層61和刻蝕達(dá)到非摻雜AlGaAs刻蝕停止層60時(shí)可以可靠地停止刻蝕，并且只要求該厚度不小于0.1μm。雖然不特別限制上限，但是適當(dāng)?shù)暮穸葘?shí)際上不大于1μm。
(第三實(shí)施例)在本實(shí)施例中，通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)在GaAs襯底上生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器，然后通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)進(jìn)行AlGaAs基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)。在上述情況下，通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器的導(dǎo)電類型和通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器的導(dǎo)電類型與第二實(shí)施例的情況相反，并且第一次晶體生長(zhǎng)從第二實(shí)施例的MOCVD變?yōu)镸BE(分子束外延)法。下面進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。
首先，與圖3C的情況相同(注意導(dǎo)電類型相反)，通過(guò)MBE法在p型GaAs襯底上生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器。在上述情況下，最上層n型GaAs接觸層用Si摻雜，使得載流子密度為5×1018cm-3。然后，在GaAsInP基半導(dǎo)體激光器的n型GaAs接觸層上生長(zhǎng)膜厚為0.1μm的非摻雜AlGaAs刻蝕停止層、以及膜厚為0.2μm的非摻雜GaAs保護(hù)層。
接著，通過(guò)刻蝕除去形成在p型GaAs襯底上的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的部分區(qū)域，從而露出p型GaAs襯底。具體而言，首先利用SBW(飽和溴水)系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到p型AlGaInP覆層為止。接著，通過(guò)利用HCl系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去剩余的p型AlGaInP覆層。在這種情況下，由于利用上述HCl系刻蝕劑不能刻蝕GaAs，因此在p型GaAs緩沖層的表面上停止刻蝕。相應(yīng)地，通過(guò)利用NH3系或硫酸系的刻蝕劑刻蝕p型GaAs緩沖層，進(jìn)行除去，由此露出p型GaAs襯底。
在這種情況下，非摻雜AlGaAs刻蝕停止層和非摻雜GaAs保護(hù)層生長(zhǎng)在屬于AlGaInP基半導(dǎo)體激光器并留在p型GaAs襯底上的n型GaAs接觸層上。因此，在將p型GaAs襯底放入用于生長(zhǎng)AlGaAs基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)高溫造成的雜質(zhì)Si從n型GaAs接觸層蒸發(fā)出來(lái)。此外，在非摻雜GaAs保護(hù)層中不含摻雜劑。結(jié)果是，可防止雜質(zhì)如從n型GaAs接觸層蒸發(fā)的雜質(zhì)Si，再次附著在露出的p型GaAs襯底的表面上。
接下來(lái)，與圖3A的情況相同(注意導(dǎo)電類型相反)，通過(guò)MOCVD法在整個(gè)表面上生長(zhǎng)AlGaAs基激光器。由此，進(jìn)行了第二次晶體生長(zhǎng)。
接著，通過(guò)刻蝕除去屬于AlGaAs基半導(dǎo)體激光器并疊加在先前形成的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器上形成的區(qū)域、非摻雜GalaAs刻蝕停止層以及非摻雜GaAs保護(hù)層。
具體而言，首先利用硫酸系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，直到達(dá)到連續(xù)形成的AlGaAs基半導(dǎo)體激光器的p型AlGaAs覆層為止。這樣，如果在AlGaAs基半導(dǎo)體激光器的n型GaAs接觸層、上層n型AlGaAs覆層、AlGaAs基有源層以及有源層之間存在AlGaAs引導(dǎo)層，除去引導(dǎo)層。接著，利用HF系或鹽酸系的刻蝕劑將p型AlGaAs覆層刻蝕到p型GaAs緩沖層。接下來(lái)，通過(guò)利用NH3系的刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，除去p型GaAs緩沖層和非摻雜GaAs保護(hù)層。在這種情況下，由于采用NH3系的刻蝕劑，因此在露出非摻雜AlGaAs刻蝕停止層時(shí)停止刻蝕。接著，利用HF系的刻蝕劑除去非摻雜AlGaAs刻蝕停止層。這樣，露出了AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的n型GaAs接觸層。
此外，除去位于AlGaInP基半導(dǎo)體激光器與AlGaAs半導(dǎo)體激光器之間的邊界上的部分，形成半導(dǎo)體激光器件，其中AlGaInP基半導(dǎo)體激光器和AlGaAs基半導(dǎo)體激光器平行設(shè)置在p型GaAs襯底上。
接著，在AlGaInP基半導(dǎo)體激光器和AlGaAs基半導(dǎo)體激光器上形成隆起部，并在兩個(gè)隆起部上都形成n型電極。此外，在p型GaAs襯底的表面上形成p型電極。這樣，形成了具有兩個(gè)發(fā)光部分的半導(dǎo)體激光器件。
如上所述，在本實(shí)施例中，在p型GaAs襯底上形成AlGaInP基半導(dǎo)體激光器，然后形成膜厚為0.1μm的非摻雜AlGaAs刻蝕停止層以及膜厚為0.2μm的非摻雜GaAs保護(hù)層。因此，在通過(guò)刻蝕AlGaInP基半導(dǎo)體激光器的部分區(qū)域而進(jìn)行除去，露出p型GaAs襯底之后，將p型GaAs襯底放入用于生長(zhǎng)AlGaAs基半導(dǎo)體激光器的生長(zhǎng)爐中時(shí)，可防止由于爐內(nèi)的高溫使雜質(zhì)Si從n型GaAs接觸層蒸發(fā)。因此，可防止由于n型GaAs接觸層的載流子密度的減少造成的與n型電極的接觸特性下降。
雖然在本實(shí)施例中非摻雜GaAs保護(hù)層的膜厚設(shè)置為0.2μm，但只要求該膜厚不小于0.2μm，這與上述實(shí)施例的情況相同。而且，雖然本例中非摻雜AlGaAs刻蝕停止層的膜厚設(shè)置為0.1μm，但是只要求該厚度不小于0.1μm，這與第二實(shí)施例的情況相同。
此外，從n型GaAs接觸層蒸發(fā)的雜質(zhì)Si不會(huì)再次附著到露出的p型GaAs襯底的表面上。因而，在形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器時(shí)，不可能在與p型GaAs襯底的界面上形成其中再次附著的雜質(zhì)Si與p型GaAs襯底混合的層。相應(yīng)地，不可能由于內(nèi)部電阻的增加而使熱量值增加，并且可提高長(zhǎng)期操作的可靠性。
此外，在本例中，與第二實(shí)施例相同，在相同GaAs體系的n型GaAs接觸層和非摻雜GaAs保護(hù)層之間提供不同成分的AlGaAs基非摻雜AlGaAs刻蝕停止層。因此，在除去非摻雜AlGaAs刻蝕停止層時(shí)通過(guò)采用具有相對(duì)于GaAs層的選擇性的刻蝕劑，在露出n型GaAs接觸層時(shí)可以可靠地停止刻蝕。就是說(shuō)，可以嚴(yán)格控制n型GaAs接觸層的厚度，并可以獲得規(guī)定的接觸特性。
本發(fā)明不限于上述任何實(shí)施例，當(dāng)然，本發(fā)明可以接受生長(zhǎng)方法、晶體成分以及導(dǎo)電類型的各種互相組合。在上述情況下，適當(dāng)設(shè)置非摻雜保護(hù)層和刻蝕停止層的晶體成分，以便根據(jù)先前形成的第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層的晶體成分有效地執(zhí)行各種功能。
而且，前面已經(jīng)結(jié)合在相同半導(dǎo)體襯底上形成兩個(gè)半導(dǎo)體激光器層的情況作為例子介紹了上述實(shí)施例。然而，還可以通過(guò)重復(fù)組合在上述實(shí)施例中說(shuō)明的工藝，在相同半導(dǎo)體襯底上形成三個(gè)或更多半導(dǎo)體激光器層。例如，當(dāng)在圖1C中生長(zhǎng)AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38時(shí)，可進(jìn)一步在GaAs接觸層37上形成非摻雜GaAs保護(hù)層。然后，在除去位于AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29上的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38時(shí)，留下非摻雜GaAs保護(hù)層30。接著，如果通過(guò)將在第二次形成的AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38作為在第一次形成的半導(dǎo)體激光器層，進(jìn)行圖1B到圖2F的工藝，則可在相同的n型GaAs襯底21上形成三個(gè)半導(dǎo)體激光器層。
從上面明顯看出，本發(fā)明的具有多個(gè)發(fā)光區(qū)的半導(dǎo)體激光器件的制造方法在通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)在半導(dǎo)體襯底上形成第一半導(dǎo)體激光器層之后形成非摻雜半導(dǎo)體層。因此，在通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)形成第二半導(dǎo)體激光器層之前通過(guò)除去除了成為第一半導(dǎo)體激光器層的發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域，露出半導(dǎo)體襯底時(shí)，通過(guò)非摻雜半導(dǎo)體層可保護(hù)接觸層。因此，在將該器件放入生長(zhǎng)爐中以進(jìn)行第二次晶體生長(zhǎng)時(shí)，可防止由于爐內(nèi)的高溫使雜質(zhì)從接觸層蒸發(fā)出來(lái)。即，根據(jù)本發(fā)明，可以防止由于接觸層的載流子密度的減少而造成的與金屬電極的接觸特性下降。
此外，還可以防止從接觸層蒸發(fā)的雜質(zhì)再次附著到露出的半導(dǎo)體襯底的表面上。因而，不可能在形成在露出的半導(dǎo)體襯底上的第二半導(dǎo)體激光器層的最下層與半導(dǎo)體襯底之間的界面上形成其中半導(dǎo)體襯底與再附著雜質(zhì)混合的層，并可以提高長(zhǎng)期操作可靠性。
此外，優(yōu)選在第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成不同晶體成分的半導(dǎo)體層和在不同晶體成分的這個(gè)半導(dǎo)體層上形成非摻雜半導(dǎo)體層。在上述情況下，在露出接觸層時(shí)通過(guò)利用具有相對(duì)于接觸層的選擇性的刻蝕劑刻蝕不同晶體成分的半導(dǎo)體層而進(jìn)行除去，可以可靠地在接觸層的表面停止刻蝕，這就可以嚴(yán)格控制接觸層的層厚。因此，可得到規(guī)定的接觸特性。
前面已經(jīng)介紹了本發(fā)明，很顯然可以用很多方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行改變。這種改變被認(rèn)為沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有這種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)都是顯而易見(jiàn)的，并應(yīng)包含在所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器件的制造方法，用于形成具有多個(gè)發(fā)光區(qū)的半導(dǎo)體激光器件，該方法包括以下步驟通過(guò)第一次晶體生長(zhǎng)，在一半導(dǎo)體襯底上形成包括位于最上層位置的一接觸層的一第一半導(dǎo)體激光器層；在該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成一非摻雜半導(dǎo)體層；通過(guò)除去在其上形成了該非摻雜半導(dǎo)體層的該第一半導(dǎo)體激光器層的除了成為一第一發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的區(qū)域，露出該半導(dǎo)體襯底；通過(guò)第二次晶體生長(zhǎng)形成一第二半導(dǎo)體激光器層；以及通過(guò)除去該第二半導(dǎo)體激光器層中除了成為一第二發(fā)光區(qū)的區(qū)域以外的該第二半導(dǎo)體激光器層的區(qū)域以及去除該非摻雜半導(dǎo)體層，露出該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中至少重復(fù)進(jìn)行形成該非摻雜半導(dǎo)體層的步驟、露出該半導(dǎo)體襯底的步驟和形成該第二半導(dǎo)體激光器層的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，還包括在該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成該非摻雜半導(dǎo)體層的步驟之前，在該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層上形成一晶體成分不同于該接觸層和該非摻雜半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層的步驟，該非摻雜半導(dǎo)體層是在形成該非摻雜半導(dǎo)體層的步驟中形成于該不同晶體成分的半導(dǎo)體層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中形成一AlGaAs基半導(dǎo)體層，作為該不同晶體成分的半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中形成一GaAs基半導(dǎo)體層，作為該非摻雜半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中形成一GaAs基半導(dǎo)體層，作為該非摻雜半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中該GaAs基非摻雜半導(dǎo)體層的層厚不小于0.2μm，以及該AlGaAs基半導(dǎo)體層的層厚不小于0.1μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中形成一GaAs基接觸層，作為該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中形成一GaAs基接觸層，作為該第一半導(dǎo)體激光器層的接觸層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器件的制造方法，其中在n型GaAs襯底21上形成AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29，之后，形成非摻雜GaAs保護(hù)層30。當(dāng)通過(guò)刻蝕AlGaAs基半導(dǎo)體激光器29的部分區(qū)域進(jìn)行除去，露出n型襯底21時(shí)，可防止雜質(zhì)Zn從p型GaAs接觸層28蒸發(fā)。還可防止由于p型接觸層28的載流子密度的減少造成的與p型電極的接觸特性下降。此外，可防止從p型接觸層28蒸發(fā)的雜質(zhì)再次附著到露出的n型襯底21上。在連續(xù)形成AlGaInP基半導(dǎo)體激光器38時(shí)，不會(huì)形成其中n型GaAs襯底21和再次附著的雜質(zhì)互相混合的層，并可提高長(zhǎng)期操作的可靠性。
文檔編號(hào)H01S5/343GK1455482SQ0314099
公開(kāi)日2003年11月12日 申請(qǐng)日期2003年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者宮嵜啟介, 和田一彥, 森本泰司 申請(qǐng)人:夏普公司