專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備EL(Electro Luminescence，電致發(fā)光)元件的顯示裝置。
如圖6所示，在絕緣基板10上配置延伸于圖中上下方向的透明導(dǎo)電材料ITO(Indium Tin Oxide)所成的線狀陽極20，及與該陽極20垂直相交并延伸在圖中左右方向的線狀陰極30。在圖中上下方向的多個陽極20，與圖中左右方向的多個陰極30交叉處，隔著絕緣膜24在陽極20與陰極30間設(shè)置具有以有機材料所成發(fā)光層的有機EL層25，即形成有機EL元件31。
就有機EL元件31說明如下如圖6(d)所示，在絕緣基板10上，設(shè)置以透明導(dǎo)電膜所成的陽極20，而于該上面依次層壓成由MTDATA(4，4′，4″-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)所成的第一空穴輸送層，及以TPD(N，N′-diphenyl-N，N′-di(3-methylphenyl)-1，1′-biphenyl-4，4，′-diamine)所成的第二空穴輸送層，以組成空穴輸送層21，以及，由含有Quinacridone衍生體的Bebq2(10-benzo[h]Quinorinol-belylumy復(fù)合物)所成的發(fā)光層22，及以Bebq2所成的電子輸送層23等以形成有機EL層25。又以鎂·合金層壓成陰極30。陰極30為不透明導(dǎo)電膜，由發(fā)光層22發(fā)出的光線可通過陽極20側(cè)，通過絕緣基板10射出外部。
之后，將封裝基板(未圖示)貼于圖6中的陰極側(cè)，在該封裝基板與絕緣基板10上，封裝TFT及有機EL元件31。該封裝基板可用金屬或玻璃。因有機EL層25較忌水分，因此，應(yīng)盡快進行封裝為宜。
但是，因有自然光由外部侵入，致使以Al層等形成的陰極30會反射該自然光。因而有由該反射光，使顯示像素變亮的現(xiàn)象，故在顯示“黑”色時，有無法獲得顯明的“黑”色顯示的問題。為此，如圖6，在絕緣基板表面設(shè)置相位差板51及圓形偏光板52，將射入自然光100中的由陰極30反射的反射光予以去除，以獲得顯明的“黑”色。
此時，因圓形偏光板52的透光率為40％～50％左右，其來自發(fā)光層22的光線也為同一透光率，因而，有使亮度減半的問題存在。為此，有在顯示裝置內(nèi)部作成防止反射自然光措施，同時，也有不配置圓形偏光板52的要求。
也就是說，雖然通過在EL顯示裝置內(nèi)采用一些措施能夠阻止自然光的反射，但是為了從紫外線中來保護有機EL層25，故需設(shè)置圓形偏光板52。
因此，在本發(fā)明中，在基板上設(shè)置有為顯示像素的陽極及陰極，且于上述陽極及陰極間具備層壓為發(fā)出各色光的發(fā)光層的電致發(fā)光顯示裝置中，去除圓形偏光板，且在上述發(fā)光層發(fā)光的放出光路徑上，和/或自然光的侵入光路徑設(shè)置紫外線保護膜進行解決。
同時，上述紫外線保護膜，具有能使透過的可視光，多于透過紫外線的透過率。
且將上述紫外線保護膜，設(shè)置于較上述發(fā)光層靠近觀看人的一側(cè)。
而在上述基板上，依上述陽極、上述發(fā)光層及上述陰極的順序?qū)訅?，且將上述紫外線保護膜進行接觸上述基板設(shè)置。
在上述基板上，依上述陽極、上述發(fā)光層及上述陰極的順序?qū)訅海疑鲜鲎贤饩€保護膜，為覆蓋驅(qū)動上述發(fā)光層的開關(guān)元件的平坦化膜。
在上述基板上，依上述陰極、上述發(fā)光層及上述陽極的順序?qū)訅?，且將上述紫外線保護膜，設(shè)置于封裝上述顯示像素的封裝基板。
而且，將上述紫外線保護膜以丙烯酸系透明樹脂形成。
圖1(b)為說明本發(fā)明的剖面圖。
圖1(c)為說明本發(fā)明的剖面圖。
圖2為說明本發(fā)明的特性圖。
圖3為說明本發(fā)明的平面圖。
圖4為說明本發(fā)明的剖面圖。
圖5(a)為說明本發(fā)明的剖面圖。
圖5(b)為說明本發(fā)明的剖面圖。
圖6(a)為說明現(xiàn)有技術(shù)的平面圖。
圖6(b)為說明現(xiàn)有技術(shù)的剖面圖。
圖6(c)為說明現(xiàn)有技術(shù)的剖面圖。
圖6(d)為說明現(xiàn)有技術(shù)的剖面圖。


10絕緣基板，20陽極，21空穴輸送層，22發(fā)光層，23電子輸送層，25有機EL層，30陰極，50紫外線保護膜，51相位差板，52圓形偏光板，110絕緣基板，112柵極絕緣膜，115層間絕緣膜，117紫外線保護膜，130第一TFT，第二TFT，140柵極電極，140c溝道，143有源層，143s源極，143d漏極，151柵極信號線，152漏極信號線，153驅(qū)動電源線，154保持電容電極，155電容電極，156第二平坦化膜，160有機EL元件，161陽極，162空穴輸送層，163發(fā)光層，164電子輸送層，165 EL層，166陰極，170保持電容器，210透明絕緣基板，220陽極，221反射極，224陰極，225有機EL層，230封裝基板，231黑矩陣，250紫外線保護膜，
圖1為本發(fā)明的無源型EL顯示裝置。其平面圖與圖6相同，故省略該部分說明。且在圖1中表示圖6A-A剖線部分的剖面圖。
在絕緣基板10表面，全面設(shè)置涂抹膜厚約1.2μm，具有能使透過的可視光，多于透過紫外線的透過率的丙烯酸系透明樹脂的紫外線保護膜50。設(shè)置延伸于圖6中上下方向的透明導(dǎo)電材料ITO(Indium TinOxide)所成線狀陽極20，及垂直相交于該陽極20而延伸于圖中左右方向的線狀陰極30。在圖中上下方向的多個陽極20，及圖中左右方向的多個陰極30交叉處，隔著絕緣膜24的陽極20與陰極30間，設(shè)具備有機材料所成發(fā)光層的有機EL層25，以構(gòu)成有機EL元件31。
在此，說明有機EL元件31如下如圖1(b)所示，在絕緣基板10上，設(shè)置透明導(dǎo)電膜形成的陽極，再于上面依序?qū)訅河蒑TDATA(4，4′，4″-tris(3-methyl)phenylphenylamine)triphenylamine)所成的第一空穴輸送層，及以TPD(N，N′-diphenyl-N，N′-di(3-methylphenyl)-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine)所成的第二空穴輸送層，以組成空穴輸送層21，再以含有Quinacridone衍生體的Bebq2(10-benzo[h]Quinorinol-belylumy復(fù)合物)所成發(fā)光層22，及由Bebq2所成的電子輸送層23等形成有機EL層25。又以鎂·合金層壓成不透明導(dǎo)電膜的陰極30。由發(fā)光層22發(fā)出的光線即通過陽極20側(cè)，透過絕緣基板10射出外部。
如本實施方式，該透過形成有機EL層25的基板10進行辨識的構(gòu)造，被稱為底端放射式構(gòu)造。
然后，將封裝基板(未圖示)貼于圖1中的陰極30側(cè)而在該封裝基板10上，將TFT及有機EL元件31進行安裝。該封裝基板可用金屬或玻璃。因有機EL層25較忌水分，應(yīng)以盡快封裝為宜。
在本實施例中，在陽極20的下層(基板10側(cè))形成由未圖示的鉬薄膜所成的反射防止膜，以防止從基板10射入的外光的反射。因此，不配置以往在封裝后貼于絕緣基板10表面的圓形偏光板52及相位差板51。
因此，本發(fā)明以設(shè)在絕緣基板10的紫外線保護膜50為其特征。
本實施方式中的紫外線保護膜50具有其波長依存性透過率。雖然能夠使80％以上的波長400nm以上的可視光透過，但只許1％以下的波長350nm以下的紫外線透過。在本說明書中，以能透過80倍以上于紫外線透過量的可視光透過膜稱為紫外線保護膜。
因設(shè)該紫外線保護膜而不使用圓形偏光板52，也可以由紫外線保護有機EL層25。
在此，設(shè)置相位差板51的目的，在于調(diào)整射入圓形偏光板52的光的偏向。由于相位差板51是透明的，所以對透過率及自然光的反射影響較圓形偏光板52來得少，因此伴隨省略圓形偏光板52，亦可同時省略相位差板51。與圓形偏光板52和相位差板51不管波長如何會以一定的透過率衰減來自有機EL層25的發(fā)光相比，本實施方式的紫外線系保護膜50，由于是以80％以上的透過率透過可視光，所以來自發(fā)光層22的光即可幾乎不會被衰減的穿透，與使用圖形偏光板52及相位差板51的情況相比，可以實際地提升人們的辨視亮度。
紫外線保護膜50，如圖1(c)所示，可設(shè)于絕緣基板10的觀看人的一側(cè)。也就是說，將紫外線保護膜50的薄膜貼在絕緣基板10，且在該絕緣基板10背面，以上述方式形成TFT及有機EL層25的構(gòu)造。本發(fā)明的特征，以設(shè)置紫外線保護膜50來保護紫外線的侵入有機EL層25，實現(xiàn)省略配置圓形偏光板52的構(gòu)造。所謂的觀看人側(cè)，是指位于發(fā)光層與觀看人之間的光路徑上，紫外線保護膜50配置于何處皆可，例如，本實施方式的有機EL顯示器使用作行動電話或攜帶式信息產(chǎn)品的顯示裝置的場合，紫外線保護膜50，亦可不用層壓在基板10上，而將其配置在行動電話等的機殼開口部獨立于顯示器外。
此時，由發(fā)光層22發(fā)射的光線，將放射于圖1(c)下方的絕緣基板10側(cè)，由觀看人進行識別。文中所謂的觀看人側(cè)，是指與形成TFT及有機EL元件31的絕緣基板10對向的封裝基板中，將發(fā)光層22的光線，予以透過基板射出的一方。若如圖中的底端放射式構(gòu)造，即以形成有機EL元件31的絕緣基板10側(cè)為觀看人側(cè)。
在本實施方式中，發(fā)光層22、陽極20、絕緣基板10為發(fā)光層發(fā)射光線的光徑。同一光徑的逆向為自然光的侵入光徑。
包含于該自然光內(nèi)的紫外線，是促使有機EL層25(發(fā)光層22)提前劣化的原因。因此，可將紫外線保護膜50設(shè)置于光徑上的任何層次，若能設(shè)置于陽極20下方最佳。
其次，利用圖2針對本實施方式的紫外線保護膜50加以說明。圖2是示意性地表示使用多種的丙烯酸樹脂作為紫外線保護膜的波長與透過率的關(guān)系，橫軸代表波長，縱軸代表透過率。并以實線、虛線與二點虛線分別代表樣本1、樣本2及樣本3。從樣本1至3皆顯示為于可視光透過率高，而在紫外光透過率低的波長依存性紫外線保護膜。且在圖2(a)為了強調(diào)各個樣本的差異，縱軸以對數(shù)來顯示。
首先，就虛線的樣本2進行說明。樣本2，在波長500nm的透過率只有50％左右。波長500nm，屬于從可視光的藍色邁向紫色的區(qū)域，為人們的可視區(qū)域。在進行全彩顯示時為了獲取良好的彩色均衡，需要增加該波長區(qū)的發(fā)光以補充透過率，其結(jié)果將促使該色的發(fā)光層提前劣化，而使將顯示器的壽命縮短。因此，本實施方式所用的紫外線保護膜，重要的是要使紫外線的透過率低而同時使可視區(qū)域的透過率高，故在430nm以上的波長區(qū)域需要具有80％以上的透過率。且優(yōu)選在430nm以上的波長區(qū)域具有85％以上，及在440nm以上的波長區(qū)域具有90％以上的透過率。
接著，就樣本3加以說明。樣本3顯示即使在400nm以下的波長區(qū)域也具有高透過率，從全彩顯示的觀點看具良好的特性。但是，從圖2(a)對數(shù)所顯示的縱軸可以清楚地看出，透過率在250nm附近具有0.1％左右的極大值。作為一般性的紫外線保護膜50，0.1％左右的透過率雖然常不會形成問題，但從發(fā)明者的所知來看，作為用作有機EL顯示裝置，0.1％的透過率未免太大，無法全部防止紫外線造成的壽命縮短。因此，作為本實施方式所用的紫外線保護膜，在350nm以下波長區(qū)域的透過率必須不超過0.05％，而且優(yōu)選在350nm以下波長區(qū)域的透過率是在0.01％以下。
下面，就樣本1加以說明。樣本1，滿足在440nm以上的波長區(qū)域為90％以上，在430nm以上的波長區(qū)域為85％以上，且在350nm以下的整個波長區(qū)域不超過0.01％的條件。因此，在本實施方式，采用樣本1作為紫外線保護膜。
在上述條件之外，樣本1尚具有急劇的透過率變化特性。參照圖2(b)所示，當從最大透過率側(cè)將波長加以變短，則在435nm幾乎具有最大透過率90％的樣本1的透過率，快速減少，于425nm降低到80％(較最大透過率低10％)，而在405nm變成不足1％。也就是說，在樣本1波長于變化20nm之間，透過率從80％急劇下降到不足1％。與此相比，在樣本2，于515nm較最大透過率低1％，而變成不足1％是在475nm，于40nm的幅距透過率持續(xù)下跌，呈平緩的變化。紫外線與可視光線并沒有明確的界線，且既然很難制造一種物質(zhì)能以某種波長區(qū)域作為門檻值來數(shù)字性的選擇透過、不透過，那么通過紫外線保護膜來某種程度隔絕紫色的可視光，是無可避免的事。被隔絕的可視光部分，雖然需要加強該隔絕波長的發(fā)光以彌補衰減的部分，但衰減曲線若平緩的話，則由于彌補用的數(shù)據(jù)修正將變成復(fù)雜，所以以門檻值為界限，透過率的變化最好是較急劇。作為用在有機EL顯示器的紫外線保護膜，從較最大透過率低10％的透過率到變成不足1％，必須是在40nm以下進行變化。而且，從較最大透過率低10％的透過率到變成不足1％，優(yōu)選是在20nm以下進行變化。
以圖3及圖4，表示第二實施方式的底端放射式構(gòu)造的有源型EL顯示裝置。
圖3為有機EL顯示裝置的一個顯示像素平面圖。圖4為沿圖3中B-B剖線的剖面圖。
如圖3所示，在多條延伸于行方向的柵極信號線151及延伸于列方向的漏極信號線152所圍繞區(qū)域內(nèi)形成顯示像素。而在兩信號線交叉點附近具開關(guān)元件的第一TFT130，且將該TFT130的源極113s，與后述的保持電容電極154間，形成兼具電容器的電容電極155，同時，連接至作為驅(qū)動有機EL元件160的第二TFT140的柵極141。第二TFT140的源極143s連接于有機EL元件160的陽極161，且將另一方漏極143d連接于驅(qū)動有機EL元件160的驅(qū)動電源線153。
再于TFT附近，配置與柵極信號線151為并行的保持電容電極154。該保持電容電極154由Cr等所構(gòu)成，通過柵極絕緣膜112，可與連接在第一TFT130源極113s的電容電極155間，儲存電荷成為電容器。該保持電容器170為保持施加于第二TFT140柵極141的電壓而設(shè)。
有機EL元件160的陰極166，設(shè)置于圖示的形成有機EL顯示裝置的基板110全面(即、平面圖紙面的全面)。
其次，以圖4說明對有機EL元件160供給電流的驅(qū)動用TFT的第二TFT140。圖4為圖3B-B剖線的剖面圖。
第二TFT140在石英玻璃或無堿玻璃等所成的絕緣基板110上，設(shè)置由Cr、Mo等高融點金屬或其合金所成的柵極電極141，以柵極絕緣膜112，及由p-Si膜所成的有源層143的順序進行形成，該有源層143在柵極電極141上方設(shè)內(nèi)在(intrinsic)或?qū)嵸|(zhì)上為內(nèi)在的溝道141c，及在該溝道141c兩側(cè)，設(shè)置有在其兩端施以離子摻雜的源極143s，及漏極143d。
然后，在柵極絕緣膜112及有源層143上的全面，形成以SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的順序?qū)訅簩娱g絕緣膜115，在對應(yīng)于漏極143d而設(shè)的接觸孔充填A(yù)l等金屬，以便于配置連接驅(qū)動電源的驅(qū)動電源線153。
再在全面由丙烯酸系透明樹脂形成紫外線保護膜117。該紫外線保護膜117具有透過可視光量多于短波長的紫外線的透過率特性。
在對應(yīng)于該紫外線保護膜117及層間絕緣膜115的源極143s位置上形成接觸孔，通過該接觸孔將接觸于源極143s的以ITO(Indium TinOxide)等所成的透明電極，即，有機EL元件160的陽極161設(shè)置在紫外線保護膜117上。雖未圖示，但在陽極161與紫外線保護膜117之間形成有由鉬薄膜所成的反射防止膜。
有機EL元件160的構(gòu)造如第一實施方式，在ITO等透明電極所成的陽極161上，設(shè)置有以第一空穴輸送層及第二空穴輸送層所成的空穴輸送層162、發(fā)光層163及電子輸送層164的順序?qū)訅盒纬傻挠袡CEL層165。再以鎂·合金層壓成陰極166。且為了防止因陽極161邊緣的段差造成分斷有機EL層165，亦在電子輸送層164下方配置第二平坦化膜156。
然后，將封裝基板110上(未圖示)貼于圖4中的陰極側(cè)，在封裝基板與絕緣基板110上，封裝TFT140及有機EL元件160。該封裝基板得使用金屬或玻璃。因有機EL層165忌水，應(yīng)盡快完成封裝作業(yè)為宜。在本發(fā)明中，其與現(xiàn)有技術(shù)的差異，在于不配置其封裝后貼于絕緣基板的圓形偏光板。
有機EL元件160，使由陽極注入的空穴，及由陰極注入的電子，在發(fā)光層內(nèi)部實施再結(jié)合，以激起形成發(fā)光層163的有機分子產(chǎn)生激發(fā)電子(exciton)，在該激發(fā)電子的放射失活過程中，由發(fā)光層放出光線，而將該光線由透明陽極通過透明絕緣板110放出外部。
在本實施方式中，發(fā)光層163、陽極161、透明絕緣板110為發(fā)光層發(fā)射光的光徑，而同一光徑的相反方向為自然光的侵入光徑。
本實施方式的特征在于該光徑上形成紫外線保護膜117。該紫外線保護膜117使用上述樣本1，因此紫外線的透過率為0.01％以下，由此，即使省略設(shè)置于絕緣基板110顯示側(cè)的圓形偏光板，也能防止因紫外線引起的有機EL元件160劣化。而且，由于可視光的透過率在90％以上，故與使用圓形偏光板的現(xiàn)有技術(shù)相比，可實際地提高人們的辨視亮度。尤如本實施方式，以丙烯酸系樹脂將紫外線保護膜117形成于陽極161與TFT間為最適宜。因為該丙烯酸系樹脂在遮斷紫外線的同時，亦具有使表面平坦的功能，因而，得以作為平坦化膜利用。上述樣本1，由于可旋轉(zhuǎn)涂抹溶液加以固化形成，故能擔(dān)負紫外線保護膜與平坦化膜的雙方使命，為最佳方式。
不限于此，紫外線保護膜117可任意設(shè)置于光徑上，或自然光的侵入光徑具備發(fā)光層163有機EL層165的靠近觀看人的一側(cè)。
并且，本發(fā)明也適用于頂端放射(topemission)構(gòu)造的EL顯示裝置，以下雖以無源式顯示裝置為例進行說明，但于有源矩陣式EL顯示裝置亦完全一樣。
底端放射式構(gòu)造與頂端放射式構(gòu)造的實質(zhì)上差異，在于底端放射式構(gòu)造為透過基板110識別，而頂端放射式構(gòu)造為透過封裝基板230的識別。其構(gòu)造幾乎與底端放射式構(gòu)造一樣。相異處為陰極是以極薄金屬膜與ITO、或IZO等透明電極層壓而成。該構(gòu)造實質(zhì)上與圖4相同，故省略圖示。并且，如圖5所示，有機EL元件160的層壓順序亦可相反，將共通的陰極224配置在下層，而將ITO的陽極161配置在上層。
也就是說，最下層為陰極224，且在上面設(shè)置有層壓電子輸送層、發(fā)光層、空穴輸送層的有機EL層225，最頂端設(shè)為由ITO及Ag/Mg所成的陽極220。反射防止膜雖未圖示，但形成于陽極220上。并且，有源陣式EL顯示裝置在采用頂端放射的情況，配置紫外線保護膜117的觀看人側(cè)，需要位于較發(fā)光層163更上層(較基板110更遠側(cè))。在以底端放射所用的溶液旋轉(zhuǎn)涂抹形成紫外線保護膜117的方法中，會因溶液中的水分而可能造成發(fā)光層163的劣化。因此，在頂端放射的場合，優(yōu)選獨立形成平坦化膜，并在其上層配置陽極、發(fā)光層，且獨立形成紫外線保護膜117。在本實施方式，在圖5(a)中在封裝基板230外設(shè)置紫外線保護膜250，而在圖5(b)中，于封裝空間的內(nèi)側(cè)，封裝基板230的內(nèi)側(cè)設(shè)置紫外線保護膜250。
然后，將封裝基板230貼于如圖5中的陽極側(cè)，由該封裝基板與絕緣基板210上，封裝TFT及EL元件。
有機EL元件使由陽極229注入的空穴，及由陰極224注入的電子，在發(fā)光層內(nèi)部實施再結(jié)合，以激起形成發(fā)光層的有機分子產(chǎn)生激發(fā)電子(exciton)，在該激發(fā)電子的放射失活過程中，由發(fā)光層放出光線，而將該光線由透明陽極220通過封裝基板230向外發(fā)光。
也就是說，在本實施方式中，發(fā)光層、陽極220、封裝基板230為光徑。
如上所述，在頂端放射式構(gòu)造，較底端放射式構(gòu)造對開口率的設(shè)計上的限制為少，若像素面積一樣，能使其開口率大。
如此，在頂端放射式構(gòu)造，由于觀看人能識別來自封裝基板230的光，故封裝基板230可為玻璃或丙烯酸基板等透明基板，但為防止水分入侵的目的，則以玻璃為佳。而在封裝基板230為防止看到各像素間的配線，設(shè)有黑矩陣231。此外在絕緣基板210上，設(shè)置防止光穿透的反射器。
在此，更在封裝基板230上，設(shè)置有涂布丙烯酸系樹脂的紫外線保護膜250。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相異之處，是封裝后不在絕緣基板表面配置貼付的圓形偏光板。
紫外線保護膜250可設(shè)置于光徑上，也就是說，可設(shè)置于封裝基板230觀看人的一側(cè)(如圖5(a))，也可設(shè)于顯示裝置的一側(cè)(如圖5(b))。但不限于此，該紫外線保護膜可任意設(shè)置于光徑上的具有發(fā)光層的有機EL層225較靠近于觀看人的一側(cè)的任一階層。但因丙烯酸樹脂系涂布溶劑進行形成，若設(shè)置在透明絕緣基板210上，則在有機EL層225有溶劑侵入之慮，因此需要另外形成防水機構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，可省略使EL元件發(fā)光亮度低落的圓形偏光板?，F(xiàn)在通過EL顯示裝置的內(nèi)部措施，雖省略圓形偏光板以實施防止自然光的反射，但因有機EL元件容易為紫外線而劣化，故需設(shè)置圓形偏光板。
但根據(jù)本發(fā)明，即可將紫外線保護膜設(shè)置于光徑上的較有機EL層更靠近于觀看人的一側(cè)，以抑制紫外線對有機EL元件的影響，也就是說，本發(fā)明的顯示裝置能保持目前具有圓形偏光板的構(gòu)造一樣，或具有更長有機EL元件壽命。
并且，因紫外線保護膜具有能使透過的可視光，多于紫外線透過的透過率而不需圓形偏光板，因而，可實現(xiàn)較目前為雙倍亮度的顯示裝置。
而在有源矩陣型顯示裝置中，特別是紫外線保護膜以丙烯酸樹脂，形成于TFT及有機EL層間，因此，可兼作為平坦化絕緣膜及紫外線保護膜。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，在基板上設(shè)置有顯示像素的陽極及陰極，具備層壓在所述陽極及陰極之間并發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于在所述發(fā)光層的發(fā)光的放出光路徑上和/或自然光的侵入光路徑設(shè)置紫外線保護膜。
2.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述紫外線保護膜，具有能使可視光波長區(qū)的透過率至少80倍，多于紫外線波長區(qū)的透過率。
3.如權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述紫外線保護膜，設(shè)置在較所述發(fā)光層靠近于觀看人側(cè)。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于在所述基板上，依所述陽極、所述發(fā)光層及所述陰極的順序?qū)訅海覍⑺鲎贤饩€保護膜連接于所述基板進行設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于在所述基板上，依所述陽極、所述發(fā)光層及所述陰極的順序?qū)訅?，而所述紫外線保護膜，以覆蓋驅(qū)動所述發(fā)光層的開關(guān)元件的平坦化膜構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于在所述基板上，依所述陰極、所述發(fā)光層及所述陽極的順序?qū)訅海覍⑺鲎贤饩€保護膜設(shè)置于封裝所述顯示元件的封裝基板。
7.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于所述紫外線保護膜，系以丙烯酸系透明樹脂形成者。
8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紫外線保護膜，波長400nm以下的紫外光透過率為1％以下。
9.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紫外線保護膜，波長400nm以下的紫外光透過率為0.01％以下。
10.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紫外線保護膜，波長430nm以上的可視光透過率為80％以上。
11.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紫外線保護膜，波長440nm以上的可視光透過率為90％以上。
12.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光顯示裝置，其中所述紫外線保護膜，從較最大透過率低10％的透過率到不足1％的透過率于40nm以下進行變化。
全文摘要
為抑制自然光的反射，圓形偏光板上有降低發(fā)光亮度的問題，因而，有不采用該圓形偏光板的措施。但因圓形偏光板具有遮蔽紫外線透過效果，若不采用圓形偏光板，有因紫外線而使有機EL元件劣化的問題。本發(fā)明提供一種在光路徑上設(shè)置紫外線保護膜，而將紫外線進行某程度的遮蔽，且在上面涂抹具有能通過可視光透過率的丙烯酸系透明樹脂，以省略圓形偏光板且能防止紫外線使有機EL元件劣化的電致發(fā)光顯示裝置。
文檔編號H01L27/32GK1450837SQ0312122
公開日2003年10月22日 申請日期2003年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者荒川正彥, 西川龍司 申請人:三洋電機株式會社