專利名稱：：具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)及其抹除、文件配置管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種內(nèi)存系統(tǒng)，尤其涉及一種具混合密度內(nèi)存(Hybriddensitymemory)的內(nèi)存系統(tǒng)，及其相關(guān)的抹除(Wear-leveling)管理方法與文件配置管理方法。
背景技術(shù)：
：隨著科技的蓬勃發(fā)展，對于數(shù)據(jù)儲存容量的需求日益增加。用以儲存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-volatilememory,或稱為非依電性內(nèi)存)中，閃存(Flashmemory)具有高儲存密度、低耗電特性、有效的存取效率與合理價格成本等優(yōu)點，因此，已成為時下主流的儲存媒體。結(jié)構(gòu)緊實的閃存利于設(shè)置于電子裝置內(nèi)，包括數(shù)字相機、數(shù)字錄放機、數(shù)字音樂播放機、掌上型個人計算機、與定位導(dǎo)航裝置等，或者制作為記憶卡與隨身碟等儲存裝置。閃存雖具有諸多優(yōu)點，卻有兩項硬件上的限制。首先，閃存以數(shù)據(jù)頁(Page)為單位進(jìn)行讀取與編程操作，以儲存區(qū)塊(Block)為單位進(jìn)行抹除。閃存的儲存區(qū)塊在重新寫入數(shù)據(jù)前，必須先執(zhí)行抹除動作才能再次寫入，而不能直接覆寫。其次，由于抹除動作須以較高電壓執(zhí)行，閃存能夠承受的抹除次數(shù)有限。內(nèi)存的抹除耐用次數(shù)一般稱為內(nèi)存的操作耐受次數(shù)(Endurancecycle)。當(dāng)儲存區(qū)塊累積的抹除次數(shù)超過抹除耐用次數(shù)時，將會導(dǎo)致數(shù)據(jù)寫入失敗，使得數(shù)據(jù)存取可靠度降低。因此，有近來提出的均勻抹除(Wear-leveling)技術(shù)的提出，以通過控管閃存儲存，讓內(nèi)存內(nèi)存儲器內(nèi)所有儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)盡可能地達(dá)到一致，借以使得內(nèi)存的所有儲存區(qū)塊均被有效運用。內(nèi)存以記憶單元(Memorycell)保存的電壓值來記錄儲存的位值。傳統(tǒng)的內(nèi)存儲存技術(shù)中，以單一記憶單元保存的電壓值為高電位或零電位來記錄一位數(shù)據(jù)為1或0。隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的精進(jìn)，記憶單元所保存電位值被進(jìn)一步作分割，以儲存更多位數(shù)據(jù)。舉例來說，倘若記憶單元可保存四種不同電位值，便能夠儲存兩位數(shù)據(jù)；倘若記憶單元可保存十六種不同電位值，便能夠儲存四位數(shù)據(jù)。業(yè)界將傳統(tǒng)保存單一位數(shù)據(jù)存儲器工藝技術(shù)稱為單級單元(Single-level-cell,SLC)工藝，將保存多位數(shù)據(jù)內(nèi)存工藝技術(shù)稱為多級單元(Multi-level-cell,MLC)工藝；而采用單級單元工藝技術(shù)制作的內(nèi)存稱為低密度內(nèi)存(Lowdensitymemory)，而采用多級單元工藝技術(shù)制作的內(nèi)存稱為高密度內(nèi)存(Highdensitymemory)。與低密度內(nèi)存相較，高密度內(nèi)存單位面積的數(shù)據(jù)儲存容量成倍數(shù)增加。由于高密度內(nèi)存占有價格與儲存容量的優(yōu)勢，因此，時下記憶卡與隨身碟等儲存裝置多采用高密度內(nèi)存來作數(shù)據(jù)儲存。多級單元工藝技術(shù)雖造就了高密度內(nèi)存的高儲存容量，然而卻使其儲存特性相對劣化，其中主要缺點包括有抹除耐用次數(shù)大幅減少與存取速率降低。內(nèi)存的抹除耐用次數(shù)與工藝技術(shù)相關(guān)，目前，市面上的低密度內(nèi)存的抹除耐用次數(shù)一般為十萬次，而高密度內(nèi)存的抹除耐用次數(shù)一般為一萬次，其差異高達(dá)十倍之多。正因如此，故儲存裝置采用高密度內(nèi)存大幅提升儲存容量的同時，也面臨了使用壽命大幅縮短的嚴(yán)重缺點。有鑒于高密度內(nèi)存的優(yōu)勢在于儲存容量高與成本低，而低密度內(nèi)存的優(yōu)勢在于抹除耐用次數(shù)高與存取速率快，兩種內(nèi)存優(yōu)劣互見，因此，業(yè)界近來發(fā)展出混合密度內(nèi)存(Hybriddensitymemory)。顧名思義，所述的混合密度內(nèi)存同時配置有高密度內(nèi)存與低密度內(nèi)存。而如何利用兩者優(yōu)點從而優(yōu)化混合密度內(nèi)存的效能，為近來相關(guān)業(yè)界積極投入研發(fā)的主題。US6807106案(下稱106案)便提出混合密度內(nèi)存的數(shù)據(jù)儲存技術(shù)。請參閱圖1A與圖IB,該二圖為106案所提出的混合密度內(nèi)存的儲存管理示意圖。圖1A與圖IB顯示文件數(shù)據(jù)的邏輯(Logical)位置與實體(Physical)儲存位置的對應(yīng)轉(zhuǎn)換關(guān)系，即數(shù)據(jù)的尋址空間與實際存放內(nèi)存位置的關(guān)系。如圖1A所示，邏輯區(qū)塊10包括有一標(biāo)頭區(qū)100與一數(shù)據(jù)區(qū)105。數(shù)據(jù)區(qū)105為數(shù)據(jù)的實質(zhì)內(nèi)容，而標(biāo)頭區(qū)IOO則為相關(guān)的控制信息，例如描述數(shù)據(jù)區(qū)105的數(shù)據(jù)正確性等信息。圖IB顯示圖1A的邏輯區(qū)塊10所對應(yīng)的實體區(qū)塊12配置。如圖IB所示，邏輯區(qū)塊10的標(biāo)頭區(qū)100與數(shù)據(jù)區(qū)105分別備配置在低密度內(nèi)存區(qū)塊120與高密度內(nèi)存區(qū)塊125。106案著眼于標(biāo)頭區(qū)100的數(shù)據(jù)常被存取使用，是故將標(biāo)頭區(qū)100數(shù)據(jù)儲存于存取速率快的低密度內(nèi)存區(qū)塊120，并將占用容量大的數(shù)據(jù)區(qū)105儲存于高密度內(nèi)存區(qū)塊125，借以提升混合密度內(nèi)存的數(shù)據(jù)存取效能。106案所提出的技術(shù)方案雖可提升儲存于混合密度內(nèi)存內(nèi)部的文件數(shù)據(jù)存取效能，然而，該技術(shù)卻未能符合混合密度內(nèi)存均勻抹除的要求，而使得儲存裝置的壽命受到抹除耐用次數(shù)較少的高密度內(nèi)存所箝制。106案中，文件數(shù)據(jù)一旦被更新，標(biāo)頭區(qū)100與數(shù)據(jù)區(qū)105數(shù)據(jù)將一并變更，連帶地，低密度內(nèi)存區(qū)塊120與高密度內(nèi)存區(qū)塊125均必須進(jìn)行一次抹除動作。請參閱圖2，該圖為106案的抹除次數(shù)示意圖。圖2中，區(qū)塊位置L與K分別顯示低密度內(nèi)存區(qū)塊120與高密度內(nèi)存區(qū)塊125的抹除次數(shù)。低密度內(nèi)存區(qū)塊與高密度內(nèi)存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)分別為EC2與EC1。如圖2所示，儲存裝置使用期間，區(qū)塊位置L,與仏的抹除次數(shù)同時累積上升，當(dāng)兩者累積的抹除次數(shù)到達(dá)高密度內(nèi)存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)EC1時，高密度內(nèi)存區(qū)塊便無法再作數(shù)據(jù)儲存。連帶地，儲存裝置因高密度內(nèi)存區(qū)塊的抹除次數(shù)到達(dá)極限而連帶宣告失效。然而，當(dāng)于儲存裝置宣告失效時，低密度內(nèi)存區(qū)塊的抹除次數(shù)卻尚未到達(dá)其耐除耐用次數(shù)EC2。以抹除耐用次數(shù)EC2與EC1分別為十萬次與一萬次為例，則低密度內(nèi)存區(qū)塊的抹除次數(shù)僅達(dá)到其抹除耐用次數(shù)的百分之十，浪費的儲存資源高達(dá)百分之九十。顯而易見地，106案所提出的技術(shù)因無法符合均勻抹除的要求，將致使內(nèi)存資源浪費。
發(fā)明內(nèi)容因此，所要解決的技術(shù)問題在于提供一種具混合密度內(nèi)存(Hybriddensitymemory)的內(nèi)存系統(tǒng)，其依據(jù)一儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，來記錄該儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)，而使得分屬不同記憶儲存空間的儲存區(qū)塊盡可能同時到達(dá)抹除耐用次數(shù)的限制。本發(fā)明的另一目的在于提供一種混合密度內(nèi)存的抹除管理方法，依據(jù)記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例來產(chǎn)生一取樣表(Samplingtable)，以決定數(shù)據(jù)的儲存區(qū)塊位置，而使得分屬不同記憶儲存空間的儲存區(qū)塊盡可能同時到達(dá)抹除耐用次數(shù)的限制。本發(fā)明的再一目的在于提供一種文件配置管理方法，通過參照對照表來決定文件的儲存區(qū)塊，而將文件配置于適當(dāng)?shù)挠洃泝Υ婵臻g作儲存，從而發(fā)揮混合密度內(nèi)存的效能。本發(fā)明揭示一種具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)。所述的內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個具不同抹除耐用次數(shù)的記憶儲存空間，以及對應(yīng)該記憶儲存空間與其抹除耐用次數(shù)所預(yù)設(shè)的權(quán)值。其中該系統(tǒng)在執(zhí)行對一記憶儲存空間的特定儲存區(qū)塊作抹除的命令之后，依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，記錄該次抹除的執(zhí)行。本發(fā)明再揭示一種混合密度內(nèi)存的抹除管理方法，其適用于控管一內(nèi)存系統(tǒng)。所述的內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個記憶儲存空間，該記憶儲存空間具有個別不同的抹除耐用次數(shù)，且每一記憶儲存空間包括有多個儲存區(qū)塊。所述的抹除管理方法的步驟為首先，接收一數(shù)據(jù)儲存命令。其次，依據(jù)該內(nèi)存儲存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生一取樣表以回應(yīng)該命令，其中取樣表由對應(yīng)抹除耐用次數(shù)的多個儲存區(qū)塊位置所組成。最后，選取取樣表其中的至少一儲存區(qū)塊位置，以依據(jù)所選取的儲存區(qū)塊位置來配合數(shù)據(jù)儲存命令儲存數(shù)據(jù)。本發(fā)明再揭示一種混合密度內(nèi)存的文件配置管理方法，其適用于一內(nèi)存系統(tǒng)的文件配置。所述的內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個記憶儲存空間，該記憶儲存空間具有個別不同的抹除耐用次數(shù)，所述的文件配置管理方法的步驟為首先，接收一命令，以進(jìn)行一文件的儲存配置。其次，參照一對照表，以決定該文件對應(yīng)的記憶儲存空間。本發(fā)明的具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)及其抹除管理方法與文件配置管理方法，針對混合密度內(nèi)存的應(yīng)用提出控管方案。其中，所述的抹除管理方法依據(jù)記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生權(quán)值來調(diào)整儲存區(qū)塊個別所累計的抹除次數(shù)。抹除管理方法通過取樣表來選取儲存區(qū)塊以配合儲存數(shù)據(jù)，使得分屬不同記憶儲存空間的儲存區(qū)塊盡可能同時到達(dá)抹除耐用次數(shù)限制。文件配置管理方法通過參照對照表來決定文件的儲存區(qū)塊，將文件儲存于適當(dāng)?shù)挠洃泝Υ婵臻g，從而提升混合內(nèi)存的儲存效能。以上的概述與接下來的詳細(xì)說明及附圖，都是為了能進(jìn)一步說明本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的方式、手段及功效。而有關(guān)本發(fā)明的其它目的及優(yōu)點，將在后續(xù)的說明及附圖中加以闡述。圖1A、圖1B為現(xiàn)有技術(shù)的混合密度內(nèi)存的儲存管理示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的抹除次數(shù)示意圖；圖3為本發(fā)明所揭示混合密度內(nèi)存的管理系統(tǒng)的系統(tǒng)架構(gòu)示意圖；圖4A及圖4B分別為圖3的低密度記憶儲存空間與高密度記憶儲存空間的示意圖；圖5為本發(fā)明的權(quán)值產(chǎn)生方法的步驟流程圖；圖6為本發(fā)明混合密度內(nèi)存的抹除管理方法的第一實施例的步驟流程圖；圖7為本發(fā)明的混合密度內(nèi)存的抹除管理方法的第二實施例的步驟流程圖；圖8為本發(fā)明的混合密度內(nèi)存的文件配置管理方法的步驟流程圖；以及圖9為本發(fā)明的對照表編輯方法的步驟流程圖。其中，附圖標(biāo)記10:邏輯區(qū)塊105:資料區(qū)120:低密度內(nèi)存區(qū)塊20:混合密度內(nèi)存的管理系統(tǒng)24:內(nèi)存系統(tǒng)28:暫存模塊32:低密度記憶儲存空間LUH,Hn:儲存區(qū)塊EC1、EC2:抹除耐用次數(shù)100:標(biāo)頭區(qū)12:實體區(qū)塊125:高密度內(nèi)存區(qū)塊22:主機26:控制模塊30:儲存模塊34:高密度記憶儲存空間Cuu、CH1CHN:抹除次數(shù)具體實施方式本發(fā)明提出具混合密度內(nèi)存(Hybriddensitymemory)的內(nèi)存系統(tǒng)及相關(guān)的抹除管理方法與文件配置管理方法。所述的混合密度內(nèi)存同時配置有采用單級單元(Single-level-cell)工藝技術(shù)制作的低密度內(nèi)存(Lowdensitymemory)，以及采用多級單元(Multi-level-cell)工藝技術(shù)制作的高密度內(nèi)存(Highdensitymemory)。其中，低密度內(nèi)存的儲存容量低、抹除耐用次數(shù)(Endurance)高且存取速率快；高密度內(nèi)存的儲存容量高、抹除耐用次數(shù)少且存取速率低。本發(fā)明以內(nèi)存的均勻抹除(Wear-leveling)管理與文件配置管理兩大方向來使得混合密度內(nèi)存的儲存效能充分發(fā)揮，與優(yōu)化混合密度內(nèi)存的應(yīng)用效能。本發(fā)明所提出的第一具體實施例如圖3所示，管理系統(tǒng)20包括一主機22以及一具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)24。主機22耦接于該內(nèi)存系統(tǒng)24，其中主機22為可作數(shù)據(jù)存取的應(yīng)用系統(tǒng)，例如計算機、通信裝置、數(shù)字相機、數(shù)字影音播放機等數(shù)字裝置。內(nèi)存系統(tǒng)24為主機22的儲存單元。例如記憶卡、隨身碟等儲存裝置。所述內(nèi)存系統(tǒng)24還包括有一控制模塊26、一暫存模塊28以及一儲存模塊30。暫存模塊28為隨機存取內(nèi)存，用以暫存數(shù)據(jù)，儲存模塊30為閃存所構(gòu)成的非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-volatilememory,或稱為非依電性內(nèi)存)，用以儲存數(shù)據(jù)?？刂颇K26耦接于主機22、暫存模塊28與儲存模塊30。主機22安裝有操作系統(tǒng)與硬件驅(qū)動程序，以對內(nèi)存系統(tǒng)24作硬件控制與數(shù)據(jù)傳輸?？刂颇K26接受主機22端的數(shù)據(jù)存取命令控制，進(jìn)行讀寫位置對照轉(zhuǎn)換，對暫存模塊28與儲存模塊30作存取動作。儲存模塊30由混合密度內(nèi)存所構(gòu)成，包括有一低密度記憶儲存空間32與一高密度記憶儲存空間34。低密度記憶儲存空間32采用單級單元(Single-level-cell,SLC)工藝技術(shù)所制作，高密度記憶儲存空間34采用多級單元(Multi-level-cell,MLC)工藝技術(shù)所制作。低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34具有個別不同的抹除耐用次數(shù)。請同時參閱圖4A及圖4B，其分別為圖3的低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34的示意圖。如圖4A及圖4B所示，低密度記憶儲存空間32具有多個儲存區(qū)塊(Block)L,Lm，高密度記憶儲存空間34具有多個儲存區(qū)塊H,IU其中，M、N分別為一大于l的整數(shù)。附帶一提的是，所述的低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34可形成于同一內(nèi)存芯片，或分別由一或多個內(nèi)存芯片所形成。儲存區(qū)塊LiLM、H,仏除了儲存使用者的數(shù)據(jù)之外，尚分割出一塊儲存區(qū)來儲存額外信息，以記錄個別儲存區(qū)塊的硬件描述、儲存數(shù)據(jù)，及抹除次數(shù)。如圖4A及圖4B所示，儲存區(qū)塊L、…、LM、Hb…、^分別儲存有個別的抹除次數(shù)Cu、…、Clm、CH1、…、CHN。當(dāng)主機22開機、儲存文件數(shù)據(jù)或指定進(jìn)行抹除管理的時機，控制模塊26將每一儲存區(qū)塊L,、…、LM、仏、…、Hw個別的抹除次數(shù)Cu、、ClM、CH1、…、CHw讀出，借以取得各個儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)，以便依據(jù)儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)多少，來運用儲存區(qū)塊，達(dá)到均勻抹除的目的。由于低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34的抹除耐用次數(shù)不同，現(xiàn)有技術(shù)忠實地依據(jù)抹除次數(shù)作累計，即抹除次數(shù)Cu、…、C,M、CH1、…、U為反應(yīng)出儲存區(qū)塊L,、…、LM、H,、…、仏進(jìn)行過的抹除次數(shù)累計值，當(dāng)控制模塊26作抹除控管時，將會對抹除次數(shù)少的儲存區(qū)塊增加運用比例，以便使得各個儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)盡可能一致。如此一來，將致使抹除耐用次數(shù)少的高密度記憶儲存空間34的儲存區(qū)塊H卜…、Hw提早面臨失效。因此，本發(fā)明以記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例的反比，來產(chǎn)生每一記憶儲存空間個別的抹除次數(shù)權(quán)值。當(dāng)控制模塊26將抹除次數(shù)寫回儲存區(qū)塊時，會依照該儲存區(qū)塊所屬記憶儲存空間的權(quán)值對該次抹除加權(quán)后累計于原抹除次數(shù)中。換言之，儲存區(qū)塊L、…、LM、Ht、…、Hw個別的抹除次數(shù)Cu、…、U、CH1、…、(^并非實際的抹除次數(shù)，而是經(jīng)過權(quán)值所調(diào)整的等效抹除次數(shù)，以期反映出其實質(zhì)壽命。如此一來，便可依據(jù)儲存區(qū)塊已消耗的壽命比率來作均勻抹除控管，而非僅就抹除次數(shù)來作抹除控管。在此，進(jìn)一步以一實例來說明上述機制。假設(shè)圖3的低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34的抹除耐用次數(shù)分別為十萬次與一萬次，則其比例為10:1。依據(jù)抹除耐用次數(shù)比例的相反值1:10，可決定低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34個別的抹除次數(shù)權(quán)值。例如，將低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34個別的權(quán)值定義為1與10。則累計低密度記憶儲存空間32的儲存區(qū)塊LU的抹除次數(shù)時，每次將抹除次數(shù)加1;而累計高密度記憶儲存空間34的儲存區(qū)塊^&的抹除次數(shù)時，每次將抹除次數(shù)加10。如此一來，儲存區(qū)塊H仏的抹除次數(shù)將以較快速度上升，而控制模塊26便會逐漸減少高密度記憶儲存空間34的儲存區(qū)塊仏A的使用比例，從而防止儲存區(qū)塊仏HN提早達(dá)到抹除耐用次數(shù)的限制而早夭失效。以下便詳細(xì)說明本發(fā)明所揭示抹除管理方法的第一實施例。請參閱圖5，該圖為記憶儲存空間的權(quán)值產(chǎn)生方法的步驟流程圖。此權(quán)值產(chǎn)生方法用以產(chǎn)生記憶儲存空間個別的權(quán)值，以便管理系統(tǒng)20作均勻抹除管理。如圖5所示，此權(quán)值產(chǎn)生方法包括有下列步驟首先，控制模塊26根據(jù)所屬內(nèi)存密度識別內(nèi)存系統(tǒng)24的各個記憶儲存空間個別的抹除耐用次數(shù)(步驟S500);以及其次，依據(jù)各個記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生對應(yīng)的權(quán)值，使得各個記憶儲存空間的權(quán)值的比例與對應(yīng)該記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)的比例相反(步驟S502)。于一具體實施例中，步驟S502所產(chǎn)生的權(quán)值被記錄于儲存模塊30內(nèi)部的一儲存區(qū)塊內(nèi)，當(dāng)主機22運作時，可被控制模塊26從儲存模塊30中存取至?xí)捍婺K28儲存，以利控制模塊26執(zhí)行抹除管理的演算存取。接著，請參閱圖6，該圖為本發(fā)明的混合密度內(nèi)存的抹除管理方法的步驟流程圖。如圖6所示，此方法包括有下列步驟首先，分別提供該記憶儲存空間具有一權(quán)值，其中該記憶儲存空間的權(quán)值的比例與該記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)的比例成反比(步驟S600);其次，控制模塊26接收一命令，以對一特定儲存區(qū)塊作抹除(步驟S602);隨后，控制模塊26識別該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間(步驟S604);以及最后，執(zhí)行該命令，對該特定儲存區(qū)塊進(jìn)行抹除，并依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，記錄該次抹除的執(zhí)行(步驟S606)。其中，步驟S600依據(jù)之前所揭示的權(quán)值產(chǎn)生方法所產(chǎn)生。于一具體實施例中，每一儲存區(qū)塊儲存有個別的抹除次數(shù)。于步驟S606中，當(dāng)控制模塊26執(zhí)行命令，對該特定儲存區(qū)塊作抹除時，包括有下列步驟首先，讀出該特定儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)；其次，抹除該特定儲存區(qū)塊所記憶的內(nèi)容；隨后，依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，累計抹除次數(shù)；以及最后，將經(jīng)過累計的抹除次數(shù)寫入該特定儲存區(qū)塊。附帶一提的是，圖3為以一高密度記憶儲存空間34為例，儲存模塊30可進(jìn)一步包括具有另一抹除耐用次數(shù)的高密度記憶儲存空間。舉例來說，倘若儲存模塊30具有抹除耐用次數(shù)為1000次的另一高密度記憶儲存空間，則低密度記憶儲存空間32、高密度記憶儲存空間34與所述的另一高密度記憶儲存空間的抹除耐用比例即為100:10:1，據(jù)此，將可推得而該三記憶儲存空間的權(quán)值比例為100:10:1的相反值，也就是1:10:100。依據(jù)上述權(quán)值比例，可定義出每一記憶儲存空間個別的權(quán)值。另外也可依所述的抹除耐用比例任意將三記憶儲存空間的權(quán)值分別定義為l、10、100，或者為10、100、1000。此外，也可分別提供高密度記憶儲存空間34及低密度記憶儲存空間32各有一權(quán)值，且并使高密度記憶儲存空間34的權(quán)值大于低密度儲存空間的權(quán)值32。如此一來，此實施方式中，高密度記憶儲存空間34的儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)將仍以較快的速度上升。本發(fā)明的第二實施例，在接收到數(shù)據(jù)儲存命令時，依據(jù)記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生一取樣表(Samplingtable)，此取樣表由對應(yīng)抹除耐用次數(shù)的儲存區(qū)塊位置所組成。當(dāng)主機22向控制模塊26提出數(shù)據(jù)儲存需求時，控制模塊26便產(chǎn)生一取樣表，選取取樣表內(nèi)至少一儲存區(qū)塊位置來配合數(shù)據(jù)儲存命令儲存數(shù)據(jù)。取樣表內(nèi)所配置的每一記憶儲存空間具有的儲存區(qū)塊位置的數(shù)量與該儲存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)成正比。舉例來說，倘若儲存模塊30中，低密度記憶儲存空間32與高密度記憶儲存空間34的抹除耐用次數(shù)比例為10:1，可將取樣表的樣本組成比例預(yù)設(shè)為具有十個低密度記憶儲存空間32的儲存區(qū)塊位置，以及一個高密度記憶儲存空間34的儲存區(qū)塊位置。如此一來，而控制模塊26便會依據(jù)規(guī)劃好的樣本數(shù)的比例產(chǎn)生取樣表，再隨機選取其中樣本來決定數(shù)據(jù)儲存位置。請參閱圖7，該圖為本發(fā)明的混合密度內(nèi)存的抹除管理方法的步驟流程圖。如圖7所示，該方法包括有下列步驟首先，控制模塊26接收一數(shù)據(jù)儲存命令(步驟S700);其次，依據(jù)記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生一取樣表以回應(yīng)該命令，該取樣表由對應(yīng)該抹除耐用次數(shù)的多個儲存區(qū)塊位置所組成(步驟S702);以及最后，選取該取樣表中的至少一儲存區(qū)塊位置，以依據(jù)所選取的儲存區(qū)塊位置來配合該數(shù)據(jù)儲存命令儲存數(shù)據(jù)(步驟S704)。其中，取樣表中所配置每一記憶儲存空間具有的儲存區(qū)塊位置的數(shù)量與記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)成正比。如此一來，便可通過樣本數(shù)的不平均分配與隨機選取，達(dá)到對混合密度內(nèi)存均勻抹除的目的。另外，由于實踐應(yīng)用中，記憶儲存空間的儲存容量有所不同，因此，于一具體實施例中，取樣表所配置的每一記憶儲存空間的儲存區(qū)塊位置數(shù)量進(jìn)一步與記憶儲存空間的儲存容量成正比，從而使得對照表的樣本根據(jù)內(nèi)存系統(tǒng)24的內(nèi)存容量配置，而更準(zhǔn)確地達(dá)到均勻抹除的目的。除上述兩實施例之外，在實踐應(yīng)用中，文件數(shù)據(jù)的特性不同，對于內(nèi)存的儲存特性需求也有所不同。混合密度內(nèi)存中，高密度內(nèi)存在于提供高容量儲存空間，而低密度內(nèi)存所提供的儲存空間儲存容量雖較小，但其存取效能與可靠度均較高。因此，如程序執(zhí)行文件、視頻音頻文件等儲存容量高而不常作修改的文件，可儲存于高密度內(nèi)存儲存空間。而像文件系統(tǒng)(Filesystem)、頁式文件(Pagefile)與快取文件(Cachefile)等文件常被存取與修改，并且與主機系統(tǒng)的運作息息相關(guān)，對于數(shù)據(jù)存取速率與可靠度的需求較高，便可儲存于低密度內(nèi)存儲存空間。本發(fā)明所揭示的文件配置管理方法將文件數(shù)據(jù)儲存于符合其操作特性的內(nèi)存中，以進(jìn)一步優(yōu)化混合密度內(nèi)存的效能。圖3中，儲存模塊30儲存有一文件系統(tǒng)，所述的文件系統(tǒng)可為依據(jù)FAT12、FAT16、FAT32或NTFS文件系統(tǒng)所規(guī)范的系統(tǒng)架構(gòu)，以對儲存模塊30所儲存的文件數(shù)據(jù)作管理。文件數(shù)據(jù)的邏輯地址與實體位置的對應(yīng)關(guān)系通過邏輯區(qū)塊地址(Logicalblockaddressing)作映像轉(zhuǎn)換。請參閱圖8，該圖為本發(fā)明的文件配置管理方法的步驟流程圖。如圖8所示，所述的文件配置管理方法包括有下列步驟首先，提供一對照表(步驟S800);其次，接收一命令，以進(jìn)行一文件的儲存配置(步驟S802);以及最后，參照對照表，以依據(jù)文件的特性，決定該文件對應(yīng)的記憶儲存空間(步驟S804)。所述的對照表記載文件特性所對應(yīng)的記憶儲存空間。所述的文件特性可為文件類型，例如，以文件數(shù)據(jù)的擴展名列出所對應(yīng)的記憶儲存空間，借此，便可將對儲存效能要求較高的文件系統(tǒng)、頁式文件與快取文件配置于低密度記憶儲存空間32儲存，而將儲存容量需求高，但數(shù)據(jù)少有變動的視頻音頻文件、程序執(zhí)行文件配置于高密度記憶儲存空間34儲存。所述的文件特性也可為文件操作的頻率，通過檢測文件的開啟、更新與儲存等操作的頻率，來決定所對應(yīng)的記憶儲存空間，從而可將較常變動與經(jīng)常存取的文件配置于低密度記憶儲存空間32儲存，而將久未變動與較少存取的文件配置于高密度記憶儲存空間34儲存。所述的文件特性也可為文件名稱或數(shù)據(jù)夾目錄，從而可依據(jù)文件名或文件的數(shù)據(jù)夾目錄，將文件數(shù)據(jù)配置于對照表所規(guī)劃的記憶儲存空間。于一具體實施例中，所述的對照表由一文件管理程序的執(zhí)行所產(chǎn)生。所述的文件管理程序產(chǎn)生對照表后，便將對照表儲存于儲存模塊30的一預(yù)定位置，當(dāng)主機22開機時，控制模塊26便將對照表從儲存模塊30存取到暫存模塊28中作暫存，以便在進(jìn)行儲存配置時，隨時存取對照表，借以參照文件的預(yù)設(shè)實體位置。于上述實施例中，該文件管理程序編輯該對照表的方式可由該主機系統(tǒng)自動檢測文件特性來進(jìn)行編輯；也可由使用者自行編輯對照表，以直接控管內(nèi)存系統(tǒng)。因此，對照表的編輯包括有使用者編輯管理與程序自動檢測管理兩種模式。請參閱圖9，該圖為本發(fā)明的對照表編輯方法的步驟流程圖。如圖9所示，該方法包括有下列步驟首先，執(zhí)行文件管理程序(步驟S900);其次，依據(jù)文件管理程序的執(zhí)行，初始化文件管理程序的各項設(shè)定，并取得對照表(步驟S902);接著，判斷是否接收到對照表編輯命令，此對照表編輯命令表示使用者欲主動編輯對照表(步驟S904);倘若步驟S904的判斷為接受到對照表編輯命令，則進(jìn)入使用者編輯管理模式，主機22控制顯示器產(chǎn)生一操作接口提供該對照表的編輯(步驟S920);其后，接受對照表的變更(步驟S922);倘若步驟S904的判斷為并未接收到對照表編輯命令，則進(jìn)入程序自動檢測管理，以幕后運作狀態(tài)檢測文件的操作情形(步驟S906);隨后，判斷文件的操作是否涉及一預(yù)設(shè)的操作手段，例如，文件的開啟、更新與儲存(步驟S908);倘若步驟S908的判斷為文件的操作涉及預(yù)設(shè)的操作手段，則更新對照表內(nèi)容，舉例來說，假設(shè)依照對照表的預(yù)先規(guī)劃，一個原本被配置于高密度記憶儲存空間34中文件被檢測到開啟與變更儲存，則文件管理程序便依據(jù)檢測結(jié)果，更新對照表內(nèi)容，將該文件所對應(yīng)的記憶儲存空間由高密度記憶儲存空間34變更為低密度記憶儲存空間32(步驟S930);倘若步驟S908的判斷為否，接著便判斷是否結(jié)束操作(步驟S910);倘若步驟S910的判斷為并未結(jié)束操作，便回到步驟S906，繼續(xù)檢測文件的操作情形；倘若步驟S910的判斷為結(jié)束操作，便結(jié)束文件管理程序的執(zhí)行(步驟S912)。特別提出的是，文件配置管理的執(zhí)行時機并非僅限于儲存文件與操作文件的時。舉凡主機22開機或文件存取時，均可進(jìn)行文件配置管理。此外，由于文件配置管理必須執(zhí)行文件特性識別與參照對照表等程序，所占用的系統(tǒng)資源較多。，因此，本發(fā)明的文件配置管理也可不必識別文件系統(tǒng)中所有文件的特性，以決定所有文件的記憶儲存空間。于一具體實施例中，針對高重要性的文件系統(tǒng)、快取文件與頁式文件等文件作文件配置管理，以便將上述類型文件儲存于可靠度與存取效能較佳的低密度內(nèi)存中。通過以上實例詳述，當(dāng)可知悉本發(fā)明的具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)及其抹除管理方法與文件配置管理方法，針對混合密度內(nèi)存的應(yīng)用提出控管方案。其中，所述的抹除管理方法的第一實施例依據(jù)記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生權(quán)值來調(diào)整儲存區(qū)塊個別所累計的抹除次數(shù)。抹除管理方法的第二實施例則是通過取樣表來選取儲存區(qū)塊以配合儲存數(shù)據(jù)，使得分屬不同記憶儲存空間的儲存區(qū)塊盡可能同時到達(dá)抹除耐用次數(shù)限制。文件配置管理方法通過參照對照表來決定文件的儲存區(qū)塊，將文件儲存于適當(dāng)?shù)挠洃泝Υ婵臻g，從而提升混合內(nèi)存的儲存效能。本發(fā)明提出具體可行的機制，優(yōu)化混合密度內(nèi)存的應(yīng)用，解決現(xiàn)有技術(shù)的諸多缺失。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.一種具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個具不同抹除耐用次數(shù)的記憶儲存空間，并分別包括有多個儲存區(qū)塊；以及對應(yīng)該記憶儲存空間與其抹除耐用次數(shù)所預(yù)設(shè)的權(quán)值；其中該系統(tǒng)在執(zhí)行對一特定儲存區(qū)塊作抹除的命令之后，依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，記錄該次抹除的執(zhí)行。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該多個記憶儲存空間包括有至少一低密度記憶儲存空間以及至少一高密度記憶儲存空間。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該多個記憶儲存空間所對應(yīng)的權(quán)值的比例與該多個記憶儲存空間的抹除耐用次數(shù)比例相反。4、根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該高密度記憶儲存空間的權(quán)值大于該低密度儲存空間的權(quán)值。5、根據(jù)權(quán)利要求l所述的內(nèi)存系統(tǒng)，其特征在于，該抹除命令與記錄的步驟包括讀出該特定儲存區(qū)塊的抹除次數(shù)；抹除該特定儲存區(qū)塊所記憶的內(nèi)容；依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，累計該抹除次數(shù)；以及將經(jīng)過累計的抹除次數(shù)寫入該特定儲存區(qū)塊。6、一種混合密度內(nèi)存的抹除管理方法，其特征在于，適用于控管一內(nèi)存系統(tǒng)，該內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個記憶儲存空間，該記憶儲存空間具有個別不同的抹除耐用次數(shù)，每一記憶儲存空間包括有多個儲存區(qū)塊，該抹除管理方法包括下列步驟接收一數(shù)據(jù)儲存命令；依據(jù)該內(nèi)存儲存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)比例，產(chǎn)生一取樣表以回應(yīng)該命令，其中該取樣表由對應(yīng)該抹除耐用次數(shù)的多個儲存區(qū)塊位置所組成；以及選取該取樣表其中的至少一儲存區(qū)塊位置，以依據(jù)所選取的儲存區(qū)塊位置來配合該數(shù)據(jù)儲存命令儲存數(shù)據(jù)。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的抹除管理方法，其特征在于，該記憶儲存空間包括有至少一低密度記憶儲存空間以及至少一高密度記憶儲存空間。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的均勻抹除管理方法，其特征在于，該取樣表所配置的每一記憶儲存空間的儲存區(qū)塊位置的數(shù)量進(jìn)一步與該記憶儲存空間的儲存容量成正比。9、根據(jù)權(quán)利要求6所述的均勻抹除管理方法，其特征在于，該取樣表所配置的每一記憶儲存空間的儲存區(qū)塊位置的數(shù)量進(jìn)一步與該內(nèi)存儲存區(qū)塊的抹除耐用次數(shù)成正比。10、根據(jù)權(quán)利要求6所述的管理系統(tǒng)，其特征在于，該記憶儲存空間包括有至少一低密度記憶儲存空間以及至少一高密度記憶儲存空間。11、一種混合密度內(nèi)存的文件配置管理方法，其特征在于，適用于一內(nèi)存系統(tǒng)的文件配置，該內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個記憶儲存空間，該記憶儲存空間具有個別不同的抹除耐用次數(shù)，該文件配置管理方法包括下列步驟接收一命令，以進(jìn)行一文件的儲存配置；以及參照一對照表，以決定該文件對應(yīng)的記憶儲存空間。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的文件配置管理方法，其特征在于，該對照表記載一文件特性所對應(yīng)的記憶儲存空間，該文件特性為文件的文件名、擴展名、目錄或操作頻率。13、根據(jù)權(quán)利要求11所述的文件配置管理方法，其特征在于，還包括下列步驟識別該文件所儲存的記憶儲存空間；以及倘若該文件所儲存的記憶儲存空間與依據(jù)該對照表所決定的記憶儲存空間不同，則將該文件遷移至依據(jù)該對照表所決定的記憶儲存空間儲存。14、根據(jù)權(quán)利要求11所述的文件配置管理方法，其特征在于，該對照表通過一文件管理程序的執(zhí)行來作對照表編輯，該對照表編輯方法包括下列步執(zhí)行該文件管理程序；產(chǎn)生一操作接口提供該對照表的編輯；以及接受該操作接口對該對照表的變更。15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的文件配置管理方法，其特征在于，該對照表編輯方法還包括下列步驟檢測文件的操作情形；判斷文件的操作是否涉及一預(yù)設(shè)的操作手段；以及倘若文件的操作涉及該預(yù)設(shè)的操作手段，則更新該對照表;其中該預(yù)設(shè)的操作手段為文件的開啟、更新與儲存。全文摘要本發(fā)明公開了一種具混合密度內(nèi)存的內(nèi)存系統(tǒng)。所述的內(nèi)存系統(tǒng)包括有多個具不同抹除耐用次數(shù)的記憶儲存空間，以及對應(yīng)該記憶儲存空間與其抹除耐用次數(shù)所預(yù)設(shè)的權(quán)值。其中該系統(tǒng)在執(zhí)行對一記憶儲存空間的特定儲存區(qū)塊作抹除的命令之后，依據(jù)該特定儲存區(qū)塊所屬的記憶儲存空間對應(yīng)的權(quán)值，記錄該次抹除的執(zhí)行。借此，可使得分屬不同密度的記憶儲存空間盡可能同時到達(dá)抹除耐用次數(shù)。文檔編號G11C16/10GK101271730SQ20071012946公開日2008年9月24日申請日期2007年7月17日優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日發(fā)明者張惠能,林傳生,謝祥安,陳明達(dá)申請人:威剛科技股份有限公司