專利名稱：磁盤裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種磁盤裝置，其通過利用在記錄介質的光照射的表面上的電流產(chǎn)生磁場來進行磁記錄。
背景技術：
近來，熱輔助磁記錄方法越來越多地用作使得能夠進行高密度磁記錄的技術。熱輔助磁記錄方法在對熱起伏具有高保持力的磁記錄介質上進行磁記錄。在熱輔助磁記錄方法中，使光聚焦在磁記錄介質的表面上以使得磁記錄介質的溫度局部升高，并將溫度升高的部分暴露于磁場以進行磁記錄。在熱輔助磁記錄方法中，盡管將記錄介質暴露于光以使記錄介質的溫度升高，但是記錄介質需要立即暴露于磁場以防止熱起伏。
例如，在日本專利特開公報No.2004-303299中公開了一種作為熱輔助磁記錄方法技術的數(shù)據(jù)記錄頭，該數(shù)據(jù)記錄頭包括磁場產(chǎn)生元件和熱產(chǎn)生單元。磁場產(chǎn)生元件使電流經(jīng)過包括用于限制電流的限制器(constrictor)的金屬板，并產(chǎn)生磁場以進行磁記錄。熱產(chǎn)生單元通過使限制器從下方暴露于激光束而在金屬表面上產(chǎn)生熱。
然而，在傳統(tǒng)技術中，制造金屬限制器特別是使其變窄是精密而困難的。而且，需要以高精度安裝單獨的讀取頭以使用磁讀取頭播放磁記錄介質。因此，不能容易地制造磁記錄頭(例如通過利用晶片加工制造)。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于至少部分解決傳統(tǒng)技術中的問題。
根據(jù)本發(fā)明一個方面的磁盤裝置通過利用記錄介質的光照射的表面上的電流產(chǎn)生磁場來進行磁記錄。該磁盤裝置包括磁頭單元，其通過將透射光的光學膜和電流流經(jīng)的金屬膜層壓而形成；光照射單元，其以這樣的方式照射光，即，光透射過光學膜并照射在記錄介質的表面上；和電流輸出單元，其向金屬膜輸出電流。
通過結合附圖閱讀以下對本發(fā)明當前優(yōu)選實施例的詳細說明，將更好地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點以及技術和工業(yè)重要性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁盤裝置的整個外部結構的示意圖；圖2是根據(jù)第一實施例的磁盤裝置的概要和顯著特征的示意圖；圖3是在磁盤裝置中的光透射的示意圖；圖4是具有不對稱結構的磁頭的示意圖；圖5是透射體的側面示意圖；圖6是表示光學頭的層狀結構的折射率分布的圖表；圖7是金屬膜的示意圖；圖8是磁盤裝置中的磁頭的制造過程的示意圖；圖9是使用磁軛的磁頭的示意圖；圖10是磁盤裝置中的磁頭的制造過程的示意圖；圖11是具有對稱結構的磁頭的示意圖；圖12是經(jīng)過金屬膜的電流的示意圖；圖13是電路結構的示意圖；圖14是金屬膜的位置的示意圖；以及圖15是金屬膜的形狀的示例的示意圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖詳細說明本發(fā)明的示例性實施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的磁盤裝置10的整個外部結構的示意圖。圖2是磁盤裝置10的概要和顯著特征的示意圖。圖3是在磁盤裝置10中的光透射的示意圖。
在根據(jù)第一實施例的磁盤裝置10中，通過利用暴露于光的記錄介質表面上的電流產(chǎn)生磁場來進行磁記錄。根據(jù)第一實施例的磁盤裝置10的顯著特征使得能夠通過簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
如圖1所示，磁盤裝置10包括滑動器11和搖臂12。安裝有滑動器11的搖臂12轉動以記錄和再生數(shù)據(jù)。搖臂12緊湊，重量輕并能夠高速搜索和記錄。
如圖2所示，在根據(jù)第一實施例的磁盤裝置10中，滑動器11在頂部包括磁頭20，其通過將透射光的光學頭21、電流經(jīng)過的金屬膜22和讀取頭23層壓而形成。換言之，可通過晶片加工容易地制造磁頭20。
在磁盤裝置10中，磁頭20形成為讀取頭23最接近滑動器11的側面定位，光學頭21次之。金屬膜22定位成比透射光的光學頭21的光路層更加遠離滑動器11的側面。
光學頭21包括多層光學膜。如圖3所示，從通過反射鏡31和光柵耦合器31a從激光束產(chǎn)生單元30照射的激光束接收的光在光波導管31b內傳播并最終到達光學頭21。包含有呈層狀形式的介電膜以使光聚焦，從而有效地封閉和透射光。金屬膜22靠近光學頭21定位并包括多層金屬膜，所述金屬膜使電流朝著暴露于光的記錄介質表面通過，產(chǎn)生磁場，從而進行磁記錄。
晶片加工能夠容易地制造根據(jù)第一實施例的磁盤裝置10的磁頭20。因此，上述顯著特征能夠通過簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
圖4是具有不對稱結構的磁頭20的示意圖。圖5是透射體110的側面示意圖。圖6是表示光學頭21的層狀結構的折射率分布的圖表。圖7是金屬膜22的示意圖。
磁頭20包括光學頭21和金屬膜22。光經(jīng)過透射并從輸出位置輸出。光學頭21關于輸出位置不對稱地形成，金屬膜22形成在輸出位置的下游側附近。使用已經(jīng)現(xiàn)有的磁阻(MR)元件用于讀取頭23。用MR元件膜涂覆滑動器板，然后涂覆稍后說明的光學元件。最后，用金屬膜涂覆滑動器板以制造磁頭20。
如圖4所示，光學頭21包括由硫化鋅形成的光波導管31b的芯部130，其與透射體110連接并引入光；由氟化鎂(MgF2)形成的包層140，其使光封閉在芯部130中；由多層介電材料形成的、具有錐形形狀的透射體110，其透射引入芯部130中的光，使光聚焦并從頂點照射光；和由鋁形成的涂層120，其覆蓋透射體110從而將光封閉在透射體中。在本實施例中，涂層120還用作通過電流的金屬膜。
光學頭21的頂點設在電磁場強度由于透射體110的聚焦而最強的位置。透射體110和芯部130光學連接。芯部130的折射率與透射體110的折射率不同。透射體110朝著芯部130突出的底邊緣使來自芯部130的光朝著中央折射，并使光進入透射體110，從而提高了透射體110內的聚焦效率。圖2中所示的透射體110和芯部130的連接表面形成直線。雖然也能使用這種線性表面，但在本實施例說明的示例中，透射體110的底邊緣朝著芯部130突出。
如圖5所示，透射體110具有由介電材料形成的層狀結構。該層狀結構包括聚集光的第一結構150和使透射光朝向包括多層膜的第一結構150偏離的第二結構160。為了有效地獲得光束尺寸顯著小于波長的光，第一結構150輸出微光。第二結構160使光聚集在第一結構150上。雖然整個多層膜(即，第一結構150和第二結構160)都暴露于光，但第二結構160具有使光聚集在第一結構150上的功能，從而能夠將光聚集在第一結構150上并能夠照射光。
涂層120使透射的光在透射體110內反射，從而使光聚焦，并同時防止透射的光從除頂點之外的部分逸出。使用金屬作為涂層120的材料使得即使光相對于透射體110的錐形部分側面的入射角較小時也能獲得充分的反射，從而即使在頂錐部分較大時也能夠獲得充分的聚焦效率。較大的頂角使得光在透射體110內的透射距離較短并且內部透射損失較小，從而使透射體110獲得高透射效率。使用鋁(n＝0.49并且k＝4.86)作為金屬的示例。
參照圖6說明表示光學頭21的層狀結構的折射率分布。光學頭21的第一結構150包括第一層，由厚30nm的二氧化硅(n＝1.48)形成；一對第二層，由覆蓋第一層的厚20nm的硫化鋅(n＝2.437)，以及厚20nm的硅(n＝4.380，k＝2.02)形成。第一結構150還包括一對進一步覆蓋第一層和第二層的第三層。硅是具有相對較高介電常數(shù)的不透明介電材料。二氧化硅是透明介電材料。硫化鋅是折射率高于二氧化硅的透明介電材料。
第二結構160包括由厚100nm的二氧化硅形成的低折射率層、由厚30nm的硅形成的高折射率層、由厚140nm的二氧化硅形成的低折射率層和由厚42nm的硅形成的高折射率層。因此，第二結構160包括重復成對的低折射率層和高折射率層的結構，從而在低折射率層和高折射率層的折射率之間的差超過1.0。每一對低折射率層和高折射率層的層厚度比固定，并且每一對層的總厚度各自不同。在第二結構160中使用上述層狀結構使透射的光偏向第一結構150，最終使光聚焦在第一結構150中。
在朝向第一結構150側的端部處的金屬板位于相對于光照射的下游，從而使電流能夠通過金屬板，根據(jù)安培定律在記錄介質表面上產(chǎn)生磁場，并利用磁場和由光產(chǎn)生的熱進行記錄。
金屬板上的金屬膜是由鋁形成的涂層120。使電流通過金屬膜在周圍區(qū)域中產(chǎn)生磁場。金屬膜的光學特性不受電流通過金屬膜的影響。例如，根據(jù)Biot-Savart定律，100mA電流通過金屬膜(厚100nm高1μm)在隔開15nm距離的記錄介質表面上產(chǎn)生750[Oe]的強磁場。在相同位置處的強磁場和小光點尺寸為70nm至80nm并且強度為2mW的光利用由于吸收光而在記錄介質中產(chǎn)生的微熱分布，從而能夠進行已知為磁光記錄的居里點記錄，因此能夠進行微細的磁記錄。包含在相同金屬板中的讀取頭(諸如MR頭和隧道型磁阻(TMR))也能夠讀取信號。當使用在朝向第一結構150側的端部處的金屬膜時，可使用干刻以制造具有如圖4所示的預定圖案的多層膜。
回到圖4，金屬膜22在暴露于光的部分附近較薄，而在其它部分中較厚。減小金屬膜22的厚度能夠產(chǎn)生強磁場，尤其是能夠增強暴露于光的部分中的磁場。使電流通過位于光學頭21附近并包括多層金屬膜的金屬膜22能產(chǎn)生磁場。具體地，如圖7(從記錄介質側看的磁頭的示意圖)所示，電流通過金屬膜22相對于記錄介質(呈暴露于光的滑動器形式)的下游側，并使用產(chǎn)生的磁場作為用于記錄的磁場。如果透射體內部包括多層金屬膜，則電流可通過最靠近相對于暴露于光的記錄介質的下游側定位的金屬膜，或者電流可通過包括最近的金屬膜的多層金屬膜，并可使用產(chǎn)生的磁場。
圖8是在根據(jù)第一實施例的磁盤裝置10中的磁頭20的制造過程的示意圖。因為通過將金屬膜22蝕刻掩模成與制造光學頭21使用的圖案相同的形狀而制造磁頭20，所以可同時制造光學頭和用于磁記錄的磁頭。
在圖8所示的示例中，涂覆有膜的板，換言之，用于磁盤的滑動器位于紙面的正面上，該膜沿著遠離紙面的方向順序涂覆。換言之，圖8示出了從板側看去的視圖。圖8中未示出該板。首先，用光波導管31b的包層材料涂覆板的整個表面，并用與透射體10的層狀結構相同的層狀結構涂覆，最后用封閉光并防止光泄漏的鋁層涂覆該板。接著，為了形成透射體110的圖案，利用光刻曝光處理在鋁表面上施加抗蝕劑，利用電子束形成圖案，并對位于抗蝕劑正下方的鋁層進行干刻。使用經(jīng)過刻蝕的具有期望透射體形狀的鋁層作為掩模以將具有多層涂層的透射體110干刻成期望形狀，從而能夠制造透射體110(參見圖8的(1))。利用舉離(liftoff)方法用抗蝕劑覆蓋除了連接到透射體110的芯部130之外的部分，并且對芯部進行涂覆(參見圖8的(1))。接著，為了涂覆鋁以防止光從透射體110的錐形部分泄漏，尤其是從側面泄漏，利用舉離方法用抗蝕劑同樣覆蓋除了涂覆鋁的部分之外的部分，并且涂覆鋁以形成涂層120(參見圖8的(2))。同樣，也利用用于覆蓋除了透射體110之外的芯部130的舉離方法對包層140進行涂覆(參見圖8的(3))。因此，當從板側看去時，透射體110的最外端部分由具有透射體形狀的鋁形成。接著，在具有透射體形狀的鋁上局部涂覆鋁以形成和添加同樣由鋁形成、并通過鋁部分傳遞電流的電極，從而使鋁部分與鋁電極電連接，并使得能夠制造圖4所示的磁頭(參見圖8的(3))。因為以電極形式添加的鋁使用具有透射體形狀的鋁來產(chǎn)生磁場，所以在電極涂層定位中的容許誤差較高。最后，通過研磨對透射體110的頂表面進行高精度的拋光處理以制造曝光窗口(參見圖8的(4))。
根據(jù)第一實施例，通過層壓透射光的光學頭21和電流流經(jīng)的金屬膜22來制造磁頭20。激光束產(chǎn)生單元30照射光從而使記錄介質表面暴露于由光學頭21透射的光，并且一單元使電流通過金屬膜以產(chǎn)生磁場，從而能夠利用簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
另外，根據(jù)第一實施例，光學頭21關于透射光被輸出的透射位置不對稱地形成，并且金屬膜22靠近輸出位置的下游側形成。電流輸出單元輸出通過靠近光輸出位置下游側形成的金屬膜22輸出電流。因此，暴露于光的位置和暴露于磁場的位置彼此靠近而能夠記錄，從而能夠防止由于暴露于光的時間和暴露于磁場的時間之間的差異而產(chǎn)生的熱起伏。
而且，根據(jù)第一實施例，通過將多個金屬膜22連同光學頭21一起層壓而形成磁頭20，并且電流輸出單元使電流僅通過靠近透射光被輸出的輸出位置形成的金屬膜，從而能夠抑制功耗。
而且，根據(jù)第一實施例，通過層壓光學頭21和金屬膜22而形成磁頭20，從而金屬膜22在相對于靠近透射光被輸出之輸出位置的記錄介質的垂直方向上較薄，并且根據(jù)距輸出位置的距離逐漸變厚，從而能夠在金屬膜22較窄的部分中加強磁場，并且能夠使電流易于通過金屬膜22較寬的部分。
另外，根據(jù)第一實施例，磁頭20形成為使得讀取頭23最接近滑動器側面定位，并且光學頭21緊接著定位。金屬膜22定位成比透射光的光學頭21中的光路層更加遠離滑動器的側面，從而能夠通過簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
而且，根據(jù)第一實施例，磁頭20還包括遠離光學頭21和金屬膜22的讀取頭23，從而能夠連同磁記錄一起再生數(shù)據(jù)。
另外，根據(jù)第一實施例，磁頭20包括由鋁形成的光學頭21，從而能夠簡化光學頭的形成圖案和磁記錄。
而且，根據(jù)第一實施例，通過將金屬膜蝕刻掩模成與用于制造光學膜的圖案相同的形狀而制造磁頭20，所以能夠同時制造光學頭和磁記錄頭。
還可推論出本發(fā)明除了第一實施例之外的各個實施例。以本發(fā)明的另一實施例作為第二實施例進行說明。
如圖9所示，在本發(fā)明中，包括線圈71的磁軛81也可用于產(chǎn)生更強的磁場。磁頭包括光學膜和金屬膜，從而產(chǎn)生磁場的磁軛和引導光的光波導管僅在產(chǎn)生近場光的部分中接觸?？梢允褂弥T如氧化鎳鐵或菱鐵礦的鎳基、鈷基或鐵基硬磁性材料作為用于磁軛的材料。
如圖10所示，通過從諸如氧化鎳鐵、菱鐵礦等的高硬度磁性材料形成圖案而形成磁軛的一部分(參見圖10的(1))。順序涂覆由多層膜形成的薄光學膜(參見圖10的(2))。在光學膜上形成另一磁軛并形成圖案(參見圖10的(3))。最后，將線圈71纏繞在磁軛上(參見圖10的(4))。使用相同的圖案用于磁軛的圖案和多層光學膜的圖案，從而防止磁性存儲位置和光學記錄位置不對準。因為熱磁記錄不需要在大規(guī)模磁記錄中必需的強磁場，所以可僅使用幾匝線圈。銅、金或鋁也可用作磁軛81的材料?？衫门c在磁盤中制造線圈的制造方法類似的制造方法制造線圈71。
因此，磁頭包括光學膜和金屬膜，從而產(chǎn)生磁場的磁軛和引導光的光波導管僅在產(chǎn)生近場光的部分中接觸，從而能夠產(chǎn)生更強的磁場并能夠防止光波導管的光損失。
在第一實施例中說明了關于輸出透射光的輸出位置不對稱的光學頭。然而，本發(fā)明并不因此而受到限制，也可以使用關于輸出透射的光的輸出位置對稱的光學頭和金屬膜。
如圖11所示，磁頭包括關于透射光被輸出的輸出位置對稱的光學膜和金屬膜，電流輸出單元僅通過靠近光輸出位置下游側形成的金屬膜輸出電流。例如，光學頭包括輸出微光的第一結構111和位于第一結構111兩側上用于使光聚集在第一結構111中的第二結構112。第二結構112包括由不允許光通過的多層膜形成的光柵。光柵的周期小于低周期波長，從而將光聚焦在中心位置。
因此，磁頭包括關于透射光被輸出的輸出位置對稱的光學頭和金屬膜，電流輸出單元僅通過靠近光輸出位置下游側形成的金屬膜輸出電流，從而能夠通過使電流僅通過下游側而抑制功耗。
在第一實施例中說明了使電流僅通過靠近相對于暴露于光的記錄介質的下游側定位的金屬膜。然而，本發(fā)明并不因此而受到限制，電流也可通過多層金屬膜。如圖12所示，金屬膜使用不對稱的光波導管，從而在板側上包含有包層，而在相反側上則不包含。使用不對稱光波導管進一步簡化了制造過程。
因此，電流輸出單元使電流通過多層金屬膜，從而能夠簡化電流的控制。
根據(jù)本發(fā)明，磁記錄裝置的激光束產(chǎn)生單元還可根據(jù)記錄介質表面的溫度控制光功率。換言之，激光束產(chǎn)生單元在溫度較高時通過降低激光功率而進行控制，從而抑制功耗。
圖13是磁記錄裝置中電路結構的框圖。在該磁記錄裝置中，激光二極管(LD)光照射單元131包括LD調制電路131a和溫度傳感器131b。如果溫度傳感器131b檢測到高溫，則LD調制電路131a降低激光功耗，并通過溫度校正進行激光功耗調制。
如圖13所示，記錄和讀取頭132包括讀取頭132a、金屬膜132b、數(shù)據(jù)解調電路132c、電流調制電路132d和記錄數(shù)據(jù)132e。從讀取頭讀取的數(shù)據(jù)被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)解調電路132c，電流調制電路132d獲取記錄數(shù)據(jù)132e，并根據(jù)記錄數(shù)據(jù)使電流通過金屬膜132b。
因此，激光束產(chǎn)生單元根據(jù)記錄介質表面的溫度控制光功率，從而能夠抑制功耗。
根據(jù)本發(fā)明，磁記錄裝置還可通過利用開/關調制照射光來進行控制。具體地，在磁記錄裝置中用于加熱的激光源進行超過至少100MHz的開/關調制。
因此，通過開/關調制照射光能夠抑制功耗。
如圖14所示，根據(jù)本發(fā)明，金屬膜可遠離記錄介質側定位。具體地，金屬膜的底面定位成比薄光學膜的輸出表面更加遠離記錄介質。
因此，在磁頭中，通過在比光學膜的底面更加遠離記錄介質表面的位置進行層壓而形成金屬膜的底面，從而能夠防止金屬膜受到熱的影響。
在第一實施例中說明了金屬膜和光學頭彼此靠近。然而，本發(fā)明并不因此而受到限制，如圖15所示，光學頭和金屬膜可在邊上分開，或者金屬膜可被包含而不覆蓋光學頭的整個表面。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過將透射光的光學膜和經(jīng)受電流通過的金屬膜層壓而形成磁頭，光照射單元以這樣的方式照射光，即，光經(jīng)過光學膜透射并且記錄介質表面暴露于所述光，并且電流通過金屬膜輸出。因此，磁頭可通過晶片加工制造，從而能夠通過簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例，磁頭包括關于透射光被輸出的輸出位置不對稱地形成的光學頭，并且包含在磁頭中的金屬膜靠近輸出位置的下游側形成。電流輸出單元通過靠近光輸出位置下游側形成的金屬膜輸出電流。因此，使得暴露于光的位置和暴露于磁場的位置彼此靠近，從而能夠防止熱起伏。
而且，根據(jù)本發(fā)明實施例，磁頭包括關于透射光被輸出的輸出位置對稱形成的光學頭和金屬膜，電流輸出單元使電流僅通過靠近光輸出位置下游側形成的金屬膜，從而能夠通過使電流僅通過下游側來抑制功耗。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過將多層金屬膜連同光學頭一起層壓而形成磁頭，并且電流輸出單元僅通過靠近透射光被輸出的輸出位置形成的金屬膜輸出電流，從而能夠抑制功耗。
而且，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過將多層金屬膜連同光學頭一起層壓而形成磁頭，并且電流輸出單元通過多層金屬膜輸出電流，從而能夠簡化電流的控制。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過層壓光學頭和金屬膜而形成磁頭，從而金屬膜靠近透射光被輸出的輸出位置較薄，并且根據(jù)距輸出位置的距離在相對于記錄介質的垂直方向上逐漸變厚，從而能夠在金屬膜較窄的部分中加強磁場，并且能夠使電流易于通過金屬膜較寬的部分。
而且，根據(jù)本發(fā)明實施例，磁頭形成為使得讀取頭最接近滑動器側面定位，并且光學頭緊鄰定位。金屬膜定位成比透射光的光學頭中的光路層更加遠離滑動器的側面，從而能夠通過簡單的制造方法制造結構簡單的熱輔助磁記錄頭。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過層壓光學膜和金屬膜而形成磁頭，使得金屬膜的底面比光學膜的底面更加遠離記錄介質表面定位，從而能夠防止金屬膜受到熱的影響。
而且，根據(jù)本發(fā)明實施例，磁頭中的光學膜由鋁形成，從而能夠簡化圖案形成。
另外，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過將金屬膜蝕刻掩模成與制造光學頭使用的圖案相同的形狀而制造磁頭，從而能夠同時制造光學頭和用于磁記錄的磁頭。
盡管為了完全和清楚的公開而關于具體實施例描述了本發(fā)明，但所附權利要求并不因此受到限制，而是應理解成包括本領域技術人員可能進行的完全落在本文提出的基本教導之內的所有的修改和替代構造。
權利要求
1.一種磁盤裝置，其通過利用在記錄介質的光照射的表面上的電流產(chǎn)生磁場來進行磁記錄，該磁盤裝置包括磁頭單元，其通過將透射光的光學膜和電流流經(jīng)的金屬膜層壓而形成；光照射單元，其以這樣的方式照射光，即，光經(jīng)過所述光學膜透射并照射在所述記錄介質的表面上；和電流輸出單元，其向所述金屬膜輸出電流。
2.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光學膜關于透射光被輸出的輸出位置不對稱，所述金屬膜靠近所述輸出位置的下游側形成，并且所述電流輸出單元向靠近所述輸出位置下游側形成的所述金屬膜輸出電流。
3.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光學膜和金屬膜關于透射光被輸出的輸出位置對稱，并且所述電流輸出單元向靠近所述輸出位置下游側形成的所述金屬膜輸出電流。
4.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，通過層壓多個金屬膜和所述光學膜而形成磁頭，并且所述電流輸出單元向靠近透射光被輸出的輸出位置下游側形成的所述金屬膜輸出電流。
5.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，通過層壓多個金屬膜和所述光學膜而形成磁頭，并且所述電流輸出單元向所述金屬膜輸出電流。
6.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述金屬膜是靠近透射光被輸出的輸出位置的薄膜，并隨著離開所述輸出位置而變厚。
7.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述磁頭相對于滑動器的側面順序地包括讀取頭和所述光學膜，并且所述金屬膜以這樣的方式形成，即，所述金屬膜定位成比所述光學膜中的光路層距所述滑動器的側面更遠。
8.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述磁頭包括讀取頭，以及所述光學膜和金屬膜。
9.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述金屬膜的底面定位成比所述光學膜的底面更加遠離所述記錄介質的表面。
10.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光學膜是鋁膜。
11.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，通過將所述金屬膜蝕刻掩模(etching masking)成與所述光學膜圖案形狀相同的形狀而形成所述磁頭。
12.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光學頭和金屬膜以這樣的方式形成，即，產(chǎn)生磁場的磁軛和引導光的光波導管在產(chǎn)生近場光的部分中接觸。
13.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光照射單元根據(jù)所述記錄介質表面的溫度控制光功率。
14.根據(jù)權利要求1所述的磁盤裝置，其特征在于，所述光照射單元通過開關調制而照射光。
全文摘要
一種磁盤裝置，其通過利用在記錄介質的光照射的表面上的電流產(chǎn)生磁場來進行磁記錄。磁頭單元通過將透射光的光學膜和電流流經(jīng)的金屬膜層壓而形成。光照射單元以這樣的方式照射光，即，光經(jīng)過所述光學膜透射并照射在所述記錄介質的表面上。電流輸出單元向所述金屬膜輸出電流。
文檔編號G11B25/04GK101047003SQ20061010188
公開日2007年10月3日 申請日期2006年7月12日 優(yōu)先權日2006年3月28日
發(fā)明者長谷川信也 申請人:富士通株式會社