本發(fā)明涉及一種像素陣列，且特別涉及一種包括導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的像素陣列。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，觀賞者對(duì)于顯示器的顯示品質(zhì)(如影像分辨率、色彩飽和度等)的要求也越來(lái)越高。然而，為了制造高效能的顯示器，顯示器中的像素陣列需要包括許連接不同導(dǎo)電層的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。

在像素陣列中，有很大的面積被這些連接不同導(dǎo)電層的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)給占據(jù)。導(dǎo)致像素陣列的開(kāi)口率被限制住，影響了顯示器的品質(zhì)。因此，目前亟需一種能解決上述問(wèn)題并提高像素陣列的開(kāi)口率的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種像素陣列，能改善導(dǎo)通結(jié)構(gòu)限制開(kāi)口率的問(wèn)題。

本發(fā)明的一種像素陣列，包括第一掃描線、第一數(shù)據(jù)線、第一信號(hào)線、第一像素單元與第二像素單元。第一數(shù)據(jù)線與第一掃描線交錯(cuò)設(shè)置。第一信號(hào)線位于第一數(shù)據(jù)線上。第一數(shù)據(jù)線位于第一像素單元與第二像素單元之間。第一像素單元包括第一共用電極、第二共用電極、第一像素電極以及第二像素電極。第一共用電極與第二共用電極分別位于第一掃描線的第一側(cè)與第二側(cè)，其中第二共用電極通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)而電性連接至第一信號(hào)線。第一像素電極以及第二像素電極分別重疊于部分的第一共用電極與部分的第二共用電極。第二像素單元包括第三共用電極、第四共用電極、第三像素電極以及第四像素電極。第三共用電極與第四共用電極分別位于第一掃描線的第一側(cè)與第二側(cè)，其中第一共用電極與第三共用電極電性連接，第二共用電極與第四共用電極電性連接，并且第三共用電極通過(guò)第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)而電性連接至第一信號(hào)線。第三像素電極以及第四像素電極分別重疊于部分的第三共用電極與部分的第四共用電極。

基于上述，本發(fā)明的像素陣列中，第一像素單元具有第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，且第二像素單元具有第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)通結(jié)構(gòu)以及第一信號(hào)線就能使第一像素單元的第二共用電極電性連接至第二像素單元的第三共用電極，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量，因此能改善像素陣列開(kāi)口率不足的問(wèn)題。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖說(shuō)明書附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1a是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列的上視示意圖。

圖1b是沿著圖1a剖線aa’的剖面示意圖。

圖1c是沿著圖1a剖線bb’的剖面示意圖。

圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列的上視示意圖。

圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列的上視示意圖。

圖4是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列的上視示意圖。

圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列的上視示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

10、20、30、40、50：像素陣列

pu1、pu2、pu3、pu4：像素單元

sl1、sl2：掃描線

dl1、dl2、dl3、dl4：數(shù)據(jù)線

cl1、cl2、cl3、cl4：信號(hào)線

pe1、pe2、pe3、pe4、pe5、pe6、pe7、pe8：像素電極

ce1、ce2、ce3、ce4、ce5、ce6、ce7、ce8：共用電極

tft1、tft2、tft3、tft4、tft5、tft6、tft7、tft8：開(kāi)關(guān)元件

st1、st2、st3、st4：分享元件

g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7、g8、sg1、sg2、sg3、sg4：柵極

sm1、sm2、sm3、sm4、sm5、sm6、sm7、sm8、ssm1、ssm2、ssm3、ssm4：半導(dǎo)體層

s1、s2、s3、s4、s5、s6、s7、s8、ss1、ss2、ss3、ss4：源極

d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、sd1、sd2、sd3、sd4：漏極

th1、th2、th3、th4、th5、th6、th7、th8：接觸窗

cs1、cs2、cs3、cs4：導(dǎo)通結(jié)構(gòu)

pv1、pv2：絕緣層

bs：基板

c1、c2：開(kāi)口

w1、w3：第一側(cè)

w2、w4：第二側(cè)

具體實(shí)施方式

圖1a是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列10的上視示意圖。圖1b是沿著圖1a剖線aa’的剖面示意圖。圖1c是沿著圖1a剖線bb’的剖面示意圖。

請(qǐng)同時(shí)參考圖1a、圖1b以及圖1c，像素陣列10包括第一掃描線sl1、第一數(shù)據(jù)線dl1、第二數(shù)據(jù)線dl2、第一信號(hào)線cl1、第一像素單元pu1與第二像素單元pu2。第一數(shù)據(jù)線dl1與第一掃描線sl1交錯(cuò)設(shè)置。在一實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)線dl2也與第一掃描線sl1交錯(cuò)設(shè)置。第一信號(hào)線cl1位于第一數(shù)據(jù)線dl1上。在另一實(shí)施例中，像素陣列10還包括位于第二數(shù)據(jù)線dl2上的第二信號(hào)線cl2。第一數(shù)據(jù)線dl1位于第一像素單元pu1與第二像素單元pu2之間。換言之，在本實(shí)例中，第一像素單元pu1與第二像素單元pu2分別位于第一數(shù)據(jù)線dl1的左右兩側(cè)。在一實(shí)施例中，第二像素單元pu2位于第二數(shù)據(jù)線dl2與第一數(shù)據(jù)線dl1之間。在一實(shí)施例中，像素單元pu1以及像素單元pu2形成于基板bs上。

第一像素單元pu1包括第一共用電極ce1、第二共用電極ce2、第一像素電極pe1以及第二像素電極pe2。第一共用電極ce1與第二共用電極ce2分別位于第一掃描線sl1的第一側(cè)w1與第二側(cè)w2，其中第二共用電極ce2通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1而電性連接至第一信號(hào)線cl1。第一像素電極pe1以及第二像素電極pe2分別重疊于部分的第一共用電極ce1與部分的第二共用電極ce2。

在一實(shí)施例中，第一像素單元pu1還包括第一開(kāi)關(guān)元件tft1與第二開(kāi)關(guān)元件tft2。

第一開(kāi)關(guān)元件tft1包括第一漏極d1、第一源極s1、第一柵極g1與第一半導(dǎo)體層sm1。第一開(kāi)關(guān)元件tft1的第一柵極g1與第一掃描線sl1電性連接，第一源極s1與第一數(shù)據(jù)線dl1電性連接，第一像素電極pe1通過(guò)第一接觸窗th1而與第一漏極d1電性連接。至少部分第一半導(dǎo)體層sm1位于第一柵極g1與第一源極s1以及第一漏極d1之間。

第二開(kāi)關(guān)元件tft2包括第二漏極d2與第二源極s2、第二柵極g2與第二半導(dǎo)體層sm2。第二開(kāi)關(guān)元件tft2的第二柵極g2與第一掃描線sl1電性連接。在一實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)元件tft2的第二源極s2可以與第一源極s1電性連接；更詳而言之，第二開(kāi)關(guān)元件tft2的第二源極s2通過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件tft1而電性連接至第一數(shù)據(jù)線dl1。第二像素電極pe2通過(guò)第二接觸窗th2而與第二漏極d2電性連接。至少部分第二半導(dǎo)體層sm2位于第二柵極g2與第二源極s2以及第二漏極d2之間。

在本實(shí)施例中，第一漏極d1與第二漏極d2皆朝第一像素電極pe1的方向延伸。在一實(shí)施例中，第一源極s1與第二源極s2包括u型的開(kāi)口，且第一源極s1與第二源極s2的u型開(kāi)口都朝向第一像素電極pe1的方向。

在一實(shí)施例中，第一像素單元pu1還包括第一分享元件st1。第一分享元件st1包括柵極sg1、半導(dǎo)體層ssm1、源極ss1以及漏極sd1。第一分享元件st1的柵極sg1電性連接至第一掃描線sl1。至少部分半導(dǎo)體層ssm1位于柵極sg1與源極ss1以及漏極sd1之間。源極ss1通過(guò)第二接觸窗th2而電性連接至第二像素電極pe2，且源極ss1電性連接至第二開(kāi)關(guān)元件tft2的第二漏極d2。第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1電性連接第一信號(hào)線cl1、第一分享元件st1的漏極sd1和第二共用電極ce2。

在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線cl1、第一分享元件st1的漏極sd1以及第二共用電極ce2屬于不同的膜層，其中第一分享元件st1的漏極sd1所在的膜層夾在第一信號(hào)線cl1所在的膜層以及第二共用電極ce2所在的膜層之間。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1將第一信號(hào)線cl1、第一分享元件st1的漏極sd1和第二共用電極ce2電性連接。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線cl1所在的膜層與第一分享元件st1的漏極sd1所在的膜層之間夾有絕緣層pv2，且第一分享元件st1的漏極sd1所在的膜層與第二共用電極ce2所在的膜層之間夾有絕緣層pv1。在一實(shí)施例中，開(kāi)口c1貫穿了絕緣層pv1與絕緣層pv2，而第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1填入該開(kāi)口c1中。

第二像素單元pu2包括第三共用電極ce3、第四共用電極ce4、第三像素電極pe3以及第四像素電極pe4。第三共用電極ce3與第四共用電極ce4分別位于第一掃描線sl1的第一側(cè)w1與第二側(cè)w2。第三像素電極pe3以及第四像素電極pe4，分別重疊于部分的第三共用電極ce3與部分的第四共用電極ce4。

在一實(shí)施例中，第二像素單元pu2還包括第三開(kāi)關(guān)元件tft3與第四開(kāi)關(guān)元件tft4。

第三開(kāi)關(guān)元件tft3包括第三漏極d3與第三源極s3、第三柵極g3與第三半導(dǎo)體層sm3。第三開(kāi)關(guān)元件tft3的第三柵極g3與第一掃描線sl1電性連接，第三源極s3與第二數(shù)據(jù)線dl2電性連接，第三像素電極pe3通過(guò)第三接觸窗th3而與第三漏極d3電性連接。至少部分第三半導(dǎo)體層sm3位于第三柵極g3與第三源極s3以及第三漏極d3之間。

第四開(kāi)關(guān)元件tft4包括第四漏極d4與第四源極s4、第四柵極g4與第四半導(dǎo)體層sm4。第四開(kāi)關(guān)元件tft4的第四柵極g4與第一掃描線sl1電性連接。在一實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)元件tft4的第四源極s4可以與第三源極s3電性連接；更詳而言之，第四開(kāi)關(guān)元件tft4的第四源極s4通過(guò)第三開(kāi)關(guān)元件tft3而電性連接至第二數(shù)據(jù)線dl2。第四像素電極pe4通過(guò)第四接觸窗th4而與第四漏極d4電性連接。至少部分第四半導(dǎo)體層sm4位于第四柵極g4與第四源極s4以及第四漏極d4之間。

在本實(shí)施例中，第三漏極d3朝第三像素電極pe3的方向延伸且第四漏極d4朝第四像素電極pe4的方向延伸。在一實(shí)施例中，第三源極s3與第四源極s4包括u型的開(kāi)口，且第三源極s3與第四源極s4的u型開(kāi)口分別朝向第三像素電極pe3與第四像素電極pe4的方向。

在一實(shí)施例中，第二像素單元pu2還包括第二分享元件st2。第二分享元件st2包括柵極sg2、半導(dǎo)體層ssm2、源極ss2以及漏極sd2。第二分享元件st2的柵極sg2電性連接至第一掃描線sl1。至少部分半導(dǎo)體層ssm2位于柵極sg2與源極ss2以及漏極sd2之間。源極ss2通過(guò)第四接觸窗th4而電性連接至第四像素電極pe4，且源極ss2電性連接至第四開(kāi)關(guān)元件tft4的第四漏極d4。第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2電性連接第一信號(hào)線cl1、第二分享元件st2的漏極sd2以及第三共用電極ce3。

在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線cl1、第二分享元件st2的漏極sd2以及第三共用電極ce3屬于不同的膜層，其中第二分享元件st2的漏極sd2所在的膜層夾在第一信號(hào)線cl1的膜層以及第三共用電極ce3的膜層之間。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2將第一信號(hào)線cl1、第二分享元件st2的漏極sd2和第三共用電極ce3電性連接。在一實(shí)施例中，第一信號(hào)線cl1所在的膜層與第二分享元件st2的漏極sd2所在的膜層之間夾有絕緣層pv2，且第二分享元件st2的漏極sd2所在的膜層與第三共用電極ce3所在的膜層之間夾有絕緣層pv1。在一實(shí)施例中，開(kāi)口c2貫穿了絕緣層pv1與絕緣層pv2，而第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2填入該開(kāi)口c2中。

在一實(shí)施例中，第一共用電極ce1與第三共用電極ce3電性連接，且第二共用電極ce2與第四共用電極ce4電性連接。在一實(shí)施例中，第一像素單元pu1相鄰于第二像素單元pu2，第一共用電極ce1與第三共用電極ce3結(jié)構(gòu)上連接，且第二共用電極ce2與第四共用電極ce4結(jié)構(gòu)上連接。

在一實(shí)施例中，第一共用電極ce1、第二共用電極ce2、第三共用電極ce3、第四共用電極ce4與第一掃描線sl1屬于同一膜層。在一實(shí)施例中，第一像素電極pe1、第二像素電極pe2、第三像素電極pe3、第四像素電極pe4、第一信號(hào)線cl1、第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1與第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2屬于同一膜層。

基于上述，本實(shí)施例的像素陣列10中，第一像素單元pu1具有第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1，且第二像素單元pu2具有第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2，通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1、第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2以及第一信號(hào)線cl1就能使第一像素單元pu1的第二共用電極ce2電性連接至第二像素單元pu2的第三共用電極ce3，利用不同像素單元中的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)使位于掃描線不同側(cè)的共用電極能電性連接，共同組成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量。在一實(shí)施例中，第一分享元件st1通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1而與第二共用電極ce2以及第一信號(hào)線cl1電性連接，且第二分享元件st2通過(guò)第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2而與第三共用電極ce3以及第一信號(hào)線cl1電性連接，因此能改善像素陣列10開(kāi)口率不足的問(wèn)題。

圖2是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列20的上視示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖2的實(shí)施例沿用圖1的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖2的像素陣列20與圖1的像素陣列10的差異在于：像素陣列20還包括第二掃描線sl2、第三像素單元pu3以及第四像素單元pu4。

第二掃描線sl2與第一數(shù)據(jù)線dl1以及第二數(shù)據(jù)線dl2交錯(cuò)設(shè)置。在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3類似于第一像素單元pu1。第三像素單元pu3包括五開(kāi)關(guān)元件tft5、第六開(kāi)關(guān)元件tft6、第五共用電極ce5、第六共用電極ce6、第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6。

在本實(shí)施例中，第五開(kāi)關(guān)元件tft5以及第六開(kāi)關(guān)元件tft6與第二掃描線sl2電性連接。第五共用電極ce5與第六共用電極ce6分別位于第二掃描線sl2的第一側(cè)w3與第二側(cè)w4。第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6分別重疊于部分的第五共用電極ce5與部分的第六共用電極ce6。

第五開(kāi)關(guān)元件tft5包括第五漏極d5、第五源極s5、第五柵極g5與第五半導(dǎo)體層sm5。第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五柵極g5與第二掃描線sl2電性連接。第五源極s5與第一數(shù)據(jù)線dl1電性連接。第五像素電極pe5通過(guò)第五接觸窗th5而與第五漏極d5電性連接。至少部分第五半導(dǎo)體層sm5位于第五柵極g5與第五源極s5以及第五漏極d5之間。

第六開(kāi)關(guān)元件tft6包括第六漏極d6與第六源極s6、第六柵極g2與第六半導(dǎo)體層sm6。第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六柵極g6與第二掃描線sl2電性連接。在一實(shí)施例中，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6可以與第五源極s5電性連接；更詳而言之，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6通過(guò)第五開(kāi)關(guān)元件tft5而電性連接至第一數(shù)據(jù)線dl1。第六像素電極pe6通過(guò)第六接觸窗th6而與第六漏極d6電性連接。至少部分第六半導(dǎo)體層sm6位于第六柵極g6與第六源極s6以及第六漏極d6之間。

在一實(shí)施例中，第五漏極d5與第六漏極d2皆朝第五像素電極pe5的方向延伸。在一實(shí)施例中，第五源極s5與第六源極s6包括u型的開(kāi)口，且第五源極s5與第六源極s6的u型開(kāi)口都朝向第五像素電極pe5的方向。

在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3還包括第三分享元件st3。第三分享元件st3包括柵極sg3、半導(dǎo)體層ssm3、源極ss3以及漏極sd3。第三分享元件st3的柵極sg3電性連接至第二掃描線sl2。至少部分半導(dǎo)體層ssm3位于柵極sg3與源極ss3以及漏極sd3之間。第三分享元件st3的源極ss3通過(guò)第六接觸窗th6電性連接至第六像素電極pe6，且第三分享元件st3的漏極sd3通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3電性連接至第六共用電極ce6。第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3電性連接第一信號(hào)線cl1、第三分享元件st3的漏極sd3以及第六共用電極ce6。

在一實(shí)施例中，第四像素單元pu4類似于第二像素單元pu2。第四像素單元pu4包括第七開(kāi)關(guān)元件tft7、第八開(kāi)關(guān)元件tft8、第七共用電極ce7、第八共用電極ce8、第七像素電極pe7、第八像素電極pe8、第四分享元件st4以及第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4。

第七開(kāi)關(guān)元件tft7與第八開(kāi)關(guān)元件tft8與第二掃描線sl2電性連接。第七共用電極ce7與第八共用電極ce8分別位于第二掃描線sl2的第一側(cè)w3與第二側(cè)w4。第五共用電極ce5與第七共用電極ce7電性連接，第六共用電極ce6與第八共用電極ce8電性連接。第七像素電極pe7以及第八像素電極pe8分別重疊于部分的第七共用電極ce7與部分的第八共用電極ce8。

第七開(kāi)關(guān)元件tft7包括第七漏極d7、第七源極s7、第七柵極g7與第七半導(dǎo)體層sm7。第七開(kāi)關(guān)元件tft7的第七柵極g7與第二掃描線sl2電性連接。第七源極s7與第二數(shù)據(jù)線dl2電性連接。第七像素電極pe7通過(guò)第七接觸窗th7而與第七漏極d7電性連接。至少部分第七半導(dǎo)體層sm7位于第七柵極g7與第七源極s7以及第七漏極d7之間。

第八開(kāi)關(guān)元件tft8包括第八漏極d8與第八源極s8、第八柵極g8與第八半導(dǎo)體層sm8。第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八柵極g8與第二掃描線sl2電性連接。在一實(shí)施例中，第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八源極s8可以與第七源極s7電性連接；更詳而言之，第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八源極s8通過(guò)第七開(kāi)關(guān)元件tft7而電性連接至第二數(shù)據(jù)線dl2。第八像素電極pe8通過(guò)第八接觸窗th8而與第八漏極d8電性連接。至少部分第八半導(dǎo)體層sm8位于第八柵極g8與第八源極s8以及第八漏極d8之間。

在一實(shí)施例中，第四像素單元pu4還包括第四分享元件st4。第四分享元件st4包括柵極sg4、半導(dǎo)體層ssm4、源極ss4以及漏極sd4。第四分享元件st4的柵極sg4電性連接至第二掃描線sl2。至少部分半導(dǎo)體層ssm4位于柵極sg4與源極ss4以及漏極sd4之間。第四分享元件st4的源極ss4通過(guò)第八接觸窗th8電性連接至第八像素電極pe8，且第四分享元件st4的漏極sd4通過(guò)第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4電性連接至第一信號(hào)線cl1。第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4電性連接第一信號(hào)線cl1、第四分享元件st4的漏極sd4以及第七共用電極ce7。

在一實(shí)施例中，第五共用電極ce5與第七共用電極ce7電性連接，且第六共用電極ce6與第八共用電極ce8電性連接。在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3相鄰于第四像素單元pu4，第五共用電極ce5與第七共用電極ce7結(jié)構(gòu)上連接，且第六共用電極ce6與第八共用電極ce8結(jié)構(gòu)上連接。

在一實(shí)施例中，第五共用電極ce5電性連接至第二共用電極ce2。在一實(shí)施例中，第一像素單元pu1與第三像素單元pu3位于相鄰列，且第三像素單元pu3的第五共用電極ce5結(jié)構(gòu)上連接至第一像素單元pu1的第二共用電極ce2。在一實(shí)施例中，第七共用電極ce7電性連接至第四共用電極ce4。在一實(shí)施例中，第二像素單元pu2與第四像素單元pu4位于相鄰列，且第四像素單元pu4的第七共用電極ce7結(jié)構(gòu)上連接至第二像素單元pu2的第四共用電極ce4。

基于上述，本實(shí)施例的像素陣列20中，第三像素單元pu3具有第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3，且第四像素單元pu4具有第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4，通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3、第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4以及第一信號(hào)線cl1就能使第三像素單元pu3的第六共用電極ce6電性連接至第四像素單元pu4的第七共用電極ce7，利用不同像素單元中的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)使位于掃描線不同側(cè)的共用電極能電性連接，共同組成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量。在一實(shí)施例中，第三分享元件st3通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而與第六共用電極ce6以及第一信號(hào)線cl1電性連接，且第四分享元件st4通過(guò)第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4而與第七共用電極ce7以及第一信號(hào)線cl1電性連接，因此能改善像素陣列20開(kāi)口率不足的問(wèn)題。

圖3是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列30的上視示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖3的實(shí)施例沿用圖1的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖3的像素陣列30與圖1的像素陣列10的差異在于：像素陣列30還包括第二掃描線sl2、第三數(shù)據(jù)線dl3、第二信號(hào)線cl2、第三信號(hào)線cl3、第三像素單元pu3以及第四像素單元pu4。

第二掃描線sl2與第一數(shù)據(jù)線dl1以及第二數(shù)據(jù)線dl2交錯(cuò)設(shè)置。第三數(shù)據(jù)線dl3與第一掃描線sl1交錯(cuò)設(shè)置。第一數(shù)據(jù)線dl1位于第二數(shù)據(jù)線dl2以及第三數(shù)據(jù)線dl3之間。第二信號(hào)線cl2位于第二數(shù)據(jù)線dl2上。第三信號(hào)線cl3位于第三數(shù)據(jù)線dl3上。

第三像素單元pu3位于第一數(shù)據(jù)線dl1與第三數(shù)據(jù)線dl3之間。第三像素單元pu3包括第五開(kāi)關(guān)元件tft5、第六開(kāi)關(guān)元件tft6、第五共用電極ce5、第六共用電極ce6、第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6。

第五共用電極ce5、第六共用電極ce6分別位于第二掃描線sl2的第一側(cè)w3與第二側(cè)w4。第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6分別重疊于部分的第五共用電極ce5與部分的第六共用電極ce6。第五共用電極ce5通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而電性連接至第三信號(hào)線cl3。

第五開(kāi)關(guān)元件tft5包括第五漏極d5、第五源極s5、第五柵極g5與第五半導(dǎo)體層sm5。第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五柵極g5與第二掃描線sl2電性連接，第五源極s5與第一數(shù)據(jù)線dl1電性連接，第五像素電極pe5通過(guò)第五接觸窗th5而與第五漏極d5電性連接。至少部分第五半導(dǎo)體層sm5位于第五柵極g5與第五源極s5以及第五漏極d5之間。

第六開(kāi)關(guān)元件tft6包括第六漏極d6與第六源極s6、第六柵極g2與第六半導(dǎo)體層sm6。第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六柵極g6與第二掃描線sl2電性連接。在一實(shí)施例中，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6可以與第五源極s5電性連接；更詳而言之，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6通過(guò)第五開(kāi)關(guān)元件tft5而電性連接至第一數(shù)據(jù)線dl1。第六像素電極pe6通過(guò)第六接觸窗th6而與第六漏極d6電性連接。至少部分第六半導(dǎo)體層sm6位于第六柵極g6與第六源極s6以及第六漏極d6之間。

在本實(shí)施例中，第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五漏極d5朝第五像素電極pe5的方向延伸且第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六漏極d6朝第六像素電極pe6的方向延伸。

在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3還包括第三分享元件st3。第三分享元件st3包括柵極sg3、半導(dǎo)體層ssm3、源極ss3以及漏極sd3。第三分享元件st3的柵極sg3電性連接至第二掃描線sl2。至少部分半導(dǎo)體層ssm3位于柵極sg3與源極ss3以及漏極sd3之間。第三分享元件st3的源極ss3通過(guò)第六接觸窗th6電性連接至第六像素電極pe6，且第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3電性連接第三信號(hào)線cl3、第三分享元件st3的漏極sd3和第五共用電極ce5。

第四像素單元pu4位于第一數(shù)據(jù)線dl1與第二數(shù)據(jù)線dl2之間。第四像素單元pu4包括第七開(kāi)關(guān)元件tft7、第八開(kāi)關(guān)元件tft8、第七共用電極ce7、第八共用電極ce8、第七像素電極pe7以及第八像素電極pe8。第七共用電極ce7與第八共用電極ce8分別位于第二掃描線sl2的第一側(cè)與第二側(cè)。第五共用電極ce5與第七共用電極ce7電性連接，第六共用電極ce6與第八共用電極ce8電性連接。第七像素電極pe7以及第八像素電極pe8分別重疊于部分的第七共用電極ce7與部分的第八共用電極ce8。第八共用電極ce8通過(guò)第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4而電性連接至第二信號(hào)線cl2。

第七開(kāi)關(guān)元件tft7包括第七漏極d7、第七源極s7、第七柵極g7與第七半導(dǎo)體層sm7。第七開(kāi)關(guān)元件tft7的第七柵極g7與第二掃描線sl2電性連接，第七源極s7與第二數(shù)據(jù)線dl2電性連接，第七像素電極pe7通過(guò)第七接觸窗th7而與第七漏極d7電性連接。至少部分第七半導(dǎo)體層sm7位于第七柵極g7與第七源極s7以及第七漏極d7之間。

第八開(kāi)關(guān)元件tft8包括第八漏極d8與第八源極s8、第八柵極g8與第八半導(dǎo)體層sm8。第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八柵極g8與第二掃描線sl2電性連接。在一實(shí)施例中，第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八源極s8可以與第七源極s7電性連接；更詳而言之，第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八源極s8通過(guò)第七開(kāi)關(guān)元件tft7而電性連接至第二數(shù)據(jù)線dl2。第八像素電極pe8通過(guò)第八接觸窗th8而與第八漏極d8電性連接。至少部分第八半導(dǎo)體層sm8位于第八柵極g8與第八源極s8以及第八漏極d8之間。

在本實(shí)施例中，第七開(kāi)關(guān)元件的第七漏極d7與第八開(kāi)關(guān)元件tft8的第八漏極d8皆朝第七像素電極pe7的方向延伸。

在一實(shí)施例中，第四像素單元pu4還包括第四分享元件st4。第四分享元件st4包括柵極sg4、半導(dǎo)體層ssm4、源極ss4以及漏極sd4。第四分享元件st4的柵極sg4電性連接至第二掃描線sl2。至少部分半導(dǎo)體層ssm4位于柵極sg4與源極ss4以及漏極sd4之間。第四分享元件st4的源極ss4通過(guò)第八接觸窗th8電性連接至第八像素電極pe8，且第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4電性連接第二信號(hào)線cl2、第四分享元件st4的漏極sd4和第八共用電極ce8。

在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1相似于第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4，且第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2相似于第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3，通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1/第四導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs4與第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2/第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3在行的方向(數(shù)據(jù)線的延伸方向)以及列的方向(掃描線的延伸方向)交替排列，使相似的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)不會(huì)聚集在一起，平均分散了導(dǎo)通結(jié)構(gòu)所造成的阻抗差值。

圖4是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列40的上視示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖4的實(shí)施例沿用圖1的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖4的像素陣列40與圖1的像素陣列10的差異在于：像素陣列40還包括第三數(shù)據(jù)線dl3、第三信號(hào)線cl3以及第三像素單元pu3。

第三數(shù)據(jù)線dl3與第一掃描線sl1交錯(cuò)設(shè)置，其中第一數(shù)據(jù)線dl1位于第二數(shù)據(jù)線dl2以及第三數(shù)據(jù)線dl3之間。第三信號(hào)線cl3位于第三數(shù)據(jù)線dl3上。

第三像素單元pu3包括第五開(kāi)關(guān)元件tft5、第六開(kāi)關(guān)元件tft6、第五共用電極ce5、第六共用電極ce6、第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6。

第五共用電極ce5與第六共用電極ce6分別位于第一掃描線sl1的第一側(cè)w1與第二側(cè)w2。第六共用電極ce6通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而電性連接至第三信號(hào)線cl3。第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6分別重疊于部分的第五共用電極ce5與部分的第六共用電極ce6。

第五開(kāi)關(guān)元件tft5包括第五漏極d5、第五源極s5、第五柵極g5與第五半導(dǎo)體層sm5。第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五柵極g5與第一掃描線sl1電性連接，第五源極s5與第三數(shù)據(jù)線dl3電性連接，第五像素電極pe5通過(guò)第五接觸窗th5而與第五漏極d5電性連接。至少部分第五半導(dǎo)體層sm5位于第五柵極g5與第五源極s5以及第五漏極d5之間。

第六開(kāi)關(guān)元件tft6包括第六漏極d6與第六源極s6、第六柵極g2與第六半導(dǎo)體層sm6。第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六柵極g6與第一掃描線sl1電性連接。在一實(shí)施例中，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6可以與第五源極s5電性連接；更詳而言之，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6通過(guò)第五開(kāi)關(guān)元件tft5而電性連接至第三數(shù)據(jù)線dl3。第六像素電極pe6通過(guò)第六接觸窗th6而與第六漏極d6電性連接。至少部分第六半導(dǎo)體層sm6位于第六柵極g6與第六源極s6以及第六漏極d6之間。

在一實(shí)施例中，第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五漏極d5與第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六漏極d6皆朝第五像素電極pe5的方向延伸。

在一實(shí)施例中，第一共用電極ce1、第三共用電極ce3與第五共用電極ce5電性連接，并且第二共用電極ce2、第四共用電極ce4與第六共用電極ce6電性連接。在一實(shí)施例中，第三共用電極ce3、第一共用電極ce1與第五共用電極ce5在結(jié)構(gòu)上按序連接，并且第四共用電極ce4、第二共用電極ce2與第六共用電極ce6在結(jié)構(gòu)上按序連接。

在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3還包括第三分享元件st3。第三分享元件st3包括柵極sg3、半導(dǎo)體層ssm3、源極ss3以及漏極sd3。第三分享元件st3的柵極sg3電性連接至第一掃描線sl1。至少部分半導(dǎo)體層ssm3位于柵極sg3與源極ss3以及漏極sd3之間。其中第三分享元件st3的源極ss3通過(guò)第六接觸窗th6電性連接至第六像素電極pe6，且第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3電性連接第三信號(hào)線cl3、第三分享元件st3的漏極sd3和第六共用電極ce6。

基于上述，本實(shí)施例的像素陣列40中，第一像素單元pu1具有第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1，第二像素單元pu2具有第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2，且第三像素單元pu3具有第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3。通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1、第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2以及第一信號(hào)線cl1就能使第一像素單元pu1的第二共用電極ce2電性連接至第二像素單元pu2的第三共用電極ce3，利用不同像素單元中的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)使位于掃描線不同側(cè)的共用電極能電性連接，共同組成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量。在一實(shí)施例中，第一分享元件st1通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1而與第二共用電極ce2以及第一信號(hào)線cl1電性連接，第二分享元件st2通過(guò)第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2而與第三共用電極ce3以及第一信號(hào)線cl1電性連接，且第三分享元件st3通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而與第六共用電極ce6以及第三信號(hào)線cl3電性連接，因此能改善像素陣列40開(kāi)口率不足的問(wèn)題。

圖5是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素陣列50的上視示意圖。在此必須說(shuō)明的是，圖5的實(shí)施例沿用圖1的實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同或近似的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖5的像素陣列50與圖1的像素陣列10的差異在于：像素陣列50還包括第三數(shù)據(jù)線dl3、第四數(shù)據(jù)線dl4、第三信號(hào)線cl3、第四信號(hào)線cl4以及第三像素單元pu3。

第三數(shù)據(jù)線dl3以及第四數(shù)據(jù)線dl4與第一掃描線sl1交錯(cuò)設(shè)置。第一數(shù)據(jù)線dl1位于第二數(shù)據(jù)線dl2以及第三數(shù)據(jù)線dl3之間，且第三數(shù)據(jù)線dl3位于第一數(shù)據(jù)線dl1以及第四數(shù)據(jù)線dl4之間。第三信號(hào)線cl3位于第三數(shù)據(jù)線dl3上。第四信號(hào)線cl4位于第四數(shù)據(jù)線dl4上。

第三像素單元pu3包括第五開(kāi)關(guān)元件tft5、第六開(kāi)關(guān)元件tft6、第五共用電極ce5、第六共用電極ce6第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6。

第五共用電極ce5與第六共用電極ce6分別位于第一掃描線sl1的第一側(cè)w1與第二側(cè)w2，其中第五共用電極ce5通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而電性連接至第四信號(hào)線cl4。第五像素電極pe5以及第六像素電極pe6分別重疊于部分的第五共用電極ce5與部分的第六共用電極ce6。

第五開(kāi)關(guān)元件tft5包括第五漏極d5、第五源極s5、第五柵極g5與第五半導(dǎo)體層sm5。第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五柵極g5與第一掃描線sl1電性連接，第五源極s5與第三數(shù)據(jù)線dl3電性連接，第五像素電極pe5通過(guò)第五接觸窗th5而與第五漏極d5電性連接。至少部分第五半導(dǎo)體層sm5位于第五柵極g5與第五源極s5以及第五漏極d5之間。

第六開(kāi)關(guān)元件tft6包括第六漏極d6與第六源極s6、第六柵極g2與第六半導(dǎo)體層sm6。第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六柵極g6與第一掃描線sl1電性連接。在一實(shí)施例中，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6可以與第五源極s5電性連接；更詳而言之，第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六源極s6通過(guò)第五開(kāi)關(guān)元件tft5而電性連接至第三數(shù)據(jù)線dl3。第六像素電極pe6通過(guò)第六接觸窗th6而與第六漏極d6電性連接。至少部分第六半導(dǎo)體層sm6位于第六柵極g6與第六源極s6以及第六漏極d6之間。

在本實(shí)施例中，第五開(kāi)關(guān)元件tft5的第五漏極d5朝第五像素電極pe5的方向延伸，且第六開(kāi)關(guān)元件tft6的第六漏極d6朝第六像素電極pe6的方向延伸。

在一實(shí)施例中，第一共用電極ce1、該第三共用電極ce3與第五共用電極ce5電性連接，并且第二共用電極ce2、第四共用電極ce4與第六共用電極ce6電性連接。在一實(shí)施例中，第三共用電極ce3、第一共用電極ce1與第五共用電極ce5在結(jié)構(gòu)上按序連接，并且第四共用電極ce4、第二共用電極ce2與第六共用電極ce6在結(jié)構(gòu)上按序連接。

在一實(shí)施例中，第三像素單元pu3還包括第三分享元件st3。第三分享元件st3包括柵極sg3、半導(dǎo)體層ssm3、源極ss3以及漏極sd3。第三分享元件st3的柵極sg3電性連接至第一掃描線sl1。至少部分半導(dǎo)體層ssm3位于柵極sg3與源極ss3以及漏極sd3之間。其中第三分享元件st3的源極ss3通過(guò)第六接觸窗th6電性連接至第六像素電極pe6，且第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3電性連接第四信號(hào)線cl4、第三分享元件st3的漏極sd3和第五共用電極ce5。

基于上述，本實(shí)施例的像素陣列50中，第一像素單元pu1具有第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1，第二像素單元pu2具有第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2，且第三像素單元pu3具有第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3。通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1、第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2以及第一信號(hào)線cl1就能使第一像素單元pu1的第二共用電極ce2電性連接至第二像素單元pu2的第三共用電極ce3，利用不同像素單元中的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)使位于掃描線不同側(cè)的共用電極能電性連接，共同組成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量。在一實(shí)施例中，第一分享元件st1通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs1而與第二共用電極ce2以及第一信號(hào)線cl1電性連接，第二分享元件st2通過(guò)第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs2而與第三共用電極ce3以及第一信號(hào)線cl1電性連接，且第三分享元件st3通過(guò)第三導(dǎo)通結(jié)構(gòu)cs3而與第五共用電極ce5以及第四信號(hào)線cl4電性連接，因此能改善像素陣列50開(kāi)口率不足的問(wèn)題。

綜上所述，在本發(fā)明的像素陣列中，第一像素單元具有第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，且第二像素單元具有第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)，通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)、第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)以及第一信號(hào)線就能使第一像素單元的第二共用電極電性連接至第二像素單元的第三共用電極，利用不同像素單元中的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)使位于掃描線不同側(cè)的共用電極能電性連接，共同組成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，減少了導(dǎo)通共用電極所需要的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)的數(shù)量。在一實(shí)施例中，第一分享元件通過(guò)第一導(dǎo)通結(jié)構(gòu)而與第二共用電極以及第一信號(hào)線電性連接，且第二分享元件通過(guò)第二導(dǎo)通結(jié)構(gòu)而與第三共用電極以及第一信號(hào)線電性連接，因此能改善像素陣列開(kāi)口率不足的問(wèn)題。在一實(shí)施例中，通過(guò)結(jié)構(gòu)不相同的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)在行的方向以及列的方向交替排列，使得相似的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)不會(huì)聚集在一起，平均分散了結(jié)構(gòu)不相同的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)所造成的阻抗差值。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思構(gòu)思和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。