專利名稱：熱磁復(fù)制型磁記錄方法和磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及與超高密度磁記錄技術(shù)(ultra-high densitymagnetic recording technology)有關(guān)的熱磁復(fù)制型磁記錄方法(magnetic recording method utilizing thermo-magneticprinting)、熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)(magnetic recording media forthermo-magnetic printing)以及磁記錄再現(xiàn)裝置(magnetic diskrecording apparatus)。
背景技術(shù)：
隨著信息處理技術(shù)的發(fā)展，各種領(lǐng)域的數(shù)字化急速發(fā)展。除原來(lái)的個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器外，在家電·音頻等中也需要儲(chǔ)存大量的數(shù)字信息數(shù)據(jù)，為儲(chǔ)存這些巨大的數(shù)據(jù)，要求作為非易失性文件系統(tǒng)的核心的磁盤裝置至此也增大而快速大容量化。所謂磁盤裝置的大容量化，意味著進(jìn)一步提高記錄在記錄介質(zhì)上的位(bit)密度、面記錄密度。
目前實(shí)用化的磁盤裝置采用的記錄方式一般叫作面內(nèi)記錄方式。這是將在與盤基片面相平行的方向上具有大的矯頑力的強(qiáng)磁體(ferromagnetic substance)薄膜作為記錄介質(zhì)，通過(guò)使該記錄介質(zhì)在基片面內(nèi)方向上磁化來(lái)記錄信息的方式。此時(shí)，面內(nèi)磁化成180度的角度而對(duì)置的磁化反轉(zhuǎn)部分對(duì)應(yīng)于比特1。
為提高面記錄密度，需要同時(shí)增加盤圓周方向的位密度(線記錄密度)和盤半徑方向的位密度(軌道密度)。軌道密度受到記錄/再現(xiàn)頭的軌道寬度形成過(guò)程和機(jī)構(gòu)系統(tǒng)的定位精度限制，但這些主要而言不過(guò)是技術(shù)上的問(wèn)題。與此不同，認(rèn)為線記錄密度的增大由于記錄介質(zhì)是強(qiáng)磁性微粒子的集合體這一事實(shí)而受到原理上的制約。
面內(nèi)記錄方式中，由于以磁化反轉(zhuǎn)部分為中心將磁化部分彼此對(duì)置，所以在該磁化反轉(zhuǎn)部分周邊，在減少磁化的方向上產(chǎn)生稱為反磁場(chǎng)的大的內(nèi)部磁場(chǎng)。由于該反磁場(chǎng)，磁化反轉(zhuǎn)部分中形成具有有限寬度的磁化過(guò)渡區(qū)域，即磁化未達(dá)到充分飽和的區(qū)域。
該磁化過(guò)渡區(qū)域比較寬時(shí)，隨著位間隔變窄，磁化過(guò)渡區(qū)域彼此干擾(干涉)，引起實(shí)際的磁化反轉(zhuǎn)位置移動(dòng)等問(wèn)題。因此，磁化過(guò)渡區(qū)域的寬度需要至少小于位間隔。
因此，為提高線記錄密度，需要記錄介質(zhì)抵消反磁場(chǎng)而磁化的結(jié)構(gòu)，具體說(shuō)，在提高記錄介質(zhì)的矯頑力的同時(shí)，降低記錄磁性膜的厚度來(lái)抑制反磁場(chǎng)。這樣，線記錄密度受到記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和磁特性的強(qiáng)烈限制。
標(biāo)準(zhǔn)的面內(nèi)記錄方式中，優(yōu)選線記錄密度和軌道密度之比約為5～10左右。在該條件的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)每1平方英寸100Gb(Gb＝10的9次方bit)的記錄介質(zhì)的情況下，圓周方向的位間隔約為25nm。另一方面，通過(guò)簡(jiǎn)單的模型估計(jì)磁化反轉(zhuǎn)寬度為25nm以下的記錄介質(zhì)的必要特性時(shí)，記錄介質(zhì)膜厚15nm以下、矯頑力5kOe(奧斯特)以上是必要條件。
但是，認(rèn)為在可使用的磁極材料中可期待的最大飽和磁通密度(下面叫Bs)為2.4T(特斯拉)的前提條件下，面內(nèi)記錄方式的記錄元件可產(chǎn)生的記錄磁場(chǎng)最高9kOe左右是其極限。此時(shí)，若介質(zhì)記錄層的矯頑力超出5kOe，則難以確保盡可能將記錄介質(zhì)充分磁化的記錄磁場(chǎng)。
此外，Co合金類磁性膜中磁性膜的厚度在15nm以下時(shí)，實(shí)際的記錄介質(zhì)晶粒的體積變小，因此與各個(gè)粒子的磁各向異性能量(即，用于將磁化穩(wěn)定到一定方向上的能量)相比，熱能(即擾亂磁化的能量)變得不能忽視。
這樣，磁化的熱漲落變得明顯，出現(xiàn)記錄磁化大小隨著時(shí)間的經(jīng)過(guò)而減少的熱退磁問(wèn)題。為抑制熱退磁，需要進(jìn)一步增大矯頑力或增大晶粒的體積。
然而，如上所述，在磁頭的磁場(chǎng)受到限制的情況下，許可的矯頑力有上限。另外，為了晶粒的體積增大而增加膜厚意味著反磁場(chǎng)的增加造成的磁化過(guò)渡區(qū)域的增大，即可能降低線記錄密度。
另一方面，按面內(nèi)方向的晶體大小確保晶粒體積時(shí)，記錄介質(zhì)內(nèi)磁化分布的隨機(jī)性增大，因此表現(xiàn)出介質(zhì)噪聲增大，得不到充分的信號(hào)S/N比。這樣，可以預(yù)想為了實(shí)現(xiàn)滿足耐熱退磁、低噪聲、充分記錄這樣的條件并且超出每1平方英寸100Gb的面內(nèi)紀(jì)錄，其原理的困難。
為避免該原理上的困難而提出的是垂直記錄方式。垂直記錄方式是與膜面垂直地形成薄膜記錄介質(zhì)的磁化的方式，記錄原理與原來(lái)的面內(nèi)磁記錄介質(zhì)的情況不同。垂直磁記錄方式不對(duì)置相鄰的磁化，而是反平行排列，因此不受到反磁場(chǎng)的影響。從而，可期待磁化過(guò)渡區(qū)域非常狹窄，容易提高線記錄密度。由于同樣理由，對(duì)記錄介質(zhì)薄膜化的要求不像面內(nèi)記錄那樣強(qiáng)烈，因此可確保對(duì)熱退磁有高的耐性。
這樣，垂直磁記錄方式作為本質(zhì)上適合于高密度記錄的方式而受到關(guān)注，提出了各種記錄介質(zhì)的材料、結(jié)構(gòu)和與其組合的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)。垂直記錄方式中有使用垂直磁化膜單體的介質(zhì)的方式、除垂直磁化膜外還設(shè)置與其盤基片側(cè)相鄰的低矯頑力和高飽和磁通密度的磁通保持(keeper)層的方式。
使用具有磁通保持層的2層垂直磁記錄介質(zhì)時(shí)，認(rèn)為有以下兩個(gè)優(yōu)先(1)可降低記錄層內(nèi)產(chǎn)生的反磁場(chǎng)；(2)通過(guò)與單磁極型的記錄元件組合，與面內(nèi)記錄使用的環(huán)形磁頭相比，可產(chǎn)生具有更急劇的分布的大的記錄磁場(chǎng)。關(guān)于該技術(shù)，例如記述在非專利文獻(xiàn)1中。
作為該方式的垂直磁記錄介質(zhì)，討論在坡莫合金、Fe類非晶合金或微細(xì)晶體合金等軟磁性層構(gòu)成的磁通保持層上，設(shè)置CoCr合金構(gòu)成的垂直磁化膜的介質(zhì)等。而且，近年來(lái)，作為記錄層，近年來(lái)討論了在(Co/Pd)n、(Co/Pt)n等的所謂人工晶格膜、SiO2中分散了Co類磁性微粒子的所謂粒狀介質(zhì)，作為保持層，使用著通過(guò)使用反強(qiáng)磁體而穩(wěn)定了磁疇的層疊膜、或?qū)?qiáng)磁性層彼此反強(qiáng)磁性地耦合的磁性多層膜等。
如上所述，作為替換現(xiàn)有的面內(nèi)磁記錄方式的技術(shù)，使用具有保持層的記錄介質(zhì)的垂直磁記錄方式是有希望的，但該方式中也有記錄密度的界限。其最大的原因是通過(guò)記錄磁場(chǎng)達(dá)到原理上的上限并不能提高決定記錄介質(zhì)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性的磁各向異性能量。
垂直記錄中，如上所述，在可期望比面內(nèi)記錄的環(huán)形頭大的記錄磁場(chǎng)的、例如面記錄密度為每1平方英寸1Tb(Tb＝10的12次方bit)作為前提的參數(shù)設(shè)定中，考慮磁場(chǎng)分布形狀等時(shí)，使用具有作為過(guò)渡金屬磁性體的最大飽和磁通密度的約2.4T＝24kG(千高斯)的材料，也只有16kOe左右是記錄磁場(chǎng)的上限這樣的研究結(jié)果(非專利文獻(xiàn)2)。此時(shí)，記錄介質(zhì)的各向異性磁場(chǎng)許可值最大為16kOe左右。
至此，通過(guò)模擬面記錄密度為每1平方英寸1Tb的磁記錄可能性來(lái)討論的幾個(gè)例子中，任何一個(gè)都需要20kOe左右的各向異性磁場(chǎng)，預(yù)料上述是不足的。因此，考慮在僅利用磁方式的記錄方式中導(dǎo)入新的要素，來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度的方法。這些大致考慮下面的2個(gè)候選。
(1)熱輔助記錄(或混合記錄)通過(guò)僅在施加記錄磁場(chǎng)時(shí)降低記錄介質(zhì)的磁各向異性能量，可在室溫下對(duì)各向異性磁場(chǎng)比記錄磁場(chǎng)大的記錄介質(zhì)進(jìn)行寫(xiě)入。因此，與使用相同強(qiáng)度的記錄磁場(chǎng)的純粹的磁記錄相比，可使用由具有更大的磁各向異性能量的小晶粒構(gòu)成的記錄介質(zhì)，可實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度。
關(guān)于該方法，至今已經(jīng)提出了幾種介質(zhì)結(jié)構(gòu)和頭結(jié)構(gòu)(例如非專利文獻(xiàn)3)。
(2)熱磁復(fù)制記錄在來(lái)自記錄元件的磁場(chǎng)下，與通常的磁記錄同樣，在將磁化圖形寫(xiě)入記錄介質(zhì)中的特定層后，通過(guò)加熱記錄密度而將該磁化圖形復(fù)制到另外的層，實(shí)質(zhì)上增大記錄層的膜厚，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性。起初寫(xiě)入的層單獨(dú)而言熱穩(wěn)定性低也可以，因此可使用由小的晶粒構(gòu)成的記錄介質(zhì)，可實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度。
關(guān)于該方法，在光磁記錄領(lǐng)域中進(jìn)行了討論。尤其，認(rèn)為其是不經(jīng)過(guò)光記錄中一般進(jìn)行的消除過(guò)程而可直接重寫(xiě)的技術(shù)的候補(bǔ)。
例如，專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了一種技術(shù)在對(duì)用于磁寫(xiě)入的Co-Cr合金薄膜和復(fù)制其圖形的稀土類—過(guò)渡金屬合金薄膜進(jìn)行了組合的介質(zhì)上，通過(guò)組合磁記錄和光照射的方法記錄。另外，專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種技術(shù)從矯頑力通過(guò)加熱而增大的“記錄層輔助層”，向矯頑力通過(guò)加熱而降低的“記錄層”上復(fù)制磁化圖形。
專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)昭63-276731號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)平2-189751號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1IEEE Transactions on Magnetics，Vol.MAG-20，No.5，September 1984，pp.657-662，Perpendicularmagnetic recording-Evolution and future’非專利文獻(xiàn)2IEEE Transactions on Magnetics，Vol.MAG-39，No.4，July 2003，pp.1955-1960，Recording fieldanalysis of narrow-track SPT head with side shields，taperedmain pole，and tapered return path for 1 Tb/in2’非專利文獻(xiàn)3Journal of Applied Physics，Vol.87，No.9，May 2003 pp.539 8-5403，‘Disk recording beyond 100 Gb/in2Hybrid recording？’但是將上述(1)的方法適用于磁盤裝置中的最大問(wèn)題是磁頭的集成化。通常本方法中，對(duì)記錄介質(zhì)上的大致同一區(qū)域進(jìn)行施加磁場(chǎng)和加熱是前提，在構(gòu)成磁頭的1個(gè)滑動(dòng)器上搭載磁場(chǎng)產(chǎn)生構(gòu)件和記錄介質(zhì)加熱構(gòu)件是非常困難的。因此，實(shí)際上進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)將磁場(chǎng)施加構(gòu)件配置在記錄介質(zhì)的上面?zhèn)?，將記錄介質(zhì)加熱構(gòu)件配置在記錄介質(zhì)的下面?zhèn)取?br> 這樣，使用作為同時(shí)進(jìn)行磁場(chǎng)施加和介質(zhì)加熱的記錄方式的(1)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)磁記錄再現(xiàn)裝置的情形，作為強(qiáng)烈要求小型化、薄型化的磁盤裝置中使用的技術(shù)是極其不利的。
在上述(2)的方法中，可以說(shuō)公開(kāi)了滿足熱磁復(fù)制記錄的要件的基本結(jié)構(gòu)，但這些目的不過(guò)是在與光磁記錄的重寫(xiě)記錄，因此出現(xiàn)保持原樣仍不能適用于磁盤裝置的問(wèn)題。
例如，專利文獻(xiàn)1中，記錄元件和作為加熱/再現(xiàn)構(gòu)件的光束夾持著記錄介質(zhì)配置在相反側(cè)。可以說(shuō)這種情況作為今后日益要求小型化、薄型化的磁盤裝置的技術(shù)是不利的。
此外，專利文獻(xiàn)2中，首先通過(guò)來(lái)自磁極的磁場(chǎng)在具有鐵氧體磁體(ferrimagnetic substance)特性的“記錄層”上形成圖形，將其復(fù)制到“記錄輔助層”，再向“記錄層”照射光束進(jìn)行信號(hào)再現(xiàn)，但與以光頭進(jìn)行信號(hào)再現(xiàn)為前提的光磁記錄不同，磁盤裝置中，必須進(jìn)行使用所謂磁電阻效應(yīng)的再現(xiàn)，因此不適用由鐵氧體磁體層開(kāi)始的再現(xiàn)。例如，非專利文獻(xiàn)2中，討論了將鐵氧體磁體用于記錄介質(zhì)一部分的磁記錄。
這樣，公開(kāi)了由稀土類元素—過(guò)渡金屬化合物構(gòu)成的記錄介質(zhì)隨著磁疇壁生成而噪聲急劇增大、不利于高記錄密度的磁記錄的結(jié)果。因此，像專利文獻(xiàn)2那樣，在鐵氧體磁性層形成基于磁場(chǎng)的磁化圖形時(shí)，復(fù)制原本噪聲大的信號(hào)。此外，由于從相同鐵氧體磁性層再現(xiàn)信號(hào)，因此將其用于磁記錄時(shí)，僅得到S/N比低的信號(hào)，不適用于面向磁盤的高密度磁記錄。
還有，面向磁盤的磁記錄方式中，記錄磁場(chǎng)達(dá)到了物理界限。另一方面，為提高對(duì)熱漲落退磁的耐性而增大記錄介質(zhì)的磁各向異性來(lái)得到記錄性能，考慮下面2個(gè)方式(1)僅記錄時(shí)降低磁各向異性的熱輔助方式；(2)通過(guò)記錄后向其他層復(fù)制、實(shí)際上增大膜厚(體積)來(lái)確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性的熱磁復(fù)制記錄。但是，任一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)都不適用于小型且大容量的HDD用磁記錄技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種記錄方式、記錄介質(zhì)和可集成化的磁記錄再現(xiàn)裝置，可兼顧耐熱退磁性和降低噪聲，可實(shí)現(xiàn)1Tb/in2的超高記錄密度。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層；上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下，具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力。
另外，本發(fā)明的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于包括熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)、具有施加記錄磁場(chǎng)的記錄元件的記錄頭、加熱熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)的加熱構(gòu)件；上述熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層，上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力；上述加熱構(gòu)件配置在上述記錄元件的尾側(cè)。
另外，本發(fā)明的熱磁復(fù)制記錄方法，對(duì)記錄介質(zhì)進(jìn)行處理，其特征在于上述記錄介質(zhì)包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層，上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下，具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力；對(duì)上述記錄介質(zhì)進(jìn)行如下處理首先施加記錄磁場(chǎng)而在第一記錄層形成磁化圖形，接著進(jìn)行加熱將第一記錄層的磁化圖形復(fù)制到第二記錄層。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明中，在熱磁復(fù)制記錄方式中，將在環(huán)境溫度下低Ms且高Hc、加熱時(shí)變?yōu)楦逪s且低Hc的鐵氧體磁體用作被復(fù)制層。
根據(jù)本發(fā)明的記錄方式、記錄介質(zhì)和磁記錄再現(xiàn)裝置，由于被復(fù)制層的磁化在磁場(chǎng)記錄時(shí)小、通過(guò)加熱復(fù)制時(shí)增大，重寫(xiě)等的記錄性能仍很高，可提高長(zhǎng)期穩(wěn)定性，可抑制再現(xiàn)時(shí)的噪聲，可實(shí)現(xiàn)每1平方英寸300Gb的高面記錄密度。
采用本發(fā)明的記錄介質(zhì)，其特征是包括第一記錄層、第二記錄層、上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層。
第一記錄層通過(guò)記錄磁場(chǎng)形成磁化圖形。而第二記錄層包含在環(huán)境溫度下具有不通過(guò)記錄磁場(chǎng)形成磁化圖形的矯頑力、并且在高于環(huán)境溫度的溫度下降低矯頑力的同時(shí)增加飽和磁化的材料。
這里環(huán)境溫度Ta是通過(guò)加熱構(gòu)件故意不使記錄介質(zhì)升溫時(shí)的環(huán)境溫度。這相當(dāng)于磁記錄再現(xiàn)裝置可正常動(dòng)作的溫度范圍，例如在硬盤驅(qū)動(dòng)器中為-10℃～60℃的范圍。
另外，中間層切斷第一及和第二記錄磁場(chǎng)的交換耦合，靜磁耦合第一記錄層和第二記錄層。
一般地，連續(xù)堆積2個(gè)強(qiáng)磁體薄膜時(shí)，通過(guò)交換耦合出現(xiàn)兩者的磁化對(duì)齊到相同方向上的傾向。另一方面，已知插入某一厚度以上的中間層時(shí)，該交換耦合減小，取而代之出現(xiàn)依賴于二者的飽和磁化的基于塞曼(Zeeman)能量的靜磁耦合。
交換耦合和靜磁耦合都是將2個(gè)磁性體的磁化對(duì)齊到相同方向的效果。
但是，與交換耦合是在溫度上升的同時(shí)單調(diào)減少的相互作用相對(duì)，靜磁耦合是依賴于飽和磁化的效果，因此像上述第二記錄層那樣，在使用飽和磁化隨溫度一起增加的磁性體的情況下，可通過(guò)加熱增強(qiáng)耦合。
2個(gè)磁性體上作用靜磁耦合時(shí)，其等效于雙方的磁性體內(nèi)部的反磁場(chǎng)減少。反磁場(chǎng)的增減一般表現(xiàn)為在磁化曲線的矯頑力附近的傾度，因此置于層疊膜的磁化曲線中，飽和磁化增大，而且上述傾度增大時(shí)，靜磁耦合可產(chǎn)生作用。
這樣，通過(guò)將第一記錄層和第二記錄層間隔著中間層而層疊來(lái)靜磁耦合的記錄介質(zhì)，首先，對(duì)于該記錄介質(zhì)通過(guò)施加磁場(chǎng)在第一記錄層形成磁化圖形。接著，加熱施加磁場(chǎng)后的第一記錄層的磁化圖形，將該磁化圖形復(fù)制到第二記錄層。
經(jīng)過(guò)這些一連串的記錄動(dòng)作，經(jīng)中間層相鄰的第一和第二記錄層內(nèi)的晶?；咀鳛橐粋€(gè)組(cluster)動(dòng)作。其結(jié)果是，可以制成如下記錄介質(zhì)第一和第二記錄層內(nèi)的晶粒中，實(shí)際的晶粒體積增大，從而磁疇結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，降低介質(zhì)噪聲，而且可提高耐熱退磁性。
由于第一記錄層和第二記錄層之間插入中間層12，因此重寫(xiě)時(shí)第一記錄磁場(chǎng)的磁化圖形和第二記錄磁場(chǎng)的磁化圖形不同時(shí)，也可抑制不同的磁化圖形之間的干擾，從而可實(shí)現(xiàn)在重寫(xiě)特性方面優(yōu)越的記錄介質(zhì)。
采用本發(fā)明的記錄介質(zhì)中記錄磁化圖形的記錄方式，以不同的定時(shí)施加用于向第一記錄層記錄磁化圖形的磁場(chǎng)、和進(jìn)行用于將第一記錄層的磁化圖形復(fù)制到第二記錄層的加熱，因此磁頭的集成化容易，可實(shí)現(xiàn)磁記錄裝置的小型化、薄型化。


圖1是作為第一實(shí)施例的磁記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的模式圖。
圖2是作為第一實(shí)施例的磁記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的斜視圖。
圖3是用于第一實(shí)施例中的記錄介質(zhì)的磁特性的溫度依賴性。
圖4是表示第一實(shí)施例中通過(guò)光照射的有無(wú)變化而熱退磁的測(cè)定數(shù)據(jù)。
圖5是表示用于第一實(shí)施例中的記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)的剖面圖。
圖6是采用第一實(shí)施例的磁盤裝置的示意圖。
圖7是表示第二實(shí)施例的重寫(xiě)動(dòng)作的斜視圖。
圖8是第二實(shí)施例的重寫(xiě)和退磁量的中間層厚度依賴性。
圖9是表示用于第三實(shí)施例中的記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)的剖面圖。
圖10是表示第三實(shí)施例中使用的記錄介質(zhì)的飽和磁化的溫度依賴性的特性圖。
圖11是第四實(shí)施例中使用的記錄介質(zhì)的第二記錄層的平面觀察圖。
圖12是表示第五實(shí)施例中記錄元件和加熱構(gòu)件的最佳距離的斜視圖。
圖13是表示第六實(shí)施例中使用的記錄介質(zhì)的磁特性的溫度依賴性的特性圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖詳細(xì)說(shuō)明采用本發(fā)明的具體磁記錄介質(zhì)。
實(shí)施例1圖1是實(shí)施本發(fā)明的磁記錄再現(xiàn)系統(tǒng)的模式圖。再現(xiàn)元件省略了。圖2中表示相同系統(tǒng)中加上再現(xiàn)元件后的其斜視圖。
記錄元件101包括產(chǎn)生記錄磁場(chǎng)16的磁極17、向其提供磁通的磁軛18、返回路徑19、及對(duì)它們進(jìn)行勵(lì)磁的導(dǎo)體線圈20。加熱元件102包括激光光源26和光導(dǎo)波路27。激光光源27優(yōu)選使用產(chǎn)生波長(zhǎng)500nm以下的光的半導(dǎo)體激光器。
這里，記錄元件101和磁通保持層36形成磁通環(huán)流的磁路，記錄介質(zhì)插入其中間來(lái)配置，因此施加從磁極17朝向磁通保持層36的記錄磁場(chǎng)16，即與記錄介質(zhì)表面大致垂直的磁場(chǎng)。
記錄介質(zhì)具有第一記錄磁場(chǎng)11、中間層12和第二記錄層13，相對(duì)記錄元件向圖中左方向移動(dòng)。因此，用于使記錄介質(zhì)局部升溫的加熱構(gòu)件102相對(duì)記錄元件位于尾側(cè)。
通過(guò)該配置，可以實(shí)現(xiàn)如下一系列記錄動(dòng)作來(lái)自記錄元件10的記錄磁場(chǎng)16施加到記錄介質(zhì)上，在第一記錄層11形成磁化圖形14，之后通過(guò)照射從加熱構(gòu)件102發(fā)出的光25，將磁化圖形15復(fù)制到第二記錄層13。
為更詳細(xì)說(shuō)明記錄動(dòng)作原理，圖3表示出使用的記錄介質(zhì)各層的矯頑力和飽和磁化的溫度依賴性。
第一記錄層11是由CoCrPtB多晶構(gòu)成的強(qiáng)磁性層。作為第一記錄層11，可以是在SiO2矩陣中分散Co類合金晶粒的所謂粒狀強(qiáng)磁性層。任何一個(gè)層中，易磁化軸都配置為相對(duì)膜面垂直的成分為主。
這些強(qiáng)磁體中，具有一般相對(duì)溫度上升而矯頑力、飽和磁化一起單調(diào)減少的溫度特性。第二記錄層中使用作為鐵氧體磁體的TbFeCo。鐵氧體磁體的特征是具有叫做飽和磁化為0的“補(bǔ)償點(diǎn)”(圖3的Tcmp)的特性溫度。該Tcmp附近，矯頑力為極大值，因此溫度依賴性為圖3的上部虛線所示的曲線。利用這些溫度特性的記錄動(dòng)作如下。
首先，環(huán)境溫度Ta下，從磁極產(chǎn)生預(yù)期的記錄磁場(chǎng)，在第一記錄層11形成磁化圖形14。這里，第二記錄層13的矯頑力設(shè)定得充分大，以使得不被記錄磁場(chǎng)16磁化。第二記錄層13的飽和磁化設(shè)定得小，小到使得從第二記錄層13產(chǎn)生的靜磁場(chǎng)與記錄磁場(chǎng)16干擾、而不使形成在第一記錄層11上的磁化圖形磁致伸縮的程度。具體來(lái)說(shuō)，第二記錄層的室溫下的最佳飽和磁化的范圍是200～500emu/cc。
接著由加熱構(gòu)件102向磁化圖形14施加照射光25。這里，照射光25的光斑中心部上升到溫度Tw。此時(shí)，第二記錄層13的磁化像圖3的下部那樣增大，因此，第一記錄層11和第二記錄層13之間的靜磁耦合能量增大，兩層的磁化平行對(duì)齊，能量穩(wěn)定。
這里，如圖3上部所示，第二記錄層13的矯頑力與升溫一起急劇減少，因此，溫度Tw下，降低第一記錄層11的矯頑力。這樣，溫度Tw下，第二記錄層13的磁化15容易旋轉(zhuǎn)。這樣，在第二記錄層13上復(fù)制磁化圖形14。
經(jīng)過(guò)這些一連串的動(dòng)作，間隔著中間層而相鄰的第一和第二記錄層內(nèi)的晶粒基本作為一組動(dòng)作。其結(jié)果，第一和第二記錄層內(nèi)的晶粒中，實(shí)際的晶粒體積增大。
圖4表示利用磁極記錄后進(jìn)行光照射時(shí)和不進(jìn)行光照射時(shí)的信號(hào)電平隨經(jīng)過(guò)時(shí)間變化的情況。明確知道，進(jìn)行光照射時(shí)，熱退磁被大幅度抑制，通過(guò)熱磁復(fù)制，有效晶粒體積增大。
參考圖5詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例使用的記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。該記錄介質(zhì)按順序在盤基片38上層疊緩沖層37、保持層36、間隔層35、第二記錄層13、中間層12、第一記錄層11、保護(hù)膜和潤(rùn)滑層31。
作為盤基片38，使用氧化鋁和玻璃。一般地，基片材料的選擇對(duì)系統(tǒng)熱傳導(dǎo)產(chǎn)生大的影響。因此，需要選擇緩沖層37，以使得加熱冷卻過(guò)程最佳化。另外，使用氧化鋁基片的情況下，僅由金屬構(gòu)成緩沖層37時(shí)，熱擴(kuò)散過(guò)大，故激光的加熱不充分，在緩沖層37的一部分中使用Al或Si的氧化物時(shí)，熱擴(kuò)散被抑制，可在非常短的時(shí)間內(nèi)升溫。此時(shí)的加熱、冷卻特性與玻璃基片的情況相同。
磁通保持層36起到將從記錄元件101的磁極17輸出的磁通16有效地傳送到副磁極的作用。因此，磁通保持層的特性對(duì)記錄特性產(chǎn)生大的影響。一般地，從記錄磁場(chǎng)強(qiáng)度的觀點(diǎn)看，優(yōu)選磁通保持層的飽和磁化大，磁導(dǎo)率越高則記錄效率越好。
但是，飽和磁化大的強(qiáng)磁性材料通常軟磁性差，多具有復(fù)雜的磁疇結(jié)構(gòu)。該磁疇是所謂的尖峰噪聲的原因，據(jù)說(shuō)會(huì)使裝置的出錯(cuò)率劣化，但本發(fā)明中，在熱磁復(fù)制動(dòng)作中，通過(guò)重疊來(lái)自第一記錄磁場(chǎng)以外的磁場(chǎng)可擾亂第二記錄層的磁化圖形。
因此，本實(shí)施例中，作為磁通保持層36，使用包含Co的非晶質(zhì)合金，例如CoTaZr、FeTaC等微晶體材料，可同時(shí)滿足良好的記錄特性、抑制尖峰噪聲、及外部磁場(chǎng)穩(wěn)定性。使用以強(qiáng)磁性層/非磁性層/強(qiáng)磁性層這種3層結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的由多層膜構(gòu)成的磁通保持層，不會(huì)觀測(cè)到明顯的尖峰噪聲。而且，通過(guò)在上述非磁性層中使用Ru、Rh、Cr、Ir，可幾乎完全抑制尖峰噪聲。這是由于在上下的強(qiáng)磁性層中產(chǎn)生反強(qiáng)磁性耦合，磁疇結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。此外，使用該反強(qiáng)磁性耦合型的磁通保持層的情況下，由于適度抑制磁導(dǎo)率，可實(shí)現(xiàn)對(duì)外部磁場(chǎng)的穩(wěn)定性和高的記錄效率。
作為第二記錄層13，作為稀土類元素除Tb外還有Gd、Nd、Dy、Ho、Er，作為過(guò)渡金屬可將Fe、Ni、Co之一單獨(dú)或組合使用，可得到同樣的特性。包含上述稀土類元素和Fe或Co的石榴石型氧化物、MnBi也可得到同樣的溫度特性，因此可實(shí)現(xiàn)與本實(shí)施例完全相同的結(jié)構(gòu)。
作為中間層12，使用Ru時(shí)可得到最佳的記錄特性。另外，使用含Cr或Ti的合金時(shí)可得到幾乎相同的特性。另外，中間層12作為第一記錄層11的基底層也很重要，可控制第一記錄層11的磁性例子的分散。
作為第一記錄層11，可使用與通常的垂直磁記錄中使用的記錄層相同的材料。這里，使用由Si-O分離了CoCrPtB晶體的多晶磁性膜?？墒褂肅o/Pt或Co/Pd多層膜等所謂的人工晶格膜。
圖6表示搭載了具有本實(shí)施例公開(kāi)的介質(zhì)加熱構(gòu)件的磁記錄頭和記錄介質(zhì)的、磁盤裝置的示意圖，形成磁記錄頭的滑動(dòng)構(gòu)件121由懸臂122支持，由定位機(jī)構(gòu)123確定在盤124上的位置，在預(yù)期的場(chǎng)所進(jìn)行信息讀寫(xiě)。
盤124由主軸電機(jī)125控制旋轉(zhuǎn)，在盤124上預(yù)先記錄表示位置的信號(hào)(伺服信號(hào))，在由機(jī)構(gòu)控制電路129來(lái)處理頭所讀取的伺服信號(hào)的基礎(chǔ)上，通過(guò)反饋到定位機(jī)構(gòu)123來(lái)進(jìn)行閉環(huán)控制。
通過(guò)外部接口126輸入的用戶數(shù)據(jù)由數(shù)據(jù)編碼和記錄電路127以適合于磁記錄系統(tǒng)的方法來(lái)編碼、整形，變換為記錄電流波形，通過(guò)對(duì)記錄元件勵(lì)磁而向介質(zhì)中寫(xiě)入比特(bit)。相反從寫(xiě)入的比特出來(lái)的泄漏磁場(chǎng)由再現(xiàn)元件檢測(cè)，從而變換為電信號(hào)，經(jīng)由數(shù)據(jù)再現(xiàn)和解碼電路128以適合于磁及路系統(tǒng)的方法進(jìn)行波形整形、解碼處理，再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)。
這樣動(dòng)作的磁盤裝置中使用采用本發(fā)明的熱磁復(fù)制記錄方式的結(jié)果是，實(shí)現(xiàn)線記錄密度2MBPI(MBPI比特?cái)?shù)是每1英寸10的6次方)、軌道密度250kTPI(kTPI軌道數(shù)是每1英寸10的3次方)，即，面記錄密度可以實(shí)現(xiàn)每1平方英寸500Gb。由此，可廉價(jià)提供小型、大容量的磁盤裝置。
實(shí)施例2圖7是表示在采用本發(fā)明的熱復(fù)制型磁記錄再現(xiàn)系統(tǒng)中，從舊的記錄數(shù)據(jù)上寫(xiě)入新記錄數(shù)據(jù)的動(dòng)作、即重寫(xiě)動(dòng)作中的狀況的斜視圖。
通過(guò)來(lái)自磁極17的磁場(chǎng)在第一記錄層形成磁化圖形后，關(guān)注通過(guò)加熱構(gòu)件升溫前的狀態(tài)，第一記錄層11的磁化圖形和第二記錄層13的磁化圖形不同。因此，對(duì)于形成記錄圖形的場(chǎng)所，從第二記錄層13的磁化圖形出來(lái)的靜磁場(chǎng)使第一記錄層11的磁化劣化。
這意味著舊的記錄數(shù)據(jù)的圖形干擾到新的記錄數(shù)據(jù)，作為記錄特性，帶來(lái)重寫(xiě)特性的劣化。為防止該干擾，必須在第一記錄層和第二記錄層中間形成中間層12。
圖8是對(duì)于按從0nm(無(wú)中間層)到10nm來(lái)改變中間層的磁記錄介質(zhì)，進(jìn)行記錄動(dòng)作后測(cè)定重寫(xiě)特性和100天后的信號(hào)劣化量的結(jié)果。
沒(méi)有中間層的情況下，第一和第二記錄層間產(chǎn)生交換耦合。因此，利用磁場(chǎng)向第一記錄層記錄時(shí)，第二記錄層的磁化狀態(tài)進(jìn)行強(qiáng)的干擾，從而難以在第一記錄層上寫(xiě)入新的磁化圖形。其結(jié)果，重寫(xiě)特性非常劣化，這種膜結(jié)構(gòu)不適合用于熱復(fù)制型磁記錄。另一方面，如本發(fā)明那樣插入中間層時(shí)，重寫(xiě)特性改善。
這里，優(yōu)選中間層的膜厚在1nm以上。這是由于對(duì)從殘留在第二記錄層中的舊的記錄數(shù)據(jù)來(lái)的靜磁場(chǎng)在重寫(xiě)過(guò)程中產(chǎn)生超出需要的干擾進(jìn)行了控制。另一方面，中間層厚超出8nm時(shí)，由熱退磁造成的信號(hào)劣化量急劇增大。認(rèn)為這是由于第一記錄層和第二記錄層過(guò)分離開(kāi)，故熱磁復(fù)制時(shí)的靜磁耦合減弱，磁化圖形的復(fù)制不充分。
從本實(shí)施例的討論可知，優(yōu)選中間層厚為1nm到8nm。
實(shí)施例3圖9是實(shí)施例3使用的記錄介質(zhì)的剖面圖。第三實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)中，第二記錄層為上部強(qiáng)磁性層13a/反平行耦合層32/下部強(qiáng)磁性層13b這樣的3層結(jié)構(gòu)。上部強(qiáng)磁性層13a選擇低溫下的飽和磁化比下部強(qiáng)磁性層13b小、并且磁化消失的居里溫度好的材料。反平行耦合層32使用Ru、Rh、Cr、Ir等，可將上下的強(qiáng)磁性層的磁化耦合為始終反平行。
圖10是表示上部強(qiáng)磁性層、下部強(qiáng)磁性層的飽和磁化的溫度依賴性的特性圖、及由3層膜構(gòu)成的第二記錄層(上部強(qiáng)磁性層13a/反平行耦合層32/下部強(qiáng)磁性層13b)的飽和磁化的溫度依賴性的特性圖。
由于上部強(qiáng)磁性層和下部強(qiáng)磁性層的溫度特性、及將它們反平行耦合，所以3層膜總計(jì)的飽和磁化相對(duì)溫度的擺動(dòng)與圖3所示的單層的鐵氧體磁性膜完全相同。
因此，通過(guò)使第二記錄層為3層膜，而在上下強(qiáng)磁性層中，不僅可使用一般而言不容易處理的稀土類化合物，還可使用以Co或Fe為主的強(qiáng)磁體，可進(jìn)行熱磁復(fù)制記錄。
實(shí)施例4圖11是第四實(shí)施例中使用的記錄介質(zhì)的第二記錄層的平面TEM觀察圖像。至此的實(shí)施例中，第二記錄層不管是單層還是多層，都是磁性體在膜面內(nèi)方向連續(xù)的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例4的記錄介質(zhì)中，如圖11所示，采用由鐵氧體磁體構(gòu)成的磁性粒子62被非磁性體61分離的膜結(jié)構(gòu)。作為非磁性體61，使用Al、Si、Ta之一的氧化物及其中之一的氮化物。使用氧化物的情況下，由于產(chǎn)生磁性粒子的服飾，因此是不適當(dāng)?shù)?。另一方面，使用氮化物的情況下，耐蝕性良好，通過(guò)使磁性粒子孤立，與連續(xù)的膜結(jié)構(gòu)的情況相比，將S/N比提高約2dB。作為磁性粒子62，使用實(shí)施例1～3所示的材料可得到同樣的效果。
實(shí)施例5圖12表示在采用本發(fā)明的磁盤裝置中，記錄元件的磁極與加熱構(gòu)件的距離的最佳值。L是磁極的尾側(cè)緣到加熱構(gòu)件產(chǎn)生的熱斑中心的距離，B表示本盤裝置的最大比特長(zhǎng)度。
為了有效進(jìn)行熱磁復(fù)制記錄，在通過(guò)加熱構(gòu)件升溫的時(shí)刻，優(yōu)選來(lái)自第一記錄層的靜磁場(chǎng)盡可能大。一般地，比特長(zhǎng)越長(zhǎng)，從記錄軌道出來(lái)的靜磁場(chǎng)增大，因此優(yōu)選L盡可能大。實(shí)際裝置中，從線記錄密度和信號(hào)處理效率等考慮，最大的比特長(zhǎng)B固定，因此L需要至少大于B。即，L＞B是在設(shè)計(jì)盤裝置時(shí)必要的。本實(shí)施例中，通過(guò)采用該設(shè)計(jì)規(guī)則。可高效率地進(jìn)行熱磁復(fù)制記錄，可構(gòu)成長(zhǎng)期穩(wěn)定地動(dòng)作的磁盤裝置。
所謂上述尾側(cè)，相對(duì)于記錄介質(zhì)，位于和記錄元件相同的一側(cè)，并且相對(duì)于記錄元件相對(duì)磁記錄介質(zhì)的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，比記錄元件的記錄磁場(chǎng)產(chǎn)生部位靠后。
實(shí)施例6以上實(shí)施例中，第二記錄層中使用具有補(bǔ)償溫度的鐵氧體磁體，但只要是飽和磁化通過(guò)加熱而增大、且矯頑力或各向異性磁場(chǎng)減少的磁體都可實(shí)現(xiàn)同樣的記錄動(dòng)作。
圖13表示其中一例，表示第二記錄層中使用由FePt/FeRhIr構(gòu)成的2層膜，且第二記錄層以外使用與實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)時(shí)的各記錄層的磁特性。
觀察圖13，在環(huán)境溫度Ta下，矯頑力是第二記錄層大于第一記錄層，第二記錄層的飽和磁化與1Ta時(shí)相比，在記錄溫度Tw下增大。這如實(shí)施例1所述，滿足實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的熱復(fù)制磁記錄的要件。
如一般所知，F(xiàn)eRh合金具有如下特征在低溫下是反強(qiáng)磁性，在某一轉(zhuǎn)移溫度以上的高溫下變?yōu)閺?qiáng)磁性。反強(qiáng)磁體不具有飽和磁化，但本實(shí)施例中，第二記錄層包含F(xiàn)ePt膜，因此在環(huán)境溫度Ta下，僅表現(xiàn)出FePt膜的飽和磁化，在設(shè)定為高于上述轉(zhuǎn)移溫度Tr的溫度的記錄溫度Tw下，由于FeRhRm膜的飽和磁化相加，因此具有總的飽和磁化增大的特性。
該轉(zhuǎn)移溫度Tr附近的第二記錄層的矯頑力急劇降低，起因于由飽和磁化增大而引起的各向異性磁場(chǎng)的降低。
另外，這里使用FePt/FeRhIr，但為了對(duì)應(yīng)于環(huán)境溫度、記錄溫度的設(shè)定，可用其他組成構(gòu)成第二記錄層。在確認(rèn)的范圍內(nèi)，F(xiàn)ePtM1/FeRhM2(其中，M1是不大于組成比30％的Ni、Cr、Pd之一或其中2種的組合。M2是不小于組成比10％的任意添加元素，Ir、Ru、Pt等是代表)可得到同樣結(jié)果。
本發(fā)明除具有使用了玻璃基片或氧化鋁基片的3.5英寸以下的形狀因子(form factor)的小型磁盤裝置外，可以用于使用了聚碳酸酯基片的光磁記錄裝置，尤其是記錄介質(zhì)和記錄再現(xiàn)機(jī)構(gòu)可分離的所謂可移動(dòng)型外部存儲(chǔ)裝置中。也可用于記錄介質(zhì)的一面具有多個(gè)磁記錄再現(xiàn)元件的磁記錄再現(xiàn)裝置中。
權(quán)利要求
1.一種熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層；上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下，具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于上述中間層的厚度在1nm以上、8nm以下的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下的第二記錄層的飽和磁化，比環(huán)境溫度Ta下的第二記錄層的飽和磁化大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于上述第二記錄層包含在環(huán)境溫度Ta以下具有補(bǔ)償點(diǎn)溫度Tcmp的鐵氧體磁體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于上述鐵氧體磁體包含稀土類元素與過(guò)渡金屬元素的化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于上述第二記錄層是間隔著反平行耦合層而層疊上部強(qiáng)磁性層和下部強(qiáng)磁性層而成的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)，其特征在于上述第二記錄層的由鐵氧體磁體組成的磁性粒子用非磁體分離。
8.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于包括熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)、具有施加記錄磁場(chǎng)的記錄元件的記錄頭、加熱熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)的加熱構(gòu)件，上述熱磁復(fù)制型記錄介質(zhì)包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層，上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力，上述加熱構(gòu)件配置在上述記錄元件的尾側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于從上述記錄元件施加記錄磁場(chǎng)、在上述第一記錄層形成磁化圖形后，通過(guò)上述加熱構(gòu)件加熱，而將上述第一記錄層的磁化圖形復(fù)制到上述第二記錄層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述加熱構(gòu)件的介質(zhì)對(duì)置面的中心和上述記錄元件的介質(zhì)對(duì)置面的尾側(cè)端部之間的距離，比預(yù)先設(shè)定的最大記錄波長(zhǎng)大。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于還包括具有再現(xiàn)元件的再現(xiàn)頭。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述中間層的厚度在1nm以上、8nm以下的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于在比環(huán)境溫度Ta高的溫度下的第二記錄層的飽和磁化，比環(huán)境溫度Ta下的第二記錄層的飽和磁化大。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述第二記錄層包含在環(huán)境溫度Ta以下具有補(bǔ)償點(diǎn)溫度Tcmp的鐵氧體磁體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述鐵氧體磁體包含稀土類元素與過(guò)渡金屬元素的化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述第二記錄層是間隔著反平行耦合層而層疊上部強(qiáng)磁性層和下部強(qiáng)磁性層而成的結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于上述第二記錄層的由鐵氧體磁體組成的磁性粒子用非磁體分離。
18.一種熱磁復(fù)制記錄方法，對(duì)記錄介質(zhì)進(jìn)行處理，其特征在于上述記錄介質(zhì)包括基片、第一記錄層、在上述第一記錄層和基片之間形成的第二記錄層、在上述第一記錄層和第二記錄層之間形成的中間層，上述第二記錄層在環(huán)境溫度Ta下，具有大于上述第一記錄層的磁各向異性或矯頑力，在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下，具有比上述第一記錄層小的磁各向異性或矯頑力；對(duì)上述記錄介質(zhì)進(jìn)行如下處理首先施加記錄磁場(chǎng)而在第一記錄層形成磁化圖形，接著進(jìn)行加熱將第一記錄層的磁化圖形復(fù)制到第二記錄層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于上述中間層的厚度在1nm以上、8nm以下的范圍內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于在比環(huán)境溫度Ta設(shè)定得高的溫度Tw下的第二記錄層的飽和磁化，比環(huán)境溫度Ta下的第二記錄層的飽和磁化大。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于上述第二記錄層包含在環(huán)境溫度Ta以下具有補(bǔ)償點(diǎn)溫度Tcmp的鐵氧體磁體。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于上述鐵氧體磁體包含稀土類元素與過(guò)渡金屬元素的化合物。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于上述第二記錄層是間隔著反平行耦合層而層疊上部強(qiáng)磁性層和下部強(qiáng)磁性層而成的結(jié)構(gòu)。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱磁復(fù)制記錄方法，其特征在于上述第二記錄層的由鐵氧體磁體組成的磁性粒子用非磁體分離。
全文摘要
本發(fā)明涉及熱磁復(fù)制型磁記錄方法和磁盤裝置，目的是提供實(shí)現(xiàn)超高記錄密度、在耐熱退磁性方面優(yōu)越的熱磁復(fù)制型的垂直磁記錄介質(zhì)。對(duì)于在使用低噪聲Co類合金強(qiáng)磁體的第一記錄層和使用在動(dòng)作環(huán)境溫度以下具有補(bǔ)償點(diǎn)的鐵氧體磁體(例如稀土－過(guò)渡金屬化合物)的第二記錄層之間具有中間層的記錄介質(zhì)，首先施加磁場(chǎng)在第一記錄層形成磁化圖形，接著通過(guò)用加熱構(gòu)件升溫，在第二記錄層復(fù)制磁化圖形。在環(huán)境溫度下，第二記錄層為高矯頑力，通過(guò)適當(dāng)設(shè)定記錄磁場(chǎng)可僅在第一記錄層形成磁化圖形。此外，加熱時(shí)，由于第二記錄層為低矯頑力，磁化圖形從第一記錄層復(fù)制到第二記錄層。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1645497SQ200410063560
公開(kāi)日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2004年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月23日
發(fā)明者川戶良昭, 伊藤顯知 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所