專利名稱：用于提高自旋閥傳感器的磁致電阻的氧化鎳釘扎層所用的籽晶層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于氧化鎳(NiO)釘扎層的籽晶層，用于提高自旋閥傳感器的磁致電阻，并且尤其涉及在底部自旋閥傳感器的第一間隙層與氧化鎳(NiO)釘扎層之間的籽晶層，用于提高傳感器的磁致電阻。
讀出頭使用自旋閥傳感器來在移動(dòng)的磁性媒體上感測(cè)磁場(chǎng)，這種媒體如旋轉(zhuǎn)磁盤。傳感器包括夾在鐵磁被釘扎層與鐵磁自由層之間的非磁性導(dǎo)電第一隔離層。反鐵磁釘扎層與被釘扎層連接以把被釘扎層的磁矩釘扎成與作為面對(duì)磁性媒體的傳感器的暴露表面的空氣支承表面(ABS)成90度。第一和第二引線被連接于自旋閥傳感器，用于把傳感電流引導(dǎo)過那里。自由層的磁矩響應(yīng)于來自移動(dòng)磁性媒體的正向和負(fù)向磁場(chǎng)可自由地從零偏置點(diǎn)位置在正向和負(fù)向上旋轉(zhuǎn)。零偏置位置是當(dāng)傳感器處于靜態(tài)時(shí)，即傳感電流被傳導(dǎo)過傳感器而沒有從旋轉(zhuǎn)磁盤引入的任何磁場(chǎng)時(shí)自由層的磁矩位置。在傳感器的靜態(tài)中磁矩優(yōu)選平行于ABS。如果在靜態(tài)中自由層磁矩基本不平行于ABS，則一產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)盤引入的正向和負(fù)向磁場(chǎng)將有不對(duì)稱地讀出信號(hào)。
隔離層厚度被選擇成小于傳導(dǎo)過傳感器的電子的平均自由程。用這種設(shè)置，一部分傳導(dǎo)電子被間隔層與被釘扎和自由層的界面分散。當(dāng)被釘扎和自由層的磁矩彼此平行時(shí)，分散最小，當(dāng)它們的磁矩反平行時(shí)，分散最大。分散的改變作為函數(shù)cosq而改變自旋閥傳感器的電阻，其中q是被釘扎和自由層的磁矩之間的角度。自旋閥傳感器具有比各向異性磁致電阻(AMR)傳感器明顯更高的磁致電阻。由于這一原因，有時(shí)將其稱為巨磁致電阻(GMR)傳感器。
偏置點(diǎn)在轉(zhuǎn)變曲線上的位置受自由層上4個(gè)主要的力的影響，即被釘扎層和自由層之間的鐵磁耦合場(chǎng)(HFC)、來自被釘扎層的退磁場(chǎng)(Hdemag)、來自自旋閥傳感器的除自由層之外的所有傳導(dǎo)層的傳感電流場(chǎng)(HSC)以及AMR效應(yīng)的影響。AMR效應(yīng)對(duì)偏置點(diǎn)的影響與磁影響相同并且可用強(qiáng)度和方向來定義。
底部自旋閥傳感器通常使用氧化鎳(NiO)釘扎層，用于把被釘扎層的磁矩釘扎成與ABS垂直。釘扎層直接形成在氧化鋁(Al2O3)的第一間隙層上，被釘扎層直接形成于釘扎層上。隨后形成的層是間隔層、自由層、第二間隙層和第二屏蔽層。在這個(gè)階段自旋閥傳感器具有磁致電阻dR/R，其中R是傳感器電阻并且dR是施加應(yīng)用磁場(chǎng)時(shí)傳感器的電阻變化。接著，寫入頭形成于自旋閥傳感器上。寫入頭的形成中，絕緣堆疊的多個(gè)光刻膠層在225度到250度進(jìn)行6-11小時(shí)的硬烘烤。這個(gè)硬烘烤降低前面所述的傳感器的磁致電阻。降低量決定傳感器的熱穩(wěn)定性。
一直致力于制造帶有克服寫入頭的硬烘烤循環(huán)的高磁致電阻的自旋閥傳感器。高磁致電阻等同于提高自旋閥傳感器對(duì)來自旋轉(zhuǎn)盤的磁通的靈敏性，但是，另一個(gè)考慮是被釘扎層與自由層之間的鐵磁耦合場(chǎng)(Hc)。要求把鐵磁耦合場(chǎng)最小化，因?yàn)殍F磁耦合場(chǎng)影響傳感器的偏置點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)零偏置點(diǎn)，鐵磁耦合必須由另外一個(gè)磁場(chǎng)相抵。施加在自由層上的傳感電流場(chǎng)也必須被抵消。隨著提高磁致電阻的研究繼續(xù)進(jìn)行，重要的是自旋閥傳感器不被一些另外的因素惡化，這些因素如被釘扎層與自由層之間的高鐵磁耦合。
通過把用于氧化鎳(NiO)釘扎層的特定的籽晶層使用在底部自旋閥中可提高自旋閥的磁致電阻。在優(yōu)選實(shí)施例中，直接在第一間隙層上形成鉭氧化物(TayOx)籽晶層，并且把氧化鎳(NiO)釘扎層直接形成于鉭氧化物籽晶層上。接著是間隔層和自由層并且最后是寫入頭。在寫入頭結(jié)構(gòu)中在烘烤步驟之后磁致電阻僅產(chǎn)生一個(gè)正常的下降。本發(fā)明可適用于反平行(AP)釘扎的底部自旋閥傳感器，也可適用于前面提到的簡(jiǎn)單的底部自旋閥傳感器。AP釘扎的底部自旋閥傳感器使用被釘扎層，該被釘扎層具有位于第一和第二磁性膜之間的釕(Ru)膜，其中第一和第二磁性膜可以是鈷(Co)。另外，優(yōu)選地，本發(fā)明包括應(yīng)用銅(Cu)籽晶層，提高磁致電阻。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種帶有改進(jìn)的磁致電阻的自旋閥傳感器。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是提供一種改進(jìn)的磁致電阻而不降低傳感器的其它性能因素的底部簡(jiǎn)單或AP釘扎的自旋閥傳感器。
本發(fā)明還有一個(gè)目標(biāo)是提供一種用于底部簡(jiǎn)單或AP釘扎的自旋閥傳感器的氧化鎳(NiO)釘扎層的籽晶層，其提高傳感器的磁致電阻而不把被釘扎層與自由層之間的鐵磁耦提高到可接受的等級(jí)之外。
本發(fā)明的其它目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)在聯(lián)系附圖閱讀下面的說明后將變得更明顯。


圖1是例示的磁盤驅(qū)動(dòng)器的平面圖；圖2是沿著2-2面得到的滑動(dòng)器的端視圖，磁頭以虛線表示；圖3是磁盤驅(qū)動(dòng)器的正視圖，其中使用了多個(gè)盤和磁頭；圖4是用于支持滑動(dòng)器和磁頭的例示懸置系統(tǒng)的等角投影圖；圖5是沿著圖2的面5-5得到的滑動(dòng)器的ABS圖示；圖6是沿著圖2的面6-6看到的滑動(dòng)器和磁頭的部分正視圖；圖7是沿著圖6的面7-7得到的滑動(dòng)器的部分ABS視圖，以表示磁頭的讀出和寫入元件；圖8是沿著圖6的8-8面得到的視圖，線圈層以上的所有材料都被去除；圖9是帶有用于AFM層的本發(fā)明的鉭氧化物籽晶層的簡(jiǎn)單底部自旋閥傳感器的ABS圖示；圖10是圖9的等角投影圖；圖11是帶有用于AFM層的鉭氧化物籽晶層的AP釘扎的底部自旋閥傳感器的ABS圖示；圖12是圖11的等角投影圖；圖13是帶有用于反鐵磁(AFM)釘扎層的銅(Cu)籽晶層的AP釘扎的底部自旋閥傳感器的ABS圖示；圖14是圖13的等角投影圖；圖15A，15B和15C表示制造本發(fā)明的鉭氧化物籽晶層的第一方法；圖16A和16B表示制造本發(fā)明的鉭氧化物籽晶層的第二方法。
磁盤驅(qū)動(dòng)器現(xiàn)參考附圖，其中在整個(gè)附圖中，相同的參考序號(hào)指代相同或類似的部件，在圖1-3中表示出磁盤驅(qū)動(dòng)器30。驅(qū)動(dòng)器30包括支持并旋轉(zhuǎn)磁盤34的主軸32。主軸32由電機(jī)控制器38所控制的電機(jī)36來旋轉(zhuǎn)。把組合的讀出和寫入磁頭40安裝于由懸置件44和致動(dòng)臂46支持的滑動(dòng)器42上。在圖3所示的大容量直接存取存儲(chǔ)設(shè)備(DASD)中可使用多個(gè)盤、滑動(dòng)器和懸置件。懸置件44和致動(dòng)臂46把滑動(dòng)器42定位成使得磁頭40與磁盤34的表面處于傳感關(guān)系。當(dāng)盤34由電機(jī)36旋轉(zhuǎn)時(shí)，滑動(dòng)器被支持在盤34的表面與空氣支承表面(ABS)48之間的薄空氣(空氣支承)氣墊(通常是0.05 )上。然后磁頭40可被用于向盤34的表面上的多個(gè)環(huán)形磁道寫入信息，同樣用于從那里讀出信息．處理電路50與頭40交換代表這種信息的信號(hào)，提供用于旋轉(zhuǎn)磁盤34的電機(jī)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并提供用于將滑動(dòng)器移動(dòng)到各個(gè)磁道的控制信號(hào)。在圖4中，表示出滑動(dòng)器42安裝于懸置件44上。上面描述的組件可安裝于外殼55的框架54上，如圖3所示。
圖5是滑動(dòng)器42和磁頭40的ABS視圖．滑動(dòng)器具有支持磁頭40的中央導(dǎo)軌56和側(cè)導(dǎo)軌58和60。導(dǎo)軌56，58和60從橫導(dǎo)軌62延伸。相對(duì)于磁盤34的旋轉(zhuǎn)，橫導(dǎo)軌62位于滑動(dòng)器的前沿64并且磁頭40位于滑動(dòng)器的尾沿66。
磁頭圖6是具有寫入頭部分70和讀出頭部分72的磁頭40的橫截面的側(cè)視圖，讀出頭部分使用本發(fā)明的自旋閥傳感器74。圖7是圖6的ABS視圖。傳感器74位于第一和第二間隙層76和78之問，間隙層位于第一和第二屏蔽層80和82之間。響應(yīng)于外部磁場(chǎng)，傳感器74的電阻改變。傳導(dǎo)過傳感器的傳感電流Is(看圖9)引起這些電阻改變，表現(xiàn)為電勢(shì)改變。然后通過圖3所示的處理電路50把這些電勢(shì)改變處理為讀回信號(hào)。
已有技術(shù)的磁頭的寫入頭部分包括位于第一和第二絕緣層86和88之問的線圈層84。第三絕緣層90可用于平整磁頭以消除由線圈層84引起的第二絕緣層中的起伏。第一、第二和第三絕緣層技術(shù)上稱為“絕緣疊層”。線圈層84和第一、第二和第三絕緣層86，88和90位于第一和第二磁極件層92和94之間。第一和第二磁極件層92和94以后間隙96磁耦合并具有由寫入間隙層102在ABS處將其分開的第一和第二磁極尖98和100。如圖2和4所示，第一和第二焊料連接104和116在懸置件44上把來自傳感器74的引線連接于引線112和124。第三和第四焊料連接118和106在懸置件上把來自線圈84的引線120和122(看圖8)連接于引線126和114。應(yīng)注意磁頭40使用單層82/92來用于雙重功能，即作為用于讀出頭的第二屏蔽層以及作為用于寫入頭的第一磁極件。
這種類型的磁頭在技術(shù)上稱為“復(fù)合式磁頭”。背負(fù)式磁頭使用兩個(gè)獨(dú)立的層來用于這些功能。
本發(fā)明圖9和圖10是讀出頭的自旋閥傳感器200的示意圖，其包括非磁性導(dǎo)電間隔層202，該間隔層202夾在鐵磁自由層204與鐵磁被釘扎層206之間。可具有鎳鐵(NiFe)第一被釘扎膜207和鈷(Co)第二被釘扎膜208的被釘扎層206具有磁矩209(看圖10)，其優(yōu)選通過反鐵磁(AFM)層212被釘扎成與ABS210垂直。各個(gè)其中間包括×的圓圈代表磁矩的方向是遠(yuǎn)離開讀出器的。在靜態(tài)中(傳導(dǎo)過傳感器200的但不從旋轉(zhuǎn)磁盤引起任何磁引入的傳感電流IS)，自由層204的磁矩214優(yōu)選平行于ABS210。因此，當(dāng)從旋轉(zhuǎn)磁盤向自旋閥傳感器200施加正負(fù)引入時(shí)，自由層的磁矩214分別從圖10所示的平行位置向上或向下旋轉(zhuǎn)。磁矩214的平行位置通常是自旋閥傳感器的轉(zhuǎn)變曲線上的零偏置點(diǎn)，并且當(dāng)在靜態(tài)中將它從這個(gè)平行位置向上或向下定位時(shí)，自旋閥傳感器的偏置點(diǎn)不是零而是相對(duì)于零位置或正或負(fù)的某值。當(dāng)磁矩214處于零偏置位置時(shí)，讀出信號(hào)關(guān)于偏置點(diǎn)對(duì)稱，但是當(dāng)磁矩從平行位置向上或向下成一角度時(shí)，如圖10所示，讀出信號(hào)不對(duì)稱。因此，要求當(dāng)讀出傳感器200處于靜態(tài)時(shí)，即接通傳感電流IS卻沒有從旋轉(zhuǎn)磁盤的磁性引入時(shí)，自由層的磁矩214位于零偏置點(diǎn)，其是圖10所示的平行位置。
如上所述，當(dāng)自旋閥讀出傳感器處于靜態(tài)時(shí)，有各種作用力作用在自由層的磁矩214上。這些力包括自由層204和被釘扎層206之間的鐵磁耦合場(chǎng)、來自被釘扎層206的退磁場(chǎng)、當(dāng)傳感電流IS從除自由層204之外的自旋閥傳感器的所有導(dǎo)電層傳導(dǎo)過傳感器時(shí)的傳感電流場(chǎng)以及AMR效應(yīng)的影響。這些影響中較強(qiáng)的是來自間隔層202和被釘扎層206的傳感電流場(chǎng)。AFM層212制造在第一間隙層216上，在圖6中該第一間隙層216也表示為76。蓋層218可以是鉭(Ta)，在制造圖6所示的第二間隙層78之前制造在自由層204上。
AFM層可以是425埃的氧化鎳(NiO)，被釘扎膜207可以是8埃的鎳鐵(NiFe)，被釘扎膜208可以是12埃的鈷(Co)，間隔層可以是22埃的銅(Cu)，自由層204可以是70埃的鎳鐵(NiFe)，蓋層218可以是50埃的鉭(Ta)。在制造寫入頭期間，傳感器200經(jīng)受230度10小時(shí)的退火。在制造磁頭后，在垂直ABS的場(chǎng)存在的情況下通過在200度到250度進(jìn)行10分鐘的加熱恢復(fù)AFM層212。這把AFM層212的磁性自旋設(shè)置在垂直方向上，其通過交換耦合把被釘扎膜207和208的磁矩釘扎在相同方向上，即垂直于ABS。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，把鉭氧化物(TayOx)籽晶層201使用在第一間隙層216和AFM層212之間，如圖9和10所示。與沒有鉭氧化物籽晶層的簡(jiǎn)單底部自旋閥傳感器相比，在傳感器的淀積狀態(tài)、恢復(fù)AFM層212后以及硬烘烤寫入頭的絕緣層后的情況下，鉭氧化物籽晶層提高傳感器200的磁致電阻(dR/R)。鉭氧化物籽晶層201不明顯提高被釘扎膜208和自由層204之間的鐵磁耦合場(chǎng)。另外，由于鉭氧化物是不導(dǎo)電的，在那里不分流通過傳感電流，也沒有施加于自由層204上的任何傳感電流場(chǎng)來影響其偏置點(diǎn)。在另一個(gè)實(shí)施例(未示出)中，把銅用于籽晶層201，以提高dR/R。但是鉭氧化物籽晶層比銅籽晶層更優(yōu)選，因?yàn)殂~將分流一部分傳感電流并且影響自由層304的偏置點(diǎn)。
在圖11和12中，表示出反平行(AP)釘扎的底部自旋閥300，其具有鉭氧化物(TayOx)籽晶層301。在這個(gè)實(shí)施例中，間隔層302位于自由層304和AP釘扎的層306之間。AP釘扎的層306在美國專利No.5,701,223中進(jìn)行了說明，包括位于在一側(cè)與反鐵磁(AFM)層312交換耦合的被釘扎膜310和311與在另一側(cè)與間隔層302相鄰的反鐵磁釘扎的層317之間的8埃的釕(Ru)間隔層308。AFM層312把被釘扎膜310和311的磁矩318釘扎在垂直于ABS的一個(gè)方向上，并且AP釘扎的膜317的磁矩320被釘扎在與ABS垂直的相反方向上。各個(gè)其中帶點(diǎn)的圓圈(？)代表磁矩的方向朝向讀出器。被釘扎的膜310可以是10埃的鎳鐵(NiFe)，被釘扎膜311可以是24埃的鈷(Co)，間隔層308可以是8埃的釕(Ru)，AP釘扎的膜317可以是24埃的鈷(Co)。自由層304的磁矩322表示為平行于ABS。蓋層324在制造圖6所示的第二間隙層78和寫入頭70之前制造在自由層304上。
籽晶層301可以是35埃的鉭氧化物(TayOx)，AFM層312可以是425埃的氧化鎳，間隔層302可以是22埃的銅(Cu)，自由層304可以是70埃的鎳鐵(NiFe)，蓋層324可以是50埃的鉭(Ta)。與沒有使用這種籽晶層的底部AP釘扎的自旋閥傳感器相比，在傳感器的淀積狀態(tài)、恢復(fù)AFM層212后以及硬烘烤寫入頭的絕緣層后的情況下，通過使用鉭氧化物(TayOx)籽晶層提高自旋閥傳感器300的磁致電阻。而且鉭氧化物籽晶層不明顯提高被釘扎層208和自由層204之間的鐵磁耦合場(chǎng)。另外，鉭氧化物籽晶層是不導(dǎo)電的，不分流任何傳感電流，也不向自由層304上施加影響其偏置點(diǎn)的傳感電流場(chǎng)。
圖13和14表示使用35埃的銅(Cu)籽晶層401來用于425埃的氧化鎳(NiO)AFM層412的反平行(AP)釘扎底部自旋閥傳感器。在這個(gè)例子中的層除了銅籽晶層401外與圖11和12中的層相同。圖13和14中的自旋閥傳感器400與沒有銅籽晶層401的AP釘扎底部自旋閥傳感器相比提高了磁致電阻。銅籽晶層是導(dǎo)電的，并且將分流一部分傳感電流。由于這一原因，圖11和12的鉭氧化物籽晶層是優(yōu)選的。
制造圖11和12的鉭氧化物(TayOx)籽晶層401的方法如圖15A，15B和15C所示。在圖15A中，鉭籽晶層401淀積在第一間隙層(G1)上。隨后，籽晶層401接觸氧，引起頂表面部分氧化。這些步驟可在濺射室(未示出)中完成，其中鉭(Ta)籽晶層被濺射到第一間隙層(G1)上，如圖15A所示，接著通過入口把氧引入到該室中以氧化籽晶層。接著是淀積氧化鎳(NiO)AFM層412，如圖15C所示。在這個(gè)實(shí)施例中dR/R是4.53％并且AP釘扎的層316與自由層304的鐵磁耦合場(chǎng)(Hc)是4.0Oe。
在圖16A中，鉭氧化物(Ta)籽晶層在氧(O2)存在的情況下被濺射淀積，這在技術(shù)上稱為反應(yīng)離子束濺射淀積。接著，在籽晶層401上淀積氧化鎳(NiO)AFM層412，如圖16B所示。在這個(gè)實(shí)施例中dR/R是4.65％并且鐵磁耦合場(chǎng)(Hc)是4.0Oe。
總結(jié)可看到用于底部AP釘扎自旋閥傳感器中的氧化鎳(NiO)AFM層的鉭氧化物(TayOx)籽晶層提高dR/R。相信鉭氧化物籽晶層通過使其微結(jié)構(gòu)從頂部到底部更均勻而改善了氧化鎳(NiO)釘扎層。還認(rèn)為它改善了晶粒尺寸和其結(jié)構(gòu)。應(yīng)理解對(duì)上述各層可使用其它厚度。無論鉭氧化物籽晶層的厚度如何，它將改善AFM氧化鎳(NiO)釘扎層的微結(jié)構(gòu)，提高傳感器的dR/R。本發(fā)明還包括在不使用AP釘扎的層的自旋閥傳感器中使用鉭氧化物或銅籽晶層，如圖9和10所示。
權(quán)利要求
1.一種具有空氣支承表面(ABS)的自旋閥傳感器，包括氧化鎳(NiO)的反鐵磁釘扎層；非磁性導(dǎo)電間隔層；鐵磁自由層；間隔層夾在界面連接的釘扎層與自由層之間；鉭氧化物或銅的籽晶層；釘扎層夾在籽晶層與帶有界面連接釘扎層的籽晶層的被釘扎層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的自旋閥傳感器，其中被釘扎層是反平行(AP)釘扎的層，包括第一和第二鐵磁膜；夾在第一和第二鐵磁膜之間的釕(Ru)間隔膜；第一鐵磁膜與釘扎層連接，其磁矩被釘扎層釘扎在第一方向上；第二鐵磁膜與間隔層連接，其磁矩被第一鐵磁膜釘扎在與所述第一方向反平行的第二方向上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的自旋閥傳感器，其中籽晶層是TayOx，其在氧(O2)存在的情況下被反應(yīng)離子束濺射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的自旋閥傳感器，其中籽晶層包括暴露于氧(O2)中被氧化的TayOx。
5.一種具有空氣支承表面(ABS)的磁頭，包括讀出頭，該讀出頭包括根據(jù)權(quán)利要求1的響應(yīng)于施加磁場(chǎng)的自旋閥傳感器；第一和第二非磁性電絕緣間隙層；自旋閥傳感器位于第一和第二間隙層之間；以及第一和第二導(dǎo)電引線層位于第一和第二間隙層之間并且連接于自旋閥傳感器，用于把傳感電流傳導(dǎo)過自旋閥傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的磁頭，其中被釘扎層是反平行(AP)釘扎的層，包括第一和第二鐵磁膜；夾在第一和第二鐵磁膜之間的釕(Ru)間隔膜；第一鐵磁膜與釘扎層連接，其磁矩被釘扎層釘扎在第一方向上；第二鐵磁膜與間隔層連接，其磁矩被第一鐵磁膜釘扎在與所述第一方向反平行的第二方向上。
7.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，包括至少一個(gè)具有空氣支承表面(ABS)的磁頭，磁盤驅(qū)動(dòng)器包括包括組合的讀出頭和寫入頭的磁頭；讀出頭包括根據(jù)權(quán)利要求1的響應(yīng)于施加磁場(chǎng)的自旋閥傳感器；第一和第二非磁性電絕緣間隙層；自旋閥傳感器位于第一和第二間隙層之間；以及第一和第二導(dǎo)電引線層位于第一和第二間隙層之間并且連接于自旋閥傳感器，用于把傳感電流傳導(dǎo)過自旋閥傳感器；寫入頭包括第一和第二磁極件層和寫入間隙層；第一和第二磁極件層由寫入間隙層在ABS處分開，并且在磁頭中從ABS后縮的后間隙處連接；絕緣疊層，具有至少第一和第二絕緣層；至少一個(gè)線圈層，埋置在絕緣疊層中；和絕緣疊層與至少一個(gè)線圈層位于第一和第二磁極件層之間；第二屏蔽層和第一磁極件層是共用層；外殼；可旋轉(zhuǎn)地支持在外殼中的磁盤；安裝在外殼中的用于支持其ABS面對(duì)磁盤的磁頭的支持件，使得磁頭與磁盤處于傳感關(guān)系；用于旋轉(zhuǎn)磁盤的裝置；連接于支持件的定位裝置，用于相對(duì)于所述磁盤把磁頭移動(dòng)到多個(gè)位置；連接于磁頭、用于旋轉(zhuǎn)磁盤的裝置以及定位裝置的處理裝置，用于與組合的磁頭交換信號(hào)，用于控制磁盤的移動(dòng)并用于控制磁頭的位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中被釘扎層是反平行(AP)釘扎的層，包括第一和第二鐵磁膜；夾在第一和第二鐵磁膜之間的釕(Ru)間隔膜；第一鐵磁膜與釘扎層連接，其磁矩被釘扎層釘扎在第一方向上；第二鐵磁膜與間隔層連接，其磁矩被第一鐵磁膜釘扎在與所述第一方向反平行的第二方向上。
9.一種制造自旋閥傳感器的方法，包括形成鉭氧化物或銅的籽晶層；直接在籽晶層上形成氧化鎳(NiO)的反鐵磁釘扎層；直接在釘扎層上形成鐵磁釘扎層；在釘扎層上形成非磁性導(dǎo)電間隔層；在間隔層上形成鐵磁自由層。
10.一種制造具有空氣支承表面(ABS)的磁頭的方法，包括形成讀出頭，包括形成鐵磁第一屏蔽層；在第一屏蔽層上形成非磁性電絕緣第一間隙層；在第一間隙層上根據(jù)權(quán)利要求1的步驟如下形成自旋閥傳感器形成位于第一間隙層上并連接于傳感器的第一和第二導(dǎo)電引線層；在傳感器、引線和第一間隙層上形成非磁性電絕緣第二間隙層；以及在第二間隙層上形成鐵磁第二屏蔽層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，包括如下形成寫入頭在第二屏蔽層上形成寫入間隙層和帶有埋置其中的線圈層的絕緣疊層，使得第二屏蔽層也用作寫入頭的第一磁極件；在絕緣疊層和寫入間隙上形成第二磁極件層，并且在后間隙與第一磁極件相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10的方法，其中被釘扎層是反平行(AP)釘扎的層，其結(jié)構(gòu)包括形成第一鐵磁膜；在第一鐵磁膜上形成釕(Ru)間隔膜；和在釕(Ru)膜上形成第二鐵磁膜。
全文摘要
底部自旋閥傳感器使用用于氧化鎳(NiO)反鐵磁釘扎層(212)的籽晶層(201),目的是提高傳感器的磁致電阻(dR/R)。自旋閥傳感器可以是簡(jiǎn)單自旋閥或反平行(AP)自旋閥傳感器。籽晶層是鉭氧化物(TayOx)或銅(Cu)。
文檔編號(hào)H01L43/12GK1329742SQ9981410
公開日2002年1月2日 申請(qǐng)日期1999年11月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月4日
發(fā)明者M·皮納巴斯 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司