專利名稱：一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)及其缺陷管理信息的管理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，及用于管理所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的缺陷管理信息的方法及裝置，并且具體的說涉及一種用于分配臨時缺陷管理區(qū)域的方法和裝置、用于分配用于缺陷管理的備用區(qū)域的方法以及一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，在所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上，臨時缺陷管理區(qū)域及備用區(qū)被分配在一種光學(xué)記錄介質(zhì)如一次性寫入藍(lán)光光盤上。
背景技術(shù)：
光盤，作為一種光學(xué)記錄介質(zhì)，可以記錄大量的數(shù)據(jù)，并且現(xiàn)得以廣泛使用。當(dāng)前，正在開發(fā)一種新穎的高密度數(shù)字多用途光盤(HD-DVD)如藍(lán)光光盤(Blu-ray Disc)。這種介質(zhì)可以長時間記錄和存儲高品質(zhì)視頻數(shù)據(jù)及高保真度的音頻數(shù)據(jù)。
藍(lán)光光盤是下一代光學(xué)記錄解決方案，可以比現(xiàn)有DVD存儲更大量的數(shù)據(jù)。
藍(lán)光光盤一般采用具有405nm波長的藍(lán)-紫激光。該波長比在現(xiàn)有DVD上使用的紅色激光波長短。該紅色激光的波長為650nm。藍(lán)光光盤具有1.2mm的厚度及12cm的直徑，并包含具有大約0.1mm厚度的光傳輸層。因此，藍(lán)光光盤可以比現(xiàn)有DVD存儲更大量的數(shù)據(jù)。
一種用于在所述藍(lán)光光盤上寫入及讀取數(shù)據(jù)的光盤裝置如圖1所示。其包括光學(xué)拾取器11，其用于在光盤10上寫入信號及從光盤10讀取信號；視頻光盤記錄器(VDR)系統(tǒng)12，其用于將從光學(xué)拾取器11讀出的信號處理成重播信號，或用于調(diào)制并處理外部輸入的數(shù)據(jù)流使其成為適合記錄的記錄信號；以及編碼器13，其用于將外部輸入的模擬信號編碼并輸出編碼的模擬信號至VDR系統(tǒng)12。
藍(lán)光光盤可以為可重寫類型，此處稱為藍(lán)光可重寫光盤(BD-RE)。BD-RE具有可重寫能力，使得在其上可以反復(fù)寫入、擦除及重寫視頻及音頻數(shù)據(jù)。BD-RE(如圖2所示)分為導(dǎo)入?yún)^(qū)(LIA)、數(shù)據(jù)區(qū)及導(dǎo)出區(qū)(LOA)，而所述數(shù)據(jù)區(qū)的前部及后部分配有內(nèi)部備用區(qū)(ISA)及外部備用區(qū)(OSA)。
對如上述方式設(shè)置的BD-RE，如圖1中所示的光盤裝置的VDR系統(tǒng)12編碼并調(diào)制外部輸入的信號成為適于記錄的信號，并以對應(yīng)錯誤校正塊單元的簇為單位來記錄。如果當(dāng)在BD-RE上記錄數(shù)據(jù)時，在數(shù)據(jù)區(qū)中出現(xiàn)缺陷區(qū)，那么根據(jù)線性替換操作，在所述缺陷區(qū)上記錄的一簇單元的數(shù)據(jù)也記錄在所述備用區(qū)(例如，在BD-RE上的所述內(nèi)部備用區(qū))上?？梢詧?zhí)行一系列的線性替換操作。
因此，所述光盤裝置的VDR系統(tǒng)12將記錄在缺陷區(qū)的簇單元的數(shù)據(jù)記錄在備用區(qū)上，即使缺陷區(qū)出現(xiàn)在可重寫藍(lán)光光盤的數(shù)據(jù)區(qū)中。當(dāng)對可重寫藍(lán)光光盤執(zhí)行回放操作時，讀出記錄在備用區(qū)的數(shù)據(jù)并重放，所以可以防止數(shù)據(jù)記錄錯誤。
與藍(lán)光光盤相關(guān)的各種標(biāo)準(zhǔn)在開發(fā)之中。
在這方面，其上數(shù)據(jù)不是重復(fù)重寫的(非可重寫)而只是一次性寫入的第二種藍(lán)光光盤，在這里稱為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
當(dāng)不需要重復(fù)重寫數(shù)據(jù)時，所述一次性寫入藍(lán)光光盤是有用的。在BD-WO中，需要管理缺陷區(qū)。
因為在BD-RE上可以反復(fù)記錄數(shù)據(jù)(BD-RE的特性使然)，所以用于可重寫藍(lán)光光盤的缺陷管理區(qū)(DMA)的大小相對小(見圖2中DMA1-DMA4)。反之，因為在一次性寫入藍(lán)光光盤上數(shù)據(jù)只記錄一次，所以對于BD-WO管理缺陷區(qū)所需的區(qū)域應(yīng)當(dāng)大于對于BD-RE所需的區(qū)域。因此，對于BD-WO應(yīng)當(dāng)分配充分大的缺陷管理區(qū)。
用于BD-WO的有效的缺陷管理方法要求對于可應(yīng)用到BD-RE的標(biāo)準(zhǔn)的一致性和兼容性，包括涉及為在信息和數(shù)據(jù)的記錄和重放中獲得更有效、更穩(wěn)定及更高性能而記錄和重放管理信息的一致性和兼容性。因此，需要一種用于記錄和管理BD-WO缺陷區(qū)及相關(guān)信息的創(chuàng)新的方法、裝置及結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)(BD-WO)及其缺陷管理信息的管理方法，以及一種用于實現(xiàn)所述方法的裝置，本發(fā)明基本上避免一個或多個因所述現(xiàn)有技術(shù)的限制及缺點而引起的問題。
本發(fā)明另外的優(yōu)點、目標(biāo)及特征將在下面的說明中部分地闡明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將根據(jù)對下述內(nèi)容的驗證或?qū)嵺`本發(fā)明，來部分地明了或領(lǐng)會到本發(fā)明另外的優(yōu)點、目標(biāo)及特征。通過在書面說明和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和得到本發(fā)明的目標(biāo)及其他優(yōu)點。
為實現(xiàn)這些目標(biāo)和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此處具體和廣泛地說明的，管理具有至少一個記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上缺陷的方法包括如下步驟分別分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)，并在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上記錄缺陷管理信息。
在本發(fā)明另一方面，用于管理一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上缺陷的裝置包括用于給所述光學(xué)記錄介質(zhì)分別分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)的裝置，及用于在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上記錄缺陷管理信息的裝置。
在本發(fā)明另一方面，具有至少一個記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)包括至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，其中缺陷管理信息被記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
需理解，本發(fā)明的前述的一般說明及后面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，并用來提供對如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


從下面同附圖一起給出的詳細(xì)說明可以更全面理解本發(fā)明進(jìn)一步的目標(biāo)及優(yōu)勢。附圖中圖1說明所述現(xiàn)有技術(shù)的光盤裝置的示意結(jié)構(gòu)；圖2說明BD-RE的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖3說明用于本發(fā)明的BD-WO的光盤裝置的示意結(jié)構(gòu)；圖4說明根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖5說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)；圖6說明本發(fā)明的臨時或暫時缺陷管理區(qū)使用方法的實例；圖7說明本發(fā)明的臨時或暫時缺陷管理區(qū)使用方法的另一實例；圖8說明本發(fā)明的臨時或暫時缺陷管理信息構(gòu)成方法的實例；
圖9說明本發(fā)明的臨時或暫時缺陷管理信息構(gòu)成方法的另一實例；圖1O說明根據(jù)本發(fā)明實施例的信息內(nèi)容和TDDS的結(jié)構(gòu)；圖11為本發(fā)明的DMA、TDMA及IDMA的對比表。
具體實施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)描述本發(fā)明優(yōu)選實施例，其實例在附圖中說明。在任何可能情況，在全部附圖中將使用同樣的附圖標(biāo)記來表示同樣或近似的部分。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的用于藍(lán)光一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤記錄/再現(xiàn)裝置20包括光學(xué)拾取器22，其用于將數(shù)據(jù)寫入到光學(xué)記錄介質(zhì)21(如BD-WO)及從所述光學(xué)記錄介質(zhì)21中讀取數(shù)據(jù)；拾取器伺服單元23，其用于控制所述光學(xué)拾取器22來保持光學(xué)拾取器22的物鏡同所述光學(xué)記錄介質(zhì)21間的距離，并用于跟蹤有關(guān)軌道；數(shù)據(jù)處理器24，其用于處理并提供輸入數(shù)據(jù)至所述光學(xué)拾取器22；接口25，其用于同外部主機(jī)30交換數(shù)據(jù)；存儲器27，其用于存儲關(guān)于缺陷管理的信息；及微型計算機(jī)26，其用于控制上述單元。所述裝置20的所有部分工作地連接。所述主機(jī)30被連接至用于將數(shù)據(jù)寫入到光學(xué)記錄介質(zhì)21及從光學(xué)記錄介質(zhì)21中讀取數(shù)據(jù)的裝置20的接口25，來交換數(shù)據(jù)及指令。
當(dāng)載入光學(xué)記錄介質(zhì)如BD-WO時，所述裝置20將關(guān)于缺陷管理的信息，如DMA(缺陷管理區(qū))信息、TDMA(臨時缺陷管理區(qū))信息等，載入所述存儲器27或其他適合的存儲器。在工作期間，存儲器27根據(jù)缺陷管理操作而更新。本方法也可以使用在圖1中所示的裝置或其他合適的裝置或系統(tǒng)來實現(xiàn)。
圖4說明根據(jù)本發(fā)明的BD-WO的記錄區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖4中所示的BD-WO具有單層光盤的結(jié)構(gòu)。而且圖4中所示的BD-WO包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)及導(dǎo)出區(qū)。用戶數(shù)據(jù)區(qū)位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)。所述導(dǎo)入及導(dǎo)出區(qū)包括最終或永久缺陷管理區(qū)(DMA1-DMA4)。每一各自區(qū)域中的箭頭用作數(shù)據(jù)記錄方向的實例。
根據(jù)本發(fā)明，將臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)提供在BD-WO的導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)。此處，所述TDMA可以同缺陷管理區(qū)(DMA1、DMA2、DMA3及DMA4)區(qū)別開。特別地，BD-WO的臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)是在所述BD-WO最終完成之前用來臨時記錄和管理缺陷管理信息的BD-WO的區(qū)域。此后，所述缺陷管理信息被記錄至多個缺陷管理區(qū)，如在圖4中所示的記錄層上DMA1-DMA4中至少一個上。例如，在將數(shù)據(jù)記錄到BD-WO的用戶數(shù)據(jù)區(qū)已經(jīng)完成時，認(rèn)為BD-WO最終完成。在導(dǎo)入?yún)^(qū)中提供的TDMA具有固定大小，如2048個簇。
圖4中所示的BD-WO的數(shù)據(jù)區(qū)包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)，內(nèi)部備用區(qū)ISA0及外部備用區(qū)OSA0。使用全部內(nèi)部備用區(qū)ISA0作為用于線性替換的區(qū)域，即替換區(qū)，用于存儲分配到用戶數(shù)據(jù)區(qū)的缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)。沒有TDMA分配至內(nèi)部備用區(qū)ISA0。如本發(fā)明一實施例所提供的，所述外部備用區(qū)OSA0包括暫時缺陷管理區(qū)(IDMA)。這里，所述IDMA區(qū)別于前述在導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)具有固定大小的TDMA。在這一點上，IDMA被看作是具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。然而，盡管TDMA和IDMA間有差別，但二者可以具有同樣內(nèi)容，和/或根據(jù)考慮到實際記錄過程中的各種方式、時間和/或事件，使用TDMA及IDMA的方式可以彼此不同。這將在討論使用TDMA及IDMA的方法時更詳細(xì)地討論。
在圖4所示的單層BD-WO中，部分外部備用區(qū)OSA0用作IDMA，而外部備用區(qū)OSA0的剩余部分作為用于線性替換的區(qū)域(替換區(qū))。例如，IDMA被分配至鄰接OSA0替換區(qū)的部分。根據(jù)備用區(qū)的大小可變地分配IDMA的大小。因為外部備用區(qū)(OSA0)具有可變大小，所述IDMA也具有可變大小。
這里，根據(jù)是否確定分配備用區(qū)來將具有可變大小的IDMA分配到數(shù)據(jù)區(qū)。如果分配外部備用區(qū)，那么IDMA可以以上述方式來分配。如果不分配外部備用區(qū)，那么只分配具有固定大小的TDMA(而不分配IDMA)。在這種情況下，TDMA用來管理缺陷管理信息。在另一實例中，即使存在備用區(qū)OSA0，根據(jù)設(shè)計的選擇仍可以不分配IDMA。就是說，設(shè)計者對IDMA的分配有廣泛的設(shè)計選擇。然而，如果分配了備用區(qū)(例如，OSA0)，那么在一個實施例中兩者一般總是一起分配，就是說，如果分配了OSA0，那么也在OSA0中分配IDMA。
位于光盤外部軌道的IDMA的大小取決于備用區(qū)OSA0的大小(OSA0的大小是可變的)。舉例來說，如果備用區(qū)OSA0的大小為N×256(0≤N≤64)個簇，那么IDMA的大小可以變?yōu)镻×256個簇，其中P＝N/4。P和N可以是整數(shù)。換而言之，在上述實例中，可以使用這樣的方法(作為實例)其中將IDMA(具有可變大小)的大小分配為外部備用區(qū)大小的四分之一。
舉例來說，如果N＝64，那么因為外部備用區(qū)OSA0的大小為16384個簇而P＝N/4＝16，所以暫時缺陷管理區(qū)IDMA的大小為4096個簇。
類似地，位于光盤外部軌道區(qū)的IDMA的大小可以不同于上面給出實例中的大小，在上面的實例中，根據(jù)備用區(qū)OSA0的大小來使得IDMA的大小可變。在考慮到當(dāng)外部備用區(qū)OSA0中保留用于線性替換的區(qū)域的情況，用于線性替換的區(qū)域的大小、缺陷管理區(qū)的大小及備用區(qū)OSA0的大小可能彼此相關(guān)。與之對比，內(nèi)部軌道區(qū)的大小，特別是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)的TDMA的大小，為固定值。
在圖4中所示的實施例中，容易理解TDMA不是位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)，而是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)。暫時缺陷管理區(qū)IDMA位于外部備用區(qū)OSA0中，并可以設(shè)置成大小為“0”。在這種情況，全部OSA0將用作替換區(qū)。在另一種情況，如果不執(zhí)行缺陷管理，那么ISA0和OSA0可以被分配成大小為“0”。然而，因為導(dǎo)入?yún)^(qū)的TDMA是可用的，即使不管理臨時缺陷列表(TDFL)，也可以使用臨時光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)來記錄和管理特定信息。在后文中將提供對記錄(并在此使用)TDFL及TDDS的方法的進(jìn)一步解釋。
根據(jù)本實施例，如果在BD-WO中記錄數(shù)據(jù)時產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)(如，用戶數(shù)據(jù)區(qū))，那么將已記錄(或?qū)⒂涗?在缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域。缺陷區(qū)可以因記錄過程自身而產(chǎn)生，或者在記錄時可以“發(fā)現(xiàn)”缺陷區(qū)。在后一種情況，發(fā)現(xiàn)的缺陷區(qū)不是當(dāng)前記錄過程導(dǎo)致的。在產(chǎn)生缺陷的情況，相應(yīng)的缺陷管理信息記錄在臨時和暫時缺陷管理區(qū)TDMA和IDMA二者上。
圖5所示為本發(fā)明的一個實施例，說明BD-WO記錄區(qū)的另一結(jié)構(gòu)。圖5中所示的BD-WO具有雙層光盤的結(jié)構(gòu)。如圖5中所示的BD-WO包括在第一記錄層(層0)上的導(dǎo)入?yún)^(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)50a及外部區(qū)(Outer area 0)，以及在第二記錄層上的導(dǎo)出區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)50b及外部區(qū)(Outer area 1)。
在每一區(qū)域中的箭頭為說明數(shù)據(jù)記錄方向的實例。
然而，在所示的雙層BD-WO中，在所述導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)都提供有本發(fā)明的臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)。如圖所示，所述數(shù)據(jù)區(qū)50a、50b包括內(nèi)部備用區(qū)ISA0和ISA1及外部備用區(qū)OSA0和OSA1。在每一記錄層上，每一內(nèi)部區(qū)ISA1和外部區(qū)OSA0及OSA1都包括IDMA。換而言之，IDMA被分配給備用區(qū)OSA0、OSA1及ISA1的每一個，全部IDMA具有的可變大小，該可變大小依賴于除ISA0(可能具有固定大小)外的備用區(qū)的可變大小。
在該例中，如圖5中所示，提供在雙層BD-WO的導(dǎo)入?yún)^(qū)(第一記錄層)和導(dǎo)出區(qū)(第二記錄層)中的TDMA具有固定大小，如，2048個簇。
所述內(nèi)部備用區(qū)ISA0的全部用作用于線性替換的區(qū)域。換而言之，用于臨時缺陷管理的IDMA沒有被分配給內(nèi)部備用區(qū)ISA0。
部分內(nèi)部備用區(qū)ISA1、外部備用區(qū)OSA0和OSA1用作IDMA，而內(nèi)部備用區(qū)ISA1及外部備用區(qū)OSA0和OSA1的剩余部分(或其他部分)用作用于線性替換缺陷區(qū)的區(qū)域。在一個實例中，將IDMA分配給備用區(qū)中的一部分，該部分鄰接用于線性替換的區(qū)域。根據(jù)備用區(qū)ISA1、OSA0和OSA1(這些備用區(qū)具有可變大小)的大小來分配IDMA的大小。
這里，依據(jù)是否作出分配相應(yīng)備用區(qū)(對應(yīng)特定IDMA的備用區(qū))的決定來分配具有可變大小的IDMA給數(shù)據(jù)區(qū)。如果分配備用區(qū)，那么IDMA可以如上述分配。如果沒有分配備用區(qū)，那么只有TDMA可以分配。一些或全部導(dǎo)入?yún)^(qū)和/或?qū)С鰠^(qū)可以用來存儲缺陷管理信息。舉例來說，如果外部備用區(qū)OSA0、OSA1的大小為N×256(0≤N≤32)個簇，而內(nèi)部備用區(qū)ISA1的大小為L×256(0≤L≤64)個簇，那么在OSA0和OSA1中的暫時缺陷管理區(qū)的大小可以變?yōu)镻×256個簇，而在ISA1中的暫時缺陷管理區(qū)的大小可以變?yōu)镼×256個簇，其中P和Q確定為P＝N/4而Q＝L/4。N和L可以為整數(shù)。該方法可以作為這樣的方法將具有可變大小的IDMA的大小分配為相應(yīng)外部或內(nèi)部備用區(qū)OSA0、OSA1或ISA1的大小的四分之一。
舉例來說，如果N＝32，因為外部備用區(qū)(OSA0+OSA1)的大小為16384個簇，而P＝N/4＝8，所以在OSA0中的IDMA及OSA1中的IDMA的總的大小為4096個簇。如果L＝64，因為內(nèi)部備用區(qū)ISA1的大小為16384，而Q＝L/4＝16，所以在ISA1中的IDMA的大小為4096個簇。那么在第一和第二記錄層上的全部暫時缺陷管理區(qū)的總大小為8192個簇。
類似地，考慮到當(dāng)用于線性替換的區(qū)域設(shè)計為在備用區(qū)中時，用于線性替換的區(qū)域的大小、缺陷管理區(qū)的大小及備用區(qū)的大小彼此相關(guān)，于是使IDMA的大小根據(jù)備用區(qū)ISA1、OSA0和OSA1的大小可變。與之對比，內(nèi)部軌道區(qū)(特別是位于導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的TDMA)的大小具有固定值。
在本發(fā)明的具有雙層BD-WO結(jié)構(gòu)的實施例中，容易理解TDMA位于導(dǎo)入?yún)^(qū)并且也位于導(dǎo)出區(qū)。如果全部用戶區(qū)都用于記錄用戶數(shù)據(jù)，那么位于備用區(qū)上的暫時缺陷管理區(qū)IDMA的大小可以為“0”。如果不執(zhí)行缺陷管理，那么備用區(qū)可以被分配成大小為“0”。然而，因為導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的TDMA保持可用，所以盡管可以不管理臨時缺陷列表(TDFL)，但仍可以利用臨時光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)來記錄和管理特定信息。這些將在后文中更詳細(xì)地解釋，但同時，大小為“0”的IDMA意味著沒有管理TDFL。
仍根據(jù)圖5中所示的實施例，如果在BD-WO的數(shù)據(jù)的實際記錄期間產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄在缺陷區(qū)上的數(shù)據(jù)被記錄到用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上。在這種情況，相關(guān)的缺陷管理信息可以被記錄在OSA0、OSA1或ISA1內(nèi)的臨時和暫時缺陷管理區(qū)TDMA和IDMA上。
總之，IDMA的分配取決于是否作出了分配備用區(qū)的決定。一旦作出了分配備用區(qū)的決定，那么如此處所述的分配IDMA的方法(使用分配備用區(qū)的方法及管理缺陷的方法)將是可以應(yīng)用的。
除上述討論外，有一種情況也需考慮其中在雙層BD-WO中沒有分配備用區(qū)。特別地，存在其中只使用了TDMA的情況，以及其中如果只分配了內(nèi)部備用區(qū)ISA0那么只使用TDMA的情況。如果分配內(nèi)部備用區(qū)ISA0及外部備用區(qū)OSA0和OSA1，那么分配OSA0和OSA1中的IDMA。如果只分配了內(nèi)部備用區(qū)ISA0和ISA1但沒有分配外部備用區(qū)OSA0和OSA1，那么可以分配ISA1中的暫時缺陷管理區(qū)IDMA。如果分配了全部備用區(qū)，那么可以如上所述分配ISA1、OSA0和OSA1中的IDMA。
圖6說明根據(jù)本發(fā)明實施例的使用單層或雙層BD-WO中臨時或暫時缺陷管理區(qū)TDMA或IDMA的方法的實例。在該方法中，所述TDMA示出了TDDS和TDFL。然而，盡管在圖中沒有示出，但是所述IDMA也可以包括TDDS和TDFL。如圖6中所示的實施例說明，特定的缺陷管理信息(TDDS和TDFL)在其被記錄在IDMA之前，先被記錄在TDMA中。
現(xiàn)將提供TDDS和TDFL的討論。在本發(fā)明中，TDDS指臨時光盤定義結(jié)構(gòu)并區(qū)別于DDS(光盤定義結(jié)構(gòu))，其中TDDS是臨時性的。類似地，TDFL指臨時缺陷列表，并區(qū)別于DFL(缺陷列表)。此處，TDFL及TDDS都包括在TDMA中，而TDFL及TDDS也都包括在IDMA中。
所述臨時缺陷列表(TDFL)包含(部分地)在使用介質(zhì)期間確定為有缺陷的簇的列表。與此相關(guān)，TDDS指明與缺陷管理相關(guān)的光盤的格式和狀態(tài)，并且通常提供總的管理信息。光盤的格式可以包括與光盤上用于管理缺陷區(qū)的區(qū)域的特定布局相關(guān)的信息，而光盤的狀態(tài)可以包括各種標(biāo)志(下面將解釋)。TDFL包括BD-WO上的缺陷區(qū)及替換區(qū)的地址。記錄在臨時缺陷管理區(qū)(如，TDMA和IDMA)中的TDDS和TDFL，變?yōu)閷懺谟谰萌毕莨芾韰^(qū)(如DMA1-DMA4)中的永久信息(DDS和DFL)。例如，當(dāng)最終完成光盤時，TDDS及TDFL轉(zhuǎn)移并被記錄在至少一個DMA中。在BD-WO的用戶數(shù)據(jù)記錄操作期間，TDDS及TDFL周期性地或同時更新，并且將所述更新記錄在一個或多個TDMA和/或一個或多個IDMA中。隨著對其過程的討論，對于這些的特定操作將變得更加明了。
在圖6中所示的實施例中，首先使用TDMA(在使用IDMA之前)來記錄缺陷管理信息，如TDDS和TDFL。在TDMA已滿時，使用IDMA來記錄缺陷管理信息。然而，在本發(fā)明的其他變化中，首先使用IDMA(在TDMA之前)。在這種情況下，在IDMA已滿時，使用TDMA來記錄缺陷管理信息。在這樣的實例中，由TDMA的“已滿標(biāo)志”來指示信息，所指示的信息提供TDMA中哪一區(qū)域已滿的通知。因為此處公開的優(yōu)選實施例需要這樣指示多個TDMA和/或IDMA中哪個區(qū)域已滿的信息，所以所述“已滿標(biāo)志”指示是必須的。在一個實例中，該TDMA已滿標(biāo)志可以被包括在TDDS中。
因此，在圖6的實施例中，順序使用所述TDMA和IDMA，或IDMA和TDMA來存儲缺陷管理信息。在更多的實施例中，TDMA和IDMA既位于導(dǎo)入?yún)^(qū)內(nèi)又位于導(dǎo)出區(qū)內(nèi)。使用特定的TDMA和IDMA取決于多種因素，這些因素的實例將在對使用TDMA和IDMA的方法的討論中提供。
應(yīng)當(dāng)注意，圖6所示的方法以及這里所討論的任何其他方法(圖7-11)是可以應(yīng)用到圖4和5的光盤結(jié)構(gòu)及其上面討論的其他變型的。還應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明包括這樣的實施例所述實施例在BD-WO每一記錄層上包括多個TDMA和IDMA。
圖10說明根據(jù)本發(fā)明實施例的指示TDMA和/或IDMA已滿(如TDDS中所記錄的)的已滿標(biāo)志的實例。如前所述，TDDS包括總的管理信息。在本發(fā)明中為管理缺陷區(qū)，在記錄于一個或多個TDMA和/或一個或多個IDMA的TDDS中，使用并包括各種已滿標(biāo)志如“備用區(qū)已滿標(biāo)志”和“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”，以及指示標(biāo)記如“最新TDFL的第一PSN”。特別地，已滿標(biāo)志提供關(guān)于特定區(qū)域是否已滿的信息，并可以是對應(yīng)所述特定區(qū)域的1比特指示。在所示的實施例中，如果該特定區(qū)域為所述結(jié)構(gòu)中的特定TDMA或IDMA，且所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的相應(yīng)比特的值為“1”，那么認(rèn)為相應(yīng)區(qū)域(TDMA或IDMA)已滿或在“已滿”狀態(tài)。因此，該TDMA/IDMA因其已滿而不可以再使用。
圖10還說明，所述“備用區(qū)已滿標(biāo)志”字段包括如從其伸出的箭頭所指的8比特結(jié)構(gòu)。同樣地，所述“TDMA/IDMA已滿”標(biāo)志字段(也在TDDS中)包括從其伸出的箭頭所指的8比特結(jié)構(gòu)。在圖10所示TDDS中字段的實例中，示出了許多字節(jié)(大小)及相應(yīng)扇區(qū)。
作為一個實例，所述備用區(qū)已滿標(biāo)志的比特b3、b2、b1和b0用來分別指示所述外部備用區(qū)OSA1、內(nèi)部備用區(qū)ISA1、外部備用區(qū)OSA0及內(nèi)部備用區(qū)ISA0是否已滿。例如，如果“備用區(qū)已滿標(biāo)志”的值為00000011，這可以表示內(nèi)部和外部備用區(qū)ISA0及OSA0已滿。如果所述BD-WO是單層光盤，那么可以只使用比特b1和b0。
作為另一實例，所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的比特b4-b0用來分別指示OSA1中的IDMA、ISA1中的IDMA、OSA0中的IDMA、導(dǎo)出區(qū)中的TDMA及導(dǎo)入?yún)^(qū)中的TDMA是否已滿。例如，如果“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”的值為00000010，那么這可以表示只有導(dǎo)出區(qū)中的TDMA已滿。顯然，對這些已滿標(biāo)志，比特值及位置的其他實例和分配也是可能。
在一個實施例中，在記錄圖6中所述TDDS及TDFL中，TDDS的大小是固定的，如1個簇，而TDFL的大小是可變的。如圖5所示的雙層BD-WO的TDFL的大小可以從1個簇至8個簇改變。這一大小可以根據(jù)全部光盤的容量及備用區(qū)的大小來確定。
根據(jù)所述使用TDMA/IDMA的方法，如果在BD-WO上記錄數(shù)據(jù)時產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)，那么將已記錄或要記錄到BD-WO的缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)記錄在BD-WO中用于線性替換的預(yù)定區(qū)域(如，備用區(qū))。
圖7說明本發(fā)明的臨時或暫時缺陷管理區(qū)使用方法的另一實例。在如圖7中所示的使用臨時或暫時缺陷管理區(qū)的方法中，隨機(jī)地使用TDMA和IDMA而沒有確定任何使用順序。關(guān)于圖10討論的“TDMA和IDMA已滿”標(biāo)志也同樣地在此應(yīng)用。
如果所述“TDMA/IDMA已滿標(biāo)志”指示某個TDMA/IDMA已滿，那么使用BD-WO中隨后的TDMA/IDMA。在如圖7所示的隨機(jī)情況，沒有指明使用順序。如果全部TDMA和IDMA都已滿，那么無法再管理BD-WO上的缺陷。當(dāng)無法再管理缺陷時，TDDS和TDFL的最終信息(即，TDMA/IDMA中最后更新的TDDS和TDFL)被轉(zhuǎn)移并記錄在至少一個DMA(DMA1-DMA4)上，來反映當(dāng)前光盤狀態(tài)。此處，同樣的缺陷管理信息可以被記錄在每一個DMA中，使得即使一個DMA變得有缺陷，也不會丟失重要的缺陷管理信息。后文將提供更多的關(guān)于在DMA上記錄最終信息的討論。
根據(jù)圖7所示的實施例，缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)被記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域。關(guān)于該缺陷區(qū)及所述替換區(qū)的缺陷管理信息被隨機(jī)地記錄在希望的TDMA或IDMA上。例如，在BD-WO上最接近缺陷區(qū)所在區(qū)域的TDMA或IDMA可用于記錄這樣的缺陷管理信息。因此，如圖7中所示，可以可變地使用或者按需要使用TDMA或IDMA。
在如圖7的實施例中的使用臨時缺陷管理區(qū)的另一方法中，根據(jù)多種條件可變地使用多個缺陷管理區(qū)。在一個實例中，當(dāng)使用BD-WO時，可以只將缺陷管理信息記錄在IDMA上。而最新的缺陷管理信息是后來在彈出BD-WO時記錄在TDMA上的。換而言之，從用來在使用光盤時記錄缺陷管理信息的區(qū)域和用來在彈出光盤時記錄缺陷管理信息的區(qū)域此二者之間，確定選擇區(qū)域來在其中記錄缺陷管理信息。
在另一實例中，當(dāng)在BD-WO上記錄數(shù)據(jù)時，如果在記錄數(shù)據(jù)過程中產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)，那么將已記錄(或?qū)⒂涗?在缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上。在使用光盤時，將缺陷管理信息記錄在IDMA上。在彈出光盤時，將同樣的缺陷管理信息再次記錄在TDMA上。因為TDMA位于光盤內(nèi)部軌道的管理區(qū)(導(dǎo)入或?qū)С?，所以當(dāng)最初加載光盤時，系統(tǒng)首先從管理區(qū)獲取信息。即使在先前光盤已經(jīng)彈出的情況下，TDMA仍包括最新的管理信息。
作為使用光盤的另一方法，多種目標(biāo)被用來選擇多個缺陷管理區(qū)中的一個。一種使用光盤的方法是根據(jù)重要性。舉例來說，當(dāng)更新缺陷管理信息的重要性低時，可以使用IDMA來在其中記錄缺陷管理信息。而當(dāng)更新缺陷管理信息的重要性高時，可以使用TDMA來在其中記錄缺陷管理信息。此處，可以可變地設(shè)置用來確定重要性的標(biāo)準(zhǔn)。可以將刷新(更新)缺陷管理信息的頻率設(shè)置為條件，或基于設(shè)計者的選擇。也可以將彈出光盤的時間指定作為記錄缺陷管理信息的重要時間。在這種情況，使用光盤的時間被認(rèn)為是較不重要的，所以在此期間，缺陷管理信息可以記錄在IDMA上。彈出光盤的時間可以被認(rèn)為是更重要的，所以在此期間，可以將缺陷管理信息記錄在TDMA上?？梢匀我獾厥褂迷O(shè)計者決定使用的方法。
更新間隔(如，用來更新缺陷管理信息)是用來確定重要性的標(biāo)準(zhǔn)之一。換而言之，如果前次更新時間與當(dāng)前更新時間之間的持續(xù)時間長，則當(dāng)前更新信息被認(rèn)為是相對重要的。在這種情況，即使在使用光盤，也可以將缺陷管理信息記錄在TDMA(而不是IDMA)上。產(chǎn)生或發(fā)現(xiàn)的缺陷區(qū)的數(shù)目是確定重要性的另一標(biāo)準(zhǔn)。如果有相對多的缺陷區(qū)，那么因為認(rèn)為要求更高的可靠性，所以即使在使用光盤也可以將缺陷管理信息記錄在TDMA(而不是IDMA)上。
根據(jù)使用的目標(biāo)，如果根據(jù)重要性將缺陷管理信息記錄在TDMA上，那么因為TDMA是位于內(nèi)部軌道上，所以從加載光盤的最初時間開始，可以快速并準(zhǔn)確地得到重要信息。
圖8和9說明根據(jù)本發(fā)明實施例的臨時或暫時缺陷管理信息構(gòu)成方法的實例。在一個實施例中，本發(fā)明提供一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息(TTDS和TDFL)的方法，其中所述TDDS和TDFL彼此分開。本發(fā)明另一實施例提供一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDDS和TDFL彼此結(jié)合在一起。圖8所示為前種情況(分開的)而圖9所示為后種情況(結(jié)合的)。
具體地，圖8說明一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDDS和TDFL彼此分開。每一TDDS都具有固定大小，如1個簇，而每一TDFL的大小是從如1個簇到8個簇可變的。
圖9說明一種在TDMA或IDMA上構(gòu)成并記錄缺陷管理信息的方法，其中TDMA或IDMA的TDDS和TDFL是彼此結(jié)合在一起的。如圖9中所示，以TDFL+TDDS的形式來記錄缺陷管理信息。即，每當(dāng)缺陷管理信息更新，最新的TDFL和TDDS都被記錄在TDMA或IDMA中。因為如前所述，TDFL的大小可以從1個簇到8個簇變化，所以(TDFL+TDDS)的大小可以從1個簇到8個簇變化。圖8和9的方法可以應(yīng)用到在本公開中討論的每一所述光盤結(jié)構(gòu)和TDMA/IDMA使用方法。
圖11為一個圖表，說明根據(jù)使用的目標(biāo)何時使用DMA、TDMA和IDMA以及每一DMA、TDMA和IDMA具有什么信息。舉例來說，當(dāng)使用BD-WO時，將缺陷管理信息記錄在IDMA上。而在彈出BD-WO時，將缺陷管理信息記錄在TDMA上。當(dāng)可能發(fā)生DMA臨時填寫過程時，將缺陷管理信息記錄在DMA上，所述DMA臨時填寫過程發(fā)生在如將最終完成BD-WO且不再記錄數(shù)據(jù)時，備用區(qū)已滿時，或者TDMA或IDMA已滿而無法再管理缺陷時。如圖10中所示，將已滿的信息(如，已滿的標(biāo)志)記錄在TDDS中。如果根據(jù)使用的目標(biāo)TDMA和IDMA不分開，那么顯然，在TDMA和IDMA上記錄缺陷管理信息的時間不必彼此區(qū)別開。圖11中的表說明根據(jù)使用的目標(biāo)何時使用DMA、TDMA和IDMA以及DMA、TDMA和IDMA各自含有什么信息，該表適用于上文中討論過的結(jié)構(gòu)，包括附圖4-10中所示的結(jié)構(gòu)和方法以及圖3中所示的裝置。
工業(yè)應(yīng)用性在本發(fā)明中，在BD-WO中將要記錄在缺陷區(qū)上的信息被記錄在用于線性替換的區(qū)域上。將所述缺陷管理信息記錄在光盤預(yù)定區(qū)域上分開地提供的多個臨時管理區(qū)上。所述臨時管理區(qū)根據(jù)備用區(qū)被分為具有固定大小的臨時管理區(qū)及具有可變大小的臨時管理區(qū)，使得可以更有效地管理缺陷管理信息。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將明了，在本發(fā)明中可以實現(xiàn)各種修改及變化。因而可以預(yù)期，本發(fā)明覆蓋在所附權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)的任何本發(fā)明的修改、變化。
權(quán)利要求
1.一種管理具有至少一個記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的方法，所述方法包括下列步驟分別分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)；及將缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
2.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個記錄層，第一記錄層包括具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，且第二記錄層包括具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和至少兩個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)被分配至光學(xué)記錄介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的至少其中之一。
4.如權(quán)利要求3所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)被分配至所述光學(xué)記錄介質(zhì)的至少一個備用區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，所述至少一個備用區(qū)包括在光學(xué)記錄介質(zhì)上的內(nèi)部備用區(qū)和外部備用區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，該分配步驟進(jìn)一步包括分配至少一個內(nèi)部備用區(qū)，部分所述內(nèi)部備用區(qū)用來替換缺陷區(qū)；分配至少一個外部備用區(qū)，部分所述外部備用區(qū)用來替換缺陷區(qū)；及分配至少一個外部或內(nèi)部備用區(qū)的一部分作為臨時缺陷管理區(qū)，以管理缺陷管理信息。
7.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述至少一個臨時缺陷管理區(qū)被分配至光學(xué)記錄介質(zhì)上的第一外部備用區(qū)，且具有根據(jù)全部第一外部備用區(qū)的大小可變的大小。
8.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在分配步驟中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個記錄層，第一記錄層包括其全部區(qū)域用來替換缺陷區(qū)的第一內(nèi)部備用區(qū)，以及具有可變地分配的大小的第一外部備用區(qū)，第二記錄層包括第二內(nèi)部備用區(qū)和第二外部備用區(qū)。
9.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，在分配步驟中，如果沒有分配至少一個備用區(qū)，那么不分配至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，而只分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)。
10.如權(quán)利要求4所述的管理方法，其中，在分配步驟中，如果分配了至少一個備用區(qū)，不分配至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，而只分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)。
11.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
12.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟，所述缺陷管理信息包括至少一個臨時缺陷列表(TDFL)以及至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)。
13.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)的大小是固定的，而所述至少一個臨時缺陷列表的大小是可變的。
14.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個臨時缺陷列表及至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)是分開的。
15.如權(quán)利要求12所述的管理方法，其中，所述至少一個臨時缺陷列表及至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)是結(jié)合在一起的。
16.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，順序使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，來在其中記錄缺陷管理信息。
17.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，隨機(jī)地使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)而無預(yù)定順序，以在其中記錄缺陷管理信息。
18.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，以根據(jù)給予缺陷管理信息的重要性而定的順序，來使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
19.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，以根據(jù)出現(xiàn)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷區(qū)的數(shù)目而定的順序，來使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
20.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，根據(jù)在先前的缺陷管理信息更新時間和當(dāng)前的缺陷管理信息更新時間之間的持續(xù)時間，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
21.如權(quán)利要求20所述的管理方法，其中，如果在先前的更新時間和當(dāng)前的更新時間之間的持續(xù)時間超過基準(zhǔn)持續(xù)時間，那么將所述缺陷管理信息記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
22.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，在使用光學(xué)記錄介質(zhì)時，將所述缺陷管理信息記錄在至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上，而在彈出光學(xué)記錄介質(zhì)時，將所述缺陷管理信息記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
23.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，如果在記錄數(shù)據(jù)時產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上，且在記錄步驟中，根據(jù)哪個臨時缺陷管理區(qū)最接近產(chǎn)生的缺陷區(qū)，來將關(guān)于所述缺陷區(qū)的缺陷管理信息隨機(jī)記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)或至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
24.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在載入光學(xué)記錄介質(zhì)的初始時間首先訪問所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
25.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其中，在記錄步驟中，所述缺陷管理信息包括已滿指示信息，所述已滿指示信息提供在臨時缺陷管理區(qū)中哪個區(qū)域已滿的通知。
26.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)最終完成光學(xué)記錄介質(zhì)時，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久缺陷管理區(qū)上。
27.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)已滿時，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久管理區(qū)中。
28.如權(quán)利要求1所述的管理方法，其進(jìn)一步包括當(dāng)所述臨時缺陷管理區(qū)已滿而不能再管理缺陷時，將缺陷管理信息記錄在光學(xué)記錄介質(zhì)的永久管理區(qū)上。
29.一種用于管理一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的裝置，所述裝置包括用于分別將至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)分配至光學(xué)記錄介質(zhì)的裝置；及用于將缺陷管理信息記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上的裝置。
30.一種具有至少一個記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，其中缺陷管理信息被記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和/或至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
31.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)包括至少兩個記錄層，所述兩個記錄層包括第一記錄層，其包括具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)；和第二記錄層，其包括具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少兩個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
32.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)的至少其中之一中。
33.如權(quán)利要求32所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)的至少一個備用區(qū)中。
34.如權(quán)利要求33所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個備用區(qū)包括在光學(xué)記錄介質(zhì)上的內(nèi)部備用區(qū)及外部備用區(qū)。
35.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括至少一個內(nèi)部備用區(qū)，部分內(nèi)部備用區(qū)用來替換缺陷區(qū)；及至少一個外部備用區(qū)，部分外部備用區(qū)用來替換缺陷區(qū)，其中至少一個外部或內(nèi)部備用區(qū)的一部分用作臨時缺陷管理區(qū)來管理缺陷管理信息。
36.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)位于光學(xué)記錄介質(zhì)上的第一外部備用區(qū)中，并且具有根據(jù)整個第一外部備用區(qū)的大小可變的大小。
37.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有至少兩個記錄層，所述至少兩個記錄層包括第一記錄層，其包括其全部區(qū)域都用來替換缺陷區(qū)的第一內(nèi)部備用區(qū)，以及具有可變地分配的大小的第一外部備用區(qū)；以及第二記錄層，其包括第二內(nèi)部備用區(qū)和第二外部備用區(qū)。
38.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)為一次性寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)。
39.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述缺陷管理信息包括至少一個臨時缺陷列表(TDFL)和至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)。
40.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)的大小是固定的，而所述至少一個臨時缺陷列表的大小是可變的。
41.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個臨時缺陷列表和至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)是分開的。
42.如權(quán)利要求39所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個臨時缺陷列表和至少一個臨時光盤定義結(jié)構(gòu)是結(jié)合在一起的。
43.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，順序使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)，以在其中記錄缺陷管理信息。
44.隨機(jī)使用具有固定大小的光學(xué)記錄介質(zhì)區(qū)域和至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)而無預(yù)訂順序，以在其中記錄缺陷管理信息。
45.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，以根據(jù)給予所述缺陷管理信息的重要性而定的順序，來使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
46.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，以根據(jù)出現(xiàn)在光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷區(qū)的數(shù)目而定的順序，來使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
47.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，根據(jù)先前的缺陷管理信息更新時間和當(dāng)前的缺陷管理信息更新時間之間的持續(xù)時間，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)及至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
48.如權(quán)利要求47所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，如果先前的更新時間和當(dāng)前的更新時間之間的持續(xù)時間超過基準(zhǔn)持續(xù)時間，那么將所述缺陷管理信息記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
49.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在使用光學(xué)記錄介質(zhì)時，將所述缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上，而在彈出光學(xué)記錄介質(zhì)時，將所述缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)上。
50.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，如果在記錄數(shù)據(jù)時產(chǎn)生缺陷區(qū)，那么將要記錄的數(shù)據(jù)記錄在用于線性替換的預(yù)定區(qū)域上，并且在記錄步驟中，根據(jù)哪個臨時缺陷管理區(qū)最接近產(chǎn)生的缺陷區(qū)，來將關(guān)于缺陷區(qū)的缺陷管理信息隨機(jī)記錄在至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)或至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)中。
51.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在載入光學(xué)記錄介質(zhì)的初始時間，首先訪問所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
52.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述缺陷管理信息包括已滿指示信息，所述已滿指示信息提供在臨時缺陷管理區(qū)中哪個區(qū)域已滿的通知。
53.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來在要最終完成光學(xué)記錄介質(zhì)時，在其中記錄缺陷管理信息。
54.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來在光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)已滿時，在其中記錄缺陷管理信息。
55.如權(quán)利要求30所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其進(jìn)一步包括永久管理區(qū)，其用來在臨時缺陷管理區(qū)已滿且不能再管理缺陷時，在其中記錄缺陷管理信息。
全文摘要
本發(fā)明提供了一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)，用于分配所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的缺陷管理區(qū)的方法，以及用于分配所述一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的備用區(qū)的方法。這里提供的具有至少一個記錄層的一次性寫入光學(xué)記錄介質(zhì)上的缺陷的管理方法包括下列步驟分別分配至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)至所述光學(xué)記錄介質(zhì)，將缺陷管理信息記錄在所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)上；以及使用所述至少一個具有固定大小的臨時缺陷管理區(qū)和所述至少一個具有可變大小的臨時缺陷管理區(qū)。
文檔編號G11B11/00GK1754206SQ200380109904
公開日2006年3月29日 申請日期2003年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月21日
發(fā)明者樸容徹, 金成大 申請人:Lg電子株式會社