用于可變延時存儲器操作的設(shè)備及方法
【專利說明】用于可變延時存儲器操作的設(shè)備及方法
[0001]奪叉參考
[0002]本申請案主張2013年3月15日提出申請的美國非臨時申請案第13/838，296號的優(yōu)先權(quán)，出于任何目的，所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實施例大體來說涉及存儲器，且更具體來說，在一或多個所描述實施例中，涉及可變延時存儲器操作。
【背景技術(shù)】
[0004]存儲器可提供于多種設(shè)備中，例如計算機或包含但不限于以下各項的其它裝置:便攜式存儲器裝置、固態(tài)驅(qū)動器、個人數(shù)字助理、音樂播放器、相機、電話、無線裝置、顯示器、芯片集、機頂盒、游戲系統(tǒng)、交通工具及器具。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、快閃存儲器及電阻可變存儲器，以及其它存儲器。
[0005]例如電阻可變存儲器裝置等設(shè)備可用作用于寬廣范圍的電子裝置的非易失性存儲器。舉例來說，電阻可變存儲器裝置可包含相變存儲器(PCM)或電阻式存儲器(RR)，以及其它存儲器。
[0006]使用PCM的常規(guī)讀取操作還類似于針對RAM的讀取操作。因此，可使用PCM來實施隨機存取存儲器。然而，借助PCM的寫入操作與針對常規(guī)RAM的寫入操作相比可為相對較慢的。舉例來說，PCM可需要額外時間來管理并完成寫入操作，例如準備將寫入到存儲器的數(shù)據(jù)、在讀取存取請求的情形中暫停寫入操作及監(jiān)視寫入操作的進展。讀取操作與針對常規(guī)RAM相比可為較慢的且讀取操作無法在進行寫入操作的存儲器位置處執(zhí)行。
[0007]由于使用PCM作為RAM替換的限制，因此存儲器系統(tǒng)中的PCM的操作可受限制。舉例來說，不可在任何存儲器位置上在任何時間執(zhí)行寫入及讀取操作?？啥ㄆ诘夭樵冇糜诒O(jiān)視寫入操作的進展的狀態(tài)寄存器以確定在執(zhí)行另一寫入操作之前是否已完成特定寫入操作。另外，在一些應(yīng)用程序中，寫入操作必須暫停以進行讀取操作且在完成讀取操作后即刻重新開始。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]提供設(shè)備的實例。實例性設(shè)備可包含存儲器，所述存儲器經(jīng)配置以在第一尋址階段期間接收指示命令的類型的激活命令且在第二尋址階段期間接收所述命令。在一些實例中，所述存儲器可進一步經(jīng)配置以至少部分地響應(yīng)于在可變延時周期期間接收所述命令而提供指示所述存儲器不可用于執(zhí)行命令的信息且至少部分地響應(yīng)于在所述可變延時周期之后接收所述命令而提供指示所述存儲器可用于執(zhí)行命令的信息。
[0009]實例性設(shè)備可包含存儲器，所述存儲器經(jīng)配置以在可變延時周期期間提供數(shù)據(jù)無效信息。在一些實例中，所述數(shù)據(jù)無效信息可指示所述可變延時周期的剩余長度及在由所述存儲器接收到激活命令之后的所述可變延時周期。在一些實例中，所述存儲器可進一步經(jīng)配置以在所述可變延時周期之后提供數(shù)據(jù)有效信息在一些實例中，所述激活命令可包括激活讀取命令或激活寫入命令。
[0010]實例性設(shè)備可包含控制器，所述控制器經(jīng)配置以在第一尋址階段期間將指示命令的激活命令提供到存儲器。在一些實例中，所述控制器可進一步經(jīng)配置以在第二尋址階段期間給所述命令提供第一時間。在一些實例中，所述控制器可進一步經(jīng)配置以至少部分地響應(yīng)于接收到指示所述存儲器不可用于執(zhí)行所述命令的信息而給所述命令提供第二時間。
[0011]本文中揭示實例性方法。實例性方法可包含:在第一尋址階段期間借助存儲器接收指示命令的類型的激活命令；在第二尋址階段期間接收所述命令；如果所述命令是在可變延時周期期間接收的，那么提供指示所述存儲器不可用于執(zhí)行所述命令的信息；及如果所述命令是在所述可變延時周期之后接收的，那么提供指示所述存儲器可用于執(zhí)行所述命令的信息。
[0012]實例性方法可包含:借助控制器提供指示命令的激活命令；在提供所述激活命令之后，提供所述命令；及至少部分地響應(yīng)于提供所述命令而接收數(shù)據(jù)無效信息或數(shù)據(jù)有效信息中的至少一者。
【附圖說明】
[0013]圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的設(shè)備的框圖。
[0014]圖1B是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的示意性框圖。
[0015]圖2A是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的讀取操作的各種信號的時序圖。
[0016]圖2B是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的寫入操作的各種信號的時序圖。
[0017]圖3A是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的讀取操作的各種信號的時序圖。
[0018]圖3B是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的寫入操作的各種信號的時序圖。
[0019]圖4A是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的讀取操作的各種信號的時序圖。
[0020]圖4B是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的寫入操作的各種信號的時序圖。
[0021]圖5是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的設(shè)備的各種操作狀態(tài)的示意性狀態(tài)圖。
[0022]圖6是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的實例性延時的表。
[0023]圖7是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的在存儲器操作期間的針對等待狀態(tài)的實例性位指派的表。
[0024]圖8是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的針對存儲器命令的確認事件的實例性位指派的表。
【具體實施方式】
[0025]本文中揭示用于可變延時存儲器操作的設(shè)備及方法。下文陳述特定細節(jié)以提供對本發(fā)明的實施例的充分理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了，可在無這些特定細節(jié)的情況下實踐本發(fā)明的實施例。此外，本文中所描述的本發(fā)明的特定實施例以實例方式提供且不應(yīng)用于將本發(fā)明的范圍限制于這些特定實施例。在其它例子中，未詳細展示眾所周知的電路、控制信號、時序協(xié)議及軟件操作以避免不必要地使本發(fā)明模糊。
[0026]圖1A是根據(jù)本發(fā)明的實施例的設(shè)備100的框圖。所述設(shè)備可包括:電路、一或多個半導(dǎo)體裸片、經(jīng)封裝半導(dǎo)體、包含此電路、裸片或封裝的裝置及/或包含此裝置的系統(tǒng)。設(shè)備100包含控制器110 (例如，存儲器控制器)及存儲器120?？刂破?10及存儲器120可通過命令與地址(CA)總線130及數(shù)據(jù)總線135耦合。存儲器120可經(jīng)配置以經(jīng)由CA總線130從控制器110接收命令及/或地址，且存儲器可經(jīng)配置以經(jīng)由數(shù)據(jù)總線135接收數(shù)據(jù)及/或提供數(shù)據(jù)。
[0027]存儲器120可經(jīng)配置以響應(yīng)于由控制器110提供的所接收命令及/或地址而執(zhí)行存儲器操作(例如，讀取操作或?qū)懭氩僮?。舉例來說，存儲器120可響應(yīng)于讀取命令而經(jīng)由數(shù)據(jù)總線135將讀取數(shù)據(jù)提供到控制器110，且可響應(yīng)于寫入命令而存儲經(jīng)由數(shù)據(jù)總線135接收的寫入數(shù)據(jù)。另外，存儲器120可響應(yīng)于特定命令而經(jīng)由數(shù)據(jù)總線135進一步將信息提供到控制器110。舉例來說，所述信息可指示存儲器120是否可用于執(zhí)行存儲器操作及/或存儲器120可變得可用于執(zhí)行存儲器操作之前的時間量。
[0028]在至少一個實施例中，設(shè)備100可經(jīng)配置以根據(jù)三階段尋址操作。通常，三階段尋址可包含三個階段，在所述三個階段期間，存儲器120接收由存儲器控制器110提供的命令及地址，響應(yīng)于所述命令及地址而執(zhí)行存儲器操作(例如，讀取操作或?qū)懭氩僮?。舉例來說，三階段尋址可包含第一階段，其中存儲器120可經(jīng)由CA總線120從控制器110接收預(yù)作用命令?？刂破?10可進一步將行地址的第一部分提供到存儲器120。作為響應(yīng)，存儲器120可存儲與預(yù)作用命令一起在CA總線120上接收的行地址的第一部分。在第二階段中，存儲器120可從控制器110接收作用命令?？刂破?10可進一步將行地址的第二部分提供到存儲器120。作為響應(yīng)，存儲器120可存儲與作用命令一起在CA總線120上提供的行地址的第二部分。行地址的第一部分及第二部分可構(gòu)成完整行地址，且存儲器120可存取與行地址相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)且將所述數(shù)據(jù)存儲于緩沖器中。在第三階段期間，存儲器120可接收由控制器110提供的命令。舉例來說，存儲器120可接收由控制器110提供的讀取命令或?qū)懭朊睢ｍ憫?yīng)于讀取命令，可經(jīng)由數(shù)據(jù)總線135將經(jīng)緩沖數(shù)據(jù)提供到控制器110。響應(yīng)于寫入命令，可在數(shù)據(jù)總線135上接收經(jīng)寫入數(shù)據(jù)，且存儲器120可將經(jīng)寫入數(shù)據(jù)存儲于行地址處。
[0029]在至少一個實施例中，三階段尋址操作的第二階段可包含可變延時周期tLAT。在tLAT周期期間，存儲器120可(舉例來說)通過以下操作來管理存儲器操作:使電路準備執(zhí)行在第三階段中接收的命令；完成當前存儲器操作；及/或暫停當前存儲器操作。因此，由于存儲器120可在tLAT周期期間管理任何數(shù)目個這些及/或其它存儲器操作，因此可變延時周期tLAT可變化。舉例來說，tLAT周期可在相對短持續(xù)時間與相對長持續(xù)時間之間變化。
[0030]在一些實施例中，存儲器120可經(jīng)配置使得保證tLAT周期在一或多個特定時間量內(nèi)逝去。舉例來說，在至少一個實施例中，當?shù)谌A段的命令包括讀取命令時，存儲器120可經(jīng)配置以至少在時間tMAXLATR內(nèi)完成第二階段。S卩，tLAT周期將在tMAXLATR內(nèi)逝去。當?shù)谌A段中提供的命令包括寫入命令時，存儲器120可經(jīng)配置以至少在時間tMAXLATW內(nèi)完成第二階段。即，tLAT周期將在tMAXLATW內(nèi)逝去?？蓪MAXLATR及tMAXLATW兩者的值作為參數(shù)存儲于寄存器(圖1中未展示)中。在一些例子中，tMAXLATR及tMAXLATW的值可為預(yù)定的及/或相等或不相等的。舉例來說，可基于命令的優(yōu)先級而實時地調(diào)整tMAXLATR及tMAXLATW的值。以實例方式，當讀取命令比寫入命令優(yōu)先化時，可增加tMAXLATW。
[0031]因此，由于tLAT周期的最大持續(xù)時間可取決于后續(xù)階段中提供的命令的類型，因此在一些實施例中，激活命令可指示第三階段中提供的命令的類型。舉例來說，在至少一個實施例中，激活命令可包括激活讀取命令或激活寫入命令。以此方式，可變延時周期tLAT可至少部分地基于激活命令是包括激活讀取命