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應(yīng)用于igbt模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置的制造方法

文檔序號(hào):10406209閱讀:1018來(lái)源:國(guó)知局
應(yīng)用于igbt模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的絕緣棚.雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor,IGBT)功率模塊通常包含多個(gè)IGBT半橋臂模塊,每個(gè)IGBT半橋臂模塊由上橋臂和下橋臂組成;上、下橋臂皆由一個(gè)IGBT和一個(gè)反接的續(xù)流二極管連接而成。現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試熔斷器保護(hù)IGBT模塊中續(xù)流二極管的單相短路的實(shí)驗(yàn)電路如圖1所示,兩路連接支路分別于兩個(gè)IGBT半橋臂模塊的橋臂中點(diǎn)連接,通過(guò)外接三相交流電中的兩個(gè)相電壓,來(lái)完成測(cè)試熔斷器保護(hù)IGBT模塊中續(xù)流二極管的單相短路的保護(hù)能力。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺陷:首先,整個(gè)測(cè)試電路中需要兩個(gè)并聯(lián)的IGBT半橋臂模塊I,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜;其次,該測(cè)試電路只能測(cè)試單相交流電對(duì)IGBT半橋臂模塊I的影響,不能模擬測(cè)試現(xiàn)有三相交流電連接IGBT半橋臂模塊時(shí)的工作場(chǎng)景。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置,通過(guò)采用一個(gè)IGBT半橋臂模塊檢測(cè)熔斷器對(duì)續(xù)流二極管的保護(hù)能力。
[0005]為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置,包括:一個(gè)IGBT半橋臂模塊、第一連接支路和第二連接支路;以及在所述第一連接支路或所述第二連接支路上設(shè)置的熔斷器接入端口;所述IGBT半橋臂模塊的上、下橋臂連接;所述第一連接支路一端與所述IGBT半橋臂模塊的橋臂中點(diǎn)連接、另一端與三相交流電源的A相連接;所述第二連接支路一端與所述IGBT半橋臂模塊的下橋臂連接、另一端與所述三相交流電源的B相連接。
[0006]如上所述的裝置,所述測(cè)試裝置還包括:第三連接支路,所述第三連接支路一端與所述IGBT半橋臂模塊的下橋臂連接、另一端與所述三相交流電源的C相連接;當(dāng)所述第二連接支路上設(shè)置有所述熔斷器接入端口時(shí),所述第三連接支路一端通過(guò)所述熔斷器接入端口與所述IGBT半橋臂模塊的下橋臂連接。
[0007]如上所述的裝置,所述測(cè)試裝置還包括:串聯(lián)單元,所述串聯(lián)單元包括依次串聯(lián)連接的電感、電阻和第一開(kāi)關(guān)裝置;所述第一連接支路及所述第二連接支路上設(shè)置有所述串聯(lián)單元,或者,所述第一連接支路、所述第二連接支路及所述第三連接支路上設(shè)置有所述串聯(lián)單元,各所述串聯(lián)單元中的所述第一開(kāi)關(guān)裝置的一端與所述三相交流電源連接。
[0008]如上所述的裝置,每一所述串聯(lián)單元包括依次串聯(lián)連接的第二開(kāi)關(guān)裝置、所述電感、所述電阻及所述第一開(kāi)關(guān)裝置。
[0009]如上所述的裝置,所述測(cè)試裝置中還包括所述三相交流電源。
[0010]如上所述的裝置,所述第一開(kāi)關(guān)裝置和所述第二開(kāi)關(guān)裝置為觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)或單刀開(kāi)關(guān)。
[0011]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置,通過(guò)采用一個(gè)IGBT半橋臂模塊便可完成測(cè)試單相短路的搭建,以檢測(cè)熔斷器對(duì)續(xù)流二極管的保護(hù)能力,既減小了器件體積,便于攜帶,又節(jié)省了成本。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種測(cè)試熔斷器保護(hù)IGBT模塊中續(xù)流二極管的單相短路實(shí)驗(yàn)電路;
[0013]圖2為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0014]圖3為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0015]圖4為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置再一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖5為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置又一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明:S1-第一連接支路;S2-第二連接支路;1-1GBT半橋臂模塊;2-熔斷器接入端口;L-電感;R-電阻;Kl-第一開(kāi)關(guān)裝置;K2-第二開(kāi)關(guān)裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]實(shí)施例一
[0020]圖2為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,該測(cè)試裝置包括一個(gè)IGBT半橋臂模塊1、第一連接支路SI和第二連接支路S2以及在第一連接支路SI或第二連接支路S2上設(shè)置的供接入熔斷器的熔斷器接入端口 2。
[0021]具體地,第一連接支路SI的一端與IGBT半橋臂模塊I的橋臂中點(diǎn)連接,其另一端與三相交流電源的A相連接;第二連接支路S2的一端與IGBT半橋臂模塊I的下橋臂連接,其另一端與三相交流電源的B相連接;IGBT半橋臂模塊I的上、下橋臂連接,以形成回路。
[0022]下面對(duì)測(cè)試的原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0023]按照?qǐng)D2的方式連接電路后接入熔斷器,如果A、B間線電壓為正向電壓,則電流從A相流出,流經(jīng)方向依次通過(guò)第一連接支路S1、熔斷器、IGBT半橋臂模塊I的橋臂中點(diǎn)、IGBT模塊上橋臂的續(xù)流二極管、上橋臂和下橋臂的連線、第二連接支路S2、最后回到B相。如果A、B間線電壓為反相電壓,則電流從B相流出,流經(jīng)方向依次通過(guò)第二連接支路S2、IGBT模塊下橋臂的續(xù)流二極管、IGBT半橋臂模塊I的橋臂中點(diǎn)、熔斷器、第一連接支路SI,最后回到A相。
[0024]在測(cè)試過(guò)程中,可以調(diào)節(jié)交流電源相電壓的大小,當(dāng)相電壓達(dá)到續(xù)流二極管的損壞電壓時(shí),熔斷器及時(shí)斷開(kāi),說(shuō)明熔斷器的保護(hù)能力強(qiáng),符合要求;如果相電壓到達(dá)足夠大,續(xù)流二極管已經(jīng)被損壞,但熔斷器仍然沒(méi)有熔斷,說(shuō)明熔斷器的保護(hù)能力弱。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置,通過(guò)采用一個(gè)IGBT半橋臂模塊便可完成測(cè)試單相短路的搭建,以檢測(cè)熔斷器對(duì)續(xù)流二極管的保護(hù)能力,既減小了器件體積,便于攜帶,又節(jié)省了成本。
[0026]實(shí)施例二
[0027]圖3為本實(shí)用新型提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示,在圖2的基礎(chǔ)上,該測(cè)試裝置還包括第三連接支路S3。
[0028]具體地,第三連接支路S3的一端與IGBT半橋臂模塊I的下橋臂連接,其另一端與三相交流電源的C相連接。
[0029]在本實(shí)施例中,第二連接支路S2和第三連接支路S3靠近IGBT半橋臂模塊I的一端設(shè)置有一個(gè)公共連接點(diǎn)。優(yōu)選地,當(dāng)?shù)诙B接支路S2上設(shè)置有熔斷器接入端口 2時(shí),第三連接支路S3—端通過(guò)熔斷器接入端口 2與IGBT半橋臂模塊I的下橋臂連接,如此,即可以使第二連接支路S2和第三連接支路S3共用一個(gè)熔斷器。
[0030]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的應(yīng)用于IGBT模塊中的熔斷器的測(cè)試裝置,可以通過(guò)三相交流電源的A相和B相對(duì)熔斷器進(jìn)行測(cè)試,也可以通過(guò)B相和C相或者A相和C相對(duì)熔斷器進(jìn)行測(cè)試,完成測(cè)試單相短路的搭建;同時(shí)三相交流
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